JP4506168B2 - 半導体装置およびその実装構造 - Google Patents
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Description
請求項2に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板上にマトリックス状に設けられた柱状電極と、前記マトリックス状に設けられた柱状電極の4隅の内、少なくとも1つの隅に設けられた円形のダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された1領域を除く領域に設けられた複数の円形の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜とを備えた半導体装置と、前記半導体装置の前記柱状電極に対応して配置された接続端子を有する回路基板と、前記半導体装置の前記柱状電極と前記回路基板の前記接続端子を接合する半田層とを備え、前記半導体装置の前記ダミー柱状電極は、前記回路基板には接合されていないことを特徴とするものである。
2 半導体基板
3 接続パッド
4 絶縁膜
6 保護膜
10 配線
11 ダミー接続パッド部
12 柱状電極
13 ダミー柱状電極
14 封止膜
15 半田ボール
31 回路基板
32 接続端子
Claims (2)
- 半導体基板と、前記半導体基板上にマトリックス状に設けられた柱状電極と、前記マトリックス状に設けられた柱状電極の4隅の内、少なくとも1つの隅に設けられた円形のダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された1領域を除く領域に設けられた複数の円形の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜と、前記柱状電極上に設けられた半田層とを備え、前記ダミー柱状電極上には半田層が設けられていないことを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板上にマトリックス状に設けられた柱状電極と、前記マトリックス状に設けられた柱状電極の4隅の内、少なくとも1つの隅に設けられた円形のダミー柱状電極と、前記半導体基板上のダミー柱状電極が形成された1領域を除く領域に設けられた複数の円形の柱状電極と、前記半導体基板上の前記柱状電極および前記ダミー柱状電極を除く領域に設けられた封止膜とを備えた半導体装置と、前記半導体装置の前記柱状電極に対応して配置された接続端子を有する回路基板と、前記半導体装置の前記柱状電極と前記回路基板の前記接続端子を接合する半田層とを備え、前記半導体装置の前記ダミー柱状電極は、前記回路基板には接合されていないことを特徴とする半導体装置の実装構造。
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