JP2009064903A - 半導体チップの実装装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】吸引口70を形成した吸着面1aに半導体チップ15を吸着してピックアップし当該半導体チップ15を加熱された基材17にボンディングするコレット1を備えた半導体チップの実装装置において、前記半導体チップ15を前記基材17にボンディングする際に、前記吸引口70から流体を吹き出して前記吸着面1aと前記半導体チップ15との間に加圧流体層を形成するように構成した。
【選択図】図6
Description
図1及び図2は、本発明に係る半導体チップの実装装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1と図2に示すように、本発明の実装装置は、半導体チップをピックアップするための吸引口70を有するコレット1と、コレット1を保持するコレットホルダ2と、真空発生装置3と、流体供給装置4と、前記真空発生装置3及び流体供給装置4を択一的にコレット1の吸引口70に連通させる切換弁5と、切換弁5を制御する制御部6とを備えている。
図5において、(A)は半導体ウェーハの切断工程、(B)はエキスパンド工程、(C)は半導体チップのピックアップ工程を示す。また、図6(A)(B)は、半導体チップのボンディング工程を示している。
図6(A)に示すように、前記ピックアップポジションでピックアップした半導体チップ15を、ヒータ18で加熱した基材17の上方(ボンディングポジション)に配置する。そして、コレット1を降下させて半導体チップ15を基材17に所定時間押し付ける。
図7(A)に示すように、ピックアップポジションでピックアップした半導体チップ15を、ヒータ18で加熱した基材17に接近させる。このとき、半導体チップ15は、コレット1に吸着されたまま基材17と僅かに離れた状態で保持されている。
1a 吸着面
15 半導体チップ
17 基材
70 吸引口
70a 噴射口
70b 吸引口
Claims (7)
- 吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップし当該半導体チップを加熱された基材にボンディングするコレットを備えた半導体チップの実装装置において、
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成するように構成したことを特徴とする半導体チップの実装装置。 - 前記流体を吹き出すための噴射口を、前記吸引口と独立して前記吸着面に形成したことを特徴とする請求項1に記載の半導体チップの実装装置。
- 前記噴射口を、前記吸着面に複数形成すると共に、各噴射口を前記吸着面の中心に対して互いに対称に配設したことを特徴とする請求項2に記載の半導体チップの実装装置。
- 前記流体を冷却媒体としたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体チップの実装装置。
- コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。 - 前記半導体チップを前記基材にボンディングした後、前記コレットで次の半導体チップをピックアップするまでの間に、前記吸引口から前記流体を吹き出すことを特徴とする請求項5に記載の半導体チップの実装方法。
- コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、
前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。
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