JP2007214165A - リフロー装置およびリフロー方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ状態のシリコン基板を含む半導体装置形成用構成体12には中心部に対して外周部が浮き上がるような反りが発生している。そして、ホットプレート24上の容器25内に変形可能な伝熱層26を設け、この伝熱層26上に変形可能な伝熱補助材27を介して半導体装置形成用構成体12を配置すると、半導体装置形成用構成体12の反りを伝熱層26の変形により吸収して、反りが発生した半導体装置形成用構成体12の下面全体を伝熱補助材27を介して伝熱層26の上面にムラなく確実に密着させることができ、したがってホットプレート24を用いて半田ボールを良好に形成することができる。
【選択図】図5
Description
2 接続パッド
8 配線
9 柱状電極
10 封止膜
11 半田ボール
12 半導体装置形成用構成体
21 ダイシングストリート
22 フラックス
23 リフロー装置
24 ホットプレート
25 容器
26 伝熱層
27 伝熱補助材
28 押え治具
29 貫通孔
Claims (20)
- 基板上の導電性ボール形成領域に配置された導電性ボールをホットプレートを用いて加熱することにより、前記基板上の導電性ボール形成領域に導電性ボールを形成するリフロー装置において、前記ホットプレート上に設けられた容器と、前記容器内に設けられたそれ自体でまたは前記導電性ボールの溶融可能な温度で変形可能な伝熱層とを有することを特徴とするリフロー装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記伝熱層は、前記容器内に充填された多数の金属微粒子によって形成されていることを特徴とするリフロー装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記容器内に設けられた前記伝熱層を覆う変形可能な伝熱補助材を有することを特徴とするリフロー装置。
- 請求項3に記載の発明において、前記伝熱層は、前記容器内に充填された液体または前記導電性ボールの溶融可能な温度で溶融する金属材料あるいは有機材料によって形成されていることを特徴とするリフロー装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記ホットプレートおよび前記容器は真空チャンバー内に設けられていることを特徴とするリフロー装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記基板は複数の接続パッドを有するウエハ状態の半導体基板であり、前記導電性ボール形成領域は前記各接続パッドに接続された柱状電極の上面であることを特徴とするリフロー装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記柱状電極は前記半導体基板上に形成された配線上に形成されていることを特徴とするリフロー装置。
- 請求項6に記載の発明において、前記伝熱層上に配置された前記半導体基板上の外周部を押え付けるリング状の押え治具を有することを特徴とするリフロー装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記押え治具に複数の貫通孔が設けられ、前記押え治具の貫通孔を介して前記半導体基板上の外周部を真空吸着する真空吸着ヘッドを有することを特徴とするリフロー装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記導電性ボールは半田ボールであることを特徴とするリフロー装置。
- 基板上の導電性ボール形成領域に配置された導電性ボールをホットプレートを用いて加熱することにより、前記基板上の導電性ボール形成領域に導電性ボールを形成するリフロー方法であって、
前記ホットプレート上に容器を設ける工程と、
それ自体でまたは前記導電性ボールの溶融可能な温度で変形可能な伝熱層を前記容器内に設ける工程と、
を有することを特徴とするリフロー方法。 - 請求項11に記載の発明において、前記容器内に多数の金属微粒子を充填し、前記伝熱層を形成することを特徴とするリフロー方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記容器内に設けられた前記伝熱層上に前記伝熱層を覆う変形可能な伝熱補助材を設け、前記伝熱補助材を介して前記基板と前記伝熱層を対面させることを特徴とするリフロー方法。
- 請求項13に記載の発明において、前記伝熱層は、前記容器内に充填された液体または前記導電性ボールの溶融可能な温度で溶融する金属材料あるいは有機材料によって形成することを特徴とするリフロー方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記ホットプレートおよび前記容器を真空チャンバー内に設けることを特徴とするリフロー方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記基板は複数の接続パッドを有するウエハ状態の半導体基板であり、前記各接続パッドに接続された柱状電極の上面を前記導電性ボール形成領域とすることを特徴とするリフロー方法。
- 請求項16に記載の発明において、前記柱状電極は前記半導体基板上に形成された配線上に形成することを特徴とするリフロー方法。
- 請求項16に記載の発明において、前記伝熱層上に配置された前記半導体基板上の外周部を、リング状の押え治具によって押え付けることを特徴とするリフロー方法。
- 請求項18に記載の発明において、前記押え治具に複数の貫通孔を設け、前記押え治具の貫通孔を介して前記半導体基板上の外周部を真空吸着することを特徴とするリフロー方法。
- 請求項11に記載の発明において、前記導電性ボールは半田ボールであることを特徴とするリフロー方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2006
- 2006-02-07 JP JP2006029286A patent/JP2007214165A/ja active Pending
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