JPH1145971A

JPH1145971A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1145971A
Application number: JP20126997A
Authority: JP
Inventors: Hisashi Funakoshi; 久士船越; Koji Nose; 幸之野世; Keiichi Fujimoto; 敬一藤本; Tadahisa Inui; 忠久乾; Kenji Maeda; 健児前田; Toru Nomura; 徹野村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1997-07-28
Filing date: 1997-07-28
Publication date: 1999-02-16

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体チップとリード部とを接着剤により接
着して固定する場合、接着剤がはみ出すという課題があ
った。【解決手段】半導体チップ１を保持する保持部分５ａ
を有したインナーリード部８と、半導体チップ１と保持
部分５ａとの間に設けられた接着剤３とよりなり、保持
部分５ａはインナーリード部８の先端部、すなわちボン
ディング箇所から離れて設けられているため、その下部
に存在する接着剤３が広がったとしても、インナーリー
ド部８の先端部まで延在することを防止でき、ワイヤー
ボンド時にも支障はなく、また信頼性上の問題も解消で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの主面
上にインナーリードが延在するＬＯＣ（リード・オン・
チップ）構造を有する半導体装置およびその製造方法に
関するものであり、特に半導体チップとリードとの接着
構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、主としてメモリーチップなどに代
表される半導体チップのパッケージング技術としては、
リードフレームのインナーリード部が半導体チップの主
面上に延在し、そのリード部と半導体チップ主面とを接
着して固定して半導体チップを保持する、いわゆるＬＯ
Ｃ技術が開発されている。従来のＬＯＣ型の半導体装置
としては、半導体チップ主面とインナーリード部の一部
とを絶縁テープを介して接着して固定するものがある
が、最近は半導体チップとリードとを接着剤により固定
するタイプのＬＯＣ型半導体装置も開発されている。

【０００３】以下、従来のＬＯＣ型の半導体装置の製造
方法について図面を参照しながら説明する。図１２〜図
１４は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。

【０００４】まずチップ接着工程（ダイスボンド工程）
について説明する。図１２（ａ）に示すように、半導体
チップ１を真空取り付け可能なステージ２上に載置す
る。ここでは半導体チップが不要な移動を起こさないよ
うに真空吸着により固定する。ステージ２にはリードフ
レームの位置を規制するピン２ａが設けられている。

【０００５】そして図１２（ｂ）に示すように、半導体
チップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保
持部分との接着箇所に熱硬化型の接着剤３をノズル４に
より塗布する。

【０００６】次に図１２（ｃ）に示すように、接着剤３
が塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位
置合わせして、リードフレーム５の保持部分５ａと半導
体チップ１とを接着する。そして半導体チップ１を保持
したリードフレーム５を硬化炉等のステージにセット
し、一定時間加熱処理を行うことにより、接着剤３を硬
化させる。なお、リードフレーム５はその外側の位置規
制孔（図示せず）をステージ２に設けたピン２ａが係合
することにより規制される。

【０００７】次にワイヤーボンド工程について説明す
る。図１３（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持
したリードフレーム５に対して、その半導体チップ１を
ヒーターブロック７上に真空吸着により固定する。な
お、図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離
しているように示しているが、前記した保持部分は半導
体チップと接着しているものであり、図示している箇所
は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な接続
を行うインナーリード部８の部分の断面である。

【０００８】そして図１３（ｂ）に示すように、クラン
パー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリー
ドフレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナ
ーリード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーの
キャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード
部８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。
ここで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接
触させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うため
である。

【０００９】次に図１３（ｃ）に示すように、クランパ
ーを除去することにより、インナーリード部８が元の状
態に戻り、図１３（ｄ）に示すように、インナーリード
部８と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に
接続される。

【００１０】次に樹脂封止工程について説明する。図１
４（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持部分５ａ
とが接着剤３により接着されたリードフレーム５を封止
用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。

【００１１】そして図１４（ｂ）に示すように、金型１
２ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂
注入後の状態を図１４（ｃ）に示す。

【００１２】以上のような工程により、図１４（ｄ）に
示すような半導体チップ１とリード５ａとを接着剤３に
より固定し、外囲を封止樹脂１４で封止したＬＯＣ型の
半導体装置が製造されるものである。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の半
導体装置の製造方法では、半導体チップとリードの保持
リード部分とを接着剤により接着、固定していたが、接
着剤が必要以上に保持リード部分からはみ出し、または
広がるという課題があった。すなわち接着剤の余分なは
み出し、広がりによって、保持リード部分の表面にまで
接着剤が被覆し、外囲を封止樹脂により封止した際に
は、熱衝撃等の信頼性において、悪影響を及ぼすという
問題と、保持リード部分の先端部まで接着剤が延在し、
インナーリード部のボンデイング箇所に接着剤が存在す
ることになり、後工程の金属細線による接続時に金属細
線が接続できないという問題があった。また接着強度の
面では、保持リード部分ごとにはみ出し、広がりが発生
することにより、接着強度に差が生じ、信頼性上の問題
となるものである。

【００１４】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、半導体チップを接着剤を介してリード部分で保持
する構造の半導体装置において、半導体チップとリード
の保持リード部分との接着構造に着目し、接着強度を向
上させつつ、接着剤の余分なはみ出し、広がりを防止し
た半導体装置およびその製造方法を提供することを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明の半導体装置は、半導体チップと、その半導体
チップを保持するリード部と、半導体チップとリード部
との間に設けられた接着剤と、半導体チップとリード部
とを電気的に接続する手段と、少なくとも半導体チップ
の外囲を封止した封止樹脂と、その封止樹脂から露出
し、リード部と接続したアウターリード部とよりなる半
導体装置であって、接着剤は半導体チップとリード部と
を電気的に接続する手段が設けられている箇所から離れ
て設けられているものである。また具体的には、保持部
分は表面にメッキ処理され、その表面が凹凸を有し、ま
た保持部分は接着剤と接する面にノッチが形成されてお
り、また保持部分は貫通孔を有しており、また保持部分
は半導体チップ面に対してダウンセットまたは、アップ
セットされているものである。また、絶縁層がその表面
に形成された半導体チップと、半導体チップを保持する
保持部分を有したインナーリード部と、半導体チップ表
面と保持部分との間に設けられた接着剤と、半導体チッ
プとインナーリード部とを電気的に接続する手段と、少
なくとも半導体チップの外囲を封止した封止樹脂と、封
止樹脂から露出し、インナーリード部と接続したアウタ
ーリード部とよりなる半導体装置であって、接着剤は半
導体チップ表面に設けられた絶縁層によるダム部に設け
られ、そのダム部において保持部分と半導体チップとが
接着して固定されているものである。

【００１６】また半導体装置の製造方法においては、半
導体チップを保持する保持部分を有し、その保持部分を
電気的に接続する部分から離して有するインナーリード
部と、インナーリード部と接続したアウターリード部と
を有するリードフレームを用意する工程と、半導体チッ
プ上の所定の箇所に接着剤を供給する工程と、半導体チ
ップ上の接着剤にインナーリード部の保持部分を当接さ
せ、半導体チップとリード部とを接着して固定する工程
と、半導体チップとインナーリード部とを電気的に接続
する工程と、アウターリード部を露出させて半導体チッ
プの外囲を封止樹脂で封止する工程とよりなるものであ
る。また、貫通孔を有し、半導体チップを保持する保持
部分を有したインナーリード部と、インナーリード部と
接続したアウターリード部とを有するリードフレームを
用意する工程と、半導体チップ上の所定の箇所に接着剤
を供給する工程と、半導体チップ上の接着剤に前記イン
ナーリード部の保持部分を当接させ、半導体チップとリ
ード部とを接着して固定する工程と、半導体チップとイ
ンナーリード部とを電気的に接続する工程と、アウター
リード部を露出させて半導体チップの外囲を封止樹脂で
封止する工程とよりなり、半導体チップ上の接着剤にイ
ンナーリード部の保持部分を当接させ、半導体チップと
リード部とを接着して固定する工程は、接着剤を硬化さ
せる第１硬化工程と、第１硬化工程後に接着剤を硬化さ
せる第２硬化工程とよりなる多段硬化工程を有するもの
である。

【００１７】前記構成の通り、半導体チップを接着剤を
介して保持するリードの部分である保持部分は、インナ
ーリード部において、そのインナーリード部と半導体チ
ップとのボンディング箇所から離間されてインナーリー
ド部内に設けられているので、半導体チップとリード部
とを接着した際に接着剤が余分にはみ出してもその余分
な接着剤はインナーリード部に延在することはなく、接
続不良を防止できるものである。また保持部分は、イン
ナーリード部において、そのインナーリード部と半導体
チップとのボンディング箇所から離間されてインナーリ
ード部内に設けることに加えて、半導体チップに対して
下方に屈曲、屈折したダウンセット形状、またはその逆
に半導体チップに対して上方に屈曲、屈折したアップセ
ット形状、表面がメッキによる凹凸、ノッチを有してい
るので、ダム構造として作用し、接着剤の余分なはみ出
し自体を抑制することができる。また半導体チップ表面
にはポリイミド層などの絶縁層による凹部、凸部などの
ダム部が形成されているので、接着剤のはみ出し自体を
抑制することができる。

【００１８】また保持部が貫通孔を有することにより、
半導体装置の製造工程おいては、その孔を通して接着剤
を硬化させるための紫外線を照射することができ、保持
部分の下部の接着剤も硬化させることができ、接着強度
の向上とともに、製造工程における仮硬化の硬化効率を
上げて製造効率を向上させることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００２０】まず本実施形態の半導体装置の構成につい
て説明する。図１〜図４に本実施形態の半導体装置を示
す。各図において、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は各
Ａ−Ａ１箇所、Ｂ−Ｂ１箇所、Ｃ−Ｃ１箇所、Ｄ−Ｄ１
箇所の断面図である。なお、図において、外囲を封止し
ている封止樹脂や、インナーリード部先端と半導体チッ
プとを電気的に接続している金属細線の構成は省略して
いる。

【００２１】図１（ａ），図１（ｂ）に示す構成は、半
導体チップ１と、その半導体チップ１を保持する保持部
分５ａを有したインナーリード部８と、半導体チップ１
と保持部分５ａとの間に設けられた接着剤３とよりな
り、保持部分５ａは半導体チップ１とインナーリード部
８とを電気的に接続する手段が設けられている箇所、す
なわちインナーリード部８の先端部から離れて設けられ
ているものであり、接着剤３はインナーリード部８の先
端部から離れて形成されるものである。

【００２２】保持部分５ａがインナーリード部８の先端
部から離れて設けられているため、接着剤３が広がった
場合でも、インナーリード部８の先端部にまで延在する
ことはなく、後工程の金属細線による接続にも支障はな
い。

【００２３】図２（ａ），図２（ｂ）に示す構成は、絶
縁層１５がその表面に形成された半導体チップ１と、そ
の半導体チップ１を保持する保持部分５ａを有したイン
ナーリード部８と、半導体チップ１の表面と保持部分５
ａとの間に設けられた接着剤３とよりなり、接着剤３は
半導体チップ１の表面に設けられた絶縁層１５によるダ
ム部１５ａに設けられ、そのダム部１５ａにおいて保持
部分５ａと半導体チップ１とが接着して固定されている
ものである。

【００２４】同様に図３（ａ），図３（ｂ）に示す構成
は、絶縁層１５がその表面に形成された半導体チップ１
と、その半導体チップ１を保持する保持部分５ａを有し
たインナーリード部８と、半導体チップ１の表面と保持
部分５ａとの間に設けられた接着剤３とよりなり、接着
剤３は半導体チップ１の表面に設けられた絶縁層１５に
よるダム部１５ｂに設けられ、そのダム部１５ｂにおい
て保持部分５ａと半導体チップ１とが接着して固定され
ているものである。

【００２５】同様に図４（ａ），図４（ｂ）に示す構成
は、絶縁層１５がその表面に形成された半導体チップ１
と、その半導体チップ１を保持する保持部分５ａを有し
たインナーリード部８と、半導体チップ１の表面と保持
部分５ａとの間に設けられた接着剤３とよりなり、接着
剤３は半導体チップ１の表面に設けられた絶縁層１５に
よるダム部１５ｃに設けられ、そのダム部１５ｃにおい
て保持部分５ａと半導体チップ１とが接着して固定され
ているものである。

【００２６】前記した図２，図３および図４において
は、絶縁層１５によるダム部は、半導体チップ１の周辺
部に形成して、２つの凸部で凹部を形成して接着剤３の
はみ出しを防止する構造であるダム部１５ａ、また絶縁
層１５によるダム部は、半導体チップ１の周辺部に形成
して、１つの凸部のみで接着剤３のはみ出しを防止する
構造であるダム部１５ｂ、また絶縁層１５によるダム部
は、半導体チップ１の終端部に形成して、１つの凸部の
みで接着剤３のはみ出しを防止する構造であるダム部１
５ｃの各ダム構造があるが、溝により実質的に凹部を形
成して、接着剤３のはみ出しを防止できる構造としても
よい。また絶縁層１５は、ポリイミド等の絶縁材料を用
いることができ、フォトリソグラフィーによって、凹凸
の形成、溝の形成ができればよく、さらには封止樹脂、
リードフレーム、接着剤との密着性や、熱膨張係数の整
合がとれているものであればよい。また絶縁性材料によ
り形成され、ダム部を構成する凹凸を有したフィルム、
シートを半導体チップ上に貼付してもよい。

【００２７】また図１，図２，図３および図４におい
て、保持部分５ａは貫通孔１６を有しており、接着剤３
の余分なはみ出し、広がりを防止できるものである、さ
らにこの貫通孔１６により、孔を通して接着剤３を硬化
させるための紫外線を照射することができ、保持部分５
ａの下部の接着剤３も硬化させることができ、接着強度
の向上とともに、製造工程における仮硬化の硬化効率を
上げて製造効率を向上させることができる。

【００２８】また本実施形態において保持部分５ａは、
リードフレーム内の複数のインナーリード部８のチップ
に対する各角部４ケ所と各長辺側の中央部２ケ所の合計
６ケ所に設けられているが、より安定に保持するための
保持部分５ａの付設形態である。この保持部分５ａの
数、付設箇所は、半導体チップの大きさに応じて、各角
部の４ケ所でもよいが、安定な保持のためには、角部に
加えて、チップの辺の中央部にも付設するのがよい。

【００２９】次に本実施形態の半導体装置のリード部の
保持部分５ａの構成について、さらに説明する。

【００３０】図５は本実施形態の半導体装置を示す。な
お、図において、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＡ−
Ａ１箇所、（ｃ）は（ｂ）の円形部の拡大断面図であ
る。また前記同様、図においては、外囲を封止している
封止樹脂や、インナーリード部と半導体チップとを電気
的に接続している金属細線の構成は省略している。

【００３１】図示するように、半導体チップ１と、その
半導体チップ１を保持する保持部分５ａを有したインナ
ーリード部８と、半導体チップ１と保持部分５ａとの間
に設けられた接着剤３とよりなり、保持部分５ａは半導
体チップ１とインナーリード部８とを電気的に接続する
手段が設けられている箇所、すなわちインナーリード部
８の先端部から離れて設けられているものであり、接着
剤３はインナーリード部８の先端部から離れて形成され
るものである。そして保持部分５ａの接着剤３と接する
面には、メッキ層１７が施され、図５（ｃ）に示すよう
にそのメッキ層１７により表面は凹凸状となっているも
のである。このメッキ層１７による凹凸により、接着剤
３の流動を抑制し、余分な広がりを防止できるものであ
る。メッキ層１７としては、スズ、ニッケル、銅のいず
れかを用いることができ、メッキした状態でその表面は
鍵状の突起が形成され、凹凸形状をなすものである。

【００３２】次に図６〜図８は保持部分５ａの効果的な
形態を示すものであり、図６、図７は保持部分の形態を
示す断面図、図８は保持部分の形態を示す平面図であ
る。

【００３３】まず図６に示す保持部分の形態は、インナ
ーリード部８の保持部分５ａがディプレスされて半導体
チップ１に対して、上方もしくは下方に屈折しているも
のである。図６（ａ）に示す形態は、接着剤３と接する
保持部分５ａが半導体チップ１に対して下方にディプレ
ス加工されてダウンセットされているものであり、接着
剤３の広がりに対して、逃げ場所を形成することによ
り、余分な広がりを防止できるものである。また図６
（ｂ）に示す形態は、接着剤３と接する保持部分５ａが
半導体チップ１に対して上方にディプレス加工されてア
ップセットされているものであり、接着剤３の広がりに
対して、逃げ場所を形成することにより、余分な広がり
を防止できるものである。また図６（ｃ）に示す形態
は、接着剤３と接する保持部分５ａが半導体チップ１に
対して上方にディプレス加工されてアップセットされて
いるものであり、図６（ｂ）に示した形態よりもアップ
セット領域を広く形成しているものである。この形態に
より、接着剤３の広がりに対して、逃げ場所を形成し、
余分な広がりを防止できるものである。

【００３４】次に図７（ａ）に示す形態は、インナーリ
ード部８の接着剤３と接する保持部分５ａが半導体チッ
プ１に対して、その面がノッチである凹部を有している
ものであり、接着剤３の広がりに対して、保持部分５ａ
側でダム部を形成し、接着剤３を２つの凹部間に配置す
ることにより、余分な広がりを防止できるものである。
また図７（ｂ）および図７（ｃ）に示す形態は、接着剤
３と接する保持部分５ａが半導体チップ１に対して、そ
の面が凹部を有しているものであり、接着剤３の広がり
に対して、保持部分５ａ側でダム部を形成しているもの
であるが、図７（ａ）に示した形態とは異なり、１つの
凹部により接着剤３の余分な広がりを防止できるもので
ある。

【００３５】次に図８に示す形態は、インナーリード部
８の接着剤３と接する保持部分５ａが平面的に凹凸を有
する形態であり、図８（ａ）に示す形態は、保持部分５
ａが１つの凸部を有する形態であり、図８（ｂ）に示す
形態は、保持部分５ａが２つの凸部を有する形態であ
り、図８（ｃ）に示す形態は、保持部分５ａが１つの凸
部であって、幅広部を有する形態であり、接着剤３のは
み出しを防止するものである。

【００３６】次に本実施形態の半導体装置の製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。

【００３７】図９〜図１１は本発明の一実施形態の半導
体装置の製造方法を示す断面図である。

【００３８】まず半導体チップの主面とリードとを接着
する構造の半導体装置の製造方法のチップ接着工程（ダ
イスボンド工程）について説明する。

【００３９】図９（ａ）に示すように、半導体チップ１
を真空取り付け可能なステージ２上に載置する。ここで
は半導体チップが不要な移動を起こさないように真空吸
着により固定する。ステージ２にはリードフレームの位
置を規制するピン２ａが設けられている。

【００４０】そして図９（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ１上の所定の位置、すなわちリードフレームの保持
部分との接着箇所に熱硬化であって紫外線硬化型の接着
剤３をノズル４により塗布する。

【００４１】次に図９（ｃ）に示すように、接着剤３が
塗布された半導体チップ１とリードフレーム５とを位置
合わせして、リードフレーム５の保持部分５ａと半導体
チップ１とを接着する。そして接着後は、半導体チップ
１を保持したリードフレーム５を硬化炉等のステージに
セットし、一定時間加熱処理を行うことにより、接着剤
３を硬化させることにより接着、固定する。なお具体的
には、接着剤３の硬化工程として、仮硬化と本硬化とに
よる多段階硬化、すなわち紫外線照射（ＵＶ：３６５
［ｎｍ］）による硬化と加熱による熱硬化とを組み合わ
せて接着剤３を硬化させ、接着、固定するものである。

【００４２】ここで、保持部分が貫通孔を有することに
より、その孔を通して接着剤を硬化させるための紫外線
を照射することができ、保持部分の下部の接着剤も硬化
させることができ、接着強度の向上とともに、製造工程
における仮硬化の硬化効率を上げて製造効率を向上させ
ることができる。

【００４３】また、この工程で用いるリードフレーム
は、半導体チップと接着する保持部分を有したリードフ
レームを用い、その保持部分の構成としては、インナー
リード部において、そのインナーリード部と半導体チッ
プとのボンディング箇所から離間されてインナーリード
部内に設けることに加えて、半導体チップに対して下方
に屈曲、屈折したダウンセット形状、またはその逆に半
導体チップに対して上方に屈曲、屈折したアップセット
形状、表面がメッキによる凹凸、ノッチを有した構成で
あるので、ダム構造として作用し、接着剤の余分なはみ
出し自体を抑制することができる。また半導体チップ表
面にはポリイミド層などの絶縁層による凹部、凸部など
のダム部を形成しておき、接着剤のはみ出し自体を抑制
することができる。

【００４４】次にワイヤーボンド工程について説明す
る。図１０（ａ）に示すように、半導体チップ１を保持
したリードフレーム５に対して、その半導体チップ１を
ヒーターブロック７上に真空吸着により固定する。な
お、図中、半導体チップ１とリードフレーム５とは分離
しているように示しているが、前記した保持部分は半導
体チップと接着しているものであり、図示している箇所
は、リードフレーム５の半導体チップ１と電気的な接続
を行うインナーリード部８の部分の断面である。

【００４５】そして図１０（ｂ）に示すように、クラン
パー９ａ，９ｂにより、インナーリード部８およびリー
ドフレーム５を押さえ、半導体チップ１主面上にインナ
ーリード部８を接触させる。そしてワイヤーボンダーの
キャピラリー１０により金属細線１１をインナーリード
部８と半導体チップ１の電極パッド１ａとに接続する。
ここで半導体チップ１主面上にインナーリード部８を接
触させる目的は、金属細線１１の接続を安定に行うため
である。

【００４６】次に図１０（ｃ）に示すように、クランパ
ーを除去することにより、インナーリード部８が元の状
態に戻り、図１０（ｄ）に示すように、インナーリード
部８と半導体チップ１とが金属細線１１により電気的に
接続される。

【００４７】次に樹脂封止工程について説明する。図１
１（ａ）に示すように、半導体チップ１と保持部分５ａ
とが接着剤３により接着されたリードフレーム５を封止
用の金型１２ａ，１２ｂ内にセットする。

【００４８】そして図１１（ｂ）に示すように、金型１
２ｂのゲート口１３より封止樹脂１４を注入する。樹脂
注入後の状態を図１１（ｃ）に示す。

【００４９】以上のような工程により、図１１（ｄ）に
示すような半導体チップ１とリードの保持部分５ａとを
接着剤３により固定し、外囲を封止樹脂１４で封止した
ＬＯＣ型の半導体装置が製造される。

【００５０】以上、本実施形態の半導体装置の製造方法
では、少なくとも、貫通孔を有し、半導体チップを保持
する保持部分を有し、その保持部分を電気的に接続する
部分から離して有するインナーリード部と、インナーリ
ード部と接続したアウターリード部とを有するリードフ
レームを用いて、半導体チップをリードで接着固定した
タイプの半導体装置を製造するにあたり、保持部が貫通
孔を有することにより、その孔を通して接着剤を硬化さ
せるための紫外線を照射することができ、保持部分の下
部の接着剤も硬化させることができ、接着強度の向上と
ともに、製造工程における仮硬化の硬化効率を上げて製
造効率を向上させることができるものである。

【００５１】なお、本実施形態で用いる接着剤３は、熱
／紫外線硬化型の接着剤であり、アクリル酸素を含む樹
脂により構成されているものである。また接着剤３の塗
布や、リードの保持部分との接着時において、接着剤３
の余分なはみ出しやタレを防止するために、６００［ポ
イズ］〜１５００［ポイズ］の粘度の接着剤を用いるも
のである。好ましくは、１０００ポイズの粘度の接着剤
が最適である。

【００５２】以上、本実施形態では、リードと半導体チ
ップとを接着剤により接着して固定する際、そのリード
の保持部分は、インナーリード部において、そのインナ
ーリード部と半導体チップとのボンディング箇所から離
間されてインナーリード部内に設けられているので、半
導体チップとリード部とを接着した際に接着剤が余分に
はみ出してもその余分な接着剤はインナーリード部に延
在することはなく、接続不良を防止できるものである。
また保持部分は、半導体チップに対してダウンセット形
状、アップセット形状、表面がメッキによる凹凸、ノッ
チを有しているので、ダム構造として作用し、接着剤の
余分なはみ出し自体を抑制することができる。また半導
体チップ表面にはポリイミド層などの絶縁層による凹
部、溝、凸部などのダム部が形成されているので、接着
剤のはみ出し自体を抑制することができるものである。

【００５３】

【発明の効果】以上、本発明の半導体装置は、リードと
半導体チップとを接着剤により接着して固定するタイプ
の半導体装置であって、そのリードの半導体チップを保
持する保持部分は、インナーリード部において、そのイ
ンナーリード部と半導体チップとのボンディング箇所か
ら離間されてインナーリード部内に設けられているの
で、半導体チップとリード部とを接着した際に接着剤が
余分にはみ出してもその余分な接着剤はインナーリード
部に延在することはなく、接続不良を防止できるもので
ある。さらに、保持部分は、半導体チップに対してダウ
ンセット形状、アップセット形状、表面がメッキによる
凹凸、ノッチを有しているので、ダム構造として作用
し、接着剤の余分なはみ出し自体を抑制することができ
る。また半導体チップ表面にはポリイミド層などの絶縁
層による凹部、溝、凸部などのダム部が形成されている
ので、接着剤のはみ出し自体を抑制することができるも
のである。

【００５４】半導体装置の製造方法においては、製造に
用いるリードフレームにおいて、リードの保持部が貫通
孔を有することにより、その孔を通して接着剤を硬化さ
せるための紫外線を照射することができ、保持部分の下
部の接着剤も硬化させることができ、接着強度の向上と
ともに、製造工程における仮硬化の硬化効率を上げて製
造効率を向上させることができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図

【図２】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図

【図３】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図

【図４】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図

【図５】本発明の一実施形態の半導体装置を示す図

【図６】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図

【図７】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図

【図８】本発明の一実施形態の半導体装置を示す平面図

【図９】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法を
示す断面図

【図１０】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
を示す断面図

【図１１】本発明の一実施形態の半導体装置の製造方法
を示す断面図

【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図

【図１３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図

【図１４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図

【符号の説明】

１半導体チップ２ステージ３接着剤４ノズル５リードフレーム７ヒーターブロック８インナーリード部９ａ，９ｂクランパー１０キャピラリー１１金属細線１２ａ，１２ｂ金型１３ゲート口１４封止樹脂１５絶縁層１６貫通孔１７メッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者乾忠久大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者前田健児大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者野村徹大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップと、前記半導体チップを保
持するリード部と、前記半導体チップとリード部との間
に設けられた接着剤と、前記半導体チップとリード部と
を電気的に接続する手段と、少なくとも前記半導体チッ
プの外囲を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂から露出
し、前記リード部と接続したアウターリード部とよりな
る半導体装置であって、前記接着剤は、前記半導体チッ
プとリード部とを電気的に接続する手段が設けられてい
る箇所から離れて設けられていることを特徴とする半導
体装置。
【請求項２】半導体チップと、前記半導体チップを保
持する保持部分を有したインナーリード部と、前記半導
体チップと前記保持部分との間に設けられた接着剤と、
前記半導体チップとインナーリード部とを電気的に接続
する手段と、少なくとも前記半導体チップの外囲を封止
した封止樹脂と、前記封止樹脂から露出し、前記インナ
ーリード部と接続したアウターリード部とよりなる半導
体装置であって、前記保持部分は、前記半導体チップと
インナーリード部とを電気的に接続する手段が設けられ
ている箇所から離れて設けられていることを特徴とする
半導体装置。
【請求項３】半導体チップと、前記半導体チップを保
持する保持部分を有した保持リード部と、前記半導体チ
ップと前記保持部分との間に設けられた接着剤と、前記
半導体チップと電気的に接続するインナーリード部と、
前記半導体チップとインナーリード部とを電気的に接続
する手段と、少なくとも前記半導体チップの外囲を封止
した封止樹脂と、前記封止樹脂から露出し、前記インナ
ーリード部と接続したアウターリード部とよりなる半導
体装置であって、前記保持リード部の保持部分は、前記
インナーリード部の前記半導体チップとインナーリード
部とを電気的に接続する手段が設けられている箇所から
離れて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】絶縁層がその表面に形成された半導体チ
ップと、前記半導体チップを保持する保持部分を有した
インナーリード部と、前記半導体チップ表面と前記保持
部分との間に設けられた接着剤と、前記半導体チップと
インナーリード部とを電気的に接続する手段と、少なく
とも前記半導体チップの外囲を封止した封止樹脂と、前
記封止樹脂から露出し、前記インナーリード部と接続し
たアウターリード部とよりなる半導体装置であって、前
記接着剤は前記半導体チップ表面に設けられた絶縁層に
よるダム部に設けられ、前記ダム部において前記保持部
分と半導体チップとが接着して固定されていることを特
徴とする半導体装置。
【請求項５】保持部分は表面にメッキ処理され、その
表面が凹凸を有していることを特徴とする請求項１〜請
求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】保持部分は接着剤と接する面にノッチが
形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４の
いずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】保持部分は貫通孔を有していることを特
徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体
装置。
【請求項８】保持部分は半導体チップ面に対してダウ
ンセットされていることを特徴とする請求項１〜請求項
４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】保持部分は半導体チップ面に対してアッ
プセットされていることを特徴とする請求項１〜請求項
４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】半導体チップを保持する保持部分を有
し、その保持部分を電気的に接続する部分から離して有
するインナーリード部と、前記インナーリード部と接続
したアウターリード部とを有するリードフレームを用意
する工程と、半導体チップ上の所定の箇所に接着剤を供
給する工程と、前記半導体チップ上の接着剤に前記イン
ナーリード部の保持部分を当接させ、半導体チップとリ
ード部とを接着して固定する工程と、前記半導体チップ
と前記インナーリード部とを電気的に接続する工程と、
前記アウターリード部を露出させて前記半導体チップの
外囲を封止樹脂で封止する工程とよりなることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】半導体チップを保持する保持部分を有
する保持リード部と、半導体チップと電気的に接続する
インナーリード部と、前記インナーリード部と接続した
アウターリード部とを有するリードフレームを用意する
工程と、半導体チップ上の所定の箇所に接着剤を供給す
る工程と、前記半導体チップ上の接着剤に前記インナー
リード部の保持部分を当接させ、半導体チップとリード
部とを接着して固定する工程と、前記半導体チップと前
記インナーリード部とを電気的に接続する工程と、前記
アウターリード部を露出させて前記半導体チップの外囲
を封止樹脂で封止する工程とよりなることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】半導体チップ表面に絶縁層による凹凸
を形成して、ダム部を形成する工程と、前記半導体チッ
プを保持する保持部分を有し、その保持部分を電気的に
接続する部分から離して有するインナーリード部と、前
記インナーリード部と接続したアウターリード部とを有
するリードフレームを用意する工程と、半導体チップ上
の前記ダム部に接着剤を供給する工程と、前記半導体チ
ップ上の接着剤に前記インナーリード部の保持部分を当
接させ、半導体チップとリード部とを接着して固定する
工程と、前記半導体チップと前記インナーリード部とを
電気的に接続する工程と、前記アウターリード部を露出
させて前記半導体チップの外囲を封止樹脂で封止する工
程とよりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】貫通孔を有し、半導体チップを保持す
る保持部分を有し、その保持部分を電気的に接続する部
分から離して有するインナーリード部と、前記インナー
リード部と接続したアウターリード部とを有するリード
フレームを用意する工程と、半導体チップ上の所定の箇
所に接着剤を供給する工程と、前記半導体チップ上の接
着剤に前記インナーリード部の保持部分を当接させ、半
導体チップとリード部とを接着して固定する工程と、前
記半導体チップと前記インナーリード部とを電気的に接
続する工程と、前記アウターリード部を露出させて前記
半導体チップの外囲を封止樹脂で封止する工程とよりな
る半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップ上
の接着剤に前記インナーリード部の保持部分を当接さ
せ、半導体チップとリード部とを接着して固定する工程
は、前記接着剤を硬化させる第１硬化工程と、前記第１
硬化工程後に前記接着剤を硬化させる第２硬化工程とよ
りなる多段硬化工程を有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項１４】接着剤に熱硬化であって紫外線硬化型
の接着剤を用い、前記半導体チップ上の接着剤に前記イ
ンナーリード部の保持部分を当接させ、半導体チップと
リード部とを接着して固定する工程は、保持部分の貫通
孔を通して接着剤に紫外線を照射して前記接着剤を光硬
化させる仮硬化工程と、前記仮硬化工程後に前記接着剤
を硬化させる本硬化工程とよりなる多段硬化工程を有す
ることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項１５】リードフレームを用意する工程は、保
持部分は表面にメッキ処理され、その表面が凹凸を有し
ているリードフレームを用意する工程であることを特徴
とする請求項１０〜請求項１２のいずれかに記載の半導
体装置。
【請求項１６】リードフレームを用意する工程は、保
持部分は接着剤と接する面にノッチを有しているリード
フレームを用意する工程であることを特徴とする請求項
１０〜請求項１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】リードフレームを用意する工程は、保
持部分は半導体チップ面に対してダウンセットされてい
るリードフレームを用意する工程であることを特徴とす
る請求項１０〜請求項１２のいずれかに記載の半導体装
置。
【請求項１８】リードフレームを用意する工程は、保
持部分は半導体チップ面に対してアップセットされてい
るリードフレームを用意する工程であることを特徴とす
る請求項１０〜請求項１２のいずれかに記載の半導体装
置。
【請求項１９】半導体チップと保持部分とを接着剤に
より接着して固定する工程において、６００［ポイズ］
〜１５００［ポイズ］の粘度の接着剤により接着するこ
とを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法。