JP2001068603A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15182—Fan-in arrangement of the internal vias
- H01L2924/15183—Fan-in arrangement of the internal vias in a single layer of the multilayer substrate
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップにクラックが生じることによる
チップ不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、上面に銅配
線１３が形成されたポリイミド基板１１と、ポリイミド
基板１１に設けられ、銅配線１３に接続された接続孔
と、ポリイミド基板１１の下面に形成され、前記接続孔
を介して銅配線１３に接続された半田ボール１５と、ポ
リイミド基板１１の上面上にフェース・ダウン・ボンデ
ィングされた半導体チップ１と、半導体チップ１に取り
付けられ、銅配線１３に接続された金バンプ５と、半導
体チップ１とポリイミド基板１１との間に配置された異
方性導電膜７と、半導体チップ１の裏面全体に設けられ
た保護膜９と、を具備するものである。
チップ不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、上面に銅配
線１３が形成されたポリイミド基板１１と、ポリイミド
基板１１に設けられ、銅配線１３に接続された接続孔
と、ポリイミド基板１１の下面に形成され、前記接続孔
を介して銅配線１３に接続された半田ボール１５と、ポ
リイミド基板１１の上面上にフェース・ダウン・ボンデ
ィングされた半導体チップ１と、半導体チップ１に取り
付けられ、銅配線１３に接続された金バンプ５と、半導
体チップ１とポリイミド基板１１との間に配置された異
方性導電膜７と、半導体チップ１の裏面全体に設けられ
た保護膜９と、を具備するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に係わり、特に、一方の主面に導電パターン
と異方性導電膜が形成された基板に半導体チップをフェ
ース・ダウン・ボンディングした半導体装置及びその製
造方法に関するものである。
の製造方法に係わり、特に、一方の主面に導電パターン
と異方性導電膜が形成された基板に半導体チップをフェ
ース・ダウン・ボンディングした半導体装置及びその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来の半導体装置（エリアアレ
イパッケージ）の一例を示す断面図である。
イパッケージ）の一例を示す断面図である。
【０００３】この半導体装置はポリイミド基板１１を有
し、このポリイミド基板１１の上面にはメッキを施した
銅配線１３が形成されている。また、ポリイミド基板１
１には接続孔が設けられており、この接続孔は銅配線１
３に接続されている。ポリイミド基板１１の下面には半
田ボール１５が取り付けられており、半田ボール１５は
接続孔を介して銅配線１３に接続されている。銅配線１
３及びポリイミド基板１１の上には異方性導電膜（Anis
otropic Conductive Film）７が配置されている。
し、このポリイミド基板１１の上面にはメッキを施した
銅配線１３が形成されている。また、ポリイミド基板１
１には接続孔が設けられており、この接続孔は銅配線１
３に接続されている。ポリイミド基板１１の下面には半
田ボール１５が取り付けられており、半田ボール１５は
接続孔を介して銅配線１３に接続されている。銅配線１
３及びポリイミド基板１１の上には異方性導電膜（Anis
otropic Conductive Film）７が配置されている。
【０００４】ポリイミド基板１１の上面上には半導体チ
ップ１がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ１には金バンプ５が設けら
れており、金バンプ５は銅配線１３に電気的に接続され
ている。半導体チップ１の裏面のマーク印刷部４にはマ
ークが印刷されている。
ップ１がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ１には金バンプ５が設けら
れており、金バンプ５は銅配線１３に電気的に接続され
ている。半導体チップ１の裏面のマーク印刷部４にはマ
ークが印刷されている。
【０００５】次に、図２に示す半導体装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【０００６】まず、金バンプ５を有する半導体ウエハを
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ１を形成する。
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ１を形成する。
【０００７】この後、上面に銅配線１３と異方性導電膜
７が形成されたポリイミド基板１１を準備し、このポリ
イミド基板１１の上面側に複数の半導体チップ１をフェ
ース・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体
チップ１は金バンプ５を介して銅配線１３に電気的に接
続される。
７が形成されたポリイミド基板１１を準備し、このポリ
イミド基板１１の上面側に複数の半導体チップ１をフェ
ース・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体
チップ１は金バンプ５を介して銅配線１３に電気的に接
続される。
【０００８】次に、半導体チップ１の裏面のマーク印刷
部４にマーク（図示せず）を印刷する。この後、ポリイ
ミド基板１１の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取
り付け、この半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に
電気的に接続する。
部４にマーク（図示せず）を印刷する。この後、ポリイ
ミド基板１１の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取
り付け、この半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に
電気的に接続する。
【０００９】次に、ポリイミド基板１１を切断すること
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図２に示す半導体装置を製造する。
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図２に示す半導体装置を製造する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置では、半導体チップ１の裏面のＳｉがむき出
しの状態となっているため、半導体チップ１にクラック
が発生することがあり、そのクラックが半導体チップの
能動面に達して半導体チップ１が不良となることがあ
る。
半導体装置では、半導体チップ１の裏面のＳｉがむき出
しの状態となっているため、半導体チップ１にクラック
が発生することがあり、そのクラックが半導体チップの
能動面に達して半導体チップ１が不良となることがあ
る。
【００１１】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、半導体チップにクラック
が生じることによるチップ不良の発生を抑制した半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、半導体チップにクラック
が生じることによるチップ不良の発生を抑制した半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、一方の主面に導電パタ
ーンが形成された基板と、前記基板に設けられ、前記導
電パターンに接続された接続孔と、前記基板の他方の主
面に形成され、前記接続孔を介して導電パターンに接続
された接続端子と、前記基板の一方の主面上にフェース
・ダウン・ボンディングされた半導体チップと、前記半
導体チップに取り付けられ、前記導電パターンに接続さ
れたバンプと、前記半導体チップと前記基板との間に配
置された異方性導電膜と、前記半導体チップの裏面全体
に設けられた保護膜と、を具備することを特徴とする。
め、本発明に係る半導体装置は、一方の主面に導電パタ
ーンが形成された基板と、前記基板に設けられ、前記導
電パターンに接続された接続孔と、前記基板の他方の主
面に形成され、前記接続孔を介して導電パターンに接続
された接続端子と、前記基板の一方の主面上にフェース
・ダウン・ボンディングされた半導体チップと、前記半
導体チップに取り付けられ、前記導電パターンに接続さ
れたバンプと、前記半導体チップと前記基板との間に配
置された異方性導電膜と、前記半導体チップの裏面全体
に設けられた保護膜と、を具備することを特徴とする。
【００１３】上記半導体装置では、半導体チップの裏面
全体に保護膜を設け、この保護膜により半導体チップの
裏面がむき出しになることがないように保護している。
このため、半導体チップにクラックが発生することを抑
えることができ、そのクラックが半導体チップの能動面
に達して半導体チップが不良となることを抑制できる。
全体に保護膜を設け、この保護膜により半導体チップの
裏面がむき出しになることがないように保護している。
このため、半導体チップにクラックが発生することを抑
えることができ、そのクラックが半導体チップの能動面
に達して半導体チップが不良となることを抑制できる。
【００１４】また、本発明に係る半導体装置において、
前記保護膜は、ポリイミド、エポキシ樹脂又はセラミッ
クからなる膜、もしくは、Ｃｕ板、Ａｌ板又は金属板が
ニッケルメッキされたものであることが好ましい。
前記保護膜は、ポリイミド、エポキシ樹脂又はセラミッ
クからなる膜、もしくは、Ｃｕ板、Ａｌ板又は金属板が
ニッケルメッキされたものであることが好ましい。
【００１５】本発明に係る半導体装置の製造方法は、バ
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、回転する
半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴下する工
程と、半導体ウエハの裏面上のポリイミドをベークする
工程と、半導体ウエハをダイシングすることにより、半
導体チップを形成する工程と、一方の主面に導電パター
ンと異方性導電膜が形成された基板を準備する工程と、
前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、を具備することを
特徴とする。
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、回転する
半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴下する工
程と、半導体ウエハの裏面上のポリイミドをベークする
工程と、半導体ウエハをダイシングすることにより、半
導体チップを形成する工程と、一方の主面に導電パター
ンと異方性導電膜が形成された基板を準備する工程と、
前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、を具備することを
特徴とする。
【００１６】本発明に係る半導体装置の製造方法は、バ
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導
体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップを
形成する工程と、前記半導体チップの裏面の形状に切断
されたポリイミド・テープを準備する工程と、前記ポリ
イミド・テープを前記半導体チップの裏面に貼り付ける
工程と、一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が形
成された基板を準備する工程と、前記基板の一方の主面
側に前記半導体チップをフェース・ダウン・ボンディン
グする工程と、を具備することを特徴とする。
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導
体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップを
形成する工程と、前記半導体チップの裏面の形状に切断
されたポリイミド・テープを準備する工程と、前記ポリ
イミド・テープを前記半導体チップの裏面に貼り付ける
工程と、一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が形
成された基板を準備する工程と、前記基板の一方の主面
側に前記半導体チップをフェース・ダウン・ボンディン
グする工程と、を具備することを特徴とする。
【００１７】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記フェース・ダウン・ボンディングする工程の後に、前
記基板の他方の主面側の接続孔上に半田ボールを取り付
け、この半田ボールを接続孔を介して導電パターンに接
続する工程をさらに含むことが好ましい。
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記フェース・ダウン・ボンディングする工程の後に、前
記基板の他方の主面側の接続孔上に半田ボールを取り付
け、この半田ボールを接続孔を介して導電パターンに接
続する工程をさらに含むことが好ましい。
【００１８】本発明に係る半導体装置の製造方法は、バ
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導
体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップを
形成する工程と、一方の主面に導電パターンと異方性導
電膜が形成された基板を準備する工程と、前記基板の一
方の主面側に前記半導体チップをフェース・ダウン・ボ
ンディングする工程と、半導体チップの裏面の形状に切
断されたポリイミド・テープを準備し、このポリイミド
・テープを半導体チップの裏面に貼り付ける工程と、を
具備することを特徴とする。
ンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半導
体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップを
形成する工程と、一方の主面に導電パターンと異方性導
電膜が形成された基板を準備する工程と、前記基板の一
方の主面側に前記半導体チップをフェース・ダウン・ボ
ンディングする工程と、半導体チップの裏面の形状に切
断されたポリイミド・テープを準備し、このポリイミド
・テープを半導体チップの裏面に貼り付ける工程と、を
具備することを特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記貼り付ける工程の後に、前記基板の他方の主面側の接
続孔上に半田ボールを取り付け、この半田ボールを接続
孔を介して導電パターンに接続する工程をさらに含むこ
とが好ましい。
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記貼り付ける工程の後に、前記基板の他方の主面側の接
続孔上に半田ボールを取り付け、この半田ボールを接続
孔を介して導電パターンに接続する工程をさらに含むこ
とが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
実施の形態について説明する。
【００２１】図１は、本発明の実施の形態による半導体
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【００２２】この半導体装置はポリイミド基板１１を有
し、このポリイミド基板１１の上面には配線パターン１
３が形成されている。この配線パターン１３としては、
例えばメッキを施した銅配線が用いられる。また、ポリ
イミド基板１１には接続孔が設けられており、この接続
孔は配線パターン１３に接続されている。ポリイミド基
板１１の下面には接続端子１５が取り付けられており、
接続端子１５としては例えば半田ボールが用いられる。
接続端子１５は接続孔を介して配線パターン１３に接続
されている。配線パターン１３及びポリイミド基板１１
の上には異方性導電膜７が配置されている。
し、このポリイミド基板１１の上面には配線パターン１
３が形成されている。この配線パターン１３としては、
例えばメッキを施した銅配線が用いられる。また、ポリ
イミド基板１１には接続孔が設けられており、この接続
孔は配線パターン１３に接続されている。ポリイミド基
板１１の下面には接続端子１５が取り付けられており、
接続端子１５としては例えば半田ボールが用いられる。
接続端子１５は接続孔を介して配線パターン１３に接続
されている。配線パターン１３及びポリイミド基板１１
の上には異方性導電膜７が配置されている。
【００２３】ポリイミド基板１１の上面上には半導体チ
ップ１がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ１には金バンプ５が設けら
れており、金バンプ５は配線パターン１３に電気的に接
続されている。
ップ１がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ１には金バンプ５が設けら
れており、金バンプ５は配線パターン１３に電気的に接
続されている。
【００２４】半導体チップ１の裏面全体には厚さ数ミク
ロン〜数十ミクロン程度の保護膜９が設けられている。
この保護膜９としては、例えば、ポリイミド、エポキシ
樹脂又はセラミックからなる膜、もしくは、Ｃｕ板、Ａ
ｌ板又は金属板がニッケルメッキされたもの等を用いる
ことが可能である。この保護膜９のマーク印刷部３には
マークが印刷されている。
ロン〜数十ミクロン程度の保護膜９が設けられている。
この保護膜９としては、例えば、ポリイミド、エポキシ
樹脂又はセラミックからなる膜、もしくは、Ｃｕ板、Ａ
ｌ板又は金属板がニッケルメッキされたもの等を用いる
ことが可能である。この保護膜９のマーク印刷部３には
マークが印刷されている。
【００２５】上記実施の形態によれば、半導体チップ１
の裏面全体に保護膜９を設け、この保護膜９により半導
体チップの裏面のＳｉがむき出しになることがないよう
に保護している。このため、従来の半導体装置のように
半導体チップにクラックが発生することを抑えることが
できる。したがって、そのクラックが半導体チップの能
動面に達して半導体チップ１が不良となることを抑制で
きる。
の裏面全体に保護膜９を設け、この保護膜９により半導
体チップの裏面のＳｉがむき出しになることがないよう
に保護している。このため、従来の半導体装置のように
半導体チップにクラックが発生することを抑えることが
できる。したがって、そのクラックが半導体チップの能
動面に達して半導体チップ１が不良となることを抑制で
きる。
【００２６】また、保護膜９としてＣｕ板等がニッケル
メッキされたものを用いると、クラックの発生を抑える
だけでなく、半導体チップの放熱性を向上させることも
できる。
メッキされたものを用いると、クラックの発生を抑える
だけでなく、半導体チップの放熱性を向上させることも
できる。
【００２７】次に、図１に示す半導体装置を製造する第
１の方法について説明する。
１の方法について説明する。
【００２８】まず、金バンプ５を有する半導体ウエハを
準備し、この半導体ウエハを回転させる。この後、回転
する半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴下す
る。これにより、半導体ウエハの裏面全体にポリイミド
が塗布される。次に、半導体ウエハを所定の温度でベー
クすることにより、半導体ウエハの裏面全体に厚さ数ミ
クロン〜数十ミクロン程度のポリイミドからなる保護膜
９が形成される。
準備し、この半導体ウエハを回転させる。この後、回転
する半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴下す
る。これにより、半導体ウエハの裏面全体にポリイミド
が塗布される。次に、半導体ウエハを所定の温度でベー
クすることにより、半導体ウエハの裏面全体に厚さ数ミ
クロン〜数十ミクロン程度のポリイミドからなる保護膜
９が形成される。
【００２９】この後、半導体ウエハをダイシングするこ
とにより、裏面に保護膜９を有する複数の半導体チップ
１が形成される。
とにより、裏面に保護膜９を有する複数の半導体チップ
１が形成される。
【００３０】次に、上面にメッキを施した銅配線１３と
異方性導電膜７が形成されたポリイミド基板１１を準備
する。このポリイミド基板１１には、銅配線１３に接続
された接続孔が形成されている。この後、このポリイミ
ド基板１１の上面側に複数の半導体チップ１をフェース
・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体チッ
プ１は金バンプ５を介して銅配線１３に電気的に接続さ
れる。
異方性導電膜７が形成されたポリイミド基板１１を準備
する。このポリイミド基板１１には、銅配線１３に接続
された接続孔が形成されている。この後、このポリイミ
ド基板１１の上面側に複数の半導体チップ１をフェース
・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体チッ
プ１は金バンプ５を介して銅配線１３に電気的に接続さ
れる。
【００３１】この後、保護膜９のマーク印刷部３にマー
ク（図示せず）を印刷する。次に、ポリイミド基板１１
の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に電気的に接続
する。
ク（図示せず）を印刷する。次に、ポリイミド基板１１
の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に電気的に接続
する。
【００３２】次に、ポリイミド基板１１を切断すること
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図１に示す半導体装置を製造する。
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図１に示す半導体装置を製造する。
【００３３】次に、図１に示す半導体装置を製造する第
２の方法について説明する。
２の方法について説明する。
【００３４】まず、金バンプ５を有する半導体ウエハを
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ１を形成する。
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ１を形成する。
【００３５】また、厚さ６０〜９０ミクロン程度のポリ
イミド・テープを準備し、このポリイミド・テープを半
導体チップ１の裏面の形状（例えば矩形）に切断する。
この後、切断されたポリイミド・テープを半導体チップ
１の裏面に貼り付ける。これにより、半導体チップ１の
裏面全体にポリイミド・テープからなる保護膜９が形成
される。
イミド・テープを準備し、このポリイミド・テープを半
導体チップ１の裏面の形状（例えば矩形）に切断する。
この後、切断されたポリイミド・テープを半導体チップ
１の裏面に貼り付ける。これにより、半導体チップ１の
裏面全体にポリイミド・テープからなる保護膜９が形成
される。
【００３６】次に、上面にメッキを施した銅配線１３と
異方性導電膜７が形成されたポリイミド基板１１を準備
する。この後、このポリイミド基板１１の上面側に複数
の半導体チップ１をフェース・ダウン・ボンディングす
る。
異方性導電膜７が形成されたポリイミド基板１１を準備
する。この後、このポリイミド基板１１の上面側に複数
の半導体チップ１をフェース・ダウン・ボンディングす
る。
【００３７】この後、保護膜９のマーク印刷部３にマー
ク（図示せず）を印刷する。次に、ポリイミド基板１１
の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に電気的に接続
する。
ク（図示せず）を印刷する。次に、ポリイミド基板１１
の下面側の接続孔上に半田ボール１５を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線１３に電気的に接続
する。
【００３８】次に、ポリイミド基板１１を切断すること
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図１に示す半導体装置を製造する。
により、一つの半導体チップ１毎に分離する。このよう
にして図１に示す半導体装置を製造する。
【００３９】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態は、種々のエリアアレイパッケージに適用
することが可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態は、種々のエリアアレイパッケージに適用
することが可能である。
【００４０】また、本実施の形態では、ポリイミド基板
１１を用いているが、他の基板を用いることも可能であ
り、例えばセラミック基板を用いることも可能である。
１１を用いているが、他の基板を用いることも可能であ
り、例えばセラミック基板を用いることも可能である。
【００４１】また、本実施の形態による半導体装置を製
造する第２の方法では、半導体ウエハをダイシングした
後に、ポリイミド・テープを半導体チップ１の裏面に貼
り付けているが、半導体チップ１をフェース・ダウン・
ボンディングした後に、ポリイミド・テープを半導体チ
ップ１の裏面に貼り付け、マークを印刷することも可能
である。
造する第２の方法では、半導体ウエハをダイシングした
後に、ポリイミド・テープを半導体チップ１の裏面に貼
り付けているが、半導体チップ１をフェース・ダウン・
ボンディングした後に、ポリイミド・テープを半導体チ
ップ１の裏面に貼り付け、マークを印刷することも可能
である。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップの裏面全体に保護膜を設けている。したがっ
て、半導体チップにクラックが生じることによるチップ
不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提
供することができる。
導体チップの裏面全体に保護膜を設けている。したがっ
て、半導体チップにクラックが生じることによるチップ
不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体装置を示す断
面図である。
面図である。
【図２】従来の半導体装置（エリアアレイパッケージ）
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
１半導体チップ ３，４ マーク印刷部 ５ 金バンプ ７ 異方性導電膜 ９保護膜 １１ ポリイミド基板 １３ 配線パターン（銅配線） １５ 接続端子（半田ボール）
Claims (7)
- 【請求項１】 一方の主面に導電パターンが形成された
基板と、 前記基板に設けられ、前記導電パターンに接続された接
続孔と、 前記基板の他方の主面に形成され、前記接続孔を介して
導電パターンに接続された接続端子と、 前記基板の一方の主面上にフェース・ダウン・ボンディ
ングされた半導体チップと、 前記半導体チップに取り付けられ、前記導電パターンに
接続されたバンプと、 前記半導体チップと前記基板との間に配置された異方性
導電膜と、 前記半導体チップの裏面全体に設けられた保護膜と、 を具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記保護膜は、ポリイミド、エポキシ樹
脂又はセラミックからなる膜、もしくは、Ｃｕ板、Ａｌ
板又は金属板がニッケルメッキされたものであることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 バンプを有する半導体ウエハを準備する
工程と、 回転する半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴
下する工程と、 半導体ウエハの裏面上のポリイミドをベークする工程
と、 半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体チッ
プを形成する工程と、一方の主面に導電パターンと異方
性導電膜が形成された基板を準備する工程と、 前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 バンプを有する半導体ウエハを準備する
工程と、 前記半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体
チップを形成する工程と、 前記半導体チップの裏面の形状に切断されたポリイミド
・テープを準備する工程と、 前記ポリイミド・テープを前記半導体チップの裏面に貼
り付ける工程と、 一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が形成された
基板を準備する工程と、 前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記基板を準備する工程における基板に
は前記導電パターンに接続する接続孔が設けられてお
り、前記フェース・ダウン・ボンディングする工程の後
に、前記基板の他方の主面側の接続孔上に半田ボールを
取り付け、この半田ボールを接続孔を介して導電パター
ンに接続する工程をさらに含むことを特徴とする請求項
３〜４のうちいずれか１項記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】 バンプを有する半導体ウエハを準備する
工程と、 前記半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体
チップを形成する工程と、 一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が形成された
基板を準備する工程と、 前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、 半導体チップの裏面の形状に切断されたポリイミド・テ
ープを準備し、このポリイミド・テープを半導体チップ
の裏面に貼り付ける工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記基板を準備する工程における基板に
は前記導電パターンに接続する接続孔が設けられてお
り、前記貼り付ける工程の後に、前記基板の他方の主面
側の接続孔上に半田ボールを取り付け、この半田ボール
を接続孔を介して導電パターンに接続する工程をさらに
含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23691799A JP3339472B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23691799A JP3339472B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068603A true JP2001068603A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3339472B2 JP3339472B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=17007676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23691799A Expired - Fee Related JP3339472B2 (ja) | 1999-08-24 | 1999-08-24 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339472B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008072108A (ja) * | 2007-09-03 | 2008-03-27 | Lintec Corp | チップ用保護膜形成用シート |
| JP2010093295A (ja) * | 2010-01-25 | 2010-04-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US7820487B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-10-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN103779241A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | Nxp股份有限公司 | 晶片级芯片规模封装（wlcsp）的保护 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101964045B1 (ko) | 2012-04-12 | 2019-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 모듈 및 그 제조 방법 |
-
1999
- 1999-08-24 JP JP23691799A patent/JP3339472B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN103779241A (zh) * | 2012-10-23 | 2014-05-07 | Nxp股份有限公司 | 晶片级芯片规模封装（wlcsp）的保护 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3339472B2 (ja) | 2002-10-28 |
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