JP2795788B2 - 半導体チップの実装方法 - Google Patents
半導体チップの実装方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ハンダバンプを用い
たフリップチップボンディング・プロセスによる半導体
チップの実装方法に関する。
たフリップチップボンディング・プロセスによる半導体
チップの実装方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化に伴って、接
続端子数は多端子化の傾向にある。そのために、半導体
チップの実装工程においては従来のワイヤボンディング
による端子接続方法では処理しきれず、新たにフリップ
チップボンディングによる端子接続方法が脚光を浴びる
ようになってきている。
続端子数は多端子化の傾向にある。そのために、半導体
チップの実装工程においては従来のワイヤボンディング
による端子接続方法では処理しきれず、新たにフリップ
チップボンディングによる端子接続方法が脚光を浴びる
ようになってきている。
【0003】上記フリップチップボンディングとは、半
導体チップの外部端子取り出し電極部にハンダよって突
起電極(ハンダバンプ)を形成した後に、この突起電極を
回路基板上へファイスダウンボンディングする実装方法
である。
導体チップの外部端子取り出し電極部にハンダよって突
起電極(ハンダバンプ)を形成した後に、この突起電極を
回路基板上へファイスダウンボンディングする実装方法
である。
【0004】図9に一般的なフリップチップボンディン
グによる半導体実装のプロセスを示す。先ず、図9(a)
に示すように回路基板2上にフラクッス7を塗布する。
次に、図9(b)に示すように、半導体チップ1をハンダ
バンプ3が回路基板2上のボンディングパッド6に対向
するように位置合わせしてフラクッス7の粘着性によっ
て半導体チップ1と回路基板2とを仮接着する。更に、
図9(c)に示すように、得られたサンプルをピーク温度
が200℃〜250℃のリフロー炉に通してハンダを熔
融固着する。最後に、フラクッス残渣を溶剤洗浄によっ
て取り除いて半導体チップの実装を終了する。
グによる半導体実装のプロセスを示す。先ず、図9(a)
に示すように回路基板2上にフラクッス7を塗布する。
次に、図9(b)に示すように、半導体チップ1をハンダ
バンプ3が回路基板2上のボンディングパッド6に対向
するように位置合わせしてフラクッス7の粘着性によっ
て半導体チップ1と回路基板2とを仮接着する。更に、
図9(c)に示すように、得られたサンプルをピーク温度
が200℃〜250℃のリフロー炉に通してハンダを熔
融固着する。最後に、フラクッス残渣を溶剤洗浄によっ
て取り除いて半導体チップの実装を終了する。
【0005】このようなフリップチップボンディング・
プロセスが実施される回路基板の材質としてはセラミッ
ク,ガラス,プリント基板あるいはフィルム基板等がある
が、この技術を広く民生機器へ応用するには、低コスト
化という観点から上記プリント基板を用いたフリップチ
ップボンディング・プロセスによる半導体実装が最も有
効である。
プロセスが実施される回路基板の材質としてはセラミッ
ク,ガラス,プリント基板あるいはフィルム基板等がある
が、この技術を広く民生機器へ応用するには、低コスト
化という観点から上記プリント基板を用いたフリップチ
ップボンディング・プロセスによる半導体実装が最も有
効である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記プ
リント基板に対して上述のようなフリップチップボンデ
ィング・プロセスを適用した場合には、リフロー処理中
にリフロー炉の熱によってプリント基板自体が膨張/変
形して、プリント基板に反りが生じ易いという問題があ
る。このプリント基板の反りはプリント基板の厚みが薄
いほど生じ易く、特にプリント基板厚が0.5mm以下に
なると著しくなってくる。
リント基板に対して上述のようなフリップチップボンデ
ィング・プロセスを適用した場合には、リフロー処理中
にリフロー炉の熱によってプリント基板自体が膨張/変
形して、プリント基板に反りが生じ易いという問題があ
る。このプリント基板の反りはプリント基板の厚みが薄
いほど生じ易く、特にプリント基板厚が0.5mm以下に
なると著しくなってくる。
【0007】上記プリント基板に反りが生ずると、図1
0に示すように、ボンディング後の半導体チップ1とプ
リント基板2との間のギャップ寸法が半導体チップ1の
位置によって異なることになり、その結果ハンダバンプ
3がプリント基板12のボンディングパッド6に届かず
に接続されない箇所が発生してしまうのである。
0に示すように、ボンディング後の半導体チップ1とプ
リント基板2との間のギャップ寸法が半導体チップ1の
位置によって異なることになり、その結果ハンダバンプ
3がプリント基板12のボンディングパッド6に届かず
に接続されない箇所が発生してしまうのである。
【0008】そこで、この発明の目的は、リフロー処理
中に回路基板に反りが生じないような半導体チップの実
装方法を提供することにある。
中に回路基板に反りが生じないような半導体チップの実
装方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第1の発明は、回路基板上にフリップチップボンディ
ングによって半導体チップを実装する半導体チップの実
装方法であって、半導体チップのハンダバンプと回路基
板上のボンディングパッドとを当接させて上記回路基板
上に半導体チップを仮止めし、上記半導体チップが仮止
めされた回路基板をリフロー温度によって反らないよう
に反り防止手段によって固定し、リフロー処理によって
上記ハンダバンプをリフローさせて上記ハンダバンプを
ボンディングパッドに接続することを特徴としている。
め、第1の発明は、回路基板上にフリップチップボンディ
ングによって半導体チップを実装する半導体チップの実
装方法であって、半導体チップのハンダバンプと回路基
板上のボンディングパッドとを当接させて上記回路基板
上に半導体チップを仮止めし、上記半導体チップが仮止
めされた回路基板をリフロー温度によって反らないよう
に反り防止手段によって固定し、リフロー処理によって
上記ハンダバンプをリフローさせて上記ハンダバンプを
ボンディングパッドに接続することを特徴としている。
【0010】また、第2の発明は、第1の発明の半導体
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板上における上記半
導体チップが存在しない領域に載置されて自重によって
上記回路基板の反りを防止する反り矯正治具であること
を特徴としている。
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板上における上記半
導体チップが存在しない領域に載置されて自重によって
上記回路基板の反りを防止する反り矯正治具であること
を特徴としている。
【0011】また、第3の発明は、第1の発明の半導体
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板における上記半導
体チップが存在しない領域の両面に設置されて、上記回
路基板を両側から磁力で挟むことによって上記回路基板
の反りを防止するマグネットとこのマグネットの磁力に
作用する治具であることを特徴としている。
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板における上記半導
体チップが存在しない領域の両面に設置されて、上記回
路基板を両側から磁力で挟むことによって上記回路基板
の反りを防止するマグネットとこのマグネットの磁力に
作用する治具であることを特徴としている。
【0012】また、第4の発明は、第1の発明の半導体
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板の裏面を真空吸着
することによって上記回路基板の反りを防止する真空吸
着機構であることを特徴としている。
チップの実装方法であって、上記反り防止手段は、上記
半導体チップが仮止めされた回路基板の裏面を真空吸着
することによって上記回路基板の反りを防止する真空吸
着機構であることを特徴としている。
【0013】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。 <第1例>本例は、フリップチップボンディングによっ
てプリント基板上に半導体チップを実装する際に、リフ
ロー処理時にプリント基板上に反り矯正治具を設置する
ものである。以下、各実施例に従って説明する。
説明する。 <第1例>本例は、フリップチップボンディングによっ
てプリント基板上に半導体チップを実装する際に、リフ
ロー処理時にプリント基板上に反り矯正治具を設置する
ものである。以下、各実施例に従って説明する。
【0014】図1は、本実施例におけるリフロー処理時
における半導体チップ周辺の斜視図である。本実施例の
フリップチップボンディング・プロセスにおいては、従
来例の場合と同様に、先ずプリント基板2上にフラクッ
スを塗布する。そして、半導体チップ1をハンダバンプ3
がプリント基板2上のボンディングパッドに対向するよ
うに位置合わせしてプリント基板2に押し付けて、フラ
クッスの粘着性によって半導体チップ1とプリント基板
2とを仮接着する。
における半導体チップ周辺の斜視図である。本実施例の
フリップチップボンディング・プロセスにおいては、従
来例の場合と同様に、先ずプリント基板2上にフラクッ
スを塗布する。そして、半導体チップ1をハンダバンプ3
がプリント基板2上のボンディングパッドに対向するよ
うに位置合わせしてプリント基板2に押し付けて、フラ
クッスの粘着性によって半導体チップ1とプリント基板
2とを仮接着する。
【0015】こうして、上記半導体チップ1が仮止めさ
れたプリント基板2上に、図1に示すように“ロ"字型
にステンレス鋼で形成された反り矯正治具11を半導体
チップ1を取り囲むように載置するのである。そして、
反り矯正治具11が載置されたサンプルをピーク温度が
250℃のリフロー炉に入れてハンダを熔融固着した
後、フラクッス残渣を溶剤洗浄によって取り除く。その
結果、上記反り矯正治具11の重さによってプリント基
板2に発生しようとする反りが抑制されてプリント基板
2には全く反りは生じず、良好なボンディングが実施で
きる。
れたプリント基板2上に、図1に示すように“ロ"字型
にステンレス鋼で形成された反り矯正治具11を半導体
チップ1を取り囲むように載置するのである。そして、
反り矯正治具11が載置されたサンプルをピーク温度が
250℃のリフロー炉に入れてハンダを熔融固着した
後、フラクッス残渣を溶剤洗浄によって取り除く。その
結果、上記反り矯正治具11の重さによってプリント基
板2に発生しようとする反りが抑制されてプリント基板
2には全く反りは生じず、良好なボンディングが実施で
きる。
【0016】図2は、図1とは異なる他の実施例におけ
る反り矯正治具を示す図である。この反り矯正治具12
はステンレス鋼によって形成されて矩形の平面形状を有
し、プリント基板2上における仮止めされた半導体チッ
プ1の各辺に沿って設置される。つまり、図2に示すよ
うな矩形の半導体チップ1の場合には4個の反り矯正治
具12を設置するのである。
る反り矯正治具を示す図である。この反り矯正治具12
はステンレス鋼によって形成されて矩形の平面形状を有
し、プリント基板2上における仮止めされた半導体チッ
プ1の各辺に沿って設置される。つまり、図2に示すよ
うな矩形の半導体チップ1の場合には4個の反り矯正治
具12を設置するのである。
【0017】図3は、図1および図2とは異なる他の実
施例における反り矯正治具を示す図である。この反り矯
正治具は、プリント基板2上に仮止めされた2つの半導
体チップ1,1'の形状にくりぬかれた平板状の上側矯正
治具13とくりぬかれていない平板状の下側矯正治具1
4とのステンレス鋼で形成された2枚の矯正治具13,
14から成る。そして、図3(a)に示すように下側矯正
治具14の上にプリント基板2を載置した後に、図3
(b)に示すように上側矯正治具13のくりぬき部に半導
体チップ1,1'を位置させてプリント基板2上に上側矯
正治具13をかぶせてプリント基板2を2枚の矯正治具
13,14で挟み込むのである。
施例における反り矯正治具を示す図である。この反り矯
正治具は、プリント基板2上に仮止めされた2つの半導
体チップ1,1'の形状にくりぬかれた平板状の上側矯正
治具13とくりぬかれていない平板状の下側矯正治具1
4とのステンレス鋼で形成された2枚の矯正治具13,
14から成る。そして、図3(a)に示すように下側矯正
治具14の上にプリント基板2を載置した後に、図3
(b)に示すように上側矯正治具13のくりぬき部に半導
体チップ1,1'を位置させてプリント基板2上に上側矯
正治具13をかぶせてプリント基板2を2枚の矯正治具
13,14で挟み込むのである。
【0018】図2に示す反り矯正治具12あるいは図3
に示す反り矯正治具13,14を用いた場合にも、ピーク
温度が250℃のリフロー炉に入れてハンダを熔融固着
してもプリント基板2には全く反りは生じず、良好なボ
ンディングが実施できる。
に示す反り矯正治具13,14を用いた場合にも、ピーク
温度が250℃のリフロー炉に入れてハンダを熔融固着
してもプリント基板2には全く反りは生じず、良好なボ
ンディングが実施できる。
【0019】このように、本例においては、フリップチ
ップボンディング・プロセスにおけるリフロー処理を実
施するに際して、プリント基板2上にフラックスによっ
て仮止めされた半導体チップ1の周囲にステンレス鋼で
形成された反り矯正治具11,12,13を設けるので、
リフロー処理中にプリント基板2が反り矯正治具11,1
2,13の重さで固定される。したがって、ピーク温度が
250℃程度に加熱されてもプリント基板2には全く反
りは生じない。
ップボンディング・プロセスにおけるリフロー処理を実
施するに際して、プリント基板2上にフラックスによっ
て仮止めされた半導体チップ1の周囲にステンレス鋼で
形成された反り矯正治具11,12,13を設けるので、
リフロー処理中にプリント基板2が反り矯正治具11,1
2,13の重さで固定される。したがって、ピーク温度が
250℃程度に加熱されてもプリント基板2には全く反
りは生じない。
【0020】上記各実施例における反り矯正治具11,
12,13・14はステンレス鋼で形成するようにしてい
るが、この発明はこれに限定されるものではなく、リフ
ロー温度に耐え得る材質であればよい。
12,13・14はステンレス鋼で形成するようにしてい
るが、この発明はこれに限定されるものではなく、リフ
ロー温度に耐え得る材質であればよい。
【0021】<第2例>本例は、フリップチップボンデ
ィングによってプリント基板上に半導体チップを実装す
る際に、リフロー処理時に半導体チップ周辺のプリント
基板をマグネットとこのマグネットの磁力に作用する治
具とで挟み込むものである。尚、本例の場合にも、第1
例と同様にしてフラクッスの粘着性によって半導体チッ
プをプリント基板上に仮止めする。以下、こうして半導
体チップが仮止めされたプリント基板の各部には第1例
と同じ番号を付す。
ィングによってプリント基板上に半導体チップを実装す
る際に、リフロー処理時に半導体チップ周辺のプリント
基板をマグネットとこのマグネットの磁力に作用する治
具とで挟み込むものである。尚、本例の場合にも、第1
例と同様にしてフラクッスの粘着性によって半導体チッ
プをプリント基板上に仮止めする。以下、こうして半導
体チップが仮止めされたプリント基板の各部には第1例
と同じ番号を付す。
【0022】図4に示すように、上記半導体チップ1が
仮止めされたプリント基板2をステンレス鋼製の治具1
6上に設置する。そして、“ロ"字型に形成されたマグ
ネット15を半導体チップ1を取り囲むようにプリント
基板2上に設置して磁力によって吸着させる。こうし
て、治具16とマグネット15とで挟み込まれたサンプ
ルをピーク温度が250℃のリフロー炉に入れてハンダ
を熔融固着した後、フラクッス残渣を溶剤洗浄によって
取り除く。その結果、上記プリント基板2は治具16と
マグネット15との間の吸着力によって固定されている
ので、リフロー処理に際してプリント基板2には全く反
りは生じず良好なボンディングが実施できる。
仮止めされたプリント基板2をステンレス鋼製の治具1
6上に設置する。そして、“ロ"字型に形成されたマグ
ネット15を半導体チップ1を取り囲むようにプリント
基板2上に設置して磁力によって吸着させる。こうし
て、治具16とマグネット15とで挟み込まれたサンプ
ルをピーク温度が250℃のリフロー炉に入れてハンダ
を熔融固着した後、フラクッス残渣を溶剤洗浄によって
取り除く。その結果、上記プリント基板2は治具16と
マグネット15との間の吸着力によって固定されている
ので、リフロー処理に際してプリント基板2には全く反
りは生じず良好なボンディングが実施できる。
【0023】図5は図4とは異なる実施例におけるマグ
ネットを示す図である。このマグネット17は矩形の平
面形状を有している。そして、図4に示す実施例の場合
と同様にステンレス鋼製の治具16に設置されたプリン
ト基板2上に、仮止めされている半導体チップ1の各辺
に沿って設置されて磁力によって吸着される。こうし
て、4個のマグネット17によって半導体チップ1周囲
のプリント基板2を治具16に固定するのである。
ネットを示す図である。このマグネット17は矩形の平
面形状を有している。そして、図4に示す実施例の場合
と同様にステンレス鋼製の治具16に設置されたプリン
ト基板2上に、仮止めされている半導体チップ1の各辺
に沿って設置されて磁力によって吸着される。こうし
て、4個のマグネット17によって半導体チップ1周囲
のプリント基板2を治具16に固定するのである。
【0024】図6は図4および図5とは異なる実施例に
おけるマグネットを示す図である。このマグネット18
はプリント基板2と同程度の大きさを有して平板状を成
している。そして、このマグネット18上に半導体チッ
プ1が仮止めされたプリント基板2を設置し、“ロ"字型
に形成されたステンレス鋼製の治具19を半導体チップ
1を取り囲むようにプリント基板2上に設置して磁力に
よって吸着させる。こうして、半導体チップ1周囲のプ
リント基板2をマグネット18と治具19との間の吸着
力によって固定するのである。
おけるマグネットを示す図である。このマグネット18
はプリント基板2と同程度の大きさを有して平板状を成
している。そして、このマグネット18上に半導体チッ
プ1が仮止めされたプリント基板2を設置し、“ロ"字型
に形成されたステンレス鋼製の治具19を半導体チップ
1を取り囲むようにプリント基板2上に設置して磁力に
よって吸着させる。こうして、半導体チップ1周囲のプ
リント基板2をマグネット18と治具19との間の吸着
力によって固定するのである。
【0025】図5に示すマグネット17と治具16ある
いは図6に示すマグネット18と治具19を用いた場合
にも、ピーク温度が250℃のリフロー炉に入れてハン
ダを熔融固着してもプリント基板2には全く反りは生じ
ず、良好なボンディングが実施できる。
いは図6に示すマグネット18と治具19を用いた場合
にも、ピーク温度が250℃のリフロー炉に入れてハン
ダを熔融固着してもプリント基板2には全く反りは生じ
ず、良好なボンディングが実施できる。
【0026】このように、本例においては、フリップチッ
プボンディング・プロセスにおけるリフロー処理を実施
するに際して、フラックスによって仮止めされた半導体
チップ1の周囲のプリント基板2をマグネット15(1
7,18)でステンレス鋼製の治具16(19)に固定する
ので、ピーク温度が250℃程度に加熱されてもプリン
ト基板2には全く反りは生じない。また、上記マグネッ
ト15(17,18)と治具16(19)とはプリント基板
2を挟んで互いに磁力によって固定されているので、プ
リント基板2が傾斜したり振動したりしてもずれること
がない。したがって、運搬時やリフロー処理時に振動に
よる位置ずれを起こすことがない。
プボンディング・プロセスにおけるリフロー処理を実施
するに際して、フラックスによって仮止めされた半導体
チップ1の周囲のプリント基板2をマグネット15(1
7,18)でステンレス鋼製の治具16(19)に固定する
ので、ピーク温度が250℃程度に加熱されてもプリン
ト基板2には全く反りは生じない。また、上記マグネッ
ト15(17,18)と治具16(19)とはプリント基板
2を挟んで互いに磁力によって固定されているので、プ
リント基板2が傾斜したり振動したりしてもずれること
がない。したがって、運搬時やリフロー処理時に振動に
よる位置ずれを起こすことがない。
【0027】<第3例>本例は、フリップチップボンデ
ィングによってプリント基板上に半導体チップを実装す
る際に、リフロー処理時にプリント基板を真空吸着によ
って平坦化するものである。尚、本例の場合にも、第1
例と同様にしてフラクッスの粘着性によって半導体チッ
プをプリント基板上に仮止めする。以下、こうして半導
体チップが仮止めされたプリント基板の各部には第1例
と同じ番号を付す。
ィングによってプリント基板上に半導体チップを実装す
る際に、リフロー処理時にプリント基板を真空吸着によ
って平坦化するものである。尚、本例の場合にも、第1
例と同様にしてフラクッスの粘着性によって半導体チッ
プをプリント基板上に仮止めする。以下、こうして半導
体チップが仮止めされたプリント基板の各部には第1例
と同じ番号を付す。
【0028】図7は本例を実現するベルト炉の概略図で
ある。上記フラックスの粘着性によって半導体チップ1
が仮止めされたプリント基板2は、真空吸着機構を備え
た真空吸着治具22上に真空固定されてベルト炉21の
コンベア23上に設置される。
ある。上記フラックスの粘着性によって半導体チップ1
が仮止めされたプリント基板2は、真空吸着機構を備え
た真空吸着治具22上に真空固定されてベルト炉21の
コンベア23上に設置される。
【0029】図8は、図7における(A)部の拡大図であ
る。半導体チップ1のハンダバンプ3とプリント基板2
のボンディングパッド6との位置を合わせて、フラクッ
ス7によって半導体チップ1がプリント基板2上に仮止
めされている。そして、半導体チップ1が仮止めされた
状態のプリント基板2は、真空吸着治具22の表面に開
口された複数の吸引口26を塞ぐように載置される。そ
して、真空ポンプ(図示せず)で吸引口26に連通する真
空穴25内を真空引きすることによって、プリント基板
2を真空吸着治具22上に吸着固定される。
る。半導体チップ1のハンダバンプ3とプリント基板2
のボンディングパッド6との位置を合わせて、フラクッ
ス7によって半導体チップ1がプリント基板2上に仮止
めされている。そして、半導体チップ1が仮止めされた
状態のプリント基板2は、真空吸着治具22の表面に開
口された複数の吸引口26を塞ぐように載置される。そ
して、真空ポンプ(図示せず)で吸引口26に連通する真
空穴25内を真空引きすることによって、プリント基板
2を真空吸着治具22上に吸着固定される。
【0030】こうして上記真空吸着治具22上に真空固
定されてコンベア23上に固定されたプリント基板2
は、コンベア23の移動によってベルト炉21内に導か
れ、ヒータ24によってピーク温度が250℃に加熱さ
れてハンダが熔融固着される。こうして、上記リフロー
処理が終了した後にフラックス洗浄を行ってフラクッス
残渣を取り除く。その結果、プリント基板2には全く反
りは生じず良好なボンディングが実施できる。
定されてコンベア23上に固定されたプリント基板2
は、コンベア23の移動によってベルト炉21内に導か
れ、ヒータ24によってピーク温度が250℃に加熱さ
れてハンダが熔融固着される。こうして、上記リフロー
処理が終了した後にフラックス洗浄を行ってフラクッス
残渣を取り除く。その結果、プリント基板2には全く反
りは生じず良好なボンディングが実施できる。
【0031】このように、本実施例においては、上記フ
リップチップボンディング・プロセスにおけるリフロー
処理を実施するに際して、半導体チップ1が仮止めされ
たプリント基板2を真空吸着治具22上に真空固定して
平坦化するので、ピーク温度が250℃程度に加熱され
てもプリント基板2には全く反りは生じない。
リップチップボンディング・プロセスにおけるリフロー
処理を実施するに際して、半導体チップ1が仮止めされ
たプリント基板2を真空吸着治具22上に真空固定して
平坦化するので、ピーク温度が250℃程度に加熱され
てもプリント基板2には全く反りは生じない。
【0032】上記実施例においては、上記半導体チップ
1が仮止めされたプリント基板2を真空吸着機構を備え
た真空吸着治具22に真空固定する場合を例に説明した
が、この発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、上記ベルト炉21に代表されるリフロー装置自体に
真空吸着機構を持たせてもよい。
1が仮止めされたプリント基板2を真空吸着機構を備え
た真空吸着治具22に真空固定する場合を例に説明した
が、この発明はこれに限定されるものではない。例え
ば、上記ベルト炉21に代表されるリフロー装置自体に
真空吸着機構を持たせてもよい。
【0033】上記各実施例においては、プリント基板2
上に1枚あるいは2枚の半導体チップ1を実装する場合
を例に説明したが、多数の半導体チップをプリント基板
2上に実装してマルチチップモジュールを形成する場合
であっても適用可能であることは言うまでもない。ま
た、上記各実施例においては、半導体チップ1を実装す
る回路基板としてプリント基板2を例に説明したが、フ
ィルム基板のようなリフロー処理において反りが生じ易
い回路基板であれば適用可能である。
上に1枚あるいは2枚の半導体チップ1を実装する場合
を例に説明したが、多数の半導体チップをプリント基板
2上に実装してマルチチップモジュールを形成する場合
であっても適用可能であることは言うまでもない。ま
た、上記各実施例においては、半導体チップ1を実装す
る回路基板としてプリント基板2を例に説明したが、フ
ィルム基板のようなリフロー処理において反りが生じ易
い回路基板であれば適用可能である。
【0034】
【発明の効果】以上より明らかなように、第1の発明の
半導体チップの実装方法は、リフロー処理時において、
半導体チップが仮止めされた回路基板を反り防止手段に
よって固定するので、リフロー処理の際に上記回路基板
がリフロー温度に加熱されても上記回路基板には全く反
りは生じない。したがって、この発明によれば、上記半
導体チップの総てのハンダバンプが上記回路基板のボン
ディングパッドに確実に接続されて、フリップチップボ
ンディングの歩留りが飛躍的に向上する。
半導体チップの実装方法は、リフロー処理時において、
半導体チップが仮止めされた回路基板を反り防止手段に
よって固定するので、リフロー処理の際に上記回路基板
がリフロー温度に加熱されても上記回路基板には全く反
りは生じない。したがって、この発明によれば、上記半
導体チップの総てのハンダバンプが上記回路基板のボン
ディングパッドに確実に接続されて、フリップチップボ
ンディングの歩留りが飛躍的に向上する。
【0035】また、第2の発明の半導体チップの実装方
法は、上記反り防止手段を反り矯正治具で成したので、
半導体チップが仮止めされた回路基板上における上記半
導体チップが存在しない領域に上記反り矯正治具を載置
することによって、上記回路基板に生じようとする反り
が上記反り矯正治具の自重により簡単に抑制される。
法は、上記反り防止手段を反り矯正治具で成したので、
半導体チップが仮止めされた回路基板上における上記半
導体チップが存在しない領域に上記反り矯正治具を載置
することによって、上記回路基板に生じようとする反り
が上記反り矯正治具の自重により簡単に抑制される。
【0036】また、第3の発明の半導体チップの実装方
法は、上記反り防止手段をマグネットとこのマグネット
の磁力に作用する治具とで成したので、半導体チップが
仮止めされた回路基板における上記半導体チップが存在
しない領域を上記マグネットで治具に固定することによ
って、上記回路基板に生じようとする反りが上記マグネ
ットと治具と間の圧力で確実に抑制される。さらに、上
記マグネットおよび治具は互いに磁力で上記回路基板に
固定されているので、サンプルの持ち運びの際やリフロ
ー処理時の振動等によって位置ずれを起こすことがな
い。
法は、上記反り防止手段をマグネットとこのマグネット
の磁力に作用する治具とで成したので、半導体チップが
仮止めされた回路基板における上記半導体チップが存在
しない領域を上記マグネットで治具に固定することによ
って、上記回路基板に生じようとする反りが上記マグネ
ットと治具と間の圧力で確実に抑制される。さらに、上
記マグネットおよび治具は互いに磁力で上記回路基板に
固定されているので、サンプルの持ち運びの際やリフロ
ー処理時の振動等によって位置ずれを起こすことがな
い。
【0037】また、第4の発明の半導体チップの実装方
法は、上記反り防止手段を真空吸着機構で成したので、
半導体チップが仮止めされた回路基板の裏面を真空吸着
して平坦化することによって、上記回路基板に生じよう
とする反りが確実に抑制される。したがって、この発明
によれば、反り防止用の治具やマグネットを回路基板に
設置する必要がなく、リフロー処理時の作業性が向上す
る。
法は、上記反り防止手段を真空吸着機構で成したので、
半導体チップが仮止めされた回路基板の裏面を真空吸着
して平坦化することによって、上記回路基板に生じよう
とする反りが確実に抑制される。したがって、この発明
によれば、反り防止用の治具やマグネットを回路基板に
設置する必要がなく、リフロー処理時の作業性が向上す
る。
【図1】この発明の半導体チップの実装方法を実施する
際のリフロー処理時における反り矯正治具の設置状態の
一例を示す図である。
際のリフロー処理時における反り矯正治具の設置状態の
一例を示す図である。
【図2】図1とは異なる反り矯正治具の設置状態を示す
図である。
図である。
【図3】図1および図2とは異なる反り矯正治具の設置
方法の説明図である。
方法の説明図である。
【図4】この発明の半導体チップの実装方法を実施する
際のリフロー処理時におけるマグネットの設置状態の一
例を示す図である。
際のリフロー処理時におけるマグネットの設置状態の一
例を示す図である。
【図5】図4とは異なるマグネットの設置状態を示す図
である。
である。
【図6】図4および図5とは異なるマグネットの設置状
態を示す図である。
態を示す図である。
【図7】この発明の半導体チップの実装方法を実施する
際のリフロー処理時に使用されるベルト炉の断面図であ
る。
際のリフロー処理時に使用されるベルト炉の断面図であ
る。
【図8】図7における(A)部の拡大図である。
【図9】フリップチップボンディング・プロセスの各工
程における断面図である。
程における断面図である。
【図10】図9に示すフリップチップボンディング・プ
ロセスによって実装された半導体チップおよび回路基板
の断面図である。
ロセスによって実装された半導体チップおよび回路基板
の断面図である。
1…半導体チップ、 2…プリント基
板、3…ハンダバンプ、 6…ボンディ
ングパッド、11,12…反り矯正治具、 13
…上側矯正治具、14…下側矯正治具、
15,17,18…マグネット、16,19…治具、
21…ベルト炉、22…真空吸着治具、
25…真空穴、26…吸引口。
板、3…ハンダバンプ、 6…ボンディ
ングパッド、11,12…反り矯正治具、 13
…上側矯正治具、14…下側矯正治具、
15,17,18…マグネット、16,19…治具、
21…ベルト炉、22…真空吸着治具、
25…真空穴、26…吸引口。
Claims (4)
- 【請求項1】 回路基板上にフリップチップボンディン
グによって半導体チップを実装する半導体チップの実装
方法であって、 半導体チップのハンダバンプと回路基板上のボンディン
グパッドとを当接させて上記回路基板上に半導体チップ
を仮止めし、 上記半導体チップが仮止めされた回路基板をリフロー温
度によって反らないように反り防止手段によって固定
し、 リフロー処理によって上記ハンダバンプをリフローさせ
て上記ハンダバンプをボンディングパッドに接続するこ
とを特徴とする半導体チップの実装方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の半導体チップの実装方
法であって、 上記反り防止手段は、上記半導体チップが仮止めされた
回路基板上における上記半導体チップが存在しない領域
に載置されて、自重によって上記回路基板の反りを防止
する反り矯正治具であることを特徴とする半導体チップ
の実装方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載の半導体チップの実装方
法であって、 上記反り防止手段は、上記半導体チップが仮止めされた
回路基板における上記半導体チップが存在しない領域の
両面に設置されて、上記回路基板を両側から磁力で挟む
ことによって上記回路基板の反りを防止するマグネット
とこのマグネットの磁力に作用する治具であることを特
徴とする半導体チップの実装方法。 - 【請求項4】 請求項1に記載の半導体チップの実装方
法であって、 上記反り防止手段は、上記半導体チップが仮止めされた
回路基板の裏面を真空吸着することによって上記回路基
板の反りを防止する真空吸着機構であることを特徴とす
る半導体チップの実装方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5029046A JP2795788B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体チップの実装方法 |
US08/191,923 US5447886A (en) | 1993-02-18 | 1994-02-04 | Method for mounting semiconductor chip on circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5029046A JP2795788B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体チップの実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06244242A JPH06244242A (ja) | 1994-09-02 |
JP2795788B2 true JP2795788B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12265452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5029046A Expired - Fee Related JP2795788B2 (ja) | 1993-02-18 | 1993-02-18 | 半導体チップの実装方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5447886A (ja) |
JP (1) | JP2795788B2 (ja) |
Families Citing this family (107)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP1448033A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on a circuit board |
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KR100251350B1 (ko) * | 1997-04-18 | 2000-05-01 | 김영환 | 액정 표시 모듈 및 그 제조방법(Liquid crystal display module and method for manufacturing the same) |
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