JP3216314B2 - 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置Info
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- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤエリアセンサ集
積回路、ＣＣＤリニアセンサ集積回路などの中空パッケ
ージ構造を有する半導体装置およびその製造方法、並び
に半導体装置の製造装置に関する。
積回路、ＣＣＤリニアセンサ集積回路などの中空パッケ
ージ構造を有する半導体装置およびその製造方法、並び
に半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＣＣＤリニアセンサ・ＣＣＤ
エリアセンサ等の半導体チップを有する中空構造のプラ
スチックモールドパッケージの半導体装置では、基台が
モールドプラスチックとされ、その基台の表面に半導体
チップが固着されている。
エリアセンサ等の半導体チップを有する中空構造のプラ
スチックモールドパッケージの半導体装置では、基台が
モールドプラスチックとされ、その基台の表面に半導体
チップが固着されている。
【０００３】モールドプラスチックの材料としては熱硬
化性樹脂と熱可塑性樹脂があり、このうち熱可塑性樹脂
材としては具体的には、非晶質ポリオレフィン樹脂また
は耐熱性向上、機械的強度向上のためガラスビーズやガ
ラスファイバー添加の非晶質ポリオレフィン樹脂などが
用いられている。
化性樹脂と熱可塑性樹脂があり、このうち熱可塑性樹脂
材としては具体的には、非晶質ポリオレフィン樹脂また
は耐熱性向上、機械的強度向上のためガラスビーズやガ
ラスファイバー添加の非晶質ポリオレフィン樹脂などが
用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなプラスチッ
ク材を用いて基台を作製するときの問題点は、基台と半
導体チップ（Ｓｉチップ）との接着強度の不十分性であ
る。例えば、上記非晶質ポリオレフィン樹脂は極性基が
ないので、一般に使用されているＳｉチップダイボンド
用エポキシ系Ａｇペーストや絶縁性ペーストでは十分な
接着強度を得ることができない。しかも、上記非晶質ポ
レオレフィン樹脂等は耐熱性が比較的に低いので、上記
のようなペースト材（キュアが約１５０゜Ｃで１ｈ以
上）を用いるのには難点がある。十分な接着強度が得ら
れなかった場合には、ワイヤーボンド時に半導体チップ
が動いてワイヤーボンドができなかったり、温度サイク
ルで半導体チップが剥がれる等の不具合が生ずる。
ク材を用いて基台を作製するときの問題点は、基台と半
導体チップ（Ｓｉチップ）との接着強度の不十分性であ
る。例えば、上記非晶質ポリオレフィン樹脂は極性基が
ないので、一般に使用されているＳｉチップダイボンド
用エポキシ系Ａｇペーストや絶縁性ペーストでは十分な
接着強度を得ることができない。しかも、上記非晶質ポ
レオレフィン樹脂等は耐熱性が比較的に低いので、上記
のようなペースト材（キュアが約１５０゜Ｃで１ｈ以
上）を用いるのには難点がある。十分な接着強度が得ら
れなかった場合には、ワイヤーボンド時に半導体チップ
が動いてワイヤーボンドができなかったり、温度サイク
ルで半導体チップが剥がれる等の不具合が生ずる。
【０００５】そこで、キュア温度の制約がなく、十分な
接着強度が得られる紫外線（以下、ＵＶという。）照射
硬化型または可視光照射硬化型接着剤で半導体チップを
基台にダイボンドすることが考えられる。
接着強度が得られる紫外線（以下、ＵＶという。）照射
硬化型または可視光照射硬化型接着剤で半導体チップを
基台にダイボンドすることが考えられる。
【０００６】しかしながら、ＵＶや可視光を照射して
も、半導体チップからはみ出ている部分でＵＶや可視光
が照射される部分は十分に硬化するが、ＵＶや可視光が
照射されない半導体チップの裏側は充分に硬化されない
ので、十分な接着強度を得ることができないという問題
がある。
も、半導体チップからはみ出ている部分でＵＶや可視光
が照射される部分は十分に硬化するが、ＵＶや可視光が
照射されない半導体チップの裏側は充分に硬化されない
ので、十分な接着強度を得ることができないという問題
がある。
【０００７】また、半導体チップを基台にダイボンドす
る際や透明のプラスチックリッドをＵＶ照射硬化型また
は可視光照射硬化型接着剤で基台に固着する際に、強い
ＵＶや可視光を照射すると、半導体チップ上のカラーフ
ィルタの変色、チャージアップによるポテンシャルシフ
ト等、光学的及び電気的特性の変動が発生するという問
題があった。
る際や透明のプラスチックリッドをＵＶ照射硬化型また
は可視光照射硬化型接着剤で基台に固着する際に、強い
ＵＶや可視光を照射すると、半導体チップ上のカラーフ
ィルタの変色、チャージアップによるポテンシャルシフ
ト等、光学的及び電気的特性の変動が発生するという問
題があった。
【０００８】本発明は、このような課題を考慮してなさ
れたものであって、半導体チップを基台に十分な接着強
度で固着できるとともに、固着の際に半導体チップに機
械的及び電気的特性の変動の発生することのない半導体
装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置
を提供することを目的とする。
れたものであって、半導体チップを基台に十分な接着強
度で固着できるとともに、固着の際に半導体チップに機
械的及び電気的特性の変動の発生することのない半導体
装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体チップ
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置の製造方法において、上記基台は透明樹脂
からなり、上記半導体チップを前記基台の上面に接着す
る接着剤として吸湿硬化型接着剤を用い、上記半導体チ
ップをコレットで押えた状態で上記基台の下面側または
上面斜め方向側から光を照射して前記吸湿硬化型接着剤
を硬化させるものである。また本発明は、半導体チップ
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置の製造方法において、上記基台は透明であ
り、上記半導体チップを前記基台の上面に接着する接着
剤として光硬化型接着剤を用い、上記基台の下面側から
光を照射して前記光硬化型接着剤を硬化させるものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方
法において、上記基台は透明であり、上記半導体チップ
を前記基台の上面に接着する接着剤として光硬化型接着
剤を用い、上記半導体チップをコレットで押えた状態
で、上記基台の上面斜め方向側から光を照射し光反射膜
で反射させて前記光硬化型接着剤を硬化させるものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方
法において、上記基台は透明であり、上記リッドを前記
基台の上面に接着する接着剤として光硬化型接着剤を用
い、上記基台の下面側から光を照射して前記光硬化型接
着剤を硬化させるものである。また本発明は、半導体チ
ップが固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ
構造の半導体装置において、上記基台は透明であるもの
である。また本発明は、半導体チップが固着された基台
にリッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置にお
いて、上記基台は透明であり、上記半導体チップと前記
基台の間には、光硬化型接着剤層が形成されているもの
である。また本発明は、半導体チップが固着された基台
にリッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置にお
いて、上記基台は透明であり、上記リッドと前記基台の
間には、光硬化型接着剤層が形成されているものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造す
る装置において、上記基台の下面側から光を照射する光
照射手段を有するものである。また本発明は、半導体チ
ップが固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ
構造の半導体装置を製造する装置において、上記基台は
透明であり、上記基台の下面側から光を照射する光照射
手段を有するものである。また本発明は、半導体チップ
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置を製造する装置において、上記基台の上面
斜め方向側から光を照射する光照射手段と、上記基台を
配置固定する作業台であって、その表面に光反射膜を形
成したものと、上記光照射手段が光を照射する間、上記
半導体チップを押さえるコレットを有するものである。
また本発明は、半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する装
置において、上記基台は透明であり、上記基台の上面斜
め方向側から光を照射する光照射手段と、上記基台を配
置固定する作業台であって、その表面に光反射膜を形成
したものと、上記光照射手段が光を照射する間、上記半
導体チップを押さえるコレットを有するものである。
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置の製造方法において、上記基台は透明樹脂
からなり、上記半導体チップを前記基台の上面に接着す
る接着剤として吸湿硬化型接着剤を用い、上記半導体チ
ップをコレットで押えた状態で上記基台の下面側または
上面斜め方向側から光を照射して前記吸湿硬化型接着剤
を硬化させるものである。また本発明は、半導体チップ
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置の製造方法において、上記基台は透明であ
り、上記半導体チップを前記基台の上面に接着する接着
剤として光硬化型接着剤を用い、上記基台の下面側から
光を照射して前記光硬化型接着剤を硬化させるものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方
法において、上記基台は透明であり、上記半導体チップ
を前記基台の上面に接着する接着剤として光硬化型接着
剤を用い、上記半導体チップをコレットで押えた状態
で、上記基台の上面斜め方向側から光を照射し光反射膜
で反射させて前記光硬化型接着剤を硬化させるものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方
法において、上記基台は透明であり、上記リッドを前記
基台の上面に接着する接着剤として光硬化型接着剤を用
い、上記基台の下面側から光を照射して前記光硬化型接
着剤を硬化させるものである。また本発明は、半導体チ
ップが固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ
構造の半導体装置において、上記基台は透明であるもの
である。また本発明は、半導体チップが固着された基台
にリッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置にお
いて、上記基台は透明であり、上記半導体チップと前記
基台の間には、光硬化型接着剤層が形成されているもの
である。また本発明は、半導体チップが固着された基台
にリッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置にお
いて、上記基台は透明であり、上記リッドと前記基台の
間には、光硬化型接着剤層が形成されているものであ
る。また本発明は、半導体チップが固着された基台にリ
ッドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造す
る装置において、上記基台の下面側から光を照射する光
照射手段を有するものである。また本発明は、半導体チ
ップが固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ
構造の半導体装置を製造する装置において、上記基台は
透明であり、上記基台の下面側から光を照射する光照射
手段を有するものである。また本発明は、半導体チップ
が固着された基台にリッドを被せた中空パッケージ構造
の半導体装置を製造する装置において、上記基台の上面
斜め方向側から光を照射する光照射手段と、上記基台を
配置固定する作業台であって、その表面に光反射膜を形
成したものと、上記光照射手段が光を照射する間、上記
半導体チップを押さえるコレットを有するものである。
また本発明は、半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する装
置において、上記基台は透明であり、上記基台の上面斜
め方向側から光を照射する光照射手段と、上記基台を配
置固定する作業台であって、その表面に光反射膜を形成
したものと、上記光照射手段が光を照射する間、上記半
導体チップを押さえるコレットを有するものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、例えば、半導体チップ１０と
プラスチックモールド基台８との固着を吸湿硬化型接着
剤１２で行うようにしたので、十分な接着強度を得るこ
とができる。また、吸湿硬化型接着剤１２を使用してい
るので、強いＵＶや可視光照射を原因とするカラーフィ
ルタの変色、チャージアップによるポテンシャルシフト
その他、局部加熱による特性の変動が発生することがな
い。さらに中空内部の水分が吸湿硬化型接着剤１２に吸
われ、中空内部の気密性の保持が容易となる。
プラスチックモールド基台８との固着を吸湿硬化型接着
剤１２で行うようにしたので、十分な接着強度を得るこ
とができる。また、吸湿硬化型接着剤１２を使用してい
るので、強いＵＶや可視光照射を原因とするカラーフィ
ルタの変色、チャージアップによるポテンシャルシフト
その他、局部加熱による特性の変動が発生することがな
い。さらに中空内部の水分が吸湿硬化型接着剤１２に吸
われ、中空内部の気密性の保持が容易となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明半導体装置の一実施例を固体撮
像装置に適用した場合について図面を参照して説明す
る。
像装置に適用した場合について図面を参照して説明す
る。
【００１２】図１及び図２は、一実施例の固体撮像装置
の形成過程及びその構成を示している。
の形成過程及びその構成を示している。
【００１３】まず、図１Ａに示すように、リードフレー
ム材１として、４２アロイ材（厚み＝約０．１５ｍｍ）
または銅材（厚み＝約０．２ｍｍ）を用意する。
ム材１として、４２アロイ材（厚み＝約０．１５ｍｍ）
または銅材（厚み＝約０．２ｍｍ）を用意する。
【００１４】次に、図１Ｂに示すように、このリードフ
レーム材１にエッチング処理またはプレス処理でパター
ンニングを行い、リードフレームの形状を形成する。リ
ードフレームの形状を形成後にリードフレームの表面に
導電性ペーストを塗り、熱風乾燥炉などで、約１５０゜
Ｃ、約３０分間硬化させて導電性有機被膜３ａ（図中、
網点で示している。）が形成されたリードフレーム３を
作製する。
レーム材１にエッチング処理またはプレス処理でパター
ンニングを行い、リードフレームの形状を形成する。リ
ードフレームの形状を形成後にリードフレームの表面に
導電性ペーストを塗り、熱風乾燥炉などで、約１５０゜
Ｃ、約３０分間硬化させて導電性有機被膜３ａ（図中、
網点で示している。）が形成されたリードフレーム３を
作製する。
【００１５】導電性ペーストとしては、耐熱性及び耐湿
性等の面からエポキシ樹脂にＡｇまたはＡｇとＣｕを含
有させたものが良い。なお、導電性ペーストの塗り作業
方法は、導電性ペーストの浴槽中に、被塗装体としての
リードフレーム２を浸してデッピング膜厚３〜４μｍ／
回を３回繰り返して約１０μｍ厚に被覆する作業方法を
採用すればよい。なお、導電性被膜３ａの形成は、この
ようなデッピング（浸漬）処理に限らず、スクリーン印
刷によってもよい。導電性被膜３ａを形成するのは、後
述するように、リードフレーム３のインナーリード部へ
のワイヤボンディング処理、及びアウターリード部への
半田付け処理が行えるようにするためである。
性等の面からエポキシ樹脂にＡｇまたはＡｇとＣｕを含
有させたものが良い。なお、導電性ペーストの塗り作業
方法は、導電性ペーストの浴槽中に、被塗装体としての
リードフレーム２を浸してデッピング膜厚３〜４μｍ／
回を３回繰り返して約１０μｍ厚に被覆する作業方法を
採用すればよい。なお、導電性被膜３ａの形成は、この
ようなデッピング（浸漬）処理に限らず、スクリーン印
刷によってもよい。導電性被膜３ａを形成するのは、後
述するように、リードフレーム３のインナーリード部へ
のワイヤボンディング処理、及びアウターリード部への
半田付け処理が行えるようにするためである。
【００１６】したがって、導電性被膜３ａを形成する代
わりに、リードフレーム３の全表面に半田めっきまたは
Ｓｎめっき処理を行ってインナーリード部にアルミニュ
ーム（以下、Ａｌという。）のクラッドを形成してもよ
い。または全面にＮｉ−Ｐｄめっき処理をしてもよい。
わりに、リードフレーム３の全表面に半田めっきまたは
Ｓｎめっき処理を行ってインナーリード部にアルミニュ
ーム（以下、Ａｌという。）のクラッドを形成してもよ
い。または全面にＮｉ−Ｐｄめっき処理をしてもよい。
【００１７】次に、図１Ｃに示すように、リードフレー
ム３を所定形状に曲げて成形した後、上金型４と下金型
５とで挟む。この状態において、矢印方向から溶融した
樹脂をキャビティ６内に図示しないプランジャで射出す
る（押し込む）。キャビティ６内に押し込まれた樹脂は
上金型４と下金型５とで冷やされて固まる。この場合、
リードフレーム３のインナーリード部７は上金型４の内
面と密着しているので、それらの接触面には樹脂が回り
こむことがない。樹脂としては、例えば、非晶質ポリオ
レフィンまたはガラスビーズ、ガラスフィラーを添加し
た非晶質ポリオレフィンの熱可塑性樹脂を使用する。
ム３を所定形状に曲げて成形した後、上金型４と下金型
５とで挟む。この状態において、矢印方向から溶融した
樹脂をキャビティ６内に図示しないプランジャで射出す
る（押し込む）。キャビティ６内に押し込まれた樹脂は
上金型４と下金型５とで冷やされて固まる。この場合、
リードフレーム３のインナーリード部７は上金型４の内
面と密着しているので、それらの接触面には樹脂が回り
こむことがない。樹脂としては、例えば、非晶質ポリオ
レフィンまたはガラスビーズ、ガラスフィラーを添加し
た非晶質ポリオレフィンの熱可塑性樹脂を使用する。
【００１８】図１Ｄは、樹脂が硬化して基台８となった
後に、上金型４と下金型５とが離された、基台８とリー
ドフレーム３との一体成形基台の構成を示している。図
１Ｄから分かるように、この一体成形基台は、モールド
成形された基台８の上部にリードフレーム３のインナー
リード部７の上面が配され、リードフレーム３の中間部
が基台８中に埋め込まれ、アウターリード部９が基台８
から外側に突き出るような形状になっている。また、基
台８の上面には、半導体チップ１０が載せられる凹み部
１１が形成されている。
後に、上金型４と下金型５とが離された、基台８とリー
ドフレーム３との一体成形基台の構成を示している。図
１Ｄから分かるように、この一体成形基台は、モールド
成形された基台８の上部にリードフレーム３のインナー
リード部７の上面が配され、リードフレーム３の中間部
が基台８中に埋め込まれ、アウターリード部９が基台８
から外側に突き出るような形状になっている。また、基
台８の上面には、半導体チップ１０が載せられる凹み部
１１が形成されている。
【００１９】次に、図１Ｅに示すように、半導体チップ
１０を基台８の上面凹み部１１に接着剤１２でダイボン
ドする。このダイボンドは、角錘コレット１３側に半導
体チップ１０を真空吸引（矢印Ｙ1 方向）した状態で、
接着剤１２の塗布された凹み部１１に一定時間押しつけ
る（矢印Ｙ2 方向）ことで行う。接着剤１２は、凹み部
１１に塗布しておく。接着剤１２としては、吸湿硬化型
の接着剤を使用する。吸湿硬化型の接着剤としては、シ
リル基含有特殊ポリマーの常温吸湿硬化型の接着剤また
は変性アルコキシシリコン等のシリコン系のＵＶ照射＋
吸湿硬化型の接着剤を使用することができる。２液性タ
イプの吸湿硬化型の接着剤でもよい。
１０を基台８の上面凹み部１１に接着剤１２でダイボン
ドする。このダイボンドは、角錘コレット１３側に半導
体チップ１０を真空吸引（矢印Ｙ1 方向）した状態で、
接着剤１２の塗布された凹み部１１に一定時間押しつけ
る（矢印Ｙ2 方向）ことで行う。接着剤１２は、凹み部
１１に塗布しておく。接着剤１２としては、吸湿硬化型
の接着剤を使用する。吸湿硬化型の接着剤としては、シ
リル基含有特殊ポリマーの常温吸湿硬化型の接着剤また
は変性アルコキシシリコン等のシリコン系のＵＶ照射＋
吸湿硬化型の接着剤を使用することができる。２液性タ
イプの吸湿硬化型の接着剤でもよい。
【００２０】なお透明の基台の場合、ＵＶまたは可視光
等の光Ｌの照射を図１Ｅに示すように裏面側から行うこ
とで、半導体チップ１０の表面には光Ｌが照射されず、
ＵＶ等の光Ｌの照射を原因とする半導体チップ１０のダ
メージが発生することがない。
等の光Ｌの照射を図１Ｅに示すように裏面側から行うこ
とで、半導体チップ１０の表面には光Ｌが照射されず、
ＵＶ等の光Ｌの照射を原因とする半導体チップ１０のダ
メージが発生することがない。
【００２１】なお透明の基台で、基台８の表面側から光
Ｌを照射する場合には、図１Ｆに示すように、表面に鏡
またはＡｌ膜等の光反射膜１４が形成された作業台１５
上に基台８を配置固定し、斜め上方から光Ｌを基台８の
表面周囲側を通じて基台８に入射させ、光反射膜１４で
反射させて接着剤１２に半導体チップ１０の裏面側から
照射するようにすれば、容易に半導体チップ１０の裏面
側のみから照射することができる。このようにすれば、
半導体チップ１０に光Ｌの照射を原因とするダメージを
与えることがない。不透明基台の場合は、半導体チップ
１０を角錐コレットで押えたまま斜目方向よりＵＶ又は
可視光等の光Ｌを照射する。このとき、角錐コレット１
３で押えているので光Ｌによるダメージはない。また、
いずれの場合にも半導体チップ１０を角錐コレット１３
で押えたまま硬化させているので半導体チップ１０のあ
おりが少なく、結果として、ワイヤーボンドの際の歩留
りが向上し、かつ光学的特性が向上する。
Ｌを照射する場合には、図１Ｆに示すように、表面に鏡
またはＡｌ膜等の光反射膜１４が形成された作業台１５
上に基台８を配置固定し、斜め上方から光Ｌを基台８の
表面周囲側を通じて基台８に入射させ、光反射膜１４で
反射させて接着剤１２に半導体チップ１０の裏面側から
照射するようにすれば、容易に半導体チップ１０の裏面
側のみから照射することができる。このようにすれば、
半導体チップ１０に光Ｌの照射を原因とするダメージを
与えることがない。不透明基台の場合は、半導体チップ
１０を角錐コレットで押えたまま斜目方向よりＵＶ又は
可視光等の光Ｌを照射する。このとき、角錐コレット１
３で押えているので光Ｌによるダメージはない。また、
いずれの場合にも半導体チップ１０を角錐コレット１３
で押えたまま硬化させているので半導体チップ１０のあ
おりが少なく、結果として、ワイヤーボンドの際の歩留
りが向上し、かつ光学的特性が向上する。
【００２２】このようにした場合には、接着剤１２とし
て吸湿硬化併用の常温硬化型、ＵＶ照射硬化型または可
視光硬化型接着剤を使用することができる。ＵＶまたは
可視光の照射キュアは、約５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ
2 である。このときは吸湿硬化併用のため少ない照射量
でよい。
て吸湿硬化併用の常温硬化型、ＵＶ照射硬化型または可
視光硬化型接着剤を使用することができる。ＵＶまたは
可視光の照射キュアは、約５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ
2 である。このときは吸湿硬化併用のため少ない照射量
でよい。
【００２３】次に、図２Ａに示すように、半導体チップ
１０の表面とリードフレーム３のインナーリード部７と
を約φ２５ｍｍの金線１６でワイヤボンディングする。
ワイヤボンディングの際のコラムの温度は、８０゜Ｃ〜
１００゜Ｃである。
１０の表面とリードフレーム３のインナーリード部７と
を約φ２５ｍｍの金線１６でワイヤボンディングする。
ワイヤボンディングの際のコラムの温度は、８０゜Ｃ〜
１００゜Ｃである。
【００２４】次に、図２Ｂに示すように、凹み部１７を
有する透明のプラスチックリッド１８の周囲突起部１９
の底面と基台８とを重ねて固着する。これによって、半
導体チップ１０が、中空部内に収容されることになる。
有する透明のプラスチックリッド１８の周囲突起部１９
の底面と基台８とを重ねて固着する。これによって、半
導体チップ１０が、中空部内に収容されることになる。
【００２５】この固着処理は、プラスチックリッド１８
の材質が基台８の材質と同種の熱可塑性樹脂の場合に
は、超音波溶着法またはレーザ溶着法を採用して行うこ
とができる。プラスチックリッド１８の材質が基台８と
同じ材質または異なる材質であった場合には、吸湿硬化
併用のＵＶ照射硬化または可視光硬化型接着剤を使用し
て行うこともできる。透明の基台の場合は、ＵＶまたは
可視光等の光Ｌの照射は、図１Ｅに示すように、半導体
チップ１０の裏面から行うほうが良い。
の材質が基台８の材質と同種の熱可塑性樹脂の場合に
は、超音波溶着法またはレーザ溶着法を採用して行うこ
とができる。プラスチックリッド１８の材質が基台８と
同じ材質または異なる材質であった場合には、吸湿硬化
併用のＵＶ照射硬化または可視光硬化型接着剤を使用し
て行うこともできる。透明の基台の場合は、ＵＶまたは
可視光等の光Ｌの照射は、図１Ｅに示すように、半導体
チップ１０の裏面から行うほうが良い。
【００２６】なお、次に説明するように、ＵＶ照射硬化
または可視光硬化型のみの接着剤を使用して固着するよ
りも上記した吸湿硬化型併用の接着剤を使用して固着す
ることが特性的により良くなるので、この実施例では、
吸湿硬化型接着剤等の接着剤２０で固着する。
または可視光硬化型のみの接着剤を使用して固着するよ
りも上記した吸湿硬化型併用の接着剤を使用して固着す
ることが特性的により良くなるので、この実施例では、
吸湿硬化型接着剤等の接着剤２０で固着する。
【００２７】すなわち、接着剤１２と接着剤２０の両方
に吸湿硬化型の接着剤を使用することで、中空内の水分
が接着剤１２と接着剤２０に吸われ、中空内部の気密性
の保持が容易である。両方を吸湿硬化型接着剤とするこ
とで、気密性は一層保持される。
に吸湿硬化型の接着剤を使用することで、中空内の水分
が接着剤１２と接着剤２０に吸われ、中空内部の気密性
の保持が容易である。両方を吸湿硬化型接着剤とするこ
とで、気密性は一層保持される。
【００２８】次に、図２Ｃに示すように、リードフレー
ム３のうち、アウターリード部９を基台８の側面に沿う
ように成形することで、中空プラスチックモールドパッ
ケージ構造の半導体装置を作製することができる。
ム３のうち、アウターリード部９を基台８の側面に沿う
ように成形することで、中空プラスチックモールドパッ
ケージ構造の半導体装置を作製することができる。
【００２９】この半導体装置は、例えば、プリント配線
基板（図示していない）にアウターリード部９が半田付
け（約２４０゜Ｃ〜２６０゜Ｃ）されることで取り付け
られる。
基板（図示していない）にアウターリード部９が半田付
け（約２４０゜Ｃ〜２６０゜Ｃ）されることで取り付け
られる。
【００３０】このように上記した実施例によれば、半導
体チップ１０とプラスチックモールド基台８，２２，２
３との固着及びプラスチックモールド基台８，２２，２
３とプラスチックリッド１８との固着をそれぞれ吸湿硬
化型接着剤１２，２０で行うようにしたので、十分な接
着強度を得ることができる。また、中空部内に配置され
た半導体チップ１０の気密性も保持できる。したがっ
て、強いＵＶや可視光照射を原因とするカラーフィルタ
の変色、チャージアップによるポテンシャルシフトその
他、局部加熱による特性の変動が発生することがない。
体チップ１０とプラスチックモールド基台８，２２，２
３との固着及びプラスチックモールド基台８，２２，２
３とプラスチックリッド１８との固着をそれぞれ吸湿硬
化型接着剤１２，２０で行うようにしたので、十分な接
着強度を得ることができる。また、中空部内に配置され
た半導体チップ１０の気密性も保持できる。したがっ
て、強いＵＶや可視光照射を原因とするカラーフィルタ
の変色、チャージアップによるポテンシャルシフトその
他、局部加熱による特性の変動が発生することがない。
【００３１】また、接着剤１２，２０として吸湿硬化併
用のＵＶ照射硬化型または可視光硬化型接着剤を使用し
た場合でも、透明のプラスチックモールド基台８の裏側
から半導体チップ１０の裏面側に、例えば、光反射膜１
４で反射させてＵＶまたは可視光等の光Ｌを照射するよ
うにすれば、同様に、ＵＶや可視光照射を原因とするカ
ラーフィルタの変色、チャージアップによるポテンシャ
ルシフト、その他、局部加熱による特性の変動が発生す
ることがない。また、このようにすれば、接着剤１２，
２０の全面に光Ｌが照射されることになるので、ＵＶ照
射硬化型または可視光硬化型接着剤が硬化する。そし
て、ＵＶ照射で半硬化後、吸湿して確実に硬化し中空内
部に配置された半導体チップ１０の気密性も保持でき
る。
用のＵＶ照射硬化型または可視光硬化型接着剤を使用し
た場合でも、透明のプラスチックモールド基台８の裏側
から半導体チップ１０の裏面側に、例えば、光反射膜１
４で反射させてＵＶまたは可視光等の光Ｌを照射するよ
うにすれば、同様に、ＵＶや可視光照射を原因とするカ
ラーフィルタの変色、チャージアップによるポテンシャ
ルシフト、その他、局部加熱による特性の変動が発生す
ることがない。また、このようにすれば、接着剤１２，
２０の全面に光Ｌが照射されることになるので、ＵＶ照
射硬化型または可視光硬化型接着剤が硬化する。そし
て、ＵＶ照射で半硬化後、吸湿して確実に硬化し中空内
部に配置された半導体チップ１０の気密性も保持でき
る。
【００３２】したがって、上記実施例によれば、接着強
度が十分になることから、半導体チップ１０のあおり、
そり等の機械的変形が防止され、光学的特性が向上す
る。言い換えれば、半導体チップ１０の機械的・電気的
変動が発生することがない。これは、半導体チップ１０
がＣＣＤリニアセンサ素子のように細長い形状の場合に
特に有効である。なお、半導体チップ１０を接着する際
に、角錘コレット１３または平コレットで基台８，２
２，２３の凹み部１１に半導体チップ１０を押しつけな
がら接着剤１２を硬化させているので、接着中に半導体
チップ１０に反り、あおりが発生することがない。
度が十分になることから、半導体チップ１０のあおり、
そり等の機械的変形が防止され、光学的特性が向上す
る。言い換えれば、半導体チップ１０の機械的・電気的
変動が発生することがない。これは、半導体チップ１０
がＣＣＤリニアセンサ素子のように細長い形状の場合に
特に有効である。なお、半導体チップ１０を接着する際
に、角錘コレット１３または平コレットで基台８，２
２，２３の凹み部１１に半導体チップ１０を押しつけな
がら接着剤１２を硬化させているので、接着中に半導体
チップ１０に反り、あおりが発生することがない。
【００３３】なお、本発明は、熱可塑性樹脂の基台と、
プラスチック（ガラス）リッドおよび（または）半導体
チップとの固着に限らず、熱硬化性樹脂の基台と半導体
チップとの固着、セラミック基台と半導体チップの固
着、熱硬化性樹脂の基台とプラスチックリッドまたはガ
ラスリッドの固着、セラミック基台とプラスチックリッ
ドまたはガラスリッドの固着等、種々の種類の中空パッ
ケージ構造の半導体装置にも適用できる。
プラスチック（ガラス）リッドおよび（または）半導体
チップとの固着に限らず、熱硬化性樹脂の基台と半導体
チップとの固着、セラミック基台と半導体チップの固
着、熱硬化性樹脂の基台とプラスチックリッドまたはガ
ラスリッドの固着、セラミック基台とプラスチックリッ
ドまたはガラスリッドの固着等、種々の種類の中空パッ
ケージ構造の半導体装置にも適用できる。
【００３４】また、本発明は上記の実施例に限らず、例
えば、半導体チップ１０をＣＣＤエリアセンサ等の固体
撮像素子に代替してＵＶ消去型のＥＰＲＯＭに適用する
等、本発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り
得ることはもちろんである。
えば、半導体チップ１０をＣＣＤエリアセンサ等の固体
撮像素子に代替してＵＶ消去型のＥＰＲＯＭに適用する
等、本発明の要旨を逸脱することなく種々の構成を採り
得ることはもちろんである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップとプラスチックモールド基台との固着を吸
湿硬化型接着剤で行うようにしたので、十分な接着強度
を得ることができる。このため、半導体チップのあおり
や反り、ハガレが発生することがない。吸湿硬化併用の
ＵＶ照射硬化型または可視光硬化型接着剤では強いＵＶ
や可視光照射を原因とするカラーフィルタの変色、チャ
ージアップによるポテンシャルシフトその他、局部加熱
による特性の変動が発生することがない。また、中空内
の水分が吸湿硬化型接着剤に吸われるので中空内部の気
密性の保持が容易である。
半導体チップとプラスチックモールド基台との固着を吸
湿硬化型接着剤で行うようにしたので、十分な接着強度
を得ることができる。このため、半導体チップのあおり
や反り、ハガレが発生することがない。吸湿硬化併用の
ＵＶ照射硬化型または可視光硬化型接着剤では強いＵＶ
や可視光照射を原因とするカラーフィルタの変色、チャ
ージアップによるポテンシャルシフトその他、局部加熱
による特性の変動が発生することがない。また、中空内
の水分が吸湿硬化型接着剤に吸われるので中空内部の気
密性の保持が容易である。
【図１】本発明半導体装置を固体撮像装置に適用した場
合の一実施例の構成とその形成過程を示す工程（１／
２）図である。
合の一実施例の構成とその形成過程を示す工程（１／
２）図である。
【図２】その工程（２／２）図である。
【図３】図１（図２）例の半導体装置の変形例の構成等
を示す線図である。
を示す線図である。
【図４】図１（図２）例の半導体装置の他の変形例の構
成等を示す線図である。
成等を示す線図である。
３ リードフレーム ８ 基台 １０ 半導体チップ １２，２０ 接着剤 １８ プラスチックリッド Ｌ 光
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/00 - 23/10 H01L 23/16 - 23/26 H01L 27/14
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記基台は透明樹脂からなり、 上記半導体チップを前記基台の上面に接着する接着剤と
して吸湿硬化型接着剤を用い、上記半導体チップをコレ
ットで押えた状態で上記基台の下面側または上面斜め方
向側から光を照射して前記吸湿硬化型接着剤を硬化させ
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記基台は透明であり、 上記半導体チップを前記基台の上面に接着する接着剤と
して光硬化型接着剤を用い、上記基台の下面側から光を
照射して前記光硬化型接着剤を硬化させることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記基台は透明であり、 上記半導体チップを前記基台の上面に接着する接着剤と
して光硬化型接着剤を用い、上記半導体チップをコレッ
トで押えた状態で、上記基台の上面斜め方向側から光を
照射し光反射膜で反射させて前記光硬化型接着剤を硬化
させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置の製造方法に
おいて、 上記基台は透明であり、 上記リッドを前記基台の上面に接着する接着剤として光
硬化型接着剤を用い、上記基台の下面側から光を照射し
て前記光硬化型接着剤を硬化させることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置において、 上記基台は透明であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置において、 上記基台は透明であり、 上記半導体チップと前記基台の間には、光硬化型接着剤
層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置において、 上記基台は透明であり、 上記リッドと前記基台の間には、光硬化型接着剤層が形
成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する装
置において、 上記基台の下面側から光を照射する光照射手段を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項９】 半導体チップが固着された基台にリッド
を被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する装
置において、 上記基台は透明であり、 上記基台の下面側から光を照射する光照射手段を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項１０】 半導体チップが固着された基台にリッ
ドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する
装置において、 上記基台の上面斜め方向側から光を照射する光照射手段
と、 上記基台を配置固定する作業台であって、その表面に光
反射膜を形成したものと、 上記光照射手段が光を照射する間、上記半導体チップを
押さえるコレットを有することを特徴とする半導体装置
の製造装置。 - 【請求項１１】 半導体チップが固着された基台にリッ
ドを被せた中空パッケージ構造の半導体装置を製造する
装置において、 上記基台は透明であり、 上記基台の上面斜め方向側から光を照射する光照射手段
と、 上記基台を配置固定する作業台であって、その表面に光
反射膜を形成したものと、 上記光照射手段が光を照射する間、上記半導体チップを
押さえるコレットを有することを特徴とする半導体装置
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07463593A JP3216314B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07463593A JP3216314B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291215A JPH06291215A (ja) | 1994-10-18 |
| JP3216314B2 true JP3216314B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=13552869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07463593A Expired - Fee Related JP3216314B2 (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216314B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005236146A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
| JP4569537B2 (ja) * | 2006-08-01 | 2010-10-27 | パナソニック株式会社 | チップ型半導体レーザ装置の製造方法 |
| JP2008091399A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 受光装置の製造方法 |
| JP4973137B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2012-07-11 | 株式会社日立製作所 | プリズム、プリズムの製造方法、光学ユニット及び投射型表示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0617460B2 (ja) * | 1987-04-02 | 1994-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JP2794912B2 (ja) * | 1990-07-26 | 1998-09-10 | 三井化学株式会社 | 気密封止パッケージおよび接合部材 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP07463593A patent/JP3216314B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06291215A (ja) | 1994-10-18 |
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|---|---|---|---|
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