JPH11135704A - Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH11135704A JPH11135704A JP29694697A JP29694697A JPH11135704A JP H11135704 A JPH11135704 A JP H11135704A JP 29694697 A JP29694697 A JP 29694697A JP 29694697 A JP29694697 A JP 29694697A JP H11135704 A JPH11135704 A JP H11135704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- insulating member
- semiconductor device
- inner lead
- bonding agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディングする際にインナリード側でワイ
ヤが接合できない不良が発生する。 【解決手段】 半導体チップ１上に絶縁部材４を介して
リードフレームのインナーリード２が配置され、半導体
チップ１と絶縁部材４、絶縁部材４とインナーリード２
がそれぞれ接着剤により貼り付けられているＬＯＣ型半
導体装置において、半導体チップ１と絶縁部材４とを貼
り付ける接着剤として、紫外線硬化性接着剤を用いた。
ヤが接合できない不良が発生する。 【解決手段】 半導体チップ１上に絶縁部材４を介して
リードフレームのインナーリード２が配置され、半導体
チップ１と絶縁部材４、絶縁部材４とインナーリード２
がそれぞれ接着剤により貼り付けられているＬＯＣ型半
導体装置において、半導体チップ１と絶縁部材４とを貼
り付ける接着剤として、紫外線硬化性接着剤を用いた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＯＣ（ Lead On
Chip ）型構造を有する半導体装置及びその製造方法に
関する。
Chip ）型構造を有する半導体装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＯＣ型構造を有する半導体装置
においては、図２に示すように、リードフレームのイン
ナリード２に予め熱可塑性または熱硬化性接着剤（図で
は熱硬化性接着剤として示してある。）６を塗布し硬化
させてポリイミド等の絶縁テープ４を貼り付けてあり、
絶縁テープの他方の側に熱可塑性または熱硬化性接着剤
（図では熱硬化性接着剤として示してある。）６により
チップ３を配置する。その後、固着するために熱処理を
行い熱可塑性または熱硬化性接着剤６を硬化させてい
た。
においては、図２に示すように、リードフレームのイン
ナリード２に予め熱可塑性または熱硬化性接着剤（図で
は熱硬化性接着剤として示してある。）６を塗布し硬化
させてポリイミド等の絶縁テープ４を貼り付けてあり、
絶縁テープの他方の側に熱可塑性または熱硬化性接着剤
（図では熱硬化性接着剤として示してある。）６により
チップ３を配置する。その後、固着するために熱処理を
行い熱可塑性または熱硬化性接着剤６を硬化させてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＬＯＣ型構造を有する半導体装置では、ワイヤボンディ
ング時にＥオープン（ボンディングワイヤがインナリー
ドと接続できないこと）が発生する場合があった。その
理由は、チップ配置後硬化のために熱処理がされると、
インナリード側の接着剤が軟化しインナリード加工歪み
が解放される為インナリードが変形するからである。
ＬＯＣ型構造を有する半導体装置では、ワイヤボンディ
ング時にＥオープン（ボンディングワイヤがインナリー
ドと接続できないこと）が発生する場合があった。その
理由は、チップ配置後硬化のために熱処理がされると、
インナリード側の接着剤が軟化しインナリード加工歪み
が解放される為インナリードが変形するからである。
【０００４】発明の目的は、ＬＯＣ構造リードフレーム
にチップ搭載後熱処理をする半導体装置のボンディング
時のリード側オープン不良を防止することにある。
にチップ搭載後熱処理をする半導体装置のボンディング
時のリード側オープン不良を防止することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＯＣ型半導体
装置は、半導体チップ上に絶縁部材を介してリードフレ
ームのインナーリードが配置され、該半導体チップと該
絶縁部材、該絶縁部材と該インナーリードがそれぞれ接
着剤により貼り付けられているＬＯＣ型半導体装置にお
いて、該半導体チップと該絶縁部材とを貼り付ける接着
剤として、紫外線硬化性接着剤を用いたことを特徴とす
る。
装置は、半導体チップ上に絶縁部材を介してリードフレ
ームのインナーリードが配置され、該半導体チップと該
絶縁部材、該絶縁部材と該インナーリードがそれぞれ接
着剤により貼り付けられているＬＯＣ型半導体装置にお
いて、該半導体チップと該絶縁部材とを貼り付ける接着
剤として、紫外線硬化性接着剤を用いたことを特徴とす
る。
【０００６】また本発明のＬＯＣ型半導体装置の製造方
法は、リードフレームのインナリード側に接着剤を介し
て絶縁部材を貼り付け、該絶縁部材上に紫外線硬化性接
着剤を介して半導体チップを配置し紫外線にて該紫外線
硬化性接着剤を硬化させることを特徴とする。
法は、リードフレームのインナリード側に接着剤を介し
て絶縁部材を貼り付け、該絶縁部材上に紫外線硬化性接
着剤を介して半導体チップを配置し紫外線にて該紫外線
硬化性接着剤を硬化させることを特徴とする。
【０００７】本発明は、ＬＯＣ構造リードフレームでチ
ップを固着する側の絶縁テープ等の絶縁部材の面に紫外
線（以下ＵＶという）硬化性接着剤を使用するものであ
り、チップ搭載時に熱処理はせずＵＶ照射により固着を
行なう。
ップを固着する側の絶縁テープ等の絶縁部材の面に紫外
線（以下ＵＶという）硬化性接着剤を使用するものであ
り、チップ搭載時に熱処理はせずＵＶ照射により固着を
行なう。
【０００８】本発明においては、チップ搭載後ＵＶ照射
にて半導体チップと絶縁部材とを固着するので、チップ
搭載後熱処理を必要とせず、インナリードと絶縁部材と
を貼り付けている接着剤が軟化しない。よってインテリ
ードが変形することなくボンディング時のＥオープンを
防止できる。
にて半導体チップと絶縁部材とを固着するので、チップ
搭載後熱処理を必要とせず、インナリードと絶縁部材と
を貼り付けている接着剤が軟化しない。よってインテリ
ードが変形することなくボンディング時のＥオープンを
防止できる。
【０００９】インナリードと絶縁部材とを貼り付ける接
着剤としては、従来と同様に熱可塑性または熱硬化性接
着剤を用いることができるが、特にかかる接着剤に限定
されず、他の接着剤を用いることもでき、その場合には
本発明は有効である。半導体チップと絶縁部材、絶縁部
材とインナーリードのそれぞれの固着にＵＶ硬化性接着
剤を用いることもできる。
着剤としては、従来と同様に熱可塑性または熱硬化性接
着剤を用いることができるが、特にかかる接着剤に限定
されず、他の接着剤を用いることもでき、その場合には
本発明は有効である。半導体チップと絶縁部材、絶縁部
材とインナーリードのそれぞれの固着にＵＶ硬化性接着
剤を用いることもできる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のＬＯ
Ｃ型半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図１
に示すように、本発明の好適な実施形態は、ＬＯＣ用リ
ードフレームのインナーリード２に接合しているポリイ
ミドテープ等の絶縁テープ（絶縁部材）４のインナリー
ド固定側の接着剤は熱硬化性樹脂６を使用し、絶縁テー
プ４の反対側のチップを接着する側の接着剤はＵＶ硬化
性樹脂５を使用する。また、チップ搭載後はＵＶを照射
し固着する。チップ搭載後接着剤には熱が加わらないた
めインナリードは接着剤に固定され、インナリードが変
形することはない。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のＬＯ
Ｃ型半導体装置の一実施形態を示す断面図である。図１
に示すように、本発明の好適な実施形態は、ＬＯＣ用リ
ードフレームのインナーリード２に接合しているポリイ
ミドテープ等の絶縁テープ（絶縁部材）４のインナリー
ド固定側の接着剤は熱硬化性樹脂６を使用し、絶縁テー
プ４の反対側のチップを接着する側の接着剤はＵＶ硬化
性樹脂５を使用する。また、チップ搭載後はＵＶを照射
し固着する。チップ搭載後接着剤には熱が加わらないた
めインナリードは接着剤に固定され、インナリードが変
形することはない。
【００１１】次に上記ＬＯＣ型半導体装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１２】まず、ＬＯＣ用リードフレームのインナー
リード２に、予め両面に接着剤を塗布したポリイミドテ
ープ４を貼り付けておく、その時リードフレームのイン
ナーリード２側に熱硬化性接着剤６の方を貼り付ける。
リード２に、予め両面に接着剤を塗布したポリイミドテ
ープ４を貼り付けておく、その時リードフレームのイン
ナーリード２側に熱硬化性接着剤６の方を貼り付ける。
【００１３】半導体チップ３はポリイミドテープ４のＵ
Ｖ硬化性接着剤５の方と接合させる。その後、ＵＶ硬化
性接着剤５をＵＶ照射にてチップとリードフレームを固
定させる。このとき、熱硬化性接着剤の様に熱処理時の
不純物がリード表面に付着すること及びインナリード変
形が発生することがないため、ボンディングは良好にで
きる。
Ｖ硬化性接着剤５の方と接合させる。その後、ＵＶ硬化
性接着剤５をＵＶ照射にてチップとリードフレームを固
定させる。このとき、熱硬化性接着剤の様に熱処理時の
不純物がリード表面に付着すること及びインナリード変
形が発生することがないため、ボンディングは良好にで
きる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、インナリードが変形せ
ず、ボンディング時のＥオープン不良防止が可能とな
る。その理由は、チップと接着する接着剤にＵＶ硬化性
樹脂を使用するために熱処理によるインナリード変形を
防止できるためである。
ず、ボンディング時のＥオープン不良防止が可能とな
る。その理由は、チップと接着する接着剤にＵＶ硬化性
樹脂を使用するために熱処理によるインナリード変形を
防止できるためである。
【図１】本発明のＬＯＣ型半導体装置の一実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】従来のＬＯＣ型半導体装置の断面図である。
１ ボンディングワイヤ ２ インナリード ３ チップ ４ ポリイミド ５ ＵＶ硬化性接着剤 ６ 熱硬化性接着剤
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップ上に絶縁部材を介してリー
ドフレームのインナーリードが配置され、該半導体チッ
プと該絶縁部材、該絶縁部材と該インナーリードがそれ
ぞれ接着剤により貼り付けられているＬＯＣ型半導体装
置において、 該半導体チップと該絶縁部材とを貼り付ける接着剤とし
て、紫外線硬化性接着剤を用いたことを特徴とするＬＯ
Ｃ型半導体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁部材と前記インナーリードとを
貼り付ける接着剤として、熱硬化性あるいは熱可塑性の
接着剤を用いたことを特徴とする請求項１に記載のＬＯ
Ｃ型半導体装置。 - 【請求項３】 前記絶縁部材はポリイミドテープである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＯ
Ｃ型半導体装置。 - 【請求項４】 リードフレームのインナリード側に接着
剤を介して絶縁部材を貼り付け、該絶縁部材上に紫外線
硬化性接着剤を介して半導体チップを配置し紫外線にて
該紫外線硬化性接着剤を硬化させることを特徴とするＬ
ＯＣ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記絶縁部材と前記インナーリードとを
貼り付ける接着剤として、熱硬化性あるいは熱可塑性の
接着剤を用いたことを特徴とする請求項４に記載のＬＯ
Ｃ型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁部材はポリイミドテープである
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のＬＯ
Ｃ型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29694697A JP2978862B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29694697A JP2978862B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135704A true JPH11135704A (ja) | 1999-05-21 |
| JP2978862B2 JP2978862B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=17840236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29694697A Expired - Fee Related JP2978862B2 (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978862B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1094518A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-25 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device comprising a lead frame and method for fabricating the same |
| JP2003037344A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| US7414303B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead on chip semiconductor package |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP29694697A patent/JP2978862B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1094518A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-25 | Ming-Tung Shen | Semiconductor device comprising a lead frame and method for fabricating the same |
| JP2003037344A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法 |
| US7414303B2 (en) | 2004-03-23 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lead on chip semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2978862B2 (ja) | 1999-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1012773A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS616833A (ja) | 実装体の製造方法 | |
| JP2978862B2 (ja) | Ｌｏｃ型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2806348B2 (ja) | 半導体素子の実装構造及びその製造方法 | |
| JP3381563B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62281360A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0794539A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10340914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0595010A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3216314B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体装置の製造装置 | |
| KR950010013Y1 (ko) | 리드온칩 패키지 | |
| JPH0366152A (ja) | 半導体集積回路モジュール | |
| JPH07249732A (ja) | 半導体素子の接合方法 | |
| JPH07283265A (ja) | ボンディング用加熱装置 | |
| JP3525965B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体素子パッケージ | |
| JP3422099B2 (ja) | 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法 | |
| JPH07130931A (ja) | リードフレーム | |
| JPH05326795A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH04164353A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH08184848A (ja) | 液晶パネルの実装構造及びその製造方法 | |
| JPH1145971A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10242343A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1140704A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0360135A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05235532A (ja) | 回路部品およびその実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |