JPS62230027A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62230027A JPS62230027A JP61073518A JP7351886A JPS62230027A JP S62230027 A JPS62230027 A JP S62230027A JP 61073518 A JP61073518 A JP 61073518A JP 7351886 A JP7351886 A JP 7351886A JP S62230027 A JPS62230027 A JP S62230027A
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-
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は広範な電子機器に用いられる半導体装着、とり
わけＩＣカードやメモリーカードなどに用いる薄型の半
導体装置の製造方法に関するものである。
わけＩＣカードやメモリーカードなどに用いる薄型の半
導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
近年、半導体技術の進歩はめざましいものがあり、電子
機器の軽薄短小化はもとより、高性能化や高信頼化に大
きく寄与している。
機器の軽薄短小化はもとより、高性能化や高信頼化に大
きく寄与している。
このような中にあって昨今半導体チップを薄くパッケー
ジし、さらにその複数個を高密度に実装して電子回路を
構成する高密度実装技術の重要性がますます増大してい
る。
ジし、さらにその複数個を高密度に実装して電子回路を
構成する高密度実装技術の重要性がますます増大してい
る。
従来、このような半導体チップの高密度実装技術として
はいろいろな方法が実施されているが、その代表的な方
法としてフリ・ソプチフプ方式と呼ばれる実装方法があ
る。この方法は第１図に示すようにシリコンから成る半
導体チップ１に形成されたアルミ電極端子部に真空蒸着
技術や電気めっき技術、７オトリソ技術を利用して０ｒ
−Ｃｕ−はんだや０ｒ−Ｎｉ−ムＵなどから成るバンブ
と呼ばれる突起電極２を設け、これをフェースダウンし
てその突起電極２をアルミナなどのセラミックよりなる
回路基板３０表面に形成した回路導体層４とはんだリフ
ロー法などの方法によって電気的に接続したものである
。
はいろいろな方法が実施されているが、その代表的な方
法としてフリ・ソプチフプ方式と呼ばれる実装方法があ
る。この方法は第１図に示すようにシリコンから成る半
導体チップ１に形成されたアルミ電極端子部に真空蒸着
技術や電気めっき技術、７オトリソ技術を利用して０ｒ
−Ｃｕ−はんだや０ｒ−Ｎｉ−ムＵなどから成るバンブ
と呼ばれる突起電極２を設け、これをフェースダウンし
てその突起電極２をアルミナなどのセラミックよりなる
回路基板３０表面に形成した回路導体層４とはんだリフ
ロー法などの方法によって電気的に接続したものである
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような半導体チップの実装方法で
は、半導体チップ１をフェースダウン方式によって回路
基板３と接続させるために、突起電極２と回路導体層４
のアライメント作業が煩雑となり、接続の安定性に欠け
るとともに、その接続状態を外観的に横歪できないため
歩留シが低下すること、半導体チ、ツブ１を実装する回
路基板３はシリコンと膨張係数を合致させないと、熱衝
撃によって接続の信頼性がそこなわれるので回路基板３
の材質はアルミナなどのセラミック基板に限定されるこ
と、さらには半導体チップ１を回路基板３にフェースダ
ウン実装した状態では半導体チップ１の表面に樹脂コー
トするのが困難なため、特に耐湿信頼性を確保するのか
むつがしいという問題を有していた。
は、半導体チップ１をフェースダウン方式によって回路
基板３と接続させるために、突起電極２と回路導体層４
のアライメント作業が煩雑となり、接続の安定性に欠け
るとともに、その接続状態を外観的に横歪できないため
歩留シが低下すること、半導体チ、ツブ１を実装する回
路基板３はシリコンと膨張係数を合致させないと、熱衝
撃によって接続の信頼性がそこなわれるので回路基板３
の材質はアルミナなどのセラミック基板に限定されるこ
と、さらには半導体チップ１を回路基板３にフェースダ
ウン実装した状態では半導体チップ１の表面に樹脂コー
トするのが困難なため、特に耐湿信頼性を確保するのか
むつがしいという問題を有していた。
本発明はこのような問題点を解決するもので、半導体チ
ップの接続を容易にかつ確実に行うとともに高信頼性を
はかることを目的としたものである。
ップの接続を容易にかつ確実に行うとともに高信頼性を
はかることを目的としたものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は突起電極を形成し
た半導体チップの単体もしくは複数個を合成樹脂に埋設
し、合成樹脂の表面を研削して突起電極の一部を露出さ
せた後で、合成樹脂層の表面に所望とする回路導体層を
形成する方法に関するものである。
た半導体チップの単体もしくは複数個を合成樹脂に埋設
し、合成樹脂の表面を研削して突起電極の一部を露出さ
せた後で、合成樹脂層の表面に所望とする回路導体層を
形成する方法に関するものである。
作用
このような方法により、半導体チップが合成樹脂中に埋
設され、半導体チタンに形成された突起電極を露出させ
た状態で外部に引き出されるので。
設され、半導体チタンに形成された突起電極を露出させ
た状態で外部に引き出されるので。
合成樹脂層の表面に形成される回路導体層との接続が確
実に行えると同時に半導体チップの表面が合成樹脂で完
全におおわれるので耐湿性が向上がはかられ、高信頼性
を有し、小型でしかも薄型の半導体装置が実現されるこ
とになる。
実に行えると同時に半導体チップの表面が合成樹脂で完
全におおわれるので耐湿性が向上がはかられ、高信頼性
を有し、小型でしかも薄型の半導体装置が実現されるこ
とになる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面にもとづいて詳細に説明す
る。
る。
第１図Ａ−Ｄは本発明の一実施例における半導体装置の
製造方法を説明する製造工程図であり、第１図において
、５は半導体チタン、６はバンブと呼ばれる突起電極、
７は合成樹脂層、８は回路導体層である。
製造方法を説明する製造工程図であり、第１図において
、５は半導体チタン、６はバンブと呼ばれる突起電極、
７は合成樹脂層、８は回路導体層である。
以上のように構成された半導体装置について以下その製
造方法を詳細に述べる。
造方法を詳細に述べる。
本発明による半導体装置は先ず第１図ムに示すように半
導体チップ６に形成されたアルミ電極端子部にバンブと
呼ばれる突起電極６を形成する。
導体チップ６に形成されたアルミ電極端子部にバンブと
呼ばれる突起電極６を形成する。
この突起電極ｅの形成法としては、通常の７リツプチツ
プのバンブ形成法と同様な方法によって行う。
プのバンブ形成法と同様な方法によって行う。
即ち、イオン注入、拡散工程、アルミ配線形成パフシベ
ーション工程などを経て作ったシリコンウェハーを用い
て、その表面に真空蒸着法やスパッタリング法によりク
ロム、チタン、パラジウムなどのバリヤ金属を付着させ
、さらにその表面に銅や二・ソケルなどの薄膜を形成さ
せてから、フォト技術を利用してアルミ電極部のみを露
出させ、電気めっき法によって露出し九電極端子部に５
０〜１５０μ程度の銅やニッケルなどから成る導電金属
層を厚く析出させた後に突起電極端子部以外に付着した
レジストを除去し、露出した金属薄膜層をクイックエツ
チング法によって除去する方法によって形成した。
ーション工程などを経て作ったシリコンウェハーを用い
て、その表面に真空蒸着法やスパッタリング法によりク
ロム、チタン、パラジウムなどのバリヤ金属を付着させ
、さらにその表面に銅や二・ソケルなどの薄膜を形成さ
せてから、フォト技術を利用してアルミ電極部のみを露
出させ、電気めっき法によって露出し九電極端子部に５
０〜１５０μ程度の銅やニッケルなどから成る導電金属
層を厚く析出させた後に突起電極端子部以外に付着した
レジストを除去し、露出した金属薄膜層をクイックエツ
チング法によって除去する方法によって形成した。
次いで第１図Ｂに示すように突起電極６を形成した半導
体チタン６を合成樹脂層に埋設する。
体チタン６を合成樹脂層に埋設する。
この場合、使用する合成樹脂７としては電気絶縁性、耐
湿性、耐熱性、耐薬品性にすぐれていることはもとより
シリ、コンとの膨張係数が近似して研削作業性にすぐれ
た特性やイオン性不純物を含有しない樹脂を使用する必
要があるが、このような緒特性を満足する合成樹脂材料
としてはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂
などがあり、本実施例ではエポキシ樹脂にシリカやアル
ミナなどの無機質充填材を混合し、硬化剤に酸無水物系
のものを添加した合成樹脂を使用した。
湿性、耐熱性、耐薬品性にすぐれていることはもとより
シリ、コンとの膨張係数が近似して研削作業性にすぐれ
た特性やイオン性不純物を含有しない樹脂を使用する必
要があるが、このような緒特性を満足する合成樹脂材料
としてはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂
などがあり、本実施例ではエポキシ樹脂にシリカやアル
ミナなどの無機質充填材を混合し、硬化剤に酸無水物系
のものを添加した合成樹脂を使用した。
そして、この合成樹脂を離型性にすぐれた容器中に充て
んしてから突起電極６を形成した半導体チップ６を埋め
こみ、合成樹脂７を加熱硬化させてその硬化物を型から
取りはずした。
んしてから突起電極６を形成した半導体チップ６を埋め
こみ、合成樹脂７を加熱硬化させてその硬化物を型から
取りはずした。
それから第１図Ｃに示すように半導体チ・ツブ６を埋設
した合成樹脂硬化物をサンドペーパーなどを用いてその
表面を研削し樹脂層の表面を平滑にするとともに半導体
チップ６に形成した突起電極６の一部分を表面に露出さ
せる。
した合成樹脂硬化物をサンドペーパーなどを用いてその
表面を研削し樹脂層の表面を平滑にするとともに半導体
チップ６に形成した突起電極６の一部分を表面に露出さ
せる。
そして第１図りに示すように合成樹脂層６の表面に真空
蒸着法やスパヮタリング法、無電解めっき法などによっ
て銅やニッケルなどの導電金属層８を析出させ、しかる
後に第１図Ｆに示すようにフォトエツチング法によって
不要部分の導電金属層８を除去して所望とする回路導体
層８を形成する。
蒸着法やスパヮタリング法、無電解めっき法などによっ
て銅やニッケルなどの導電金属層８を析出させ、しかる
後に第１図Ｆに示すようにフォトエツチング法によって
不要部分の導電金属層８を除去して所望とする回路導体
層８を形成する。
尚１本実施例においては半導体チップ５の単体を合成樹
脂７中に埋設して半導体装置を構成する方法について述
べたが１本発明では複数個の半導体チップを合成樹脂中
に埋設して相互接続したいわゆるマルチチップ型の半導
体装置についても適用できることはいうまでもない。
脂７中に埋設して半導体装置を構成する方法について述
べたが１本発明では複数個の半導体チップを合成樹脂中
に埋設して相互接続したいわゆるマルチチップ型の半導
体装置についても適用できることはいうまでもない。
また、本発明の他の実施例として第２図に示す方法を試
みた。
みた。
第３図において、５，６，７．８は第１の実施例と同じ
ものであり、９は支持基板、１０は接着剤層である。こ
の半導体装置は半導体チップ６の放熱性の改善やマルチ
チップ構成におけるチップ間の位置精度を良好に保つた
めに行ったものである。
ものであり、９は支持基板、１０は接着剤層である。こ
の半導体装置は半導体チップ６の放熱性の改善やマルチ
チップ構成におけるチップ間の位置精度を良好に保つた
めに行ったものである。
即ち、突起電極６を形成した半導体チップ５を予め支持
基板９の所定の位置に接着剤１０を用いて接着したもの
を合成樹脂７に埋設する方法によって半導体装置を構成
するものである。
基板９の所定の位置に接着剤１０を用いて接着したもの
を合成樹脂７に埋設する方法によって半導体装置を構成
するものである。
この場合、支持基板９としては、ガラスエポキシなどの
合成樹脂基板、アルミナなどのセラミック基板、アルミ
ニウムや銅などの金属基板、さらにはガラスなどのいろ
いろな材質のものが使用できるが、本実施例ではアルミ
ニウムや銅などの金属基板を使用して、この基板上にエ
ポキシ樹脂から成る接着剤１ｏを用いて半導体チ・ツブ
６の複数個を所定の位置に接着し、その位置精度をチェ
ックした後で合成樹脂７中に埋設することにより平坦性
と放熱特性にすぐれた半導体装置を構成した。
合成樹脂基板、アルミナなどのセラミック基板、アルミ
ニウムや銅などの金属基板、さらにはガラスなどのいろ
いろな材質のものが使用できるが、本実施例ではアルミ
ニウムや銅などの金属基板を使用して、この基板上にエ
ポキシ樹脂から成る接着剤１ｏを用いて半導体チ・ツブ
６の複数個を所定の位置に接着し、その位置精度をチェ
ックした後で合成樹脂７中に埋設することにより平坦性
と放熱特性にすぐれた半導体装置を構成した。
さらにまた金属基板に精度良く半導体チップ５を取付け
る方法として、金属基板の所定の位置（半導体チップを
取付ける位置）に半導体チップ５と同一の大きさを有す
る凹みをエツチング技術を使って形成しておき、この凹
みに半導体チップ６を接着することによシ半導体チヮプ
５の相対的位置精度の向上をはかることができた。
る方法として、金属基板の所定の位置（半導体チップを
取付ける位置）に半導体チップ５と同一の大きさを有す
る凹みをエツチング技術を使って形成しておき、この凹
みに半導体チップ６を接着することによシ半導体チヮプ
５の相対的位置精度の向上をはかることができた。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明による半導体装置
は突起電極を形成した半導体チ・ツブの単体もしくは複
数個を合成樹脂中に埋設した後で合成樹脂層を研削する
ことによって突起電極の一部を露出させ、しかる後に平
坦化した合成樹脂層の表面に所望とする回路導体層を形
成する方法によって作られたものである。
は突起電極を形成した半導体チ・ツブの単体もしくは複
数個を合成樹脂中に埋設した後で合成樹脂層を研削する
ことによって突起電極の一部を露出させ、しかる後に平
坦化した合成樹脂層の表面に所望とする回路導体層を形
成する方法によって作られたものである。
従って本発明による半導体装置は、半導体チップの電極
端子と回路導体層が確実に接続されるとともに、その接
続状態を外観的に検査できる利点を有することや半導体
チップの表面は合成樹脂層で完全に被覆されるので半導
体チップの耐湿信頼性が向上すること、さらには半導体
チ・ツブを高密度に接続できるのでより薄形で高密度化
したＩＣカードやメモリカードなどが実現できる特徴を
有するものである。
端子と回路導体層が確実に接続されるとともに、その接
続状態を外観的に検査できる利点を有することや半導体
チップの表面は合成樹脂層で完全に被覆されるので半導
体チップの耐湿信頼性が向上すること、さらには半導体
チ・ツブを高密度に接続できるのでより薄形で高密度化
したＩＣカードやメモリカードなどが実現できる特徴を
有するものである。
第１図ム〜Ｘは本発明の第１の実施例を説明するための
半導体装置の製造工程図、第２図は本発明の第２の実施
例を説明するための半導体装置の要部断面図、第３図は
従来法を説明するためのフリップチップ方式による半導
体装置の要部断面図である。 ５・・・・・・半導体チップ、６・・・・・・突起電極
、７・・・・・・合成樹脂層、８・・・・・・導電金属
層、９・・・・・・支持基板、１０・・・・・・接着剤
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５−
半導体ナツプ 第２図 第３図
半導体装置の製造工程図、第２図は本発明の第２の実施
例を説明するための半導体装置の要部断面図、第３図は
従来法を説明するためのフリップチップ方式による半導
体装置の要部断面図である。 ５・・・・・・半導体チップ、６・・・・・・突起電極
、７・・・・・・合成樹脂層、８・・・・・・導電金属
層、９・・・・・・支持基板、１０・・・・・・接着剤
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名５−
半導体ナツプ 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）突起電極を形成した半導体チップの単体もしくは
複数個を合成樹脂中に埋設し、この合成樹脂層の表面を
研削して前記突起電極の一部を露出させるとともに前記
合成樹脂層の表面に所望とする回路導体層を形成するこ
とを特徴とした半導体装置の製造方法。 - （２）突起電極を形成した半導体チップの単体もしくは
複数個を支持基板に固定して合成樹脂中に埋設すること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073518A JPS62230027A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073518A JPS62230027A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230027A true JPS62230027A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13520541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073518A Pending JPS62230027A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230027A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5554887A (en) * | 1993-06-01 | 1996-09-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plastic molded semiconductor package |
| JPH10116935A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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| US7176055B2 (en) | 2001-11-02 | 2007-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing electronic component-mounted component, and electronic component-mounted component |
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| US8586477B2 (en) | 2010-08-02 | 2013-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor apparatus, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor package |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073518A patent/JPS62230027A/ja active Pending
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| US6469397B2 (en) | 1992-11-11 | 2002-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin encapsulated electrode structure of a semiconductor device, mounted semiconductor devices, and semiconductor wafer including multiple electrode structures |
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