JP2006120657A - 半導体製造装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体チップボンディング時の熱伝導で加熱されたコレット、コレットホルダ及び半導体チップを冷却して安定したピックアップ性を確保する。
【解決手段】 コレット１６、コレットホルダ３２及び半導体チップを外部からの冷却流体により直接的に冷却するための冷却ブローノズル３３を備え、かつ冷却効率を上げるためのコレット１６及びコレットホルダ３２を備えることにより、薄型の半導体チップをダイシングテープから安定してピックアップすることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体製造装置および方法に関し、半導体ウェハ上に形成された複数の半導体集積回路（半導体素子）を個片の半導体素子に分割し、半導体素子をボンディングエリアに搭載する技術に係り、特に半導体製造装置のコレット、コレットホルダ及び半導体チップを冷却する技術に係るものである。

従来の半導体製造装置には、例えば図８に示すようなものがある。図８（ａ）に示すよに、シリコンウェハなどの半導体ウェハ１１は、多数個の半導体集積回路（半導体素子）を形成した後に、ダイシングテープ１２に粘着する。そして、図８（ｂ）に示すように、ダイシングテープ１２の上の半導体ウェハ１１を半導体素子間でダイシングブレード１３によって切断分離し、個片の半導体素子に分割して多数個の半導体チップ１４を製造する。

次に、図８（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１２を放射方向に進展させて半導体チップ１４の相互間隔を広げた状態で、各半導体チップ１４を突上げピン１５にてダイシングテープ１２の側から突き上げて半導体チップ１４の裏面とダイシングテープ１２とをはく離させる。

そして、図８（ｄ）に示すように、ダイシングテープ１２からはく離された半導体チップ１４をコレット１６で吸着することによってピックアップし、事前にペースト接着剤１７を塗布された基板・リードフレーム１８のパッド面に半導体チップ１４を移送してボンディングする。

ところで、近年半導体集積回路の微細化・高機能化や半導体チップのボンディングの積層化に伴い、厚さ５０μm未満の半導体チップが製造され始めている。しかし、これらの半導体チップ１４を基板・リードフレーム１８のパッド面に従来のペースト接着剤でボンディングするには、非常に繊細な塗布制御が必要となり、その塗布制御の困難性から以下の問題が発生している。

例えば、基板・リードフレーム１８のパッド面へ半導体チップ１４を搭載する際にペースト接着剤１７の塗布量不足によって半導体チップ１４がパッド面から外れる「チップ外れ」や、ペースト接着剤１７の塗布量過多によって半導体チップ１４のチップ天面へ接着剤が這い上がる「ペースト這い上がり」や、またはペースト接着剤１７の塗布表面形状に倣って半導体チップ１４が反る「チップ反り」の不良事象である。

そこで半導体チップの新しい接着方式が開発された。例えば図９（ａ）に示すように、熱圧着用接着剤付ダイシングテープ２１に半導体ウェハ１１を粘着する方法であり、あるいは、半導体ウェハ１１をダイシングテープ１２に粘着する際に、半導体ウェハ１１とダイシングテープ１２の間に熱圧着用接着テープ２２を挟み込む方法である。

そして、図９（ｂ）に示すように、ダイシングブレード１３によって半導体チップ１４と熱圧着用接着テープ２２（もしくは半導体チップ１４と熱圧着接着剤付ダイシングテープ２１の熱圧着用接着剤層）を同寸法に切断する。

次に、図９（ｃ）に示すように、ダイシングテープ１２（もしくは熱圧着用接着剤付ダイシングテープ２１のテープ部分）を放射方向に進展させて半導体チップ１４の相互間隔を広げた状態で、各半導体チップ１４を突上げピン１５にてダイシングテープ１２の側から突き上げることで、半導体チップ１４と熱圧着用接着剤２３をダイシングテープ１２とをはく離させる。ここで、熱圧着用接着剤２３は熱圧着用接着剤層もしくは熱圧着用接着テープ２２の何れかを示すものである。

そして、ダイシングテープ１２からはく離した半導体チップ１４をコレット１６で吸着することによってピックアップし、図９（ｄ）に示すように、事前に基板・リードフレーム加熱ヒータ２４で１００℃〜２００℃に加熱した基板・リードフレーム１８のパッド面に半導体チップ１４を移送してボンディングする。

結果として、半導体チップ１４をコレット１６でピックアップすると、既に半導体チップ１４の裏面には熱圧着用接着剤２３にて均一な接着剤層が形成されているので、従来において発生していた「チップ外れ」、「ペースト這い上がり」、「チップ反り」の不良事象を撲滅することができる。

しかし、基板・リードフレームのパッド部を１００℃〜２００℃に加熱した状態で半導体チップ１４をボンディングするので、基板・リードフレーム１８の熱が半導体チップ１４を通じてコレット１６に伝導してしまう。

コレット１６に溜まった熱が６０℃に達すると、半導体チップ１４をピックアップする際にコレット１６が半導体チップ１４に接触したとき、半導体チップ１４を通してチップ裏面の熱圧着用接着剤２３にコレット１６の熱が伝導してしまう。このため、半導体チップ１４をピックアップする際に、熱圧着用接着剤２３をダイシングテープ１２からはく離する前に熱圧着用接着剤２３が硬化してダイシングテープ１２に半導体チップ１４が固着し、半導体チップ１４のピックアップができなくなる現象が発生する。

近年、半導体製品は半導体集積回路の微細化・高機能化に伴い、更なるチップの薄型化が求められており、常温状態の半導体チップピックアップ部と加熱状態のボンディング部を往復動作するコレット及びコレットホルダを有し、コレット冷却機構を備えたヘッドの開発が重要視されている。
特開昭５７−４１２９号公報 特開昭６０−１６０６２３号公報 特開２００３−１７４０４２号公報

従来のコレットの冷却方法を以下に説明する。例えば特許文献１では、ピックアップポジションにおいてコレットで半導体チップをピックアップする。次に、コレットが半導体チップを保持したままボンディングポジションへ移動し、基板・リードフレームのパッド面へコレットで半導体チップをボンディングする。

その後、コレットは再度次の半導体チップをピックアップするためにピックアップポジションへ移動する。この際に、コレット移動経路下に配置されたコレット冷却装置から冷却用の噴射エアーを噴きつけてコレットを冷却する。

この一連の動作において、半導体チップのピックアップ時、ボンディング時は、全くコレットを冷却していない状態となる。つまりコレットの冷却は、移動経路領域内で完了する必要がある。しかし、コレット移動経路下から冷却用の噴射エアーを噴射する方式では十分な冷却を行うのに時間を要する。このため、通常は移動経路において瞬間的な動作を行うコレットを、十分な冷却を行うために動作速度を大幅に低下させ移動させる必要があり、生産性を大幅に低下させてしまう。

したがって、この構成における課題としては、冷却がコレット移動経路のみで行われるために、その冷却能力が不足することが挙げられる。
特許文献２では、事前に接着剤が搭載されたパッケージに半導体チップを搭載し、熱窒素ガスを吹き付けて接着剤を溶解した後に、冷却ガスを半導体チップ及び接着剤に吹き付けることで半導体チップの反りを抑えて接着させている。

しかし、冷却ガスの吹き付けは、半導体チップ及び接着剤の冷却により半導体チップの反りを抑えて接着することを目的としており、コレットを冷却するためものではない。しかも冷却ガスを吹き付けるときに使用するコレットは、ピックアップポジションとボンディングポジションを往復動作するコレットとは異なるものである。

特許文献３では、図１０に示すように、コレット４４を保持するコレットホルダ４３が冷却部４５を貫通して設けられており、コレットホルダ４３と冷却部４５との間に円筒状の空間部４６を形成し、この空間部４６の一部に冷却流体の供給配管４７を接続し、空間部４６の他部に冷却流体の排出配管（図示省略）を接続している。

そして、供給配管４７で空間部４６に冷却流体を供給し、排出配管（図示省略）で冷却流体を排出することによって、半導体チップのボンディングポジションまたはその近傍位置でのコレットホルダ４３およびコレット４４を冷却する。

この構成では、冷却流体が直接冷却している部分はコレットホルダ４３のみであり、コレット４４は直接冷却しておらず、コレットホルダ４３を冷却することで発生する熱伝導を利用してコレット４４の熱をコレットホルダ４３へ移動させてコレット４４を冷却させている。

このため、コレットを冷却する冷却能力としては、冷却流体を直接コレットに放出する直接的な冷却方式よりも低くなってしまう。また、直接的な冷却に比べて、間接的な冷却ではコレットからコレットホルダへの熱伝導による冷却タイミング遅延は避けられず、綿密な温度制御も困難となる。

また、外気とは遮断された密封空間である空間部４６に供給配管４７より冷却流体を送り込み、排出配管（図示省略）で冷却流体を排出する冷却方式では、ピックアップする半導体チップの周辺のチップを事前に冷却することができない。事前に周辺のチップを冷却することが可能であれば、コレットに溜まった熱を冷却されたチップが受け止めることで熱圧着用接着剤への熱伝導を削減することが可能である。

したがって、この構成における課題は、コレットホルダを介して間接冷却することによるコレットへの冷却能力が不足すること、及び冷却タイミングが遅延すること、ピックアップする半導体チップの周辺の事前冷却が不可能であること等である。

本発明は上記した課題を解決するものであり、コレットおよびコレットホルダを十分に冷却してダイシングテープから安定して半導体チップをピックアップすることができる半導体製造装置および方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、請求項１に係る本発明の半導体製造装置は、個片化された半導体チップをピックアップするピックアップポジションと、前記半導体チップを事前に加熱されたボンディングエリアにボンディングするボンディングポジションとを往復運動するヘッドを備え、前記ヘッドに前記半導体チップを保持する機能を有するコレット及びコレットを保持するコレットホルダを設けた半導体装置において、前記コレット、前記コレットホルダ及び前記半導体チップを外部からの冷却流体により冷却するための冷却用ブローノズルを前記ヘッドと一体に備えたことを特徴とするものである。

請求項２に係る本発明の半導体製造装置は、前記ヘッドに備えた前記冷却用ブローノズルから冷却流体を噴射する冷却ブロータイミングが前記ヘッドの移動中において連続的であるように、または間欠的であるように設定可能な制御手段を備えたことを特徴とするものである。

請求項３に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレットホルダが、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｔｉ、超硬の何れか単体、または何れかを主体とした合金からなり、冷却効率を上げるための形状を備えることを特徴とするものである。

請求項４に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレットが、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｔｉ、超硬の何れか単体、または何れかを主体とした合金からなり、冷却効率を上げるための形状を備えることを特徴とするものである。

請求項５に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレットが、ゴムからなるベースに金属リングを装備してなり、前記金属リングにおいて前記コレットホルダに接触することを特徴とするものである。

請求項６に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレットが、前記半導体チップとの接触部に、部分的な凸形状をなして前記半導体チップへの熱伝導を削減できる形状を備えることを特徴とするものである。

請求項７に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレットが、内部にコレット冷却用の冷却流体を流す通路を有し、コレット単体を冷却する機能を備えることを特徴とするものである。

請求項８に係る本発明の半導体製造装置は、常時冷却されるコレット冷却ステージを備え、前記コレット冷却ステージが前記コレットを接触、もしくはわずかな隙間を持たせて配置する状態で冷却する機能を備えることを特徴とするものである。

請求項９に係る本発明の半導体製造装置は、前記コレット冷却ステージがコレット清掃フィルムを有することを特徴とするものである。
請求項１０に係る本発明の半導体製造方法は、半導体チップを保持する機能を有したコレット及びコレットを保持するコレットホルダをヘッドに設けた半導体装置において、個片化された前記半導体チップを前記コレットでピックアップするピックアップポジションと前記半導体チップを事前に加熱されたボンディングエリアに前記コレットでボンディングするボンディングポジションとにわたって前記ヘッドを往復運動させながら、前記ヘッドと一体に備えた冷却用ブローノズルから冷却流体を噴射して前記コレット、前記コレットホルダ及び前記半導体チップを冷却することを特徴とするものである。

本発明に係る半導体製造装置および方法によると、コレット、コレットホルダ及び半導体チップを外部からの冷却流体により直接的に冷却するための冷却ブローノズルをヘッドと一体とすることにより、接着剤への熱伝導を削減してダイシングテープから安定して半導体チップをピックアップすることができ、チップ厚５０μｍ以下の半導体チップでも確実にボンディングすることができる。

本発明の半導体製造装置の一実施形態について、以下、図面を参照しながら説明する。図８および図９において説明したものと同様の部材には同符号を付して説明を省略する。図７は半導体製造装置の概略構成を示しており、半導体製造装置は、基板・リードフレームローダ部１０１、投入マガジンローダ部１０２、基板・リードフレーム加熱部１０３、ダイスボンド部１０４、エキスパンド部１０５、コレット１６、基板・リードフレーム収納部１０６で構成されている。

基板・リードフレームの投入は、基板・リードフレームを投入するための基板・リードフレームローダ部１０１と、基板・リードフレームをマガジンに挿入してマガジンを投入する投入マガジンローダ部１０２を用途に応じて選択して行う。

基板・リードフレームローダ部１０１、もしくは投入マガジンローダ部１０２から搬送された基板・リードフレームは、基板・リードフレーム加熱部１０３に搬送される。基板・リードフレーム加熱部１０３は、半導体チップと基板・リードフレームを接着する接着剤を固めるために、上方向もしくは下方向から１００℃〜２００℃に加熱する。

次に、ダイスボンド部１０４およびエキスパンド部１０５では、半導体ウェハを粘着シートに粘着させる前に、熱圧着用接着剤（熱圧着用接着テープ）を半導体ウェハとダイシングテープの間に挟み込み、ダイシングで半導体チップと熱圧着用接着剤を同寸法に切断された半導体チップを準備する。そして、半導体チップをコレット１６によってピックアップし、事前に加熱（１００℃〜２００℃）された基板・リードフレームのパッド面に搭載し熱圧着する。半導体チップを搭載した基板・リードフレームはリードフレーム収納部１０６の収納マガジンに収納する。以上が本発明の主要なダイボンド工程である。

また、図示はしていないが、半導体パケージが完成するまでには、半導体素子の電極部とリードフレームのリード部を金属細線などにより電気的に接続するステップ、リードの一部、パッド部、半導体素子、金属細線を封止樹脂で覆うステップ、最後にフレーム枠から半導体装置単体を分離させるステップを行う。

図１は本発明の一実施例における冷却用ブローノズルを備えたヘッドの全体図である。ヘッド３１の主要構成は、半導体チップ１４をピックアップするためのコレット１６、コレット１６を保持するためのコレットホルダ３２、コレット１６、コレットホルダ３２及び半導体チップ１４を冷却する冷却用ブローノズル３３で構成されている。

冷却用ブローノズル３３は、ヘッド３１と一体構成となっており、半導体チップ１４のピックアップからボンディングまでの一連の往復動作領域のすべてにおいて、コレット１６、コレットホルダ３２及び半導体チップ１４を常に冷却することが可能である。

また、半導体製造装置は冷却用ブローノズル３３から冷却流体を噴射する冷却ブロータイミングを変更設定する制御手段（図示省略）を備えており、冷却ブロータイミングは、ヘッド３１の移動中において連続的であるように、または間欠的であるように設定可能である。

また、冷却用ブローノズル３３は、金属配管や樹脂チューブなどの中空管からなり、冷却用ブローノズル３３の先端位置がコレット１６の底面よりも上にあることを特徴としており、先端位置がコレット１６の底面よりも上にある範囲内であれば自由自在に向きを調整することができる機構を備えている。

さらに、冷却用ブローノズル３３は、ピックアップ時にピックアップ対象の半導体チップ１４の周辺の半導体チップ１４も同時に冷却できる噴出口の形状を有しており、ピックアップする半導体チップ１４を事前に冷却することができる。冷却流体には窒素ガスを使用して半導体チップ１４、基板・リードフレーム１８の酸化を防止する。

以上の構成により、基板・リードフレーム１８から熱伝導する熱で加熱されるコレット１６を冷却することができる。したがって、半導体チップ１４をピックアップする時に、半導体チップ１４の裏面に事前に設けた熱圧着用接着剤２３へコレット１６から熱伝導することを無くすことができ、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

図２は、本発明の他の実施例に使用するコレット及びコレットホルダの説明図である。主要構成は、コレット１６、コレットホルダ３２、冷却用フィン３４である。これらの材料には、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｔｉ、超硬の何れかの単体、もしくは何れかを主体とした合金を使用しており、コレット１６及びコレットホルダ３２は、コレット１６及びコレットホルダ３２に溜まった熱を放出するために、冷却用フィン３４を設けて外気と接触する面積を拡大させた形状を特徴としている。

以上の構成により、基板・リードフレーム１８から熱伝導する熱で加熱されるコレット１６を冷却することができる。したがって、半導体チップ１４をピックアップする時に、半導体チップ１４の裏面に事前に設けた熱圧着用接着剤２３へコレット１６から熱伝導することを無くすことができ、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

図３は、本発明の他の実施例におけるコレット及びコレットホルダの説明図である。主要構成は、コレット１６及びコレットホルダ３２、金属リング５１である。
コレット１６はベース１６ａがゴムで成型されたラバーコレットであり、外周部に冷却用部品をなす金属リング５１を装備している。この金属リング５１はコレット１６をコレットホルダ３２に装着した状態でコレットホルダ３２に接触する。

上記した構成により、コレット１６においてベース１６ａのラバーコレットに溜まった熱が金属リング５１に伝導し、金属リング５１に溜まった熱がコレットホルダ３２に伝導し、基板・リードフレーム１８から熱伝導する熱で加熱されるコレット１６を冷却することができる。

このため、半導体チップ１４をピックアップする時に、半導体チップ１４の裏面に事前に設けた熱圧着用接着剤２３へコレット１６から熱伝導することを無くすことができ、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

図４は、本発明の他の実施例におけるコレットの説明図である。主要構成は、コレット１６、半導体チップ接触部６１、コレット外周枠６２、吸着穴６３である。
コレット１６は半導体チップ接触部６１で半導体チップ１４と接触する。半導体チップ接触部６１は複数の凸形状部からなり、半導体チップ１４を位置決めするのに必要な形状・数量を設けている。また、コレット外周枠６２は、半導体チップ１４の吸着時に真空リークしないように、吸着穴６３および半導体チップ接触部６１を囲む形状をなしている。

上記した構成により、半導体チップ接触部６１を複数の凸形状部で形成して半導体チップ１４に対するコレット１６の接触面積を減らすことで、熱伝導する熱が減少する。
したがって、半導体チップ１４をピックアップする時に、事前に半導体チップ１４の裏面に設けている熱圧着用接着剤２３への熱伝導を抑制することができ、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

図５は、本発明の他の実施例におけるコレットの説明図である。主要構成は、コレット１６、吸着穴６３、冷却用ブロー配管７１、コレット冷却用空間７２である。
コレット１６に備えた冷却機能は冷却用フロー用配管７１とコレット冷却用空間７２にて実現される。コレット冷却用空間７２はコレット１６を均一に冷却するためのものであり、本実施例ではコレット１６を水平方向に貫通している。このコレット冷却用空間７２に冷却ブロー用配管７１が接続しており、冷却ブロー用配管７１から冷却流体として窒素ガスを供給し、コレット１６の冷却および半導体チップ１４、基板・リードフレーム１８の酸化を防止する。

上記した構成により、冷却ブロー用配管７１からコレット冷却用空間７２に供給する冷却流体によってコレット単体を冷却することができる。
したがって、半導体チップ１４をピックアップする時に、事前に半導体チップ１４の裏面に設けている熱圧着用接着剤２３への熱伝導を抑制することができ、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

図６は、本発明の他の実施例におけるコレット冷却用ステージの説明図である。主な構成は、コレット冷却用ステージ８１、ステージ冷却用ブローノズル８２、コレット清掃粘着フィルム８３である。

コレット冷却用ステージ８１は、下部にステージ冷却用ノズルブロー８２を配置しており、ステージ冷却用ノズルブロー８２から供給する冷却流体にて常時冷却されて設定温度に保つことができる。また、コレット冷却用ステージ８１は、上面に張り替え可能なコレット清掃用粘着フィルム８３を貼り付けることができ、コレット清掃用粘着フィルム８３はコレット１６に付着しているシリコンくずやごみ８４を転写するためのものである。

上記した構成により、ステージ冷却用ノズルブロー８２から冷却流体を供給してコレット冷却用ステージ８１を設定温度に冷却する。このコレット冷却用ステージ８１の冷却によってコレット清掃用粘着フィルム８３も冷却する。

この状態で、コレット１６をコレット冷却用ステージ８１に接触もしくは、わずかなすき間を介して配置することによりコレット１６を冷却することができる。また、コレット１６をコレット清掃用粘着フィルム８３で擦ることにより、コレット１６の半導体チップ１４に接触する面を清掃することができる。

この冷却後に、コレット１６で半導体チップ１４をピックアップし、基板・リードフレーム加熱ヒータ２４で加熱された基板・リードフレームに半導体チップ１４をボンディングし、再びコレット冷却用ステージ８１でコレット１６を冷却する。

したがって、基板・リードフレーム１８の熱で加熱されたコレット１６を冷却すると同時に、コレット清掃用粘着フィルム８３でコレット１６の接触面を清掃することができ、半導体チップ１４をピックアップする時に、事前に半導体チップ１４の裏面に設けている熱圧着用接着剤２３への熱伝導が無くなり、半導体チップ１４のピックアップを安定して行うことができる。

以上のように本発明は、半導体チップボンディング工程におけるコレットの温度上昇を防止し、低温域での半導体チップのピックアップを可能にできるものであり、薄型化する半導体チップのピックアップからボンディングまでを安定して実施できる半導体製造装置として極めて有用なものである。

本発明の一実施例における冷却用ブローノズルを備えたヘッド説明図 本発明の他の実施例における冷却フィンを備えたコレット及びコレットホルダ説明図 本発明の他の実施例におけるコレット冷却部品を備えたコレット説明図 本発明の他の実施例における半導体チップとの熱伝導を削減できる形状のコレット説明図 本発明の他の実施例におけるコレット冷却用空間付のコレット説明図 本発明の他の実施例におけるコレット冷却用ステージの説明図 本発明の実施例における半導体製造装置の構成を示す説明図 従来のペースト接着剤を使用したダイボンダ工程を行う半導体装置における製造方法を示す図 従来の熱圧着用接着テープを使用したダイボンダ工程を行う半導体装置における製造方法を示す図 従来のダイボンダ工程を行う半導体装置を示す図

符号の説明

１１ 半導体ウェハ
１２ ダイシングテープ
１３ ダイシングブレード
１４ 半導体チップ
１５ 突上げピン
１６ コレット
１６ａ ベース
１７ ペースト接着剤
１８ 基板・リードフレーム
２１ 熱圧着用接着剤付ダイシングテープ
２２ 熱圧着用接着テープ
２３ 熱圧着用接着剤
２４ 基板・リードフレーム加熱ヒータ
３１ ヘッド
３２ コレットホルダ
３３ 冷却用ブローノズル
３４ 冷却用フィン
５１ 金属リング
６１ 半導体チップ接触部
６２ コレット外周枠
６３ 吸着穴
７１ 冷却用ブロー配管
７２ コレット冷却用空間
８１ コレット冷却用ステージ
８２ ステージ冷却用ブローノズル
８３ コレット清掃用粘着フィルム
１０１ 基板・リードフレームローダ部
１０２ 投入マガジンローダ部
１０３ 基板・リードフレーム加熱部
１０４ ダイスボンド部
１０５ エキスパンド部
１０６ リードフレーム収納部

Claims (10)

1. 個片化された半導体チップをピックアップするピックアップポジションと、前記半導体チップを事前に加熱されたボンディングエリアにボンディングするボンディングポジションとを往復運動するヘッドを備え、前記ヘッドに前記半導体チップを保持する機能を有するコレット及びコレットを保持するコレットホルダを設けた半導体装置において、前記コレット、前記コレットホルダ及び前記半導体チップを外部からの冷却流体により冷却するための冷却用ブローノズルを前記ヘッドと一体に備えたことを特徴とする半導体製造装置。
2. 前記ヘッドに備えた前記冷却用ブローノズルから冷却流体を噴射する冷却ブロータイミングが前記ヘッドの移動中において連続的であるように、または間欠的であるように設定可能な制御手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記コレットホルダが、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｔｉ、超硬の何れか単体、または何れかを主体とした合金からなり、冷却効率を上げるための形状を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
4. 前記コレットが、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｔｉ、超硬の何れか単体、または何れかを主体とした合金からなり、冷却効率を上げるための形状を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
5. 前記コレットが、ゴムからなるベースに金属リングを装備してなり、前記金属リングにおいて前記コレットホルダに接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
6. 前記コレットが、前記半導体チップとの接触部に、部分的な凸形状をなして前記半導体チップへの熱伝導を削減できる形状を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
7. 前記コレットが、内部にコレット冷却用の冷却流体を流す通路を有し、コレット単体を冷却する機能を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
8. 常時冷却されるコレット冷却ステージを備え、前記コレット冷却ステージが前記コレットを接触、もしくはわずかな隙間を持たせて配置する状態で冷却する機能を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
9. 前記コレット冷却ステージがコレット清掃フィルムを有することを特徴とする請求項８に記載の半導体製造装置。
10. 半導体チップを保持する機能を有したコレット及びコレットを保持するコレットホルダをヘッドに設けた半導体装置において、個片化された前記半導体チップを前記コレットでピックアップするピックアップポジションと前記半導体チップを事前に加熱されたボンディングエリアに前記コレットでボンディングするボンディングポジションとにわたって前記ヘッドを往復運動させながら、前記ヘッドと一体に備えた冷却用ブローノズルから冷却流体を噴射して前記コレット、前記コレットホルダ及び前記半導体チップを冷却することを特徴とする半導体製造方法。

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