JP3339472B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
の製造方法に係わり、特に、一方の主面に導電パターン
と異方性導電膜が形成された基板に半導体チップをフェ
ース・ダウン・ボンディングした半導体装置及びその製
造方法に関するものである。
イパッケージ)の一例を示す断面図である。
し、このポリイミド基板11の上面にはメッキを施した
銅配線13が形成されている。また、ポリイミド基板1
1には接続孔が設けられており、この接続孔は銅配線1
3に接続されている。ポリイミド基板11の下面には半
田ボール15が取り付けられており、半田ボール15は
接続孔を介して銅配線13に接続されている。銅配線1
3及びポリイミド基板11の上には異方性導電膜(Anis
otropic Conductive Film)7が配置されている。
ップ1がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ1には金バンプ5が設けら
れており、金バンプ5は銅配線13に電気的に接続され
ている。半導体チップ1の裏面のマーク印刷部4にはマ
ークが印刷されている。
ついて説明する。
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ1を形成する。
7が形成されたポリイミド基板11を準備し、このポリ
イミド基板11の上面側に複数の半導体チップ1をフェ
ース・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体
チップ1は金バンプ5を介して銅配線13に電気的に接
続される。
部4にマーク(図示せず)を印刷する。この後、ポリイ
ミド基板11の下面側の接続孔上に半田ボール15を取
り付け、この半田ボールを接続孔を介して銅配線13に
電気的に接続する。
により、一つの半導体チップ1毎に分離する。このよう
にして図2に示す半導体装置を製造する。
半導体装置では、半導体チップ1の裏面のSiがむき出
しの状態となっているため、半導体チップ1にクラック
が発生することがあり、そのクラックが半導体チップの
能動面に達して半導体チップ1が不良となることがあ
る。
れたものであり、その目的は、半導体チップにクラック
が生じることによるチップ不良の発生を抑制した半導体
装置及びその製造方法を提供することにある。
は、基板上に形成された導電パターンと、前記導電パタ
ーン上に形成された異方性導電膜と、前記異方性導電膜
上に形成された半導体チップと、前記半導体チップの裏
面全体に設けられた保護膜と、前記基板と前記半導体チ
ップとの間に形成され、前記半導体チップと前記導電パ
ターンとを電気的に接続するバンプと、前記基板に形成
された接続孔と、前記基板の下に形成され、前記接続孔
を介して前記導電パターンに接続された接続端子と、を
具備し、前記保護膜は、CuまたはAlからなることを
特徴とする。
全体にCuまたはAlからなる保護膜を設け、この保護
膜により半導体チップの裏面がむき出しになることがな
いように保護している。このため、半導体チップにクラ
ックが発生することを抑えることができ、そのクラック
が半導体チップの能動面に達して半導体チップが不良と
なることを抑制できる。
された導電パターンと、前記導電パターン上に形成され
た異方性導電膜と、前記異方性導電膜上に形成された半
導体チップと、前記基板と前記半導体チップとの間に形
成され、前記半導体チップと前記導電パターンとを電気
的に接続するバンプと、前記基板に形成された接続孔
と、前記基板の下に形成され、前記接続孔を介して前記
導電パターンに接続された接続端子と、前記半導体チッ
プの裏面全体に設けられたニッケルメッキされた金属板
と、を具備することを特徴とする。
全体にニッケルメッキされた金属板を設け、この保護膜
により半導体チップの裏面がむき出しになることがない
ように保護している。このため、半導体チップにクラッ
クが発生することを抑えることができ、そのクラックが
半導体チップの能動面に達して半導体チップが不良とな
ることを抑制できる。
バンプを有する半導体ウエハを準備する工程と、前記半
導体ウエハをダイシングすることにより、半導体チップ
を形成する工程と、前記半導体チップの裏面の形状に切
断されたポリイミド・テープを準備する工程と、前記ポ
リイミド・テープを前記半導体チップの裏面に貼り付け
る工程と、一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が
形成された基板を準備する工程と、 前記基板の一方の
主面側に前記半導体チップをフェース・ダウン・ボンデ
ィングする工程と、を具備することを特徴とする。
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記フェース・ダウン・ボンディングする工程の後に、前
記基板の他方の主面側の接続孔上に半田ボールを取り付
け、この半田ボールを接続孔を介して導電パターンに接
続する工程をさらに含むことが好ましい。
において、前記基板を準備する工程における基板には前
記導電パターンに接続する接続孔が設けられており、前
記貼り付ける工程の後に、前記基板の他方の主面側の接
続孔上に半田ボールを取り付け、この半田ボールを接続
孔を介して導電パターンに接続する工程をさらに含むこ
とが好ましい。
ップの裏面全体に保護膜を設け、この保護膜により半導
体チップの裏面がむき出しになることがないように保護
している。このため、半導体チップにクラックが発生す
ることを抑えることができ、そのクラックが半導体チッ
プの能動面に達して半導体チップが不良となることを抑
制できる。
実施の形態について説明する。
装置を示す断面図である。
し、このポリイミド基板11の上面には配線パターン1
3が形成されている。この配線パターン13としては、
例えばメッキを施した銅配線が用いられる。また、ポリ
イミド基板11には接続孔が設けられており、この接続
孔は配線パターン13に接続されている。ポリイミド基
板11の下面には接続端子15が取り付けられており、
接続端子15としては例えば半田ボールが用いられる。
接続端子15は接続孔を介して配線パターン13に接続
されている。配線パターン13及びポリイミド基板11
の上には異方性導電膜7が配置されている。
ップ1がフェース・ダウン・ボンディングにより実装さ
れている。この半導体チップ1には金バンプ5が設けら
れており、金バンプ5は配線パターン13に電気的に接
続されている。
ロン〜数十ミクロン程度の保護膜9が設けられている。
この保護膜9としては、例えば、ポリイミド、エポキシ
樹脂又はセラミックからなる膜、もしくは、Cu板、A
l板又は金属板がニッケルメッキされたもの等を用いる
ことが可能である。この保護膜9のマーク印刷部3には
マークが印刷されている。
の裏面全体に保護膜9を設け、この保護膜9により半導
体チップの裏面のSiがむき出しになることがないよう
に保護している。このため、従来の半導体装置のように
半導体チップにクラックが発生することを抑えることが
できる。したがって、そのクラックが半導体チップの能
動面に達して半導体チップ1が不良となることを抑制で
きる。
メッキされたものを用いると、クラックの発生を抑える
だけでなく、半導体チップの放熱性を向上させることも
できる。
1の方法について説明する。
準備し、この半導体ウエハを回転させる。この後、回転
する半導体ウエハの裏面上に液状のポリイミドを滴下す
る。これにより、半導体ウエハの裏面全体にポリイミド
が塗布される。次に、半導体ウエハを所定の温度でベー
クすることにより、半導体ウエハの裏面全体に厚さ数ミ
クロン〜数十ミクロン程度のポリイミドからなる保護膜
9が形成される。
とにより、裏面に保護膜9を有する複数の半導体チップ
1が形成される。
異方性導電膜7が形成されたポリイミド基板11を準備
する。このポリイミド基板11には、銅配線13に接続
された接続孔が形成されている。この後、このポリイミ
ド基板11の上面側に複数の半導体チップ1をフェース
・ダウン・ボンディングする。これにより、半導体チッ
プ1は金バンプ5を介して銅配線13に電気的に接続さ
れる。
ク(図示せず)を印刷する。次に、ポリイミド基板11
の下面側の接続孔上に半田ボール15を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線13に電気的に接続
する。
により、一つの半導体チップ1毎に分離する。このよう
にして図1に示す半導体装置を製造する。
2の方法について説明する。
準備し、この半導体ウエハをダイシングすることにより
複数の半導体チップ1を形成する。
イミド・テープを準備し、このポリイミド・テープを半
導体チップ1の裏面の形状(例えば矩形)に切断する。
この後、切断されたポリイミド・テープを半導体チップ
1の裏面に貼り付ける。これにより、半導体チップ1の
裏面全体にポリイミド・テープからなる保護膜9が形成
される。
異方性導電膜7が形成されたポリイミド基板11を準備
する。この後、このポリイミド基板11の上面側に複数
の半導体チップ1をフェース・ダウン・ボンディングす
る。
ク(図示せず)を印刷する。次に、ポリイミド基板11
の下面側の接続孔上に半田ボール15を取り付け、この
半田ボールを接続孔を介して銅配線13に電気的に接続
する。
により、一つの半導体チップ1毎に分離する。このよう
にして図1に示す半導体装置を製造する。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
本実施の形態は、種々のエリアアレイパッケージに適用
することが可能である。
11を用いているが、他の基板を用いることも可能であ
り、例えばセラミック基板を用いることも可能である。
造する第2の方法では、半導体ウエハをダイシングした
後に、ポリイミド・テープを半導体チップ1の裏面に貼
り付けているが、半導体チップ1をフェース・ダウン・
ボンディングした後に、ポリイミド・テープを半導体チ
ップ1の裏面に貼り付け、マークを印刷することも可能
である。
導体チップの裏面全体に保護膜を設けている。したがっ
て、半導体チップにクラックが生じることによるチップ
不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提
供することができる。
面図である。
の一例を示す断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板上に形成された導電パターンと、 前記導電パターン上に形成された異方性導電膜と、 前記異方性導電膜上に形成された半導体チップと、 前記半導体チップの裏面全体に設けられた保護膜と、 前記基板と前記半導体チップとの間に形成され、前記半
導体チップと前記導電パターンとを電気的に接続するバ
ンプと、 前記基板に形成された接続孔と、 前記基板の下に形成され、前記接続孔を介して前記導電
パターンに接続された接続端子と、を具備し、 前記保護膜は、CuまたはAlからなることを特徴とす
る半導体装置 。 - 【請求項2】 基板上に形成された導電パターンと、 前記導電パターン上に形成された異方性導電膜と、 前記異方性導電膜上に形成された半導体チップと、 前記基板と前記半導体チップとの間に形成され、前記半
導体チップと前記導電パターンとを電気的に接続するバ
ンプと、 前記基板に形成された接続孔と、 前記基板の下に形成され、前記接続孔を介して前記導電
パターンに接続された接続端子と、 前記半導体チップの裏面全体に設けられたニッケルメッ
キされた金属板と、を具備することを特徴とする半導体
装置 。 - 【請求項3】 バンプを有する半導体ウエハを準備する
工程と、 前記半導体ウエハをダイシングすることにより、半導体
チップを形成する工程と、 前記半導体チップの裏面の形状に切断されたポリイミド
・テープを準備する工程と、 前記ポリイミド・テープを前記半導体チップの裏面に貼
り付ける工程と、 一方の主面に導電パターンと異方性導電膜が形成された
基板を準備する工程と、 前記基板の一方の主面側に前記半導体チップをフェース
・ダウン・ボンディングする工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項4】 前記基板を準備する工程における基板に
は前記導電パターンに接続する接続孔が設けられてお
り、前記フェース・ダウン・ボンディングする工程の後
に、前記基板の他方の主面側の接続孔上に半田ボールを
取り付け、この半田ボールを接続孔を介して導電パター
ンに接続する工程をさらに含むことを特徴とする請求項
3記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項5】 前記基板を準備する工程における基板に
は前記導電パターンに接続する接続孔が設けられてお
り、前記貼り付ける工程の後に、前記基板の他方の主面
側の接続孔上に半田ボールを取り付け、この半田ボール
を接続孔を介して導電パターンに接続する工程をさらに
含むことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造
方法。
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JP3339472B2 true JP3339472B2 (ja) | 2002-10-28 |
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ID=17007676
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1999
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