JP3445687B2 - 半導体チップの実装方法 - Google Patents

半導体チップの実装方法

Info

Publication number
JP3445687B2
JP3445687B2 JP19565995A JP19565995A JP3445687B2 JP 3445687 B2 JP3445687 B2 JP 3445687B2 JP 19565995 A JP19565995 A JP 19565995A JP 19565995 A JP19565995 A JP 19565995A JP 3445687 B2 JP3445687 B2 JP 3445687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal wire
protruding
semiconductor chip
ball
protruding contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP19565995A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08102468A (ja
Inventor
義彦 三沢
幸一 森田
啓二 佐伯
設男 堀本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP19565995A priority Critical patent/JP3445687B2/ja
Publication of JPH08102468A publication Critical patent/JPH08102468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3445687B2 publication Critical patent/JP3445687B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを配線基
に実装する半導体チップの実装方法に関するものであ
る。 【0002】 【従来の技術】従来、半導体チップを配線基板に導電性
接着剤層を介して実装することが一般に行われている。
特公平6−3820号公報に開示されている半導体チッ
プの実装方法によると、まず、図6に示すようにキャピ
ラリ1を通じて繰り出されたAuワイヤ2の先端部を溶
かして、該部にボール3を形成する。このボール3を半
導体チップ4の電極パッド5に熱圧着法または超音波溶
接法を適用してボンディングしたのち、キャピラリ1を
移動させて図7に示すように、ボール3の直上にAuワ
イヤ2の逆U字状部2aを形成する。そして、この逆U
字状部2aを残留させてAuワイヤ2を切断する。 【0003】半導体チップ4のすべての電極パッド5上
に、ボール3および逆U字状部2aからなる突出接点6
を形成したのち、すべての突出接点6を図8に示すよう
に整形台7の表面7aに押しつけて、突出接点6の突出
長を揃える。表面7aは平坦面に形成されているので、
すべての突出接点6の突出長が一様に揃えられるととも
に、各突出接点6の突端面が平坦化される。 【0004】図9に示す工程では、突出長を揃えられて
突端面が平坦化した全突出接点6の周辺に、導電性接着
剤のペースト状塗膜を転写法によって付設する。転写台
8の表面上には、エポキシ系樹脂をバインダーとする導
電性接着剤の塗膜9が一様厚さに付設されているので、
すべての突出接点6の表面上に導電性接着剤のペースト
状塗膜9aが付設される。 【0005】次に図10に示すように、半導体チップ4
のすべての突出接点6が、配線基板10にパターン形成
されている複数の導電膜11に、位置合わせされた状態
で塗膜9aを介して接合される。次に、塗膜9aを加熱
して熱硬化させる。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】しかし、かかる半導体
チップの実装方法では、電極パッドに突出接点を形成す
る工程、突出接点を整形する工程、接着剤を転写する工
程および配線基板に固着する工程の少なくとも4工程を
必要とする。そのうえ、各工程に移送する半導体チップ
を吸着コレットでいちいち吸着保持する必要があるのみ
ならず、各工程において位置決めをする必要があるの
で、生産ラインが長大となり、総じて生産効率が低く
又、歩留りを低下させるという課題があった。 【0007】したがって本発明の目的は、工数を減らし
て生産ラインを短小化できる高効率の半導体チップ実装
方法を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明によると、上述し
た目的を達成するために、キャピラリを通じて繰り出さ
れた金属ワイヤの先端部を溶かして該部にボールを形成
する工程と、このボールを半導体チップの電極パッドに
圧着する工程と、圧着されたボールに金属ワイヤの一部
分が突出接点の金属ワイヤ部分として残留するように、
キャピラリを垂直方向上方に移動させてボールの近傍で
金属ワイヤを切断する工程と、整形台の表面上に、該面
を覆う導電性接着剤のペースト状塗膜を通じて前記突出
接点の金属ワイヤ部分を押しつけ、この突出接点の突出
長を揃えると同時に、前記塗膜の一部分を前記突出接点
のボールおよび金属ワイヤ部分に転写させる工程と、
記突出接点の金属ワイヤ部分の先端を配線基板の導電膜
に当接させると共に、転写された塗膜を接着剤として、
前記突出接点を配線基板の導電膜に固着する工程とを備
えてなることを特徴とする。 【0009】 【0010】 【作用】請求項1に記載の発明においては、半導体チッ
プの電極パッド上に形成した突出接点を整形台の表面上
に、該面を覆う導電性接着剤のペースト状塗膜を通じて
押しつけるので、つまり、前記突出接点の突出長を揃え
る過程で前記塗膜の一部分を前記突出接点に転写させる
ので、突出接点を整形する工程と、接着剤を転写する工
程とが同時に達成される。このため、生産ラインを短小
化して生産効率を高めることができる。 【0011】 【0012】 【実施例】つぎに、本発明の一実施例を図面を参照しな
がら説明する。 【0013】図1の(a)に示す工程では、キャピラリ
13を通じて繰り出された金属ワイヤ14の先端部を放
電によって溶かし、該部にボール15を形成している。
図1の(b)に示す工程では、キャピラリ13を用いて
ボール15を半導体チップ16の電極パッド17に、熱
圧着法または超音波溶接法を適用してボンディングして
いる。 【0014】また、図1の(c)に示す工程では、金属
ワイヤ14を挟持したキャピラリ13を垂直方向に移動
させて金属ワイヤ14を切断するので、電極パット17
上にボール15と、ボール15から30μm〜40μm
の高さに突出した金属ワイヤ部分18とからなる突出長
約60μmの突出接点19が形成される。なお、金属ワ
イヤ14の切断が所定位置で確実に行われるように、金
属ワイヤ14としては高ヤング率・低熱伝導率のものを
用いている。 【0015】半導体チップ16のすべての電極パッド1
7に突出接点19を形成したのち、図1の(d)に示す
整形および転写の工程に入る。この工程では、ガラス板
からなる整形台20上に、膜厚20μm〜25μmの導
電性接着剤のペースト状塗膜21を付設してなるユニッ
ト22が用いられ、突出接点19の金属ワイヤ部分18
が整形台20の表面に押し当てられ、突出長が揃えられ
ると同時に、突出接点19のボール15および金属ワイ
ヤ部分18にペースト状塗膜21の一部分が転写され
る。整形台20の表面は高低差0.2μm以下に整えら
れた平坦面に形成されているので、整形台20の表面に
押し当てられた突出接点19の突出長が揃えられると同
時に、突出接点19の表面上に導電性接着剤のペースト
状塗膜21aが転写される。 【0016】整形台20はガラス製でなくてもよく、離
型性のよい超硬チタンで表面をコートした金属板などで
あってもよい。 【0017】半導体チップ16の突出接点19を整形台
20の表面に押し当てるとき、半導体チップ16および
整形台20の少なくとも一方を機械的に振動させて加圧
力を変化させると、突出接点19の突出長をより高い精
度で均一に揃えることができるのみならず、突出接点1
9の表面上に導電性接着剤のペースト状塗膜21aを均
一に転写することができる。 【0018】図1の(e)に示す工程では、整形および
ペースト状塗膜の転写を終えた突出接点19を、配線基
板23のパターン状導電膜24に位置合わせし、突出接
点19の金属ワイヤ部分18の先端が前記パターン状導
電膜24に当接するようにして接合する。 【0019】接合後にペースト状塗膜21aを加熱して
熱硬化させる。図2に以上の諸工程を流れ図で示す。 【0020】つぎに参考例を説明する。この参考例
は、図1の(a)〜(c)に示す工程を経て得られた突
出接点19を、配線基板23のパターン状導電膜24に
半田層を介してボンディングする。この場合は図3に示
すように、まず、配線基板23のパターン状導電膜24
上に、半田ペースト層25をスクリーン印刷法等によっ
て形成する。 【0021】次いで図4に示すように、半導体チップ1
6の突出接点19を半田ペースト層25に位置決めして
接合する。そして、半田ペースト層25を加熱溶融し、
その後冷却するので、半田層を介在させた実装が達成さ
れる。なお、半田ペースト層25は半田めっき層であっ
てもよい。この参考例の諸工程を図5に流れ図で示す。 【0022】 【発明の効果】以上のように本発明によると、実装工程
の合理化によって生産ラインの短小化が可能となり、生
産効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施例の半導体チップ実装方法にお
ける諸工程の側断面図。 【図2】本発明の一実施例の半導体チップ実装方法にお
ける諸工程の流れ図。 【図3】本発明の参考例における配線基板の側断面図。 【図4】本発明の参考例における接合工程の側断面図。 【図5】本発明の参考例の半導体チップ実装方法におけ
る諸工程の流れ図。 【図6】従来の半導体チップ実装方法における諸工程の
側断面図。 【図7】従来の半導体チップ実装方法における諸工程の
側断面図。 【図8】従来の半導体チップ実装方法における諸工程の
側断面図。 【図9】従来の半導体チップ実装方法における諸工程の
側断面図。 【図10】従来の半導体チップ実装方法における諸工程
の側断面図。 【符号の説明】 13 キャピラリ 14 金属ワイヤ 15 ボール 16 半導体チップ 17 電極パッド 19 突出接点 20 整形台 21 塗膜 23 配線基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀本 設男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平6−124952(JP,A) 特開 平4−130633(JP,A) 特開 平3−62936(JP,A) 特開 平7−326619(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 H01L 21/60 311

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 キャピラリを通じて繰り出された金属ワ
    イヤの先端部を溶かして該部にボールを形成する工程
    と、 このボールを半導体チップの電極パッドに圧着する工程
    と、 圧着されたボールに金属ワイヤの一部分が突出接点の金
    属ワイヤ部分として残留するように、キャピラリを垂直
    方向上方に移動させてボールの近傍で金属ワイヤを切断
    する工程と、 整形台の表面上に、該面を覆う導電性接着剤のペースト
    状塗膜を通じて前記突出接点の金属ワイヤ部分を押しつ
    け、この突出接点の突出長を揃えると同時に、前記塗膜
    の一部分を前記突出接点のボールおよび金属ワイヤ部分
    に転写させる工程と、前記突出接点の金属ワイヤ部分の先端を配線基板の導電
    膜に当接させると共に、 転写された塗膜を接着剤とし
    て、前記突出接点を配線基板の導電膜に固着する工程と
    を備えてなることを特徴とする半導体チップの実装方
    法。
JP19565995A 1994-08-03 1995-08-01 半導体チップの実装方法 Expired - Fee Related JP3445687B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19565995A JP3445687B2 (ja) 1994-08-03 1995-08-01 半導体チップの実装方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-182021 1994-08-03
JP18202194 1994-08-03
JP19565995A JP3445687B2 (ja) 1994-08-03 1995-08-01 半導体チップの実装方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003034756A Division JP2003218162A (ja) 1994-08-03 2003-02-13 半導体チップの実装方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08102468A JPH08102468A (ja) 1996-04-16
JP3445687B2 true JP3445687B2 (ja) 2003-09-08

Family

ID=26500978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19565995A Expired - Fee Related JP3445687B2 (ja) 1994-08-03 1995-08-01 半導体チップの実装方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3445687B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08102468A (ja) 1996-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5813115A (en) Method of mounting a semiconductor chip on a wiring substrate
JP2000003988A (ja) リードフレームおよび半導体装置
JPH11121543A (ja) チップスケールパッケージ
JPH0521523A (ja) 半導体装置実装用基板
JP2980495B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2647047B2 (ja) 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方法に用いられる接着剤
JP3445687B2 (ja) 半導体チップの実装方法
JPH09306949A (ja) 複合バンプへのテープ自動化結合方法
JP3335562B2 (ja) 半導体チップ接続バンプ形成方法
JP3508478B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0350736A (ja) 半導体チップのバンプ製造方法
JP3702929B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH07201894A (ja) 電子部品搭載装置の製造方法
JP2812304B2 (ja) フリップチップ型半導体装置のリペア方法
JP3472342B2 (ja) 半導体装置の実装体の製造方法
JP2785441B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2003218162A (ja) 半導体チップの実装方法
JP3548671B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP3131246B2 (ja) バンプを有するベアチップの実装方法
JPH11289146A (ja) 複合配線材及びその製造方法
JPH06334059A (ja) 半導体搭載用基板及びその製造方法
JP3706519B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JP2748759B2 (ja) フィルムキャリアテープの製造方法
JP3293757B2 (ja) 半導体装置製造用リードフレーム組立体の製造方法
JPH07283275A (ja) ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080627

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090627

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100627

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110627

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees