JP2633386B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置Info
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- JP2633386B2 JP2633386B2 JP2309875A JP30987590A JP2633386B2 JP 2633386 B2 JP2633386 B2 JP 2633386B2 JP 2309875 A JP2309875 A JP 2309875A JP 30987590 A JP30987590 A JP 30987590A JP 2633386 B2 JP2633386 B2 JP 2633386B2
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- semiconductor device
- semiconductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体スライス上に形成されたバンプ電極
の高さを均一にするための半導体装置の製造方法および
半導体装置の製造装置に関する。
の高さを均一にするための半導体装置の製造方法および
半導体装置の製造装置に関する。
従来の技術 半導体スライス上にボールボンディングまたはウエッ
ジボンデングされた半導体装置は分割されて、主にフェ
イスダウンボンディング方法により、バンプ電極と外部
リードの接続が行われる。
ジボンデングされた半導体装置は分割されて、主にフェ
イスダウンボンディング方法により、バンプ電極と外部
リードの接続が行われる。
第５図は、フェイスダウンによる組立方法の一例を示
す断面図である。第５図に示すように半導体装置１にバ
ンプ電極２が形成され、所定ヘッダー３に樹脂接着また
は加熱接着が行われる。
す断面図である。第５図に示すように半導体装置１にバ
ンプ電極２が形成され、所定ヘッダー３に樹脂接着また
は加熱接着が行われる。
発明が解決しようとする課題 このような従来の半導体装置の製造方法では、バンプ
電極の高さのばらつきにより、バンプ電極の一部が接続
されないコンタクト不良が発生する生産性，品質上の課
題があった。
電極の高さのばらつきにより、バンプ電極の一部が接続
されないコンタクト不良が発生する生産性，品質上の課
題があった。
本発明は上記課題を解決するもので、安価で高品質の
半導体装置を提供することを目的としている。
半導体装置を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段 本発明は、複数のバンプ電極が形成された半導体スラ
イスを置き台に載置した後、加圧治具によりバンプ電極
の上面から加圧する際の加圧治具の下降位置を加圧スト
ッパーで設定し、半導体スライス上の複数のバンプ電極
の頭頂部を同一高さに成形するレベリング工程を有した
半導体装置の製造方法であって、そのレベリング工程
は、半導体スライスの厚みのばらつきを考慮して、加圧
ストッパーと置き台との高さ差を半導体スライスの実際
の厚み寸法に対してレベリング後のバンプ電極の高さ寸
法を加算した寸法として、半導体スライス上に形成され
たバンプ電極の上面から加圧治具で加圧して成形する工
程である。また本発明の半導体装置の製造装置は、上面
に複数のバンプ電極が形成された半導体スライスを載置
する置き台と、その半導体スライス上のバンプ電極をそ
の上面から加圧する加圧治具と、その加圧治具の下降位
置を決める加圧ストッパーとよりなる半導体装置の製造
装置であって、半導体スライスの厚みのばらつきを考慮
して、加圧ストッパーと置き台との高さ差は、半導体ス
ライスの実際の厚み寸法に対してレベリング後のバンプ
電極の高さ寸法を加算した寸法で構成されているもので
ある。
イスを置き台に載置した後、加圧治具によりバンプ電極
の上面から加圧する際の加圧治具の下降位置を加圧スト
ッパーで設定し、半導体スライス上の複数のバンプ電極
の頭頂部を同一高さに成形するレベリング工程を有した
半導体装置の製造方法であって、そのレベリング工程
は、半導体スライスの厚みのばらつきを考慮して、加圧
ストッパーと置き台との高さ差を半導体スライスの実際
の厚み寸法に対してレベリング後のバンプ電極の高さ寸
法を加算した寸法として、半導体スライス上に形成され
たバンプ電極の上面から加圧治具で加圧して成形する工
程である。また本発明の半導体装置の製造装置は、上面
に複数のバンプ電極が形成された半導体スライスを載置
する置き台と、その半導体スライス上のバンプ電極をそ
の上面から加圧する加圧治具と、その加圧治具の下降位
置を決める加圧ストッパーとよりなる半導体装置の製造
装置であって、半導体スライスの厚みのばらつきを考慮
して、加圧ストッパーと置き台との高さ差は、半導体ス
ライスの実際の厚み寸法に対してレベリング後のバンプ
電極の高さ寸法を加算した寸法で構成されているもので
ある。
作用 本発明は上記構成により、バンプ電極の高さが均一化
され、外部配線との接続不良が大幅に削減される。
され、外部配線との接続不良が大幅に削減される。
実施例 以下、本発明の一実施例について第１図〜第４図を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
第１図において、11は半導体スライス、12はバンプ電
極、13は加圧治具で、バンプ電極12の頭頂部の高さを均
一化するためのものである。14は半導体スライス11の置
き台である。15は加圧ストッパーであり、バンプ電極12
の高さを決定するものである。
極、13は加圧治具で、バンプ電極12の頭頂部の高さを均
一化するためのものである。14は半導体スライス11の置
き台である。15は加圧ストッパーであり、バンプ電極12
の高さを決定するものである。
第２図は、第１図の製造方法で、ボールボンドされた
バンプ電極12が均一化され高さがそろった状態を示す断
面図である。製造方法を簡略に説明すると、半導体スラ
イス11を置き台14の上に置き、加圧治具13により加圧す
る。加圧治具13は加圧ストッパー15まで下降停止する。
このように半導体スライス11上のバンプ電極12を効率よ
くレベリングでき、バンプ電極12の高さを均一化するこ
とができる。
バンプ電極12が均一化され高さがそろった状態を示す断
面図である。製造方法を簡略に説明すると、半導体スラ
イス11を置き台14の上に置き、加圧治具13により加圧す
る。加圧治具13は加圧ストッパー15まで下降停止する。
このように半導体スライス11上のバンプ電極12を効率よ
くレベリングでき、バンプ電極12の高さを均一化するこ
とができる。
次に加圧ストッパー15の上下動装置について第３図で
説明する。第１図の方法でレベリングを行うと半導体ス
ライス11の厚みにばらつきがあると、バンプ電極12の高
さにもばらつきが生じる欠点がある。これを防止するた
めに半導体スライス11の厚み寸法を実測し、その寸法に
レベリング後のバンプ電極12の高さの仕上り寸法を加算
した寸法差を置き台14とその外周に設けた加圧ストッパ
ー15と合わせるように加圧ストッパー15にスクリュウね
じ16を設け、そのスクリュウねじ16を回動させることに
よってガイド17が案内となり、上下の微調整が可能とな
り、バンプ電極12の高さをねらい寸法通りにすることが
できる。そのほか第２図に示すように置き台14の上面、
加圧ストッパー15上面に層間紙18を置く。層間紙18の厚
みを何種類か用意して半導体スライス11の厚みのばらつ
き寸法分を層間紙18の組合せによってバンプ電極12の仕
上り寸法になるように選択し、レベリングを行うことに
よってバンプ電極12の高さを均一化することかできる。
また層間紙18の材料は紙材およびセルロイドフィルムを
選ぶと経済性に有利になる。また、耐摩耗性を重視し、
ダスト，静電気の発生をなくしたい場合は、ステンレス
製のシクネスステープを利用した方が有利である。
説明する。第１図の方法でレベリングを行うと半導体ス
ライス11の厚みにばらつきがあると、バンプ電極12の高
さにもばらつきが生じる欠点がある。これを防止するた
めに半導体スライス11の厚み寸法を実測し、その寸法に
レベリング後のバンプ電極12の高さの仕上り寸法を加算
した寸法差を置き台14とその外周に設けた加圧ストッパ
ー15と合わせるように加圧ストッパー15にスクリュウね
じ16を設け、そのスクリュウねじ16を回動させることに
よってガイド17が案内となり、上下の微調整が可能とな
り、バンプ電極12の高さをねらい寸法通りにすることが
できる。そのほか第２図に示すように置き台14の上面、
加圧ストッパー15上面に層間紙18を置く。層間紙18の厚
みを何種類か用意して半導体スライス11の厚みのばらつ
き寸法分を層間紙18の組合せによってバンプ電極12の仕
上り寸法になるように選択し、レベリングを行うことに
よってバンプ電極12の高さを均一化することかできる。
また層間紙18の材料は紙材およびセルロイドフィルムを
選ぶと経済性に有利になる。また、耐摩耗性を重視し、
ダスト，静電気の発生をなくしたい場合は、ステンレス
製のシクネスステープを利用した方が有利である。
次にバンプレベリングを行う半導体装置の製造装置に
ついて第４図で説明する。第４図において第１図と同一
部分には同一番号を付し、説明を省略する。すなわち19
は置き台14を置くプレスヘッド部、20は加圧治具13を先
端に固定し、上下動させる加圧シリンダーである。
ついて第４図で説明する。第４図において第１図と同一
部分には同一番号を付し、説明を省略する。すなわち19
は置き台14を置くプレスヘッド部、20は加圧治具13を先
端に固定し、上下動させる加圧シリンダーである。
バンプ電極12をつけた半導体スライス11を置き台14に
置き、決められた条件で加圧シリンダー20を動作させ、
バンプ電極12を加圧成形させた。
置き、決められた条件で加圧シリンダー20を動作させ、
バンプ電極12を加圧成形させた。
また加圧治具13をあらかじめバンブ電極12上にセット
することも可能である。加圧シリンダー20は油圧駆動で
上下動する機構になっている。圧力，スピードパワー等
の条件を安定して設定するには適している。
することも可能である。加圧シリンダー20は油圧駆動で
上下動する機構になっている。圧力，スピードパワー等
の条件を安定して設定するには適している。
半導体スライス11上のバンプ電極12が少ない、バンプ
電極12の高さのばらつき量が若干許される場合等には、
空気駆動による空圧プレス装置が小型，軽量で経済的で
有用である。その他サーボモータで駆動することもでき
る。ストッパー15は加圧治具13の下降位置を決め、バン
プ電極12の寸法を決定するためのものである。高さを加
圧ストッパー15によらないで決めても良い。
電極12の高さのばらつき量が若干許される場合等には、
空気駆動による空圧プレス装置が小型，軽量で経済的で
有用である。その他サーボモータで駆動することもでき
る。ストッパー15は加圧治具13の下降位置を決め、バン
プ電極12の寸法を決定するためのものである。高さを加
圧ストッパー15によらないで決めても良い。
なお、以上の実施例で示された半導体装置の製造方法
は他の各種バンプ成形にも適用できる。
は他の各種バンプ成形にも適用できる。
発明の効果 以上の実施例から明らかなように本発明によれば、半
導体スライス上の複数のバンブ電極頭頂部を同一高さに
成形する工程を有するので、バンプ電極の高さが均一で
高品質の半導体装置を提供できる。
導体スライス上の複数のバンブ電極頭頂部を同一高さに
成形する工程を有するので、バンプ電極の高さが均一で
高品質の半導体装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を示
す断面図、第２図は第１図の製造方法で得られた半導体
スライス上のバンプ電極の拡大断面図、第３図は第１図
の加圧ストッパーに改良を加えた場合の断面図、第４図
は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の断面図、
第５図は従来の半導体装置の製造装置の断面図である。 11……半導体スライス、12……バンプ電極、13……加圧
治具、14……半導体スライスの置き台、15……加圧スト
ッパー。
す断面図、第２図は第１図の製造方法で得られた半導体
スライス上のバンプ電極の拡大断面図、第３図は第１図
の加圧ストッパーに改良を加えた場合の断面図、第４図
は本発明の一実施例の半導体装置の製造装置の断面図、
第５図は従来の半導体装置の製造装置の断面図である。 11……半導体スライス、12……バンプ電極、13……加圧
治具、14……半導体スライスの置き台、15……加圧スト
ッパー。
フロントページの続き (72)発明者 中岡 久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−12555（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−8962（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】複数のバンプ電極が形成された半導体スラ
イスを置き台に載置した後、加圧治具により前記バンプ
電極の上面から加圧する際の前記加圧治具の下降位置を
加圧ストッパーで設定し、前記半導体スライス上の複数
のバンプ電極の頭頂部を同一高さに成形するレベリング
工程を有した半導体装置の製造方法であって、前記レベ
リング工程は、前記半導体スライスの厚みのばらつきを
考慮して、前記加圧ストッパーと前記置き台との高さ差
を前記半導体スライスの実際の厚み寸法に対してレベリ
ング後のバンプ電極の高さ寸法を加算した寸法として、
半導体スライス上に形成されたバンプ電極の上面から前
記加圧治具で加圧して成形する工程であることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】上面に複数のバンプ電極が形成された半導
体スライスを載置する置き台と、前記半導体スライス上
のバンプ電極をその上面から加圧する加圧治具と、前記
加圧治具の下降位置を決める加圧ストッパーとよりなる
半導体装置の製造装置であって、前記半導体スライスの
厚みのばらつきを考慮して、前記加圧ストッパーと前記
置き台との高さ差は、前記半導体スライスの実際の厚み
寸法に対してレベリング後のバンプ電極の高さ寸法を加
算した寸法で構成されていることを特徴とする半導体装
置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309875A JP2633386B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309875A JP2633386B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180232A JPH04180232A (ja) | 1992-06-26 |
| JP2633386B2 true JP2633386B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17998357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2309875A Expired - Fee Related JP2633386B2 (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633386B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2795788B2 (ja) * | 1993-02-18 | 1998-09-10 | シャープ株式会社 | 半導体チップの実装方法 |
| JP3194553B2 (ja) * | 1993-08-13 | 2001-07-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3421548B2 (ja) | 1997-09-10 | 2003-06-30 | 富士通株式会社 | 半導体ベアチップ、半導体ベアチップの製造方法、及び半導体ベアチップの実装構造 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247108B2 (ja) * | 1984-06-23 | 1990-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Handotaisochinoriidotanshiorimagesochi |
| JPH0793305B2 (ja) * | 1987-07-07 | 1995-10-09 | 日本電気株式会社 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置 |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2309875A patent/JP2633386B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04180232A (ja) | 1992-06-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |