JP2009158718A - 半導体チップの実装装置及びその実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】コレット2によって半導体チップ1をピックアップするピックアップポジションの周囲に、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段3を配設した。前記半導体チップ1にコレット2を接近させる際に、前記コレット2の吸着面5と半導体チップ1との間に形成した所定間隔Dの隙間Sに、前記冷却媒体噴射手段3によって冷却媒体を吹き付けて当該隙間Sに冷却流体層を形成する。前記隙間Sに吹き付けられた冷却媒体を前記コレット2の吸引口4から吸引するように構成した。
【選択図】図8
Description
図1は本発明に係る半導体チップの実装装置の実施の一形態を示す概略構成図である。図1に示すように、半導体チップの実装装置は、吸引口4を形成した吸着面5を有するコレット2と、コレット2を保持するコレットホルダ6と、コレット2の吸引口4から吸気させるための真空発生装置8と、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段3を備える。コレット2は、図示しない水平移動機構によって、半導体チップをピックアップするピックアップポジションと、その半導体チップを基材にボンディングするボンディングポジションとの間を往復移動可能に構成されている。また、ピックアップポジションとボンディングポジションにおいて、コレット2を昇降させる昇降機構も備えている(図示省略)。
上記図12の(A)及び(B)で説明した従来の方法と同様に、半導体ウェーハをダイサで切断して複数の半導体チップに分割する切断工程と、ウェーハシートを放射状に引き伸ばして、半導体チップ同士の間隔を拡大させるエキスパンド工程とを行う。
図10の(A)に示すように、半導体チップ1をピックアップしたコレット2を、ボンディングポジションに移動し、ヒータ18で加熱された基材17の上に半導体チップ1を所定時間押し付ける。
2 コレット
3 冷却媒体噴射手段
4 吸引口
5 吸着面
30 基材
D 間隔
P ピックアップポジション
S 隙間
Claims (7)
- 吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップし当該半導体チップを加熱された基材にボンディングするコレットを備えた半導体チップの実装装置において、
前記半導体チップを前記コレットによってピックアップするピックアップポジションの周囲に、冷却媒体を噴射する冷却媒体噴射手段を配設し、
前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に形成した所定間隔の隙間に、前記冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引するように構成したことを特徴とする半導体チップの実装装置。 - 前記冷却媒体噴射手段を、前記ピックアップポジションの周囲に複数配設した請求項1に記載の半導体チップの実装装置。
- 前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記吸引口から流体を吹き出して前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成するように構成した請求項1又は2に記載の半導体チップの実装装置。
- 前記吸引口を、前記吸着面に複数形成すると共に、各吸引口を前記吸着面の中心に対して互いに対称に配設した請求項3に記載の半導体チップの実装装置。
- コレットの吸引口を形成した吸着面に半導体チップを吸着してピックアップすると共に、前記コレットで前記半導体チップを加熱された基材にボンディングする半導体チップの実装方法において、
前記半導体チップにコレットを接近させる際に、前記コレットの半導体チップへの接近を一旦停止あるいは減速して、前記コレットの吸着面と半導体チップとの間に所定間隔の隙間を形成する工程と、
前記隙間に冷却媒体噴射手段によって冷却媒体を所定時間吹き付けて当該隙間に冷却流体層を形成すると共に、前記隙間に吹き付けられた冷却媒体を前記コレットの吸引口から吸引する工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。 - 前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで半導体チップを前記基材に押し付ける工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する請求項5に記載の半導体チップの実装方法。 - 前記半導体チップを前記基材にボンディングする際に、前記コレットで吸着した半導体チップを前記基材に接近させる工程と、
前記吸引口から流体を吹き出して、前記半導体チップを前記基材上に落下させると共に、前記吸着面と前記半導体チップとの間に加圧流体層を形成する工程と、
前記加圧流体層によって前記半導体チップを前記基材に押圧してボンディングを完了する工程とを有する請求項5に記載の半導体チップの実装方法。
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