JPS58180030A - ペレツトのボンデイング方法 - Google Patents
ペレツトのボンデイング方法Info
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- JPS58180030A JPS58180030A JP6313582A JP6313582A JPS58180030A JP S58180030 A JPS58180030 A JP S58180030A JP 6313582 A JP6313582 A JP 6313582A JP 6313582 A JP6313582 A JP 6313582A JP S58180030 A JPS58180030 A JP S58180030A
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- pellet
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- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＣペレット（以下ベレットと略称する）を
ＩＣバクケージの基板に固着するペレットのボンディン
グ方法に関する。
ＩＣバクケージの基板に固着するペレットのボンディン
グ方法に関する。
ＩＯの組立工程において、ペレットをＩＣパッケージの
基板に固着するには、金−シリコンの共晶合金を形成す
る方法が多く用いられている。この金−シリコン共晶合
金を形成するベレットボンディング方法では、ペレット
ボンディング時金−シリコン合金が酸化するのを防ぎ共
晶反応を速やかに進行させるため、ペレット−基板の固
着界面およびその周辺を不活性雰囲気にしなければなら
ない。固着界面を不活性雰囲気にする方法としては、従
来より窒素ガスを直接固着界面にガス管を通して吹き付
ける方法が最も一般的である。しかし、この方法では一
方向からのガス吹き付けのため、吹き付は面の反対側は
コレットで窒素ガスがしゃ断され、不活性雰囲気になら
ない部分が生じ、その部分の金−シリコン合金が酸化し
てしまう欠点がある。金−シリコン合金が酸化すると、
ペレット裏面のぬれが悪くなり、将来ベレット剥離故障
を起こしたり、酸化した金−シリコン合金自身が剥離し
、ＩＣパッケージ内を動き回りノイズ源になったり、電
気的ショート、ボンディングワイヤー切断などを引き起
こし％ ＩＯの信頼性を損なう。この問題点の解決策
として、反対側からも窒素ガスを吹き付ける方法がある
が、吹き付は流量が多くなり、周囲の空気をまき込んで
固着界面にも流れていくので完全な解決策にはならない
。また、ペレットのボンディング装置全体を窒素ガスの
充満したボックスの中に設置し、ペレットのボンディン
グする方法もあるが、ガス使用量が多い、装置調整に時
間がかかるなど不利な点が多い。
基板に固着するには、金−シリコンの共晶合金を形成す
る方法が多く用いられている。この金−シリコン共晶合
金を形成するベレットボンディング方法では、ペレット
ボンディング時金−シリコン合金が酸化するのを防ぎ共
晶反応を速やかに進行させるため、ペレット−基板の固
着界面およびその周辺を不活性雰囲気にしなければなら
ない。固着界面を不活性雰囲気にする方法としては、従
来より窒素ガスを直接固着界面にガス管を通して吹き付
ける方法が最も一般的である。しかし、この方法では一
方向からのガス吹き付けのため、吹き付は面の反対側は
コレットで窒素ガスがしゃ断され、不活性雰囲気になら
ない部分が生じ、その部分の金−シリコン合金が酸化し
てしまう欠点がある。金−シリコン合金が酸化すると、
ペレット裏面のぬれが悪くなり、将来ベレット剥離故障
を起こしたり、酸化した金−シリコン合金自身が剥離し
、ＩＣパッケージ内を動き回りノイズ源になったり、電
気的ショート、ボンディングワイヤー切断などを引き起
こし％ ＩＯの信頼性を損なう。この問題点の解決策
として、反対側からも窒素ガスを吹き付ける方法がある
が、吹き付は流量が多くなり、周囲の空気をまき込んで
固着界面にも流れていくので完全な解決策にはならない
。また、ペレットのボンディング装置全体を窒素ガスの
充満したボックスの中に設置し、ペレットのボンディン
グする方法もあるが、ガス使用量が多い、装置調整に時
間がかかるなど不利な点が多い。
本発明は、このような従来のペレットのボンディング方
法の欠点を解消し、固着界面を完全な不活性雰囲気にし
、金−シリコン合金が酸化することのないペレットのボ
ンディング方法を提供するものである。
法の欠点を解消し、固着界面を完全な不活性雰囲気にし
、金−シリコン合金が酸化することのないペレットのボ
ンディング方法を提供するものである。
本発明は、ペレットをコレットにより真空吸着して基板
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時にコレットに設けであるガス吹き出し孔から不活性ガ
スま九は還元性ガスを流すとともに、ペレットを基板に
こすりつけ、ペレットを基板に固着することを特徴とす
るものである。
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時にコレットに設けであるガス吹き出し孔から不活性ガ
スま九は還元性ガスを流すとともに、ペレットを基板に
こすりつけ、ペレットを基板に固着することを特徴とす
るものである。
以下１本発明を実施例により説明するＯ第１図は１本発
明の実施例を示す断面図で１以下工程順に説明する。
明の実施例を示す断面図で１以下工程順に説明する。
（１） ： Ｉ Ｏウェハーより個々に分割したペレッ
ト１は、粘着性を有するテープ２上に整列し貼る。
ト１は、粘着性を有するテープ２上に整列し貼る。
（２）：次ぎに、１個のペレット１を下方から突上俸３
により突き上げるとともに、上方から吸着部を有するコ
レット４を下降し、突き上げられたペレット１を真空吸
着・保持し、再びコレット４を上昇、次いで下降させ、
ＩＣパッケージの基板５の所定位置に運ぶ。基板５は、
あらかじめ４５０℃程度に加熱しておく。
により突き上げるとともに、上方から吸着部を有するコ
レット４を下降し、突き上げられたペレット１を真空吸
着・保持し、再びコレット４を上昇、次いで下降させ、
ＩＣパッケージの基板５の所定位置に運ぶ。基板５は、
あらかじめ４５０℃程度に加熱しておく。
（３）：コレット４には、ペレット１を真空吸着するた
めの真空吸引孔６が中心に設けである。また、真空吸引
孔６とは別に、後工程で不活性ガスを流すためのガス吹
き出し孔７が、第２図のコレット４吸着面を示す−の配
置で４個所設けである。真空吸引は、テープ２上のペレ
ット１を吸着するためのコレット４が下降を開始する時
点から、ペレット１を基板５に載置するまで作動させる
。
めの真空吸引孔６が中心に設けである。また、真空吸引
孔６とは別に、後工程で不活性ガスを流すためのガス吹
き出し孔７が、第２図のコレット４吸着面を示す−の配
置で４個所設けである。真空吸引は、テープ２上のペレ
ット１を吸着するためのコレット４が下降を開始する時
点から、ペレット１を基板５に載置するまで作動させる
。
（４）：ペレット１を基板５上に載置させると真空吸着
を停止し、同時にガス吹き出し孔７から窒素ガスを流す
。窒素ガスの流量は、１５■！の大きさのペレット１で
、０．２１／分〜０．４１／分でよい０（５）：それと
同時に、ペレット１をコレクト４の四角錐面８で保持し
た状態で水平方向に基板５上に３露程こすりつけ、基板
５上に設けである金層９とペレット１との間で金−シリ
コン共晶合金を形成させる。
を停止し、同時にガス吹き出し孔７から窒素ガスを流す
。窒素ガスの流量は、１５■！の大きさのペレット１で
、０．２１／分〜０．４１／分でよい０（５）：それと
同時に、ペレット１をコレクト４の四角錐面８で保持し
た状態で水平方向に基板５上に３露程こすりつけ、基板
５上に設けである金層９とペレット１との間で金−シリ
コン共晶合金を形成させる。
（６）：こすりっけを終えると、ペレット１を基板５上
に残したままコレット４を再びペレット１を吸着させる
ため前記とは反対に上昇させ、上昇途中で窒素ガスの吹
き出しを停止しつつ、テープ２上に移動・下降させベレ
ットボンディングを終了する。
に残したままコレット４を再びペレット１を吸着させる
ため前記とは反対に上昇させ、上昇途中で窒素ガスの吹
き出しを停止しつつ、テープ２上に移動・下降させベレ
ットボンディングを終了する。
以上実施例で説明したように本発明では、ベレットボン
ディング時の不活性雰囲気を、フレットに設けたガス吹
き出し孔から窒素ガスを流す方式にしている点が従来技
術にはなかったもので、新規な方法である。
ディング時の不活性雰囲気を、フレットに設けたガス吹
き出し孔から窒素ガスを流す方式にしている点が従来技
術にはなかったもので、新規な方法である。
ガス吹き出し孔から流れ出る窒素ガスは％＃１１図の１
０の流通径路をとりコレットより外側に出るが、途中ベ
レット表面やペレット−基板の固着界面およびその周辺
を通り、これら領域全体を不活性雰囲気にする。本発明
による方法では、ガス吹き出し孔から出た窒素ガスは、
まずペレットの中央にあたり流れていくので、固着界面
およびその周辺を均一に窒素ガスでおおうことができる
。
０の流通径路をとりコレットより外側に出るが、途中ベ
レット表面やペレット−基板の固着界面およびその周辺
を通り、これら領域全体を不活性雰囲気にする。本発明
による方法では、ガス吹き出し孔から出た窒素ガスは、
まずペレットの中央にあたり流れていくので、固着界面
およびその周辺を均一に窒素ガスでおおうことができる
。
更に、窒素ガスの出口であるガス吹き出し孔と固着界面
は距離的に短かいことと、流れ出た窒素ガスは一時フレ
ットとベレット表面とのすき間にたまる構造になってい
るので、空気のまき込みがまったくなく完全な不活性雰
囲気が得られる。
は距離的に短かいことと、流れ出た窒素ガスは一時フレ
ットとベレット表面とのすき間にたまる構造になってい
るので、空気のまき込みがまったくなく完全な不活性雰
囲気が得られる。
このように本発明により、従来の不活性雰囲気の不均一
性、周囲の空気のまき込みによる不完全な不活性雰囲気
は解消でき、ベレットボンディング時金−シリコン合金
は醗化しなくなった。このため、ベレット裏面のぬれが
向上し、酸化した金−シリコン合金の剥離がなくなり、
ＩＯの信頼度は向上した。
性、周囲の空気のまき込みによる不完全な不活性雰囲気
は解消でき、ベレットボンディング時金−シリコン合金
は醗化しなくなった。このため、ベレット裏面のぬれが
向上し、酸化した金−シリコン合金の剥離がなくなり、
ＩＯの信頼度は向上した。
前記実施例では１不活性ガスとして常温の窒素ガス使用
例を説明したが１ペレツトのボンディングの温度を下げ
ないように２００℃程度に加熱した窒素ガスを使用して
も同様の効果がある。また、窒素ガスと水素ガスを１０
：１程度に混合させた還元性ガスを使用するとより一層
効呆がある。さらに、実施例ではガス吹き出し孔を第２
図のように４個所配置したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、ガス吹き出し孔の形状、位置、
数量を変えても適用できるものである。
例を説明したが１ペレツトのボンディングの温度を下げ
ないように２００℃程度に加熱した窒素ガスを使用して
も同様の効果がある。また、窒素ガスと水素ガスを１０
：１程度に混合させた還元性ガスを使用するとより一層
効呆がある。さらに、実施例ではガス吹き出し孔を第２
図のように４個所配置したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、ガス吹き出し孔の形状、位置、
数量を変えても適用できるものである。
第１図は本発明の実施例を示す図である。第２図は第１
図の実施例に使用するコレットの吸着面を示す図である
。 尚、図において、１・・・・・・ペレット、２・・・・
・・テープ、３・・・・・・突上棒、４・・・・・・フ
レット、５・・・・・・基板、６・・・・・・真空吸引
孔、７・・・・・・ガス吹き出し孔、８・・・・・・四
角錐面、９・・・・・・金層、１０・・・・・・窒素ガ
スの流通径路である。
図の実施例に使用するコレットの吸着面を示す図である
。 尚、図において、１・・・・・・ペレット、２・・・・
・・テープ、３・・・・・・突上棒、４・・・・・・フ
レット、５・・・・・・基板、６・・・・・・真空吸引
孔、７・・・・・・ガス吹き出し孔、８・・・・・・四
角錐面、９・・・・・・金層、１０・・・・・・窒素ガ
スの流通径路である。
Claims (1)
- テープ上に貼られたペレットを、下方から突上俸で突き
上げるとともに、上方から吸着部を有するコレットを下
降させて、突き上げられたペレットを真空吸着して基板
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時にコレットに設けであるガス吹き出し孔から不活性ガ
スまたは還元性ガスを流すとと４に、ペレットを基板に
こすりつけ、ペレットを基板に固着することを特徴とす
るペレットのボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313582A JPS58180030A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313582A JPS58180030A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180030A true JPS58180030A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6313582A Pending JPS58180030A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667402A (en) * | 1983-10-07 | 1987-05-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for micro-pack production |
| JP2009064903A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Canon Machinery Inc | 半導体チップの実装装置及びその方法 |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6313582A patent/JPS58180030A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667402A (en) * | 1983-10-07 | 1987-05-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for micro-pack production |
| JP2009064903A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Canon Machinery Inc | 半導体チップの実装装置及びその方法 |
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