JP3381563B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの主面
上にインナーリードが延在するＬＯＣ（リード・オン・
チップ）構造を有する半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に製造工程において製造効率を上げること
ができる半導体装置の製造方法に関するものである。
上にインナーリードが延在するＬＯＣ（リード・オン・
チップ）構造を有する半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に製造工程において製造効率を上げること
ができる半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、主としてメモリーチップなどに代
表される半導体チップのパッケージング技術としては、
リードフレームのインナーリード部が半導体チップの主
面上に延在し、そのリード部と半導体チップ主面とを接
着して固定して半導体チップを保持する、いわゆるＬＯ
Ｃ技術が開発されている。従来のＬＯＣ型の半導体装置
としては、半導体チップ主面とインナーリード部の一部
とを絶縁テープを介して接着して固定するものがある
が、最近は半導体チップとリードとを接着剤により固定
するタイプのＬＯＣ型半導体装置も開発されている。
表される半導体チップのパッケージング技術としては、
リードフレームのインナーリード部が半導体チップの主
面上に延在し、そのリード部と半導体チップ主面とを接
着して固定して半導体チップを保持する、いわゆるＬＯ
Ｃ技術が開発されている。従来のＬＯＣ型の半導体装置
としては、半導体チップ主面とインナーリード部の一部
とを絶縁テープを介して接着して固定するものがある
が、最近は半導体チップとリードとを接着剤により固定
するタイプのＬＯＣ型半導体装置も開発されている。
【０００３】以下、従来のＬＯＣ型の半導体装置の製造
方法について図面を参照しながら説明する。図１１〜図
１３は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
方法について図面を参照しながら説明する。図１１〜図
１３は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【０００４】まずチップ接着工程（ダイスボンド工程）
について説明する。図１１（ａ）に示すように、半導体
チップ１を真空取り付け可能なステージ２上に載置す
る。ここでは半導体チップが不要な移動を起こさないよ
うに真空吸着により固定する。ステージ２にはリードフ
レームの位置を規制するピン２ａが設けられている。
について説明する。図１１（ａ）に示すように、半導体
チップ１を真空取り付け可能なステージ２上に載置す
る。ここでは半導体チップが不要な移動を起こさないよ
うに真空吸着により固定する。ステージ２にはリードフ
レームの位置を規制するピン２ａが設けられている。
【０００５】そして図１１（ｂ）に示すように、半導体
チップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保
持リード部との接着箇所に熱硬化型の接着剤３をノズル
４により塗布する。
チップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保
持リード部との接着箇所に熱硬化型の接着剤３をノズル
４により塗布する。
【０００６】次に図１１（ｃ）に示すように、接着剤３
が塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位
置合わせして、リードフレーム５の保持リード部５ａと
半導体チップ１とを接着する。なお、リードフレーム５
はその外側の位置規制孔（図示せず）をステージ２に設
けたピン２ａが係合することにより規制される。
が塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位
置合わせして、リードフレーム５の保持リード部５ａと
半導体チップ１とを接着する。なお、リードフレーム５
はその外側の位置規制孔（図示せず）をステージ２に設
けたピン２ａが係合することにより規制される。
【０００７】そして図１１（ｄ）に示すように、半導体
チップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステ
ージ６にセットし、一定時間加熱処理を行うことによ
り、接着剤３を硬化させる。接着剤３の加熱硬化時間
は、３０［ｓｅｃ］程度である。
チップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステ
ージ６にセットし、一定時間加熱処理を行うことによ
り、接着剤３を硬化させる。接着剤３の加熱硬化時間
は、３０［ｓｅｃ］程度である。
【０００８】次にワイヤーボンド工程について説明す
る。図１２（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持
したリードフレーム５に対して、その半導体チップ１を
ヒーターブロック７上に真空吸着により固定する。な
お、図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離
しているように示しているが、前記した保持リード部は
半導体チップと接着しているものであり、図示している
箇所は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な
接続を行うインナーリード部８である。
る。図１２（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持
したリードフレーム５に対して、その半導体チップ１を
ヒーターブロック７上に真空吸着により固定する。な
お、図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離
しているように示しているが、前記した保持リード部は
半導体チップと接着しているものであり、図示している
箇所は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な
接続を行うインナーリード部８である。
【０００９】そして図１２（ｂ）に示すように、クラン
パー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリー
ドフレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナ
ーリード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーの
キャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード
部８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。
ここで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接
触させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うため
である。
パー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリー
ドフレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナ
ーリード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーの
キャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード
部８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。
ここで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接
触させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うため
である。
【００１０】次に図１２（ｃ）に示すように、クランパ
ーを除去することにより、インナーリード部８が元の状
態に戻り、図１２（ｄ）に示すように、インナーリード
部８と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に
接続される。
ーを除去することにより、インナーリード部８が元の状
態に戻り、図１２（ｄ）に示すように、インナーリード
部８と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に
接続される。
【００１１】次に樹脂封止工程について説明する。図１
３（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持リード部
５ａとが接着剤３により接着されたリードフレーム５を
封止用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。
３（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持リード部
５ａとが接着剤３により接着されたリードフレーム５を
封止用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。
【００１２】そして図１３（ｂ）に示すように、金型１
２ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂
注入後の状態を図１３（ｃ）に示す。
２ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂
注入後の状態を図１３（ｃ）に示す。
【００１３】以上のような工程により、図１３（ｄ）に
示すような半導体チップ１とリード５ａとを接着剤３に
より固定し、外囲を封止樹脂１４で封止したＬＯＣ型の
半導体装置が製造されるものである。
示すような半導体チップ１とリード５ａとを接着剤３に
より固定し、外囲を封止樹脂１４で封止したＬＯＣ型の
半導体装置が製造されるものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体装置の製造方法では、以下に示す課題があった。す
なわち、半導体チップとリードフレームの保持リード部
とを接着剤により接着した後、その接着剤を加熱により
硬化させているため、製造工程上、接着剤の硬化工程で
時間の律速が起こり、量産プロセスには不向きであると
いう課題があった。
導体装置の製造方法では、以下に示す課題があった。す
なわち、半導体チップとリードフレームの保持リード部
とを接着剤により接着した後、その接着剤を加熱により
硬化させているため、製造工程上、接着剤の硬化工程で
時間の律速が起こり、量産プロセスには不向きであると
いう課題があった。
【００１５】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、半導体チップを接着剤を介してリード部で保持す
る構造の半導体装置の製造方法において、半導体チップ
と保持リード部との接着工程に着目し、特に接着剤の仮
硬化で効率よく硬化させ、接着強度を向上させつつ、か
つ半導体装置の製造工程の時間短縮、すなわちタクトタ
イムの短縮を実現できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
あり、半導体チップを接着剤を介してリード部で保持す
る構造の半導体装置の製造方法において、半導体チップ
と保持リード部との接着工程に着目し、特に接着剤の仮
硬化で効率よく硬化させ、接着強度を向上させつつ、か
つ半導体装置の製造工程の時間短縮、すなわちタクトタ
イムの短縮を実現できる半導体装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の半導体装置の製造方法は、接着剤を介してリ
ードフレームの第１のリード部で半導体チップが保持さ
れた構造の半導体装置の製造方法において、リードフレ
ームの第１のリード部と半導体チップとを接着剤により
接着し、接着剤を硬化させる工程は、まずその接着剤を
仮硬化させる第１硬化工程と、次いでその接着剤を硬化
させる第２硬化工程とを有するものである。
に本発明の半導体装置の製造方法は、接着剤を介してリ
ードフレームの第１のリード部で半導体チップが保持さ
れた構造の半導体装置の製造方法において、リードフレ
ームの第１のリード部と半導体チップとを接着剤により
接着し、接着剤を硬化させる工程は、まずその接着剤を
仮硬化させる第１硬化工程と、次いでその接着剤を硬化
させる第２硬化工程とを有するものである。
【００１７】より具体的には、半導体チップを支持する
のに用いる複数の第１のリード部と、半導体チップと電
気的な接続をするための複数のインナーリード部と、イ
ンナーリード部と接続した複数のアウターリード部とを
有するリードフレームを用意する工程と、第１のリード
部と半導体チップとを位置合わせする工程と、第１のリ
ード部と半導体チップの主面との間に接着剤を供給して
半導体チップを第１のリードに接着する工程と、接着剤
を硬化させる第１硬化工程と、第１硬化工程後にその接
着剤をさらに硬化させる第２硬化工程と、半導体チップ
とインナーリード部とを電気的に接続する工程と、アウ
ターリード部を露出させて半導体チップの外囲を封止樹
脂で封止する工程とよりなるものである。そして接着剤
には熱硬化であって紫外線硬化型の接着剤を用いた場
合、第１硬化工程は紫外線の照射または加熱、またはそ
れらの組み合わせによる短時間で効果的な硬化を行う仮
硬化工程であり、第２硬化工程は接着剤を本硬化する工
程である。
のに用いる複数の第１のリード部と、半導体チップと電
気的な接続をするための複数のインナーリード部と、イ
ンナーリード部と接続した複数のアウターリード部とを
有するリードフレームを用意する工程と、第１のリード
部と半導体チップとを位置合わせする工程と、第１のリ
ード部と半導体チップの主面との間に接着剤を供給して
半導体チップを第１のリードに接着する工程と、接着剤
を硬化させる第１硬化工程と、第１硬化工程後にその接
着剤をさらに硬化させる第２硬化工程と、半導体チップ
とインナーリード部とを電気的に接続する工程と、アウ
ターリード部を露出させて半導体チップの外囲を封止樹
脂で封止する工程とよりなるものである。そして接着剤
には熱硬化であって紫外線硬化型の接着剤を用いた場
合、第１硬化工程は紫外線の照射または加熱、またはそ
れらの組み合わせによる短時間で効果的な硬化を行う仮
硬化工程であり、第２硬化工程は接着剤を本硬化する工
程である。
【００１８】前記構成の通り、接着剤を仮硬化する第１
硬化工程と本硬化する第２硬化工程との組み合わせによ
り、タクトタイムの短縮を実現できるものである。
硬化工程と本硬化する第２硬化工程との組み合わせによ
り、タクトタイムの短縮を実現できるものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】また発明者らは、接着剤
の硬化工程の律速を解消するために、多段階硬化という
手段を行った場合においては、十分な接着強度を得られ
ない場合があり、多段階硬化において、各硬化工程の移
動の際には、その移動の衝撃により半導体チップとリー
ドとが外れてしまうという新規な課題も発生することに
鑑み、さらに追究し、仮硬化の効果的な手段をも導き出
したものである。すなわち、接着剤の仮硬化では、接着
剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性を有する
ようにし、その後、本硬化するものである。そして単に
熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外線の
照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化では、
紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分の硬
化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部に介
在している接着剤をより効果的に硬化させるために紫外
線を多方向から照射することにより、接着剤の仮硬化工
程における効果的な硬化手段を有する半導体装置の製造
方法である。
の硬化工程の律速を解消するために、多段階硬化という
手段を行った場合においては、十分な接着強度を得られ
ない場合があり、多段階硬化において、各硬化工程の移
動の際には、その移動の衝撃により半導体チップとリー
ドとが外れてしまうという新規な課題も発生することに
鑑み、さらに追究し、仮硬化の効果的な手段をも導き出
したものである。すなわち、接着剤の仮硬化では、接着
剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性を有する
ようにし、その後、本硬化するものである。そして単に
熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外線の
照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化では、
紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分の硬
化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部に介
在している接着剤をより効果的に硬化させるために紫外
線を多方向から照射することにより、接着剤の仮硬化工
程における効果的な硬化手段を有する半導体装置の製造
方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００２１】図１〜図４は本発明の一実施形態の半導体
装置の製造方法を示す断面図である。
装置の製造方法を示す断面図である。
【００２２】まず半導体チップの主面とリードとを接着
する構造の半導体装置の製造方法のチップ接着工程（ダ
イスボンド工程）について説明する。
する構造の半導体装置の製造方法のチップ接着工程（ダ
イスボンド工程）について説明する。
【００２３】図１（ａ）に示すように、半導体チップ１
を真空取り付け可能なステージ２上に載置する。ここで
は半導体チップが不要な移動を起こさないように真空吸
着により固定する。ステージ２にはリードフレームの位
置を規制するピン２ａが設けられている。
を真空取り付け可能なステージ２上に載置する。ここで
は半導体チップが不要な移動を起こさないように真空吸
着により固定する。ステージ２にはリードフレームの位
置を規制するピン２ａが設けられている。
【００２４】そして図１（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保持
リード部との接着箇所に熱／紫外線硬化型の接着剤１５
をノズル４により塗布する。
ップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保持
リード部との接着箇所に熱／紫外線硬化型の接着剤１５
をノズル４により塗布する。
【００２５】次に図１（ｃ）に示すように、接着剤１５
が塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位
置合わせして、リードフレーム５の保持リード部５ａと
半導体チップ１とを接着する。なお、リードフレーム５
はその外側の位置規制孔（図示せず）をステージ２に設
けたピン２ａが係合することにより規制される。またこ
こでは接着強度を上げるために、接着剤１５に対して、
保持リード部５ａと半導体チップ１との間に接着剤１５
のフィレット１５ａが形成されるように接着する。フィ
レットとは、表面張力により被接着体からはみ出した部
分であり、このフィレットの有無により、接着強度が変
化し、フィレットを形成した場合、接着強度が向上する
ものである。
が塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位
置合わせして、リードフレーム５の保持リード部５ａと
半導体チップ１とを接着する。なお、リードフレーム５
はその外側の位置規制孔（図示せず）をステージ２に設
けたピン２ａが係合することにより規制される。またこ
こでは接着強度を上げるために、接着剤１５に対して、
保持リード部５ａと半導体チップ１との間に接着剤１５
のフィレット１５ａが形成されるように接着する。フィ
レットとは、表面張力により被接着体からはみ出した部
分であり、このフィレットの有無により、接着強度が変
化し、フィレットを形成した場合、接着強度が向上する
ものである。
【００２６】そして図１（ｄ）に示すように、半導体チ
ップ１を保持したリードフレーム５の保持リード部５ａ
付近に対して、一定時間、紫外線１６を照射することに
より、接着剤１５の表面部分を硬化させ、仮硬化状態と
する。ここでは接着剤１５を完全に硬化させず、保持で
きる程度に接着剤１５の表面部分を紫外線１６（ＵＶ：
３６５［ｎｍ］）の照射により硬化させる。なお、接着
剤１５に対する紫外線１６の照射時間は、２［ｓｅｃ］
程度である。
ップ１を保持したリードフレーム５の保持リード部５ａ
付近に対して、一定時間、紫外線１６を照射することに
より、接着剤１５の表面部分を硬化させ、仮硬化状態と
する。ここでは接着剤１５を完全に硬化させず、保持で
きる程度に接着剤１５の表面部分を紫外線１６（ＵＶ：
３６５［ｎｍ］）の照射により硬化させる。なお、接着
剤１５に対する紫外線１６の照射時間は、２［ｓｅｃ］
程度である。
【００２７】そして図１（ｅ）に示すように、半導体チ
ップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステー
ジ６にセットし、一定時間、加熱処理を行うことによ
り、接着剤１５を硬化させる。ここでは接着剤１５を完
全硬化させる。なお、接着剤１５の加熱硬化時間は、３
０［ｓｅｃ］程度である。
ップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステー
ジ６にセットし、一定時間、加熱処理を行うことによ
り、接着剤１５を硬化させる。ここでは接着剤１５を完
全硬化させる。なお、接着剤１５の加熱硬化時間は、３
０［ｓｅｃ］程度である。
【００２８】なお、本実施形態で用いる接着剤１５は、
熱／紫外線硬化型の接着剤であり、アクリル酸素を含む
樹脂により構成されているものである。また接着剤１５
の塗布や、リードとの接着時において、接着剤１５の余
分なはみ出しを防止するために、主面接着では６００
［ポイズ］〜１５００［ポイズ］の粘度の接着剤を用い
るものである。
熱／紫外線硬化型の接着剤であり、アクリル酸素を含む
樹脂により構成されているものである。また接着剤１５
の塗布や、リードとの接着時において、接着剤１５の余
分なはみ出しを防止するために、主面接着では６００
［ポイズ］〜１５００［ポイズ］の粘度の接着剤を用い
るものである。
【００２９】また別の構造として、半導体チップの側面
とリードとを接着する構造の半導体装置の製造方法のチ
ップ接着工程（ダイスボンド工程）について説明する。
とリードとを接着する構造の半導体装置の製造方法のチ
ップ接着工程（ダイスボンド工程）について説明する。
【００３０】図２（ａ）に示すように、半導体チップ１
を真空取り付け可能なステージ２上に載置する。ここで
は半導体チップが不要な移動を起こさないように真空吸
着により固定する。ステージ２にはリードフレームの位
置を規制するピン２ａが設けられている。
を真空取り付け可能なステージ２上に載置する。ここで
は半導体チップが不要な移動を起こさないように真空吸
着により固定する。ステージ２にはリードフレームの位
置を規制するピン２ａが設けられている。
【００３１】次に図２（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ１とリードフレーム５とを位置合わせして、リードフ
レーム５の保持リード部５ａに対して半導体チップ１を
合わせる。なお、リードフレーム５はその外側の位置規
制孔（図示せず）をステージ２に設けたピン２ａが係合
することにより規制される。
プ１とリードフレーム５とを位置合わせして、リードフ
レーム５の保持リード部５ａに対して半導体チップ１を
合わせる。なお、リードフレーム５はその外側の位置規
制孔（図示せず）をステージ２に設けたピン２ａが係合
することにより規制される。
【００３２】そして図２（ｃ）に示すように、半導体チ
ップ１と保持リード部５ａとの間隔に熱／紫外線硬化型
の接着剤１５をノズル４により塗布する。この場合、余
分な接着剤１５のはみ出しが発生しないように塗布す
る。
ップ１と保持リード部５ａとの間隔に熱／紫外線硬化型
の接着剤１５をノズル４により塗布する。この場合、余
分な接着剤１５のはみ出しが発生しないように塗布す
る。
【００３３】そして図２（ｄ）に示すように、半導体チ
ップ１側面と保持リード部５ａとの間の接着剤１５に対
して、一定時間、紫外線１６を照射することにより、接
着剤１５の表面部分を硬化させ、仮硬化状態とする。こ
こでは接着剤１５を完全に硬化させず、保持できる程度
に接着剤１５の表面部分を紫外線１６（ＵＶ：３６５
［ｎｍ］）の照射により硬化させる。なお、接着剤１５
に対する紫外線１６の照射時間は、２［ｓｅｃ］程度で
ある。またここでは接着強度を上げるために、保持リー
ド部５ａと半導体チップ１との間に接着剤１５のフィレ
ット１５ａが形成されている。
ップ１側面と保持リード部５ａとの間の接着剤１５に対
して、一定時間、紫外線１６を照射することにより、接
着剤１５の表面部分を硬化させ、仮硬化状態とする。こ
こでは接着剤１５を完全に硬化させず、保持できる程度
に接着剤１５の表面部分を紫外線１６（ＵＶ：３６５
［ｎｍ］）の照射により硬化させる。なお、接着剤１５
に対する紫外線１６の照射時間は、２［ｓｅｃ］程度で
ある。またここでは接着強度を上げるために、保持リー
ド部５ａと半導体チップ１との間に接着剤１５のフィレ
ット１５ａが形成されている。
【００３４】そして図２（ｅ）に示すように、半導体チ
ップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステー
ジ６にセットし、一定時間加熱処理を行うことにより、
接着剤１５を硬化させる。ここでは接着剤１５を完全硬
化させる。なお、接着剤１５の加熱硬化時間は、３０
［ｓｅｃ］程度である。
ップ１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステー
ジ６にセットし、一定時間加熱処理を行うことにより、
接着剤１５を硬化させる。ここでは接着剤１５を完全硬
化させる。なお、接着剤１５の加熱硬化時間は、３０
［ｓｅｃ］程度である。
【００３５】また本実施形態で用いる接着剤１５は、熱
／紫外線硬化型の接着剤であり、アクリル酸素を含む樹
脂により構成されているものである。また接着剤１５の
塗布や、リードとの接着時において、接着剤１５の余分
なはみ出しやタレを防止するために、側面接着において
は５０［ポイズ］〜３５０［ポイズ］の粘度の接着剤を
用いるものである。
／紫外線硬化型の接着剤であり、アクリル酸素を含む樹
脂により構成されているものである。また接着剤１５の
塗布や、リードとの接着時において、接着剤１５の余分
なはみ出しやタレを防止するために、側面接着において
は５０［ポイズ］〜３５０［ポイズ］の粘度の接着剤を
用いるものである。
【００３６】なお、図１，図２において、紫外線の接着
剤１５の領域に対する照射は、接着剤１５で接着された
保持リード５ａと接着剤１５の部分、もしくは接着剤１
５の部分に対して、スポット的に照射し、短時間で接着
剤１５が硬化を起こすように処理する。また接着剤１５
のフィレット１５ａを形成しているので、そのフィレッ
ト１５ａの部分が保持リード部５ａから露出しているの
で、紫外線照射による硬化が最も促進され、接着強度を
向上させるものである。
剤１５の領域に対する照射は、接着剤１５で接着された
保持リード５ａと接着剤１５の部分、もしくは接着剤１
５の部分に対して、スポット的に照射し、短時間で接着
剤１５が硬化を起こすように処理する。また接着剤１５
のフィレット１５ａを形成しているので、そのフィレッ
ト１５ａの部分が保持リード部５ａから露出しているの
で、紫外線照射による硬化が最も促進され、接着強度を
向上させるものである。
【００３７】次にワイヤーボンド工程について説明す
る。図３（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持し
たリードフレーム５に対して、その半導体チップ１をヒ
ーターブロック７上に真空吸着により固定する。なお、
図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離して
いるように示しているが、前記した保持リード部は半導
体チップと接着しているものであり、図示している箇所
は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な接続
を行うインナーリード部８である。
る。図３（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持し
たリードフレーム５に対して、その半導体チップ１をヒ
ーターブロック７上に真空吸着により固定する。なお、
図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離して
いるように示しているが、前記した保持リード部は半導
体チップと接着しているものであり、図示している箇所
は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な接続
を行うインナーリード部８である。
【００３８】そして図３（ｂ）に示すように、クランパ
ー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリード
フレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナー
リード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーのキ
ャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード部
８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。こ
こで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接触
させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うためで
ある。
ー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリード
フレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナー
リード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーのキ
ャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード部
８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。こ
こで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接触
させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うためで
ある。
【００３９】次に図３（ｃ）に示すように、クランパー
を除去することにより、インナーリード部８が元の状態
に戻り、図３（ｄ）に示すように、インナーリード部８
と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に接続
される。
を除去することにより、インナーリード部８が元の状態
に戻り、図３（ｄ）に示すように、インナーリード部８
と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に接続
される。
【００４０】次に樹脂封止工程について説明する。図４
（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持リード部５
ａとが接着剤１５により接着されたリードフレーム５を
封止用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。
（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持リード部５
ａとが接着剤１５により接着されたリードフレーム５を
封止用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。
【００４１】そして図４（ｂ）に示すように、金型１２
ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂注
入後の状態を図４（ｃ）に示す。
ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂注
入後の状態を図４（ｃ）に示す。
【００４２】以上のような工程により、図４（ｄ）に示
すような半導体チップ１と保持リード部５ａとを接着剤
１５により固定し、外囲を封止樹脂１４で封止したＬＯ
Ｃ型の半導体装置が製造されるものである。
すような半導体チップ１と保持リード部５ａとを接着剤
１５により固定し、外囲を封止樹脂１４で封止したＬＯ
Ｃ型の半導体装置が製造されるものである。
【００４３】次に本実施形態の半導体装置の製造方法に
おいて、特に半導体チップとリードとの接着後の接着剤
の硬化工程について、別の実施形態を説明する。図５〜
図９は、本実施形態の半導体チップとリードを接着した
後の接着剤の硬化工程（仮硬化＋本硬化）を示す断面図
である。
おいて、特に半導体チップとリードとの接着後の接着剤
の硬化工程について、別の実施形態を説明する。図５〜
図９は、本実施形態の半導体チップとリードを接着した
後の接着剤の硬化工程（仮硬化＋本硬化）を示す断面図
である。
【００４４】まず図５に示すように、図５（ａ）では、
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、紫外線１６
を照射して接着剤１５の表面部分、すなわち保持リード
部５ａの下部以外の部分の接着剤１５を仮硬化させ（図
中、接着剤１５の硬化している部分にハッチングを付し
ている）、そして図５（ｂ）では、ヒータープレート１
７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱により、接
着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５を完全硬
化させているものである。この工程では、紫外線硬化
（仮）＋熱硬化（本）の２段階硬化を行うものである。
なお、図５（ｂ）では、本硬化での加熱はプロキシミテ
ィーベーク的にヒータープレート１７と半導体チップ１
とに間隔をあけて半導体チップ１を載置することによ
り、本硬化を行っているが、直接、ヒータープレート１
７上に半導体チップ１を載置して加熱して、硬化させて
もよい。
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、紫外線１６
を照射して接着剤１５の表面部分、すなわち保持リード
部５ａの下部以外の部分の接着剤１５を仮硬化させ（図
中、接着剤１５の硬化している部分にハッチングを付し
ている）、そして図５（ｂ）では、ヒータープレート１
７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱により、接
着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５を完全硬
化させているものである。この工程では、紫外線硬化
（仮）＋熱硬化（本）の２段階硬化を行うものである。
なお、図５（ｂ）では、本硬化での加熱はプロキシミテ
ィーベーク的にヒータープレート１７と半導体チップ１
とに間隔をあけて半導体チップ１を載置することによ
り、本硬化を行っているが、直接、ヒータープレート１
７上に半導体チップ１を載置して加熱して、硬化させて
もよい。
【００４５】次に図６に示すように、図６（ａ）では、
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、紫外線１６
を照射して接着剤１５の表面部分、すなわち保持リード
部５ａの下部以外の部分の接着剤１５を仮硬化させ（図
中、接着剤１５の硬化している部分にハッチングを付し
ている）、そして図６（ｂ）では、さらに紫外線１６を
照射して、接着剤１５を完全硬化させているものであ
る。この工程では、紫外線硬化（仮）＋紫外線硬化
（本）の２段階硬化を行うものである。
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、紫外線１６
を照射して接着剤１５の表面部分、すなわち保持リード
部５ａの下部以外の部分の接着剤１５を仮硬化させ（図
中、接着剤１５の硬化している部分にハッチングを付し
ている）、そして図６（ｂ）では、さらに紫外線１６を
照射して、接着剤１５を完全硬化させているものであ
る。この工程では、紫外線硬化（仮）＋紫外線硬化
（本）の２段階硬化を行うものである。
【００４６】次に図７に示すように、図７（ａ）では、
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、ヒータープ
レート１７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱に
より、接着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５
の表面部分、すなわち保持リード部５ａの下部以外の部
分の接着剤１５を仮硬化させ（図中、接着剤１５の硬化
している部分にハッチングを付している）、そして図７
（ｂ）では、ヒータープレート１７およびオーブン等の
加熱雰囲気中での加熱により、接着剤１５に対して加熱
処理を行い、接着剤１５を完全硬化させているものであ
る。この工程では、加熱硬化（仮）＋加熱硬化（本）の
２段階硬化を行うものである。なお、仮硬化での加熱は
直接、ヒータープレート１７上に半導体チップ１を載置
することにより、仮硬化を促進させるものである。ま
た、図７（ｂ）では、本硬化での加熱はプロキシミティ
ーベーク的にヒータープレート１７と半導体チップ１と
に間隔をあけて半導体チップ１を載置することにより、
本硬化を行っているが、直接、ヒータープレート１７上
に半導体チップ１を載置して加熱して、硬化させてもよ
い。
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、ヒータープ
レート１７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱に
より、接着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５
の表面部分、すなわち保持リード部５ａの下部以外の部
分の接着剤１５を仮硬化させ（図中、接着剤１５の硬化
している部分にハッチングを付している）、そして図７
（ｂ）では、ヒータープレート１７およびオーブン等の
加熱雰囲気中での加熱により、接着剤１５に対して加熱
処理を行い、接着剤１５を完全硬化させているものであ
る。この工程では、加熱硬化（仮）＋加熱硬化（本）の
２段階硬化を行うものである。なお、仮硬化での加熱は
直接、ヒータープレート１７上に半導体チップ１を載置
することにより、仮硬化を促進させるものである。ま
た、図７（ｂ）では、本硬化での加熱はプロキシミティ
ーベーク的にヒータープレート１７と半導体チップ１と
に間隔をあけて半導体チップ１を載置することにより、
本硬化を行っているが、直接、ヒータープレート１７上
に半導体チップ１を載置して加熱して、硬化させてもよ
い。
【００４７】次に図８に示すように、図８（ａ）では、
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、ヒータープ
レート１７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱に
より、接着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５
の表面部分、すなわち保持リード部５ａの下部以外の部
分の接着剤１５を仮硬化させ（図中、接着剤１５の硬化
している部分にハッチングを付している）、そして図８
（ｂ）では、ヒータープレート１７およびオーブン等の
加熱雰囲気中での加熱に加えて、紫外線１６を照射し、
接着剤１５を完全硬化させているものである。この工程
では、加熱硬化（仮）＋加熱／紫外線硬化（本）の２段
階硬化を行うものである。なお、仮硬化および本硬化で
の加熱は直接、ヒータープレート１７上に半導体チップ
１を載置することにより、仮硬化を促進させるものであ
る。
半導体チップ１の主面であって、その周辺部分に接着剤
１５を塗布し、保持リード部５ａを接着し、ヒータープ
レート１７およびオーブン等の加熱雰囲気中での加熱に
より、接着剤１５に対して加熱処理を行い、接着剤１５
の表面部分、すなわち保持リード部５ａの下部以外の部
分の接着剤１５を仮硬化させ（図中、接着剤１５の硬化
している部分にハッチングを付している）、そして図８
（ｂ）では、ヒータープレート１７およびオーブン等の
加熱雰囲気中での加熱に加えて、紫外線１６を照射し、
接着剤１５を完全硬化させているものである。この工程
では、加熱硬化（仮）＋加熱／紫外線硬化（本）の２段
階硬化を行うものである。なお、仮硬化および本硬化で
の加熱は直接、ヒータープレート１７上に半導体チップ
１を載置することにより、仮硬化を促進させるものであ
る。
【００４８】以上、紫外線硬化（仮）＋熱硬化（本）、
紫外線硬化（仮）＋紫外線硬化（本）、加熱硬化（仮）
＋加熱硬化（本）、加熱硬化（仮）＋加熱／紫外線硬化
（本）の２段階硬化を説明したが、仮硬化工程において
も、熱＋紫外線による硬化を行い、本硬化工程でも熱＋
紫外線による硬化を行ってもよい。
紫外線硬化（仮）＋紫外線硬化（本）、加熱硬化（仮）
＋加熱硬化（本）、加熱硬化（仮）＋加熱／紫外線硬化
（本）の２段階硬化を説明したが、仮硬化工程において
も、熱＋紫外線による硬化を行い、本硬化工程でも熱＋
紫外線による硬化を行ってもよい。
【００４９】次に紫外線による半導体チップとリードと
の接着後の接着剤の硬化工程について、別の実施形態を
説明する。図９，図１０は半導体チップと保持リード部
とを接着剤により接着し、紫外線を照射して硬化させて
いる状態を示している断面図である。
の接着後の接着剤の硬化工程について、別の実施形態を
説明する。図９，図１０は半導体チップと保持リード部
とを接着剤により接着し、紫外線を照射して硬化させて
いる状態を示している断面図である。
【００５０】図９に示すように、紫外線１６を多方向か
ら照射することにより、保持リード部５ａの下部の接着
剤１５にも紫外線１６が照射され、接着剤１５の硬化が
促進するものである。
ら照射することにより、保持リード部５ａの下部の接着
剤１５にも紫外線１６が照射され、接着剤１５の硬化が
促進するものである。
【００５１】また図１０では、半導体チップ１上の接着
剤１５を付設する領域に高反射率の反射物質１８の物質
を形成し、紫外線１６を多方向から照射することによ
り、保持リード部５ａの下部の接着剤１５にも紫外線１
６が照射され、接着剤１５の硬化が促進するものであ
る。反射物質１８としては、ニッケル（Ｎｉ）膜などの
反射率の高い金属膜等、半導体製造プロセスで用いてい
るような金属膜を形成するものである。また多方向から
の紫外線１６の照射では、拡散照射型の紫外線ランプを
用いる、紫外線ランプを多方向に設置して照射する、紫
外線ランプを移動させながら照射するなど、適宜、手段
を選ぶことができる。
剤１５を付設する領域に高反射率の反射物質１８の物質
を形成し、紫外線１６を多方向から照射することによ
り、保持リード部５ａの下部の接着剤１５にも紫外線１
６が照射され、接着剤１５の硬化が促進するものであ
る。反射物質１８としては、ニッケル（Ｎｉ）膜などの
反射率の高い金属膜等、半導体製造プロセスで用いてい
るような金属膜を形成するものである。また多方向から
の紫外線１６の照射では、拡散照射型の紫外線ランプを
用いる、紫外線ランプを多方向に設置して照射する、紫
外線ランプを移動させながら照射するなど、適宜、手段
を選ぶことができる。
【００５２】本実施形態では、熱／紫外線硬化型の接着
剤を用いて、半導体チップと保持用のリードとを接着し
て固定する工程において、仮硬化＋本硬化という２段階
硬化工程により、量産プロセスにおける律速を解消し、
製造効率を向上させているものである。そして仮硬化で
は、接着剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性
を有するようにし、その後、本硬化するものであるが、
単に熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外
線の照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化で
は、紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分
の硬化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部
に介在している接着剤をより効果的に効果させるために
紫外線を多方向から照射したり、保持リード部の下部の
接着剤が介在する部分の半導体チップ上に反射率の高い
物質を形成し、硬化の効率を上げ、保持リード部の下部
の接着剤も紫外線硬化するようにしたものである。した
がって、半導体チップと保持用のリードとを接着剤を介
して接着、固定するタイプの半導体装置の製造方法にお
いて、接着剤の仮硬化工程における効果的な硬化手段を
有する半導体装置の製造方法である。
剤を用いて、半導体チップと保持用のリードとを接着し
て固定する工程において、仮硬化＋本硬化という２段階
硬化工程により、量産プロセスにおける律速を解消し、
製造効率を向上させているものである。そして仮硬化で
は、接着剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性
を有するようにし、その後、本硬化するものであるが、
単に熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外
線の照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化で
は、紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分
の硬化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部
に介在している接着剤をより効果的に効果させるために
紫外線を多方向から照射したり、保持リード部の下部の
接着剤が介在する部分の半導体チップ上に反射率の高い
物質を形成し、硬化の効率を上げ、保持リード部の下部
の接着剤も紫外線硬化するようにしたものである。した
がって、半導体チップと保持用のリードとを接着剤を介
して接着、固定するタイプの半導体装置の製造方法にお
いて、接着剤の仮硬化工程における効果的な硬化手段を
有する半導体装置の製造方法である。
【００５３】
【発明の効果】以上、本発明の半導体装置の製造方法
は、特に、熱／紫外線硬化型の接着剤を用いて、半導体
チップと保持用のリードとを接着して固定する工程にお
いて、仮硬化＋本硬化という２段階硬化工程により、量
産プロセスにおける律速を解消し、製造効率を向上させ
ることができるものである。そして接着剤の仮硬化で
は、接着剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性
を有するようにし、その後、本硬化するものであるが、
単に熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外
線の照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化で
は、紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分
の硬化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部
に介在している接着剤をより効果的に効果させるために
紫外線を多方向から照射したりするなど、半導体チップ
と保持用のリードとを接着剤を介して接着、固定するタ
イプの半導体装置の製造方法において、接着剤の仮硬化
工程における効果的な硬化手段を有する半導体装置の製
造方法である。
は、特に、熱／紫外線硬化型の接着剤を用いて、半導体
チップと保持用のリードとを接着して固定する工程にお
いて、仮硬化＋本硬化という２段階硬化工程により、量
産プロセスにおける律速を解消し、製造効率を向上させ
ることができるものである。そして接着剤の仮硬化で
は、接着剤の表面部分を硬化させ、搬送時の衝撃に耐性
を有するようにし、その後、本硬化するものであるが、
単に熱／紫外線硬化型の接着剤を硬化するために、紫外
線の照射と加熱とを行っているものではなく、仮硬化で
は、紫外線の照射をスポット的に行い、照射される部分
の硬化を促進させたり、また、特に保持リード部の下部
に介在している接着剤をより効果的に効果させるために
紫外線を多方向から照射したりするなど、半導体チップ
と保持用のリードとを接着剤を介して接着、固定するタ
イプの半導体装置の製造方法において、接着剤の仮硬化
工程における効果的な硬化手段を有する半導体装置の製
造方法である。
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図３】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図
示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
を示す断面図
を示す断面図
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
１ 半導体チップ
２ ステージ
３ 接着剤
４ ノズル
５ リードフレーム
６ ステージ
７ ヒーターブロック
８ インナーリード部
９ クランパー
１０ キャピラリー
１１ 金属細線
１２ 金型
１３ ゲート口
１４ 封止樹脂
１５ 接着剤
１６ 紫外線
１７ ヒータープレート
１８ 反射物質
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 乾 忠久
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 前田 健児
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(72)発明者 野村 徹
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電
器産業株式会社内
(56)参考文献 特開 平２−222553（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−134996（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−22454（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−153585（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−14857（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−274243（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/52
H01L 21/60
H01L 23/50
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを支持するのに用いる複数
の第１のリード部と、前記半導体チップと電気的な接続
をするための複数のインナーリード部と、前記インナー
リード部と接続した複数のアウターリード部とを有する
リードフレームを用意する工程と、前記第１のリード部
と半導体チップとを位置合わせする工程と、前記第１の
リード部と半導体チップの主面との間に熱硬化であって
紫外線硬化型の接着剤を供給して半導体チップを第１の
リードに接着し、前記第１のリード部と半導体チップと
の間に接着剤層および接着剤のフィレット部を形成する
工程と、前記接着剤に焦点を当ててスポット的に紫外線
を照射して前記接着剤のフィレット部を硬化させ、前記
接着剤を仮硬化する第１硬化工程と、前記第１硬化工程
後に加熱または紫外線照射またはそれらの組み合わせに
より前記接着剤を本硬化させる第２硬化工程と、前記半
導体チップと前記インナーリード部とを電気的に接続す
る工程と、前記アウターリード部を露出させて前記半導
体チップの外囲を封止樹脂で封止する工程とよりなるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体チップを支持するのに用いる複数
の第１のリード部と、前記半導体チップと電気的な接続
をするための複数のインナーリード部と、前記インナー
リード部と接続した複数のアウターリード部とを有する
リードフレームを用意する工程と、前記第１のリード部
と半導体チップとを位置合わせする工程と、前記第１の
リード部と半導体チップの主面との間に熱硬化であって
紫外線硬化型の接着剤を供給して半導体チップを第１の
リードに接着し、前記第１のリード部と半導体チップと
の間に接着剤層および接着剤のフィレット部を形成する
工程と、前記接着剤に多方向から紫外線を照射して前記
接着剤のフィレット部を硬化させ、前記接着剤を仮硬化
する第１硬化工程と、前記第１硬化工程後に加熱または
紫外線照射またはそれらの組み合わせにより前記接着剤
を本硬化させる第２硬化工程と、前記半導体チップと前
記インナーリード部とを電気的に接続する工程と、前記
アウターリード部を露出させて前記半導体チップの外囲
を封止樹脂で封止する工程とよりなることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 表面に反射率の高い物質が形成されて
いる半導体チップを支持するのに用いる複数の第１のリ
ード部と、前記半導体チップと電気的な接続をするため
の複数のインナーリード部と、前記インナーリード部と
接続した複数のアウターリード部とを有するリードフレ
ームを用意する工程と、前記第１のリード部と半導体チ
ップとを位置合わせする工程と、前記第１のリード部と
半導体チップの主面との間に熱硬化であって紫外線硬化
型の接着剤を供給して半導体チップを第１のリードに接
着し、前記第１のリード部と半導体チップとの間に接着
剤層および接着剤のフィレット部を形成する工程と、前
記接着剤に紫外線を照射して前記接着剤のフィレット部
を硬化させ、前記接着剤を仮硬化する第１硬化工程と、
前記第１硬化工程後に加熱または紫外線照射またはそれ
らの組み合わせにより前記接着剤を本硬化させる第２硬
化工程と、前記半導体チップと前記インナーリード部と
を電気的に接続する工程と、前記アウターリード部を露
出させて前記半導体チップの外囲を封止樹脂で封止する
工程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 接着剤を介してリードフレームの第１の
リード部で半導体チップが保持された構造の半導体装置
の製造方法において、前記リードフレームの第１のリー
ド部と半導体チップとを粘度６００[ポイズ]〜１５００
[ポイズ]の接着剤により接着し、前記接着剤を硬化させ
る工程は、前記接着剤を仮硬化させる第１硬化工程と、
前記接着剤を硬化させる第２硬化工程とを有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126897A JP3381563B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20126897A JP3381563B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JPH1145904A JPH1145904A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3381563B2 true JP3381563B2 (ja) | 2003-03-04 |
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ID=16438145
Family Applications (1)
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-
1997
- 1997-07-28 JP JP20126897A patent/JP3381563B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH1145904A (ja) | 1999-02-16 |
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