JPS58180031A - ペレツトのボンデイング方法 - Google Patents
ペレツトのボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS58180031A JPS58180031A JP57063138A JP6313882A JPS58180031A JP S58180031 A JPS58180031 A JP S58180031A JP 57063138 A JP57063138 A JP 57063138A JP 6313882 A JP6313882 A JP 6313882A JP S58180031 A JPS58180031 A JP S58180031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- substrate
- nitrogen gas
- vacuum
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
- H01L2224/83075—Composition of the atmosphere being inert
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＩＯペレット（以下ペレットと略称する）を
ＩＯパッケージの基板に固着するペレットのボンディン
グ方法に関する。
ＩＯパッケージの基板に固着するペレットのボンディン
グ方法に関する。
ＩＯの組立工程において、ペレットを工０パッケージの
基板に固着するには、金−シリコンの共晶合金を形成す
る方法が多く用いられている。この金−シリコン共晶合
金を形成するペレットボンディング法では、ペレットボ
ンディング時金−シリコン合金が酸化するのを防ぎ共晶
反応を速やかに進行させるため、ペレット−基板の固着
界面およびその周辺を不活性雰囲気にしなければならな
い。固着界面を不活性雰囲気にする方法としては、従来
より窒素ガスを直接固着界面にガス管を通して吹き付け
る方法が最も一般的である。しかし、この方法では一方
向からのガス吹き付けのため、吹き付は面の反対側はコ
レットで窒素ガスがしゃ断され、不活性雰囲気にならな
い部分が生じ、その部分の金−シリコン合金が酸化して
しまう欠点がある。金−シリコン合金が酸化すると、ペ
レット裏面のぬれが悪くなり、将来ペレット剥離故障を
起こしたり、酸化した金−シリコン合金自身が剥離し、
１０パツケージ内を動き回りノイズ源になったり、電気
的ショート、ボンデイングワイヤ一切断などを引き起こ
し、ＩＣの信頼性を損なう。
基板に固着するには、金−シリコンの共晶合金を形成す
る方法が多く用いられている。この金−シリコン共晶合
金を形成するペレットボンディング法では、ペレットボ
ンディング時金−シリコン合金が酸化するのを防ぎ共晶
反応を速やかに進行させるため、ペレット−基板の固着
界面およびその周辺を不活性雰囲気にしなければならな
い。固着界面を不活性雰囲気にする方法としては、従来
より窒素ガスを直接固着界面にガス管を通して吹き付け
る方法が最も一般的である。しかし、この方法では一方
向からのガス吹き付けのため、吹き付は面の反対側はコ
レットで窒素ガスがしゃ断され、不活性雰囲気にならな
い部分が生じ、その部分の金−シリコン合金が酸化して
しまう欠点がある。金−シリコン合金が酸化すると、ペ
レット裏面のぬれが悪くなり、将来ペレット剥離故障を
起こしたり、酸化した金−シリコン合金自身が剥離し、
１０パツケージ内を動き回りノイズ源になったり、電気
的ショート、ボンデイングワイヤ一切断などを引き起こ
し、ＩＣの信頼性を損なう。
この問題点の解決策として、反対側からも窒素ガスを炊
き付ける方法があるが、吹き付は流量が多くなり、周囲
の空気をまき込んで固着界面にも流れていくので完全な
解決策にはならない。また、ベレットボンディング装置
全体を窒素ガスの充満したボックスの中に設置し、ベレ
ットボンディングする方法もあるが、ガス使用量が多い
、装置調整に時間がかかるなど不利な点が多い。
き付ける方法があるが、吹き付は流量が多くなり、周囲
の空気をまき込んで固着界面にも流れていくので完全な
解決策にはならない。また、ベレットボンディング装置
全体を窒素ガスの充満したボックスの中に設置し、ベレ
ットボンディングする方法もあるが、ガス使用量が多い
、装置調整に時間がかかるなど不利な点が多い。
本発明は、このような従来のペレットボンディング方法
の欠点を解消し、固着界面を完全な不活性雰囲気にし、
金−シリコン合金が酸化することノナいベレットボンデ
ィング方法を提供するものである。
の欠点を解消し、固着界面を完全な不活性雰囲気にし、
金−シリコン合金が酸化することノナいベレットボンデ
ィング方法を提供するものである。
本発明は、ベレットをコレクトにより真空吸着して基板
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時に真空吸着用孔から不活性ガスまたは還元性ガスを流
すとともに、ベレットを基板にこすりつけ、ペレッＦを
基板に固着することを特徴とするものである。
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時に真空吸着用孔から不活性ガスまたは還元性ガスを流
すとともに、ベレットを基板にこすりつけ、ペレッＦを
基板に固着することを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により説明する。
第１図は、本発明の実施例を示す断面図で亀以下工程順
に説明する。
に説明する。
（１） ： Ｉ Ｏウェハーより個々に分割したベレッ
ト１は、粘着性を有するテープ２上に整列し貼る。
ト１は、粘着性を有するテープ２上に整列し貼る。
（２）：次ぎに、１個のベレット１を下方から突上棒３
により突き上げるとともに、上方から吸着部を有するコ
レット４を下降し、突き上げられたベレット１を真空吸
着φ保持し、再びプレット４を上昇、次いで下降させ、
ＩＯパッケージの基板５の所定位置に運ぶ。基板５は、
あらかじめ４ｓｅｃ程度に加熱しておく。
により突き上げるとともに、上方から吸着部を有するコ
レット４を下降し、突き上げられたベレット１を真空吸
着φ保持し、再びプレット４を上昇、次いで下降させ、
ＩＯパッケージの基板５の所定位置に運ぶ。基板５は、
あらかじめ４ｓｅｃ程度に加熱しておく。
（３）：コレット４には、ペレット１を真空吸着するた
めの真空吸引孔６が中心に設けである。真空吸引は、テ
ープ２上のベレットｌを吸着するため・コレラ）４が下
降を開始すゐ時点から、ベレット１を基板５に載置力る
まで作動させる。
めの真空吸引孔６が中心に設けである。真空吸引は、テ
ープ２上のベレットｌを吸着するため・コレラ）４が下
降を開始すゐ時点から、ベレット１を基板５に載置力る
まで作動させる。
（４）：ペレット１を基板５上に載置させると真空吸着
を停止し、同時に真空吸引孔６から窒素ガスを流す。窒
素ガスの流量は、１５■！の大きさのベレット１でｓｏ
、ｚｌ／分〜０．４１／分でよい。
を停止し、同時に真空吸引孔６から窒素ガスを流す。窒
素ガスの流量は、１５■！の大きさのベレット１でｓｏ
、ｚｌ／分〜０．４１／分でよい。
（５）：それと同時に、ペレット１をフレット４の四角
錐面７で保持した状態で水平方向に基板５上に３ｓｅｃ
程こすりつけ、基板５上に設けである金属８とペレット
１との間で金−シリコン共晶合金を形成させる。
錐面７で保持した状態で水平方向に基板５上に３ｓｅｃ
程こすりつけ、基板５上に設けである金属８とペレット
１との間で金−シリコン共晶合金を形成させる。
（６）：こすりっけを終えると、ペレット１を基板５上
に歿し九ままコレット４を再びペレット１を吸着させる
ため前記とは反対に上昇させ、上昇途中で窒素ガスの吹
き出しを停止しつつテープ２上に移動・下降させペレッ
トボンディングを終了す石。
に歿し九ままコレット４を再びペレット１を吸着させる
ため前記とは反対に上昇させ、上昇途中で窒素ガスの吹
き出しを停止しつつテープ２上に移動・下降させペレッ
トボンディングを終了す石。
以上実施例で説明したように本発明では、ベレットボン
ディング時の不活性雰囲気を、コレットの真空吸引孔か
ら窒素ガスを流す方式にしている点が従来技術にはなか
ったもので、新規な方法である。
ディング時の不活性雰囲気を、コレットの真空吸引孔か
ら窒素ガスを流す方式にしている点が従来技術にはなか
ったもので、新規な方法である。
真空吸引孔から流れ出る窒素ガスは、第１図の９の流通
径路をとりコレットより外側に出るが、途中ベレット表
面やペレット−基板の固着界面およびその周辺を通り、
これら領域全体を不活性雰囲気による。本発明による方
法では、真空吸引孔から出た窒素ガスは、まずペレット
の中央にあたり流れていくので、固着界面およびその周
辺を均一に窒素ガスでおおうことができる。更に、窒素
ガスの出口である真空吸引孔と固着界面は距離的に短か
いことと、流れ出た窒素ガスは一時フレットとベレット
表面とのすき間にたまる構造になっているので、空気の
まき込みがまったくなく完全な不活性雰囲気が得られる
。
径路をとりコレットより外側に出るが、途中ベレット表
面やペレット−基板の固着界面およびその周辺を通り、
これら領域全体を不活性雰囲気による。本発明による方
法では、真空吸引孔から出た窒素ガスは、まずペレット
の中央にあたり流れていくので、固着界面およびその周
辺を均一に窒素ガスでおおうことができる。更に、窒素
ガスの出口である真空吸引孔と固着界面は距離的に短か
いことと、流れ出た窒素ガスは一時フレットとベレット
表面とのすき間にたまる構造になっているので、空気の
まき込みがまったくなく完全な不活性雰囲気が得られる
。
このように本発明により、従来の不活性雰囲気の不均一
性、周囲の空気のまき込みによる不完全な不活性雰囲気
は解消でき、ベレットボンディング時金−シリコン合金
は酸化しなくなった。このため、ベレット裏面のぬれが
向上し、酸化した金−シリコン合金の剥離がなく麦り、
ＩＯの信頼度は向上した。
性、周囲の空気のまき込みによる不完全な不活性雰囲気
は解消でき、ベレットボンディング時金−シリコン合金
は酸化しなくなった。このため、ベレット裏面のぬれが
向上し、酸化した金−シリコン合金の剥離がなく麦り、
ＩＯの信頼度は向上した。
前記実施例では、不活性ガスとして常温の窒素ガス使用
例を説明したが、ペレットボンディングの温度を下げな
いように２００℃程度に加熱した窒素ガスを使用しても
同様の効果がある。また、窒素ガスと水素ガスを１０：
１１ｉ度に混合させた還元性ガスを使用するとより一層
効果がある。
例を説明したが、ペレットボンディングの温度を下げな
いように２００℃程度に加熱した窒素ガスを使用しても
同様の効果がある。また、窒素ガスと水素ガスを１０：
１１ｉ度に混合させた還元性ガスを使用するとより一層
効果がある。
第１図は、本発明の実施例を示す図である。
尚、図において、■・・・・・・ベレット、２・・・・
・・テープ、３・・・・・・突上棒、４・・・・・・コ
レット、５・・・・・・基板、６・・・・・・真空吸引
孔、７・・・・・・四角ｍ’ｍｓ ａ・・・・・・金層
、９・・・・・・窒素ガスの流通径路、である。 手続補正重陽よ。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第６３１３
８号２、発明の名称 ペレットのボンディング方法
３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 ４、代理人 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正命令の日付 昭和５７年７月２７日（発送日
）６、補正の対象 明細書の１発明の名称」の欄 ７ 補正の内容 明細書の発明の名称を「ペレットのボンディング方法」
と訂正する。
・・テープ、３・・・・・・突上棒、４・・・・・・コ
レット、５・・・・・・基板、６・・・・・・真空吸引
孔、７・・・・・・四角ｍ’ｍｓ ａ・・・・・・金層
、９・・・・・・窒素ガスの流通径路、である。 手続補正重陽よ。 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 願第６３１３
８号２、発明の名称 ペレットのボンディング方法
３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 ４、代理人 （連絡先 日本電気株式会社特許部） ５、補正命令の日付 昭和５７年７月２７日（発送日
）６、補正の対象 明細書の１発明の名称」の欄 ７ 補正の内容 明細書の発明の名称を「ペレットのボンディング方法」
と訂正する。
Claims (1)
- テープ上に貼られたペレットを、下方から突上俸で突き
上げるとともに、上方から吸着部を有すゐコレットを下
降させて、夾き上げられたペレットを真空吸着して基板
に運び、ペレットを基板に載置後真空吸着を停止し、同
時に真空ｇ＆ｇｒ孔から不活性ガスまたは還元性ガスを
流すとともに、ペレットを基板にてすりつけ、ペレット
を基板に固着することを特徴とするペレットのボンディ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063138A JPS58180031A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57063138A JPS58180031A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180031A true JPS58180031A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57063138A Pending JPS58180031A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | ペレツトのボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180031A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667402A (en) * | 1983-10-07 | 1987-05-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for micro-pack production |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP57063138A patent/JPS58180031A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4667402A (en) * | 1983-10-07 | 1987-05-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for micro-pack production |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003264366A (ja) | 電子機器 | |
| JPH054809B2 (ja) | ||
| JP2000349123A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| US4545840A (en) | Process for controlling thickness of die attach adhesive | |
| KR100592121B1 (ko) | 플립 칩 조립을 위한 무세정 플럭스 | |
| WO1997032457A1 (en) | Method for manufacturing electronic circuit device | |
| JP2000138255A (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
| JPS58180031A (ja) | ペレツトのボンデイング方法 | |
| JPS63228728A (ja) | 半導体チツプのダイボンデイング装置 | |
| JPH11260974A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2680364B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58180030A (ja) | ペレツトのボンデイング方法 | |
| JP3275396B2 (ja) | Ｉｃチップのボンディング方法およびボンディングヘッド | |
| JP3381563B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5706577A (en) | No fixture method to cure die attach for bonding IC dies to substrates | |
| JPH01225140A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3324326B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06252194A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0482235A (ja) | 半導体素子のダイボンディング方法 | |
| JP3447948B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0482233A (ja) | 半導体素子のダイボンディング方法 | |
| JPH07193100A (ja) | ボンディング方法およびボンディング装置 | |
| JPH04142042A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05343446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH038371A (ja) | 半導体装置 |