JPH11297716A

JPH11297716A - 半導体チップの搭載方法

Info

Publication number: JPH11297716A
Application number: JP10093509A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Moriyama; 豊森山
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1998-04-06
Filing date: 1998-04-06
Publication date: 1999-10-29

Abstract

(57)【要約】【課題】チップ厚が薄い半導体チップを搭載部材に搭
載する方法を提供する。【解決手段】デバイス形成面とこの裏面とを有する半
導体チップ６をダイパッド１８に搭載する半導体チップ
６の搭載方法において、半導体チップ６を吸着するため
の真空コレットの平坦な吸着面を半導体チップ６のデバ
イス形成面に当てて吸着する工程と、半導体チップ６を
ダイパッド１８に固定するための共晶合金２０をダイパ
ッド１８の搭載面に設ける工程と、真空コレットに吸着
された半導体チップ６を移送し、裏面と搭載面とによっ
て共晶合金１８を挟んで配置する配置工程と、ガラス板
材２２の平坦な接触面を半導体チップ６のデバイス形成
面に当てて、ダイパッド１８とガラス板材２２とによっ
て半導体チップ６を挟み、半導体チップ６に圧力を加え
る加圧工程と、ガラス板材２２とダイパッド１８とによ
って半導体チップ６を挟んだまま加熱する加熱工程と、
を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを搭
載部材に搭載する半導体チップの搭載方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体チップのダイボンドは、以
下のような方法で行われていた。

【０００３】まず、ウエハ裏面に裏面金属が形成されて
ウエハプロセスが終了したウエハをダイシングし、個々
の半導体チップに分割する。この半導体チップを真空コ
レットで真空吸着する。図７（ａ）は、半導体チップ３
０が真空コレット３２によって真空吸着された状態を、
真空コレット３２の真空吸引孔３４含む縦断面において
示している。図７（ａ）によれば、真空コレット３２
は、その先端に設けられたチップ受容部内に半導体チッ
プ３０を吸着する。チップ受容部は、４つのテーパ面３
６を備え、またこのテーパ面３６が半導体チップ３０の
周辺部の縁に接して半導体チップ３０を受納する。

【０００４】次いで、真空コレット３２に受納された半
導体チップ３０が、パッケージのダイパッド３８上に移
される。ダイパッド３８の表面には、予め、金（Ａｕ）
メッキが施され、またこの上にＡｕ−Ｓｎ共晶合金で作
られた金属箔４０が載せられて、ダイパッド３８を含む
パッケージ全体は約３１０℃に加熱されている。

【０００５】この後、半導体チップ３０は真空コレット
３２に吸着された状態でダイパッドに載せられる。図７
（ｂ）に、金属箔４０を挟んでダイパッド３８上に配置
された半導体チップ３０を示す。図７（ｂ）も図７
（ａ）と同じ縦断面を示す。図７（ｂ）に示された状態
で、半導体チップ裏面の濡れ性を確保するために、ダイ
パッド３８上において半導体チップを前後左右に擦り付
る、つまりスクラブする。そして、半導体チップ３０
は、真空コレット３２に吸着されたままダイパッド３８
に向いた圧力が加えられる。

【０００６】この擦り付け後、所定の時間、パッケージ
および半導体チップを高温に保持すると、共晶化が進み
ダイボンドが完了する。なお、金属箔４０が載せられた
パッケージが加熱されている間中、パッケージを含む周
辺部に窒素ガスを吹き付けて、溶融した金属箔中の元素
が空気中の酸素と反応しないようにしている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の方法
は、厚さが７０μｍより厚いの半導体チップを搭載部材
に搭載する場合には適用できる。

【０００８】しかしながら、半導体チップ３０の厚さが
薄くなると、上記の真空コレット３２のように半導体チ
ップ３０の周辺部のみを支持して半導体チップ３０を吸
着する方法では、半導体チップ３０の中央部は真空コレ
ット３２のテーパ面に接していないので、半導体チップ
３０の機械的強度が真空吸引力に耐えられずに割れてし
まう。

【０００９】このような半導体チップ３０の割れを防止
するために、先端部が平坦な真空コレットを用いる方法
がある。しかし、この真空コレットを用いて擦り付けを
行うと、真空コレットが接触する半導体チップの面にキ
ズ等を付けたり、半導体チップの周辺が欠ける場合があ
るので特性上好ましいことではない。例えば、吸着面に
対面する面にデバイスおよび配線が形成される半導体チ
ップの場合には、その形成面が真空コレットのチップ受
容部と接触するので、チップ上に形成されたデバイス等
を破損して歩留まりを落としてしまう。

【００１０】そこで、本発明の目的は、チップ厚が薄い
半導体チップを搭載部材に搭載する方法を提供すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体チ
ップの搭載方法は、第１の面とこの第１の面に対向する
第２の面とを有する半導体チップを搭載部材に搭載する
半導体チップの搭載方法において、(1)半導体チップを
吸着するための真空吸着治具が備える平坦な吸着面を半
導体チップの第１の面に当てて吸着する工程と、(2)半
導体チップを搭載部材に固定するための接合部材を搭載
部材の搭載面の所定部分に設ける工程と、(3)真空吸着
治具に吸着された半導体チップを移送し、第２の面と搭
載面とによって接合部材を挟んで配置する配置工程と、
(4)固定治具が備える接触面を半導体チップの第１の面
に当てて、搭載部材と固定治具とによって半導体チップ
を挟み、半導体チップに圧力を加える加圧工程と、(5)
固定治具と搭載部材とによって半導体チップを挟んだま
ま加熱する加熱工程と、を備える。

【００１２】このように、真空吸着治具の平坦な吸着面
を半導体チップの第１の面に当てて半導体チップを吸着
するようにしたので、真空吸着治具の吸着面に接して半
導体チップが支持される。このため、半導体チップが吸
着面の全面からほぼ一様な力を受ける。また、搭載部材
と固定治具とによって半導体チップおよび接合材を挟ん
で圧力を加えて加熱するようにしたので、スクラブを行
わずに半導体チップが搭載部材に接合部材で固定され
る。

【００１３】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、半導体チップは第２の面に電極を有し、接合部材は
電極の材料と共晶を構成する金属材料を含むようにして
もよい。

【００１４】このように、接合部材が半導体チップ上の
電極の材料と共晶を生成する金属材料を含めば、電気抵
抗が小さくまた熱伝導性が優れた接合を介して搭載部材
上に半導体チップが固定される。

【００１５】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、加熱工程は、加熱炉内で行われるようにしてもよ
い。

【００１６】このように加熱炉を用いれば、固定治具、
半導体チップ、および搭載部材が加熱炉内で共に加熱さ
れるので、これらが同一の温度に保たれる。このため、
半導体チップの第１の面と第２の面との温度差が無くな
るので、半導体チップの反りが低減される。

【００１７】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、加熱工程は、還元性気体および不活性気体の少なく
ともいずれかを含む雰囲気中で行われるようにしてもよ
い。

【００１８】このように、還元性気体および不活性気体
の少なくともいずれかを含む雰囲気中で加熱を行うよう
にすれば、この気体の温度も炉内の温度に保たれるの
で、半導体チップ等を一様な温度に保ちチップの反りが
低減され、且つ接合部材の酸化反応が防止される。

【００１９】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、加圧工程において、固定治具の接触面は、半導体チ
ップの第１の面の全面に接しているようにしてもよい。

【００２０】このように、固定治具の接触面が半導体チ
ップ第１の面の全面に接するようにすれば、半導体チッ
プ全面に均一な力を加えることができるので、半導体チ
ップの反りが防止されると共に、均一な接合が形成され
る。

【００２１】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、加圧工程において、固定治具の重量により圧力を生
成するようにしてもよい。

【００２２】このように、固定治具の重量を利用して圧
力を加えるようにすれば、加圧工程および加熱工程を簡
素に行うことができる。

【００２３】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、半導体チップの厚さは、７０μｍ以下であるように
してもよい。

【００２４】このように、半導体チップの厚さが７０μ
ｍ以下といった従来の方法が適用できなかったチップ厚
においても、従来に比べて製造歩留まりよく半導体チッ
プを搭載部材に搭載でき、また半導体チップの反りも少
ない。

【００２５】本発明に係わる半導体チップの搭載方法で
は、半導体チップは、化合物半導体の基板を用いて形成
されているようにしてもよい。

【００２６】このように、主要な半導体材料であるシリ
コンと比較して脆性の大きい化合物半導体の基板が使用
された場合においても、厚さが薄い半導体チップを搭載
部材に搭載できるようになる。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る半導体
チップの搭載方法を図１〜図５を用いて説明する。

【００２８】図１（ａ）は、ダイシング工程後のウエハ
の斜視図である。ウエハプロセスが完了したウエハ２
は、素子および配線等が形成されたデバイス形成面を上
に向けて、つまりデバイス形成面と対向する面（裏面）
をウエハシート４に対面させて貼り付けられた後に、個
々の半導体チップ６に分割するためにダイシングされ
る。ウエハ２は、ウエハシート４に貼り付けられる前に
所定のウエハ厚に研削され、またウエハ２の裏面に金属
電極（図１（ｃ）の１４）が形成されている。尚、本実
施の形態では、以下特に断らない限り７０μｍの厚さに
研削されウエハ裏面の全体にＡｕ電極が設けられたＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物半導体基板、例えばＧａＡｓ基板を用い
る場合について説明するが、本発明はこれに限られるも
のではない。

【００２９】図１（ｂ）はエキスパンディング工程の後
のウエハの斜視図である。図１（ｂ）を参照すると、ウ
エハ２は、ダイシングされ半導体チップ６に分割された
後に、ウエハシートがエキスパンディングされると個々
の半導体チップ６に分離される。

【００３０】次いで、ダイマウンタ装置においてダイボ
ンドを行うため、半導体チップ６が、組立パッケージの
搭載部材（以下、ダイパッドという）上に移動される。
このため、分割された半導体チップ６がシート４から容
易に離れるように下方から突き上げピン１０で押し上げ
ると共に、半導体チップ６をダイパッド上に移すために
上方からは真空吸着治具８（以下、真空コレットとい
う）が降下してくる。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−
Ａ’断面を示し（以下、特に断らない限り、断面図はＡ
−Ａ’断面を示す）、真空コレット８が半導体チップ６
上に降下しつつあり、また突き上げピン１０が突き上げ
つつある状態を示している。

【００３１】半導体チップ６が、真空コレット８によっ
て移送される工程を説明する（吸着工程）。図２（ａ）
は、真空コレット８を吸着面側から見た斜視図である。
図２（ｂ）は、シート２から半導体チップ６が離されよ
うとしている状態を示す断面図である。図２（ｃ）は、
真空コレット８に吸着された半導体チップ６を示す斜視
図である。図２（ａ）〜図２（ｃ）を参照すると、真空
コレット８は半導体チップ６を吸着するための平坦な吸
着面８ａと、その吸着面８ａのほぼ中央に真空吸着用の
真空吸引孔８ｂとを備える（図２（ａ））。半導体チッ
プ６は、貼り付けられたシート２を介して下方から突き
上げピン１０で突き上げられると同時に、上方から真空
コレット８によって吸着される（図２（ｂ））。真空吸
引孔８ｂは真空ポンプに接続されて、所定の吸引力を及
ぼすために真空吸引される。吸着治具８は、吸着すべき
半導体チップ６の大きさよりも大きな吸着面８ａを備え
る（図２（ｃ））。これにより、吸着すべき半導体チッ
プ６のデバイス形成面６ａを吸着面８ａで支持して、チ
ップ６が真空コレット８から脱離しないようにチップ６
の全面にほぼ一様に吸着力を及ぼす。このため、真空吸
着によって７０μｍ厚の半導体チップ６を吸着しても、
チップ６が割れることがない。

【００３２】パッケージ１６のダイパッド１８に接合部
材２０を設ける（プリフォーム工程）。図３はプリフォ
ーム工程後におけるパッケージ１６のダイパッド１８近
傍の斜視図である。図３を参照すると、接合部材２０
は、ダイパッド１８上の半導体チップ６の搭載位置に設
けられる。

【００３３】接合部材２０としては、半導体チップ６の
裏面にはＡｕ電極が設けられているので、この金属と共
晶可能な金属を含むことが好ましい。このようなものを
例示すれば、Ｓｎ、Ｉｎ、およびＧｅの少なくとも１つ
とＡｕとを主成分として含む合金、例えばＡｕ−Ｓｎ系
共晶合金、等がある。また、Ａｕ（金）より成る中間層
の両側にＳｎ、Ｉｎ、およびＧｅの少なくとのいずれか
から成る薄い表面層を形成した成る積層構造の接合部材
を使用しても良い。シリコン半導体基板を使用する場合
では、ＡｕおよびＳｉを主成分として含むＡｕ−Ｓｉ系
共晶合金、ＰｂおよびＳｎを主要を主要成分として含む
Ｐｂ−Ｓｎ系合金（いわゆる、半田）、等も使用でき
る。これらは例示であって、加熱等によって所定の熱エ
ネルギを加えた後に、固化または硬化して半導体チップ
６とダイパッド１８との接着を可能とする部材を含む。
なお、以下、Ａｕ−Ｓｎ系共晶合金を使用する場合につ
いて説明する。

【００３４】接合部材２０は、半導体チップ６の幅に合
わせて薄いリボン状の金属箔を形成して、この箔を半導
体チップ６の長さに合わせて切断して、所定形状にする
ことが好ましい。このようにすれば、均一な厚さおよび
大きさの接合部材が容易に得られる。

【００３５】なお、上記のような接合材料を用いる場合
には、ダイパッド１８の表面は接合部材２０とダイパッ
ド１８との接着を容易にするために、特に本実施の形態
にあっては半導体チップ６の搭載領域をＡｕの膜で覆う
ことが好ましい。このように接合部材を構成する少なく
とも一種類の金属でダイパッド表面に薄膜を形成すれ
ば、更に濡れ性が良くなる。尚、このような膜は、例え
ばメッキ法、蒸着法によって形成される。以下、ダイパ
ッド１８の表面には、Ａｕ膜が形成されている場合につ
いて説明する。

【００３６】次いで、真空コレット８に吸着された半導
体チップ６をダイパッド１８上に移送し、真空コレット
８の真空吸着を解除すると、半導体チップ６が吸着面８
ａから脱離して、ダイパッド１８上に配置される（配置
工程）。このため、接合部材２０はチップ裏面とダイパ
ッド１８の搭載面とによって挟まれる。図４は、配置工
程後の断面図である。図４を参照すると、半導体基板１
２と裏面電極１４とを有する半導体チップ６が接合部材
２０上に配置されている。接合部材２０の大きさは、半
導体チップ６の大きさよりやや大きめに形成されている
ので、チップ６の周囲には目合わせ余裕分にほぼ等しい
幅の接合部材が露出している。この工程の後において
は、ダイパッド１８上には、ダイパッド表面に形成され
たＡｕ膜、接合部材２０、半導体チップ６の裏面Ａｕ電
極１４の順に各層が配置される。

【００３７】この後に、固定治具２２が備える接触面２
２ａを半導体チップ６のデバイス形成面６ａに当てて、
ダイパッド１８と固定治具２２の接触面２２ａとによっ
て半導体チップ６を挟み、半導体チップ６に圧力を加え
る（加圧工程）。図５（ａ）は、加圧工程にあるパッケ
ージの斜視図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−
Ｂ’断面における断面図である。図５（ａ）および図５
（ｂ）を参照すると、固定治具２２は、平坦な密着面２
２ａを有して、この面２２ａが半導体チップ６のデバイ
ス形成面６ａの全面に接触している。このため、半導体
チップ６のそれぞれの面は、固定治具２２の密着面２２
ａとダイパッド１６の搭載面との２平面によって覆われ
て、チップ６は両側から挟まれる。したがって、チップ
６の平坦性が保持される。また、半導体チップ６の全面
に均一な力を加えることができるので、半導体チップの
反りが防止されると共に、後の加熱工程において均一な
接合が形成される。

【００３８】固定治具２２としては、本実施の形態で
は、半導体チップ６のデバイス形成面より大きな平面を
密着面２２ａとして有する石英ガラス板を使用するが、
これに限られるものではない。石英ガラスは、半導体の
製造工程において使用される材料であり、また融点も十
分に高いので、密着支持の材料としては好適である。

【００３９】加える圧力の大きさは、例えば、半導体チ
ップの反りが防止できる程度であることが好ましい。ダ
イパッド１８の表面が水平面と平行になるようにパッケ
ージ１６を配置する場合には、圧力は固定治具２２に加
わる重力によってもたらされ、圧力値は、密着部材２２
が接触する半導体チップの面積と密着部材２２の重量に
よって決定される。なお、固定治具２２単体では十分な
荷重が得られない場合には、固定治具２２に加えて重り
を追加しても良い。

【００４０】固定治具２２とダイパッド１６とによって
半導体チップ６を挟んだまま加熱する（加熱工程）。加
熱温度は、例えば接合部材の融点以上であって、且つ半
導体装置の特性に影響を程度に低温であることが好まし
い。接合部材２０として共晶合金を使用する場合には、
共晶温度以上の温度であって、化合物半導体装置におけ
るオーミック電極の特性に悪影響を与えない温度以下で
あることが好ましい。また、他の接合部材を使用する場
合には、接合可能な温度以上であり、半導体装置の特
性、例えばオーミック特性、等に影響を及ぼさない温度
であることが好ましい。

【００４１】加熱工程は、加熱炉内で行われるようにし
てもよい。加熱炉を用いると、固定治具２２、半導体チ
ップ６、およびパッケージ１６が加熱炉内において一緒
に加熱されるので、これらが同一の温度に保たれる。こ
のため、半導体チップ６のデバイス形成面と裏面との温
度差が無くなるので、半導体チップ６において熱応力の
発生が抑えられる。したがって、半導体チップ６の反り
が低減される。これは、加熱工程における熱履歴に敏感
な薄い半導体チップ、特に厚さ７０μｍ以下の半導体チ
ップ、更にはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体チップのおい
て、反りを防止する上で好ましい。

【００４２】また、加熱工程は、還元性気体および不活
性気体の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行われる
ようにしてもよい。このように、還元性気体および不活
性気体の少なくともいずれかを含む雰囲気中で加熱を行
うようにすれば、接合部材２２を酸化反応が防止され
る。更に、この気体の温度も炉内の温度に保たれるの
で、半導体チップ６等を一様な温度に保持される。この
ため、半導体チップ６の表面および裏面の温度差が縮小
されるので、半導体チップ６の反りが低減される。これ
は、半導体チップ６の表面および裏面の温度差に敏感な
薄い半導体チップ、特に厚さ７０μｍ以下の半導体チッ
プ、更にはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体チップにおいて、
反りを防止する上で好ましい。なお、不活性気体として
は、例えばＮ₂、Ａｒ、Ｈｅ、等があり、また還元性気
体としては、例えばＨ₂、等がある。

【００４３】従来の製造方法においては、不活性気体と
してＮ₂ガスをパッケージに吹き付けていたが、この方
法では空気中の酸素を巻き込むことが完全には避けられ
ず、また吹き付けた窒素によって半導体チップ６の表面
が冷却されてしまうため、窒素ガスの吹き付け量を増加
して酸素の巻き込みを防止することができない。本実施
の形態のように、加熱工程を密閉可能な加熱炉内で行え
ば、各部材の温度が一様に保たれ、且つ接合部材と酸素
との反応が防止できるので、ボイド等発生が低減され
る。

【００４４】半導体チップ６の裏面Ａｕ電極１４および
ダイパッド１８の表面に形成されたＡｕ膜のそれぞれと
接合部材２２との共晶反応が十分に進む時間、上記温度
を保持する。この後、固定治具２２、半導体チップ６、
およびパッケージ１６を加熱炉の外へ取り出して、半導
体チップ６を固定治具２２で挟んだ状態で冷却する（冷
却工程）。冷却は、固定治具２２、半導体チップ６、お
よびパッケージ１６を一様な温度に保ちながら行うこと
が好ましい。また、冷却工程では、半導体チップ６のデ
バイス形成面と裏面との間に温度差が生じないように行
うことが好ましい。このようにすれば、半導体チップ６
の内部に熱勾配に起因する応力が残留しないので、チッ
プ６の反りを防止できる。冷却が完了したら、固定治具
２２を半導体チップ６から取り去る。固定治具２２を取
り去る温度は室温とは限らないが、半導体チップ６の表
面を空気に曝しても、半導体チップ６の反りが生じない
程度の温度であればよい。

【００４５】図６は、パッケージ１６のダイパッド１８
上に半導体チップ６の搭載が終了した後の斜視図であ
る。

【００４６】以上詳細に説明したように、本実施の形態
では、固定治具２２、半導体チップ６、およびダイパッ
ド１８を一様な温度に保つので、半導体チップ６のデバ
イス形成面と裏面との温度差が無くなり、且つ半導体チ
ップ６に一様な圧力を加えるので、半導体チップの反り
を防止でき、且つダイパッド１８と半導体チップの接合
が一様に行われる。

【００４７】また、接合部材２２が半導体チップ６上の
電極の材料と共晶を生成する金属材料を備えれば、電気
抵抗が小さくまた熱伝導性が優れた接合によって搭載部
材上に半導体チップが固定される。

【００４８】更に、本実施の形態においては、スクラブ
を行わないので、コレット８の接触面８ａと接触する半
導体チップ６の面にキズ等が付かず、またチップ６の周
辺のチップ欠けも防止できる。加えて、スクラブを行う
ための領域がダイパッド１８上に必要ないので、高密度
の半導体チップの実装が可能になる。

【００４９】加えて、本実施の形態においては、半導体
チップ６の移送工程および加圧工程においてチップ全面
に一様な力が加わるようにし、また加熱工程、冷却工程
においては、熱応力の残留がないようにしている。この
ため、シリコンに比べて脆性の大きい化合物半導体、例
えばIII−Ｖ族半導体であるＧａＡｓ、等に適用するこ
とが好適である。

【００５０】なお、本発明の方法は、従来の半導体チッ
プの搭載方法が適用できない半導体チップ厚７０μｍ以
下において好適に適用され、３０μｍのチップ厚でも適
用できることが分かっている。

【００５１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる半導体チップの搭載方法にあっては、真空吸着治具
の平坦な吸着面を半導体チップに当てて吸着するように
したので、真空吸着治具の吸着面に接して半導体チップ
が支持される。このため、半導体チップが吸着面の全面
からほぼ一様な力を受けるので、薄い半導体チップであ
っても割れることなく移送できる。また、搭載部材と固
定治具とによって半導体チップおよび接合部材を挟んで
圧力を加えて加熱するようにしたので、スクラブを行わ
ずに、半導体チップを搭載部材に接合部材で固定でき
る。したがって、チップ厚が薄い半導体チップを搭載部
材に搭載する方法が提供される。

【００５２】また、本発明の方法によれば、上記のよう
に簡素な工程によって構成されているので、非常に良好
な生産性を維持することが可能である。

【００５３】更に、スクラブを行わないので、コレット
の接触面と接触する半導体チップの面にキズ等が付か
ず、またチップの周辺のチップ欠けも防止できる。加え
て、スクラブを行うための領域がダイパッド上に必要な
いので、高密度の半導体チップの実装が可能になる。

【００５４】特に、本発明の方法は、脆性に富む化合物
半導体材料を使用した半導体基板の半導体チップに好適
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は、ダイシング工程後のウエハの斜
視図である。図１（ｂ）は、エキスパンディング工程の
後のウエハの斜視図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）
のＡ−Ａ’断面を示す断面図である。

【図２】図２（ａ）は、真空コレットを吸着面側から見
た斜視図である。図２（ｂ）は、ウエハシート上の半導
体チップを吸着しようとする状態を示す断面図である。
図２（ｃ）は、真空コレットに吸着された半導体チップ
を示す斜視図である。

【図３】図３は、プリフォーム工程後のパッケージのダ
イパッド近傍の斜視図である。

【図４】図４は、配置工程後の断面図である。

【図５】図５（ａ）は、加圧工程にあるパッケージの斜
視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ’断面
における断面図である。

【図６】図６は、パッケージのダイパッド上に半導体チ
ップの搭載が終了した後の斜視図である。

【図７】図７（ａ）は、半導体チップが真空コレットに
よって真空吸着された状態を、真空コレットの真空吸引
孔を含む縦断面において示す断面図である。図７（ｂ）
は、金属箔を挟んでダイパッド上に配置された半導体チ
ップを示す断面図である。

【符号の説明】

２…半導体基板（ウエハ）、４…ウエハシート、６
…半導体チップ、８…真空コレット、１０…突き上
げピン、１２…半導体基板、１４…裏面電極、１
６…パッケージ、１８…ダイパッド、２０…接合部
材、２２…固定治具

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の面とこの第１の面に対向する第２
の面とを有する半導体チップを搭載部材に搭載する半導
体チップの搭載方法において、半導体チップを吸着するための真空吸着治具が備える平
坦な吸着面を前記半導体チップの前記第１の面に当てて
吸着する工程と、前記半導体チップを前記搭載部材に固定するための接合
部材を前記搭載部材の搭載面の所定部分に設ける工程
と、前記真空吸着治具に吸着された前記半導体チップを移送
し、前記第２の面と前記搭載面とによって前記接合部材
を挟んで配置する配置工程と、固定治具が備える接触面を前記半導体チップの前記第１
の面に当てて、前記搭載部材と前記固定治具とによって
前記半導体チップを挟み、前記半導体チップに圧力を加
える加圧工程と、前記固定治具と前記搭載部材とによって前記半導体チッ
プを挟んだまま加熱する加熱工程と、を備える半導体チ
ップの搭載方法。
【請求項２】前記半導体チップは前記第２の面に電極
を有し、前記接合部材は前記電極の材料と共晶を構成す
る金属材料を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の
半導体チップの搭載方法。
【請求項３】前記加熱工程は加熱炉内で行われる、こ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体
チップの搭載方法。
【請求項４】前記加熱工程は、還元性気体および不活
性気体の少なくともいずれかを含む雰囲気中で行われ
る、ことを特徴とする請求項３に記載の半導体チップの
搭載方法。
【請求項５】前記加圧工程において、前記固定治具の
接触面は、前記半導体チップの前記第１の面の全面に接
している、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体チ
ップの搭載方法。
【請求項６】前記加圧工程において、前記固定治具の
重量により圧力を生成する、ことを特徴とする請求項５
に記載の半導体チップの搭載方法。
【請求項７】前記半導体チップの厚さは７０μｍ以下
である、ことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれ
かに記載の半導体チップの搭載方法。
【請求項８】前記半導体チップは化合物半導体の基板
を用いて形成されている、ことを特徴とする請求項７に
記載の半導体チップの搭載方法。