KR102441538B1 - 본딩 블록 및 이를 이용한 칩 본딩 방법 - Google Patents

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Abstract

본딩 모듈은, 칩을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된 몸체, 상기 몸체의 내부에 배치되며, 상기 칩을 가열할 수 있도록 구비된 히터 및 상기 몸체를 관통하며, 상기 몸체의 하면 및 상기 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내에 퍼지 가스를 공급하여 상기 칩의 상부면의 오염을 억제하도록 구비된 퍼지 가스 공급부를 포함한다. 이로써, 퍼지 영역을 정의하는 칩의 상부면에 대한 오염이 억제될 수 있다.

Description

본딩 블록 및 이를 이용한 칩 본딩 방법{BONDING BLOCK AND METHOD OF BONDING A CHIP USING THE SAME}
본 발명의 실시예들은 본딩 블록 및 이를 이용한 칩 본딩 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명의 실시예들은 칩을 기판에 대하여 열압착하여 상기 칩을 기판에 본딩하는 본딩 블록 및 상기 본딩 블록을 이용하여 칩을 기판에 본딩할 수 있는 칩 본딩 방법에 관한 것이다.
X선 튜브에 따르면 내부가 진공 상태에서 여기된 전자가 안정 상태로 변환하면서 에너지 차이에 해당하는 주파수를 갖는 광선이 발생된다. 상기 광선이 갖는 주파수가 X선의 파장 범위에 속하는 단파장을 가짐에 따라, 상기 광선이 검사 대상물을 투과할 때 해당 대상물을 구성 원소나 밀도에 따라 투과율이 달라진다.
상기 X선 튜브는 기판, 상기 기판 상에 본딩된 칩 및 상기 칩을 전체적으로 둘러싸도록 기판 상에 진공 상태를 유지하기 위한 진공 튜브를 포함한다.
특히, 상기 칩은 그 상부에 팁을 구비한다. 이때, 상기 팁이 고온 상태에서 산소에 노출될 경우 상기 팁이 산화되어 오염되는 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 상기 칩을 기판에 대하여 본딩할 때 발생할 수 있는 팁의 오염을 억제할 수 있는 본딩 모듈 및 상기 본딩 모듈을 이용하여 상기 칩을 기판에 본딩할 수 있는 본딩 방법에 대한 연구가 요구된다.
본 발명의 실시예들은 칩을 기판에 대하여 본딩할 때 발생할 수 있는 칩의 오염을 억제할 수 있는 본딩 모듈을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 칩을 기판에 본딩할 때 발생할 수 있는 칩의 오염을 억제할 수 있는 수 있는 본딩 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들에 따른 본딩 모듈은, 칩을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된 몸체, 상기 몸체의 내부에 배치되며, 상기 칩을 가열할 수 있도록 구비된 히터 및 상기 몸체를 관통하며, 상기 몸체의 하면 및 상기 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내에 퍼지 가스를 공급하여 상기 칩의 상부면의 오염을 억제하도록 구비된 퍼지 가스 공급부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체는 중심부에 형성되어 상기 퍼지 영역과 연통되는 관통홀들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체의 외곽부에는 상기 칩을 홀딩할 수 있도록 구비된 칩 홀딩부가 추가적으로 제공될 수 있다.
여기서, 상기 칩 홀딩부는 상기 몸체의 외곽에 형성되어 상기 칩의 외곽에 진공력을 인가할 수 있도록 구비된 진공 흡착기를 포함할 수 있다.
또한, 상기 진공 흡착기를 이용하여 상기 칩을 픽업한 후 상기 퍼지 가스 공급부를 통하여 상기 퍼지 영역 내부로 퍼지 가스를 공급하도록 하는 제어부가 추가적으로 구비될 수 있다.
여기서, 상기 칩 홀딩부는 상기 몸체의 외곽을 따라 구비되며, 상기 칩의 외곽부를 클램핑하는 클램퍼를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 칩에는 상면으로부터 상부로 돌출된 팁이 구비되고, 상기 몸체의 하면에는 상기 팁을 수용하는 리세스 홈이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 칩을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된 몸체, 상기 몸체의 내부에 배치되며, 상기 기판을 가열하는 히터 및 상기 몸체를 관통하며, 상기 몸체의 하면 및 상기 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내에 퍼지 가스를 공급하여 상기 칩의 상부면의 오염을 억제하도록 구비된 퍼지 가스 공급부를 포함하는 본딩 블록을 이용하여 칩을 본딩하는 칩 본딩 방법에 있어서, 기판을 스테이지 상에 위치시키는 한편, 상기 칩을 픽업한다. 이어서, 상기 몸체에 형성된 퍼지 가스 공급 라인을 통하여 상기 퍼지 영역 내부로 퍼지 가스를 공급한 후, 상기 몸체 내부에 형성된 히터를 이용하여 상기 칩을 가열한다. 이어서, 상기 가열된 칩을 상기 기판에 대하여 압착한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판에 형성된 패드 상에 금속 나노 분말 및 글라스 프릿을 함유하는 페이스트를 디스펜싱하는 공정이 추가될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면. 본딩 모듈은 몸체의 하면 및 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부를 포함한다. 따라서, 상기 칩의 상부면의 오염이 억제될 수 있다.
특히, 본딩 공정에 필요한 칩 가열 전 상기 퍼지 가스 공급부는 퍼지 가스를 상기 퍼지 영역에 공급함으로써, 상기 칩의 상부면, 예를 들면 팁의 산화가 억제될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도1에 도시된 몸체를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 몸체 및 칩 사이의 퍼지 가스 영역의 일 예를 설명하기 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 몸체 및 칩 사이의 퍼지 가스 영역의 다른 예를 설명하기 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 본딩 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도1에 도시된 몸체를 설명하기 위한 평면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 몸체 및 칩 사이의 퍼지 가스 영역의 일 예를 설명하기 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈(100)은, 몸체(110), 히터(130) 및 퍼지 가스 공급부(150)를 포함한다. 상기 본딩 모듈(100)은 기판(미도시)에 대하여 칩(10)을 열압착하여 상기 칩(10)을 기판에 본딩할 수 있다. 상기 칩(10)은 예를 들면, X선 튜브를 이루는 구성에 해당할 수 있다. 이때, 칩(10)은 상부면으로부터 돌출된 팁(13; 도 3 참조)을 포함할 수 있다. 상기 칩(10)은 중앙부(12) 및 상기 중앙부(12)를 둘러싸는 외곽부(11)를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 중앙부(12)가 열압착 중 오염될 수 있다.
상기 몸체(110)는 칩(10)을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된다. 즉, 상기 몸체(110)는 상기 칩(10)의 상면을 가압하는 하면을 포함한다. 상기 몸체(110)는 승강하도록 구비됨으로써, 상기 칩(10)을 픽업하거나 상기 기판 상에 위치하는 칩(10)을 가압할 수 있다. 이때, 상기 몸체(110)는 상기 칩(10)에 대하여 인가되는 하중을 조절할 수 있다.
상기 히터(130)는 상기 몸체(110)의 내부에 배치된다. 상기 히터(130)는 상기 몸체(110)의 중심에 복수의 동심원 형태로 배열될 수 있다. 상기 히터(130)는 몸체(110)의 하면에 부착된 칩(10)에 대하여 열을 인가할 수 있다. 이로써, 상기 칩(10)의 온도가 증가함으로써 상기 칩(10)을 상기 기판에 열압착시켜 상기 칩(10)이 상기 기판에 본딩될 수 있다.
하지만, 상기 히터(130)가 상기 칩(10)의 온도를 증가시킬 때, 상기 칩(10)의 상면이 오염될 수 있다. 예를 들면, 상기 칩(10)의 상부면에 팁(13; 도 3 참조)이 형성될 경우, 상기 팁(13)의 온도가 증가하고 팁(13)이 산소에 노출될 경우 상기 팁(13)의 노출 부위가 산화될 수 있다. 특히, 팁(13)이 구리, 철과 같은 금속으로 이루어질 경우, 상기 열압착 공정을 통한 본딩 공정 중 상기 팁(13)에 대하여 산화 반응이 심각하게 발생할 수 있다.
상기 퍼지 가스 공급부(150)는 상기 몸체(110)를 관통하도록 구비된다. 상기 몸체(110)가 상기 칩(10)의 상면을 가압할 때, 상기 몸체(110)의 하면 및 상기 칩(10)의 상면 사이에 퍼지 영역(50)이 정의될 수 있다. 이때, 상기 퍼지 영역(50)은 상기 칩(10)의 중앙부(12)에 대응될 수 있다.
상기 퍼지 가스 공급부(150)는 상기 퍼지 영역(50) 내에 퍼지 가스를 공급할 수 있도록 구비된다. 상기 퍼지 가스는 예를 들면, 질소 가스, 헬륨 가스, 네온 가스, 아르곤 가스 등과 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다.
상기 퍼지 가스가 상기 퍼지 영역(50) 내에 공급됨에 따라, 상기 퍼지 영역(50)의 일부를 정의하는 상기 칩(10)의 중앙부(12)가 오염되는 것이 억제될 수 있다.
예를 들면, 상기 히터(120)가 구동하여 상기 칩(10)을 가열하기 전, 상기 퍼지 가스가 상기 퍼지 영역(50)에 공급됨으로써 상기 칩(10)의 중앙부(12)가 산화되는 것이 억제될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 퍼지 가스 공급부(150)는 상기 몸체(110)를 관통하는 한 쌍의 관통홀들(111, 116)과 각각 연결된 퍼지 가스 공급 라인(152) 및 퍼지 가스 배출 라인(157)을 더 포함한다. 상기 퍼지 가스 공급 라인(152)은 상기 퍼지 영역(50)에 퍼지 가스를 공급하고, 한편, 퍼지 가스 배출 라인(157)은 상기 퍼지 영역(50)으로부터 퍼지 가스를 배출한다. 이로써, 상기 퍼지 가스 라인(152, 157)이 상기 퍼지 가스를 순환시킬 수 있는 유로를 제공함으로써, 상기 퍼지 영역(50) 내에 퍼지 가스가 일정한 유량으로 지속적으로 제공될 수 있다.
상기 퍼지 가스 공급부(150)는 퍼지 가스 펌프(151) 및 배출 밸브(156)를 더 포함할 수 있다. 상기 퍼지 가스 펌프(151)는 상기 퍼지 가스 공급 라인(151) 상에 구비된다. 상기 퍼지 가스 펌프(151)는 상기 퍼지 가스 공급 라인(151)을 통하여 상기 퍼지 영역(50)에 퍼지 가스를 공급할 수 있다. 상기 배출 밸브(156)는 상기 퍼지 가스 배출 라인(157) 상에 구비된다. 상기 배출 밸브(156)는 상기 퍼지 가스 배출 라인(156)을 통하여 상기 퍼지 영역(50)에 퍼지 가스를 순환을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 진공 흡착기(121)를 이용하여 상기 칩을 픽업한 후 상기 퍼지 가스 공급부를 통하여 상기 퍼지 영역 내부로 퍼지 가스를 공급하도록 하는 제어부(160)가 추가적으로 구비될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 몸체(110)의 외곽부에는 상기 칩(10)을 홀딩할 수 있도록 구비된 칩 홀딩부(120)가 추가적으로 구비될 수 있다. 상기 칩 홀딩부(120)는 상기 칩(10)을 제1 위치에서 픽업하여 스테이지 상에 위치한 기판 상으로 이동시킬 수 있다. 상기 칩 홀딩부(120)는 예를 들면, 진공 흡착기(121, 126)를 포함할 수 있다.
상기 진공 흡착기(121, 126)는 상기 몸체(110)의 외곽에 형성된다. 상기 진공 흡착기(121, 126)는 상기 칩(10)의 외곽에 진공력을 인가할 수 있도록 구비된다. 이로써, 상기 진공 흡착기(121, 126)는 상기 칩(10)을 진공력으로 픽업하고 홀딩함으로써, 상기 칩(10)에 대한 손상이 억제될 수 있다. 특히, 상기 진공 흡착기(121, 126)가 몸체(110)의 외곽에 형성됨으로써, 칩(10) 픽업시 상기 몸체(110)의 외곽부만은 선택적으로 흡착한다. 따라서, 상기 진공 흡착기(121, 126)가 칩(10)을 픽업할 때, 상기 칩(10)의 중심부에 대한 손상이 억제될 수 있다.
또한, 상기 진공 흡착기(121, 126)는 복수의 진공 라인(121, 126)을 포함할 수 있다. 즉, 상기 진공 흡착기(121, 126)는 상기 몸체(110)의 외곽부에 칩(10)의 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 따라서, 상기 진공 흡착기(121, 126)가 상기 칩(10)을 안정적으로 픽업하고 파지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 퍼지 영역(50)은 칩(10)의 상면 및 상기 몸체(110)의 하면에 형성된 리세스 홈(115)에 의하여 정의될 수 있다. 상기 리세스 홈(115)은 상기 칩의 상면에 형성된 팁을 수용할 수 있는 수용 공간(퍼지 영역과 대응됨)을 제공할 수 있다.
상기 퍼지 영역(50) 내에 퍼지 가스가 공급될 경우, 상기 퍼지 영역(50)이 불활성 분위기에서 상기 칩(10)을 상기 기판에 대하여 열압착하여 상기 칩(10)을 기판에 본딩시킬 수 있다. 이때, 상기 퍼지 영역(50)에 수용된 팁(13)에 대한 산화가 억제될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 퍼지 영역(50)은 몸체(110)의 하면 및 상기 칩(10)의 상면에 형성된 오목부(15)에 의하여 정의될 수 있다. 상기 오목부(15)는 상기 칩(10)의 상면에 형성된 팁(13)을 수용할 수 있는 수용 공간을 제공할 수 있다.
상기 퍼지 영역(50) 내에 퍼지 가스가 공급될 경우, 상기 퍼지 영역(50)이 불활성 분위기에서 상기 칩(10)을 상기 기판에 대하여 열압착하여 상기 칩(10)을 기판에 본딩시킬 수 있다. 이때, 상기 퍼지 영역(50)에 수용된 팁(13)에 대한 산화가 억제될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 본딩 모듈(100)은, 몸체(110), 히터(130), 퍼지 가스 공급부(150) 및 칩 홀딩부(120)를 포함한다. 상기 칩 홀딩부(120)는 클램퍼(122, 137)를 포함한다.
상기 클램퍼(122, 137)는 상기 몸체(110)의 외곽을 따라 구비된다. 상기 클램퍼(122, 137)는 상기 칩(10)의 외곽부를 클램핑할 수 있다. 이로써, 상기 본딩 모듈(100)은 상기 칩(10)을 픽업하고 이송할 수 있다.
예를 들면, 상기 클램퍼(122, 137)는 서로 마주보도록 상기 몸체(110)의 외곽을 따라 한 쌍으로 제공될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 본딩 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 칩 본딩 방법을 수행하기 위하여 도 1에 도시된 본딩 모듈(100)이 이용된다.
상기 본딩 모듈은 도 1 내지 도 4를 참조로 전술하였으므로 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
먼저, 기판을 스테이지 상에 위치시킨다(S110). 상기 스테이지는, 상기 기판을 진공력, 정전기력, 또는 다른 힘을 이용하여 고정할 수 있다.
상기 본딩 모듈(100)을 이용하여 상기 칩(10)을 픽업한다(S130). 이때, 상기 칩(10)은 진공력으로 픽업될 수 있다.
이어서, 상기 몸체(110)에 형성된 퍼지 가스 공급부(150)을 통하여 상기 퍼지 영역(50) 내부로 퍼지 가스를 공급한다. 즉, 상기 칩(10)을 가열하기 전, 상기 퍼지 영역(50)에 먼저 퍼지 가스를 공급한다. 이로써, 상기 칩(10)의 상부면에 대한 산화 또는 상기 상부면에 형성된 팁(13; 도 3 참조)의 산화가 억제될 수 있다.
이후, 상기 몸체(110) 내부에 형성된 히터(130)를 이용하여 상기 칩(10)을 가열한다. 즉, 히터(130)를 구동함으로써, 상기 히터(130)에서 발생된 열이 상기 몸체(110)를 경유하여 상기 칩(10)에 전도될 수 있다.
이후, 상기 본딩 모듈(100)을 이용하여 상기 가열된 칩(10)을 상기 기판에 대하여 압착한다. 이로써, 칩(10)이 기판의 상면에 본딩될 수 있다.
한편, 기판 상에는 패드가 형성될 경우, 상기 패드 상에 금속 나노 분말 및 글라스 프릿을 함유하는 페이스트를 디스펜싱하는 공정이 추가적으로 수행될 수 있다. 이때, 상기 페이스트는 금속 나노 분말, 예를 들면 은(Ag) 나노 분말 및 글라스 프릿을 포함할 수 있다. 이때, 은 나노 분말의 입자들은 10 내지 100 nm 의 평균 직경을 가질 수 있다. 한편, 상기 페이스트는 분산제, 바인더 및 용매를 포함한다. 상기 금속 나노 분말은 후속하는 열압착 공정에서 상기 글라스 프릿들 사이에 균일하게 침투할 수 있다.
상기 페이스트는 글라스 프릿을 제외한 금속 나노 분말, 예를 들면 은(Ag) 나노 분말을 포함할 수 있다. 이때, 은 나노 분말의 입자들은 10 내지 100 nm 의 평균 직경을 가질 수 있다. 즉, 상기 페이스트가 전체적으로 균일하게 분산된 은 나노 분말을 포함할 수 있다. 이로써, 상기 페이스트가 기판 상에 균일하게 공급될 수 있다.
상기 분산제는 금속 나노 분말(22)을 분산시키고 응집을 방지할 수 있다. 상기 분산제는 다양한 종류의 것이 이용될 수 있는데, 예컨대, 지방산, 생선 오일, 폴리 디알릴디메틸 암모니움 클로라이드(PDDA), 폴리아크릴 산(PAA), 폴리스티렌 설포내이트(PSS) 등을 포함할 수 있다.
상기 바인더는 취급 및 건조 처리 중에 페이스트의 변성을 방지할 수 있다. 상기 바인더는 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리비닐 부티랄(PVB), 왁스 등이 이용될 수 있다
상기 용매는 상기 페이스트의 점도를 조절할 수 있다. 상기 용매는 바인더의 종류에 따라 다양하게 선택된다. 예를 들면, 상기 용매는 글라스 프릿의 점도를 감소시키기 위한 것으로, "Haraeus HVS 100", "텍사놀", "테르피네올", "헤레어스 RV-372", "헤레어스 RV-507" 등이 이용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10 : 칩 100 : 본딩 모듈
110 : 몸체 120 : 칩 홀딩부
130 : 히터 150 : 퍼지 가스 공급부

Claims (9)

  1. 칩을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된 몸체;
    상기 몸체의 내부에 배치되며, 상기 칩을 가열할 수 있도록 구비된 히터;
    상기 몸체를 연통하며, 상기 몸체의 하면 및 상기 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내로 퍼지 가스를 순환시켜 상기 칩의 상부면의 오염을 억제하도록 구비된 퍼지 가스 공급부; 및
    상기 몸체의 외곽부에는 상기 칩을 홀딩할 수 있도록 구비되고, 상기 몸체의 외곽에 형성되어 상기 칩의 외곽에 진공력을 인가할 수 있도록 구비된 진공 흡착기를 갖는 칩 홀딩부를 포함하고,
    상기 몸체에는, 상기 몸체의 중심부에 상기 퍼지 영역과 연통되며 상기 퍼지 영역으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 제1 관통홀 및 상기 퍼지 영역으로부터 상기 퍼지 가스를 배출하는 제2 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 본딩 블록.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 진공 흡착기를 이용하여 상기 칩을 픽업한 후 상기 퍼지 가스 공급부를 통하여 상기 퍼지 영역 내부로 퍼지 가스를 공급하도록 하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 블록.
  6. 제1항에 있어서, 상기 칩 홀딩부는 상기 몸체의 외곽을 따라 구비되며, 상기 칩의 외곽부를 클램핑하는 클램퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 블록.
  7. 제1항에 있어서, 상기 칩에는 상면으로부터 상부로 돌출된 팁이 구비되고, 상기 몸체의 하면에는 상기 팁을 수용하는 리세스홈이 형성된 것을 특징으로 하는 본딩 블록.
  8. 칩을 기판에 대하여 가압할 수 있도록 구비된 몸체, 상기 몸체의 내부에 배치되며, 상기 기판을 가열하는 히터 및 상기 몸체를 관통하며, 상기 몸체의 하면 및 상기 칩의 상부면 사이에 형성된 퍼지 영역 내로 퍼지 가스를 순환시켜 상기 칩의 상부면의 오염을 억제하도록 구비된 퍼지 가스 공급부, 상기 몸체의 외곽부에는 상기 칩을 홀딩할 수 있도록 구비되고, 상기 몸체의 외곽에 형성되어 상기 칩의 외곽에 진공력을 인가할 수 있도록 구비된 진공 흡착기를 갖는 칩 홀딩부를 포함하고, 상기 몸체에는, 상기 몸체의 중심부에 상기 퍼지 영역과 연통되며 상기 퍼지 영역으로 상기 퍼지 가스를 공급하는 제1 관통홀 및 상기 퍼지 영역으로부터 상기 퍼지 가스를 배출하는 제2 관통홀이 형성된본딩 블록을 이용하여 칩을 본딩하는 칩 본딩 방법에 있어서,
    기판을 스테이지 상에 위치시키는 단계;
    상기 칩을 픽업하는 단계;
    상기 몸체에 형성된 퍼지 가스 공급 라인을 통하여 상기 퍼지 영역 내부로 퍼지 가스를 순환시키는 단계;
    상기 몸체 내부에 형성된 히터를 이용하여 상기 칩을 가열하는 단계; 및
    상기 가열된 칩을 상기 기판에 대하여 압착하는 단계를 포함하는 칩 본딩 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판에 형성된 패드 상에 금속 나노 분말 및 글라스 프릿을 함유하는 페이스트를 디스펜싱하는 단계를 더 포함하는 칩 본딩 방법.
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