JPH09306949A - 複合バンプへのテープ自動化結合方法 - Google Patents

複合バンプへのテープ自動化結合方法

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JPH09306949A
JPH09306949A JP8251605A JP25160596A JPH09306949A JP H09306949 A JPH09306949 A JP H09306949A JP 8251605 A JP8251605 A JP 8251605A JP 25160596 A JP25160596 A JP 25160596A JP H09306949 A JPH09306949 A JP H09306949A
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chromium
chip
metal
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English (en)
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Shyh-Ming Chang
世 明 張
Gensei Ka
玄 政 何
Yu-Chi Lee
育 奇 李
振 煌 ▲鄭▼
Shinko Tei
Pao-Yun Tang
▲宝▼ 雲 湯
素 玉 ▲はん▼
Sogyoku Han
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Industrial Technology Research Institute ITRI
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複合バンプへのテープ自動化結合方法(TA
B)の提供。 【解決手段】 集積回路チップ上の接点複合バンプにリ
ードフレームテープ中のフィンガーリードを結合させる
テープ自動化結合方法。複合バンプ70は、ポリマー材
と少なくとも1種の金属材とからなり、ポリマー層74
は金属層78より剛性が低い(ヤング率が低い)。結果
として、剛性の金属層によりしばしばもたらされる結合
工程中の構造的損傷の発生が減ずる。TAB方法は、全
てが金属製のリードフレーム、金属メッキされたリード
フレーム又はポリマー強化金属リードフレームのいずれ
かを用いて実施できる。ICチップ上に構成されたポリ
マー/金属複合バンプは、熱的結合体で結合されたとき
よりも小さい力で結合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は一般に集積回路(I
C)チップをリードフレームテープに結合する方法に関
し、さらに詳しくは、複合バンプを備えた集積回路チッ
プをリードフレームテープに結合する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近の数年間に、集積回路チップのパッ
ケージングに自動化テープ結合プロセスを用いる技術が
開発されている。集積回路チップのパッケージングに用
いる他のリードフレームワイヤ結合方法の代わりに、こ
の技術が用いられる。
【0003】テープ結合プロセスでは、集積回路チップ
を通常0.5mm未満の厚さであるホイル型リードフレ
ームに直接結合させる。この技術はテープ自動化結合又
はTABとも呼ばれる。TABプロセスでは、裸の銅、
金メッキ若しくはスズメッキした銅又は銅/プラスチッ
ク積層テープを、集積回路チップのアルミニウム結合パ
ッド上の金メッキバンプに対応する位置においてそれに
リードをエッチングすることによって用意する。次に、
このテープを、サーモード(thermode)(すなわち、チッ
プとテープとを一緒に加圧する高温機器(heated instru
ment))を備えた装置である内部リード結合装置に供給
する。リードの内部末端を集積回路チップ上のバンプ
に、高温サーモード下でそれらを加圧することによっ
て、単一操作で結合させる。この集積回路チップと結合
したリードとを次に、回路板に接続するために、テープ
から切断することができる。
【0004】図1に示すように、一定長さの銅テープ1
0を内部リード結合装置中のサーモード12とアンビル
14との間に入れる。集積回路チップ16を供給し、金
先端付き(gold tipped)又ははんだ先端付き接点バンプ
20と共にアンビル14の平たい頂部18上に配置す
る。接点バンプ20は上向きである。電気抵抗加熱コイ
ルを用いて、内部リード結合装置のサーモード12を加
熱する。このプロセスに用いられる適当な銅テープはM
innesota Mining and Manuf
acturing Co.によって供給される2オンス
重量の0.0028インチ厚さの非メッキ銅である。金
メッキ又はスズメッキした銅テープ又は銅/プラスチッ
ク積層テープも使用可能である。
【0005】慣習的なテープ自動化結合方法では、接点
バンプ20は最初にアルミニウムパッドを約1200μ
m高さまでに積み上げることによって形成される。次
に、このアルミニウムバンプをチタンとタングステン合
金とのスパッタード(sputtered)層で被覆する。各層は
約200〜300μm厚さであり、約500μmの複合
厚さを有する。次に、金の約400μmの薄い層を接点
バンプの頂部にスパッターする。最終の加工工程では、
厚さ0.001インチ(又は25,400μm)の金層
をスパッタード金層の頂部にメッキする。
【0006】次に、サーモード12を下げて、テープ1
0と集積回路チップ16とに接触させる。図2は閉鎖状
態のサーモード12を示し、テープ10中のエッチング
されたフィンガーリード24がサーモード表面26とア
ンビル表面18との間で金先端付き又ははんだ先端付き
バンプ20に押圧される。通常用いられる時間、温度及
び結合圧力は、それぞれ、0.8秒、525℃及び20
0g/バンプである。しかし、結合圧力を加熱コイル2
2からの熱インプットと、各特定の結合プロセスに望ま
しい時間とに基づいて調節することができることを理解
すべきである。
【0007】金メッキしたアルミニウムバンプを用いる
慣習的なTAB方法では、金属の高い剛性がICチップ
とリードフレームとの間で高い結合力を必要とする。こ
の高い結合力はバンプの基部(base)においてチップにし
ばしば亀裂形成を惹起する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】それ故、先行技術方法
の欠点と短所を有さない、リードフレームをICチップ
に結合させるTAB結合方法を提供することが、本発明
の目的である。
【0009】低下した剛性を有するICチップ上のバン
プにリードフレームを結合させるTAB結合方法を提供
することが、本発明の別の目的である。
【0010】バンプが複合材料から構成される、ICチ
ップ上のバンプにリードフレームを結合させるTAB方
法を提供することが、本発明の他の目的である。
【0011】ポリマー/金属複合体から構成される、I
Cチップ上のバンプにリードフレームを結合させるTA
B結合方法を提供することが、本発明のさらに他の目的
である。
【0012】チップに亀裂形成を惹起することなく、I
Cチップ上の複合バンプにリードフレームを結合させる
TAB結合方法を提供することが、本発明のさらに他の
目的である。
【0013】結合プロセス中に構造損傷を生じることな
く、ICチップ上の複合バンプにリードフレームを結合
させるTAB結合方法を提供することが、本発明のさら
に他の目的である。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明によると、テープ
自動化結合方法は、複合バンプを備えた集積回路をリー
ドフレーム中に存在するフィンガーリードに結合させ
る。該複合バンプはポリマー材料と金属材料とから構成
される。複合バンプのポリマー成分は金属に比べて低い
剛性を有する。
【0015】好ましい実施態様では、本発明の方法は、
頂部に積層したポリマー強化材を有する金属リードフレ
ームを集積回路チップ上の複合バンプに結合させること
によって実施される。ICチップの上面層に最初に金属
パッドを形成し、次に、金属に基づく層を金属パッド層
の頂部に付着させ、この層と電気的に連通させることに
よって、複合バンプが構成される。この金属に基づく層
の頂部にポリマー層をコーティングした後に、フォトレ
ジスタント(photoresistant)層をコーティングして、露
光させ、現像して、このフォトレジスタント層が複合バ
ンプの形成に必要なポリマー部分のみを被覆するように
する。次に、複合バンプのためのポリマースタンプを残
すように、ポリマー層をエッチングし、その後に、フォ
トレジストを除去する。次に、第2金属層をこのポリマ
ースタンプの頂部と第1金属層とに付着させる。第2フ
ォトレジスト、露光及び現像プロセスによって、金属層
をエッチングして、複合バンプを形成するために必要な
金属のみをポリマースタンプの頂部に残す。その後に、
第2金属層の頂部上のフォトレジスト層を除去すると、
2つの金属層の間に挟まれたポリマースタンプを有し、
金属パッド上に形成された複合バンプが得られる。
【0016】代替え実施態様では、金属テープの底部に
積層したポリマー強化層を有するか又は、ポリマー層に
開孔を有さずに金属層の頂部に積層した連続ポリマー層
を有するリードフレームテープを形成する。第1代替え
実施態様はスペース節約と言う利点を有し、強化ポリマ
ーテープは金属テープの頂部にスペースを取らない。第
2代替え実施態様は、連続ポリマー強化層のために結合
温度が限定されるとしても、I/Oパッドを任意の位置
に配置することができると言う利点を有する。
【0017】本発明はさらに、TABプロセスで金属リ
ードフレームに結合される集積回路チップに関し、この
チップでは複合バンプがチップ上で用いられて、構造の
損傷なしにチップを形成する。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の他の目的、特徴及び利点
は、以下の記載と添付図面とを検討するならば、明らか
になるであろう。
【0019】本発明は、金属/ポリマー複合バンプを備
える集積回路チップに種々な構造のリードフレームを結
合させることができる、新規なテープ自動化結合方法を
提供する。複合バンプのポリマー成分は金属成分に比べ
て実質的に低い剛性を有するので、リードフレーム中の
フィンガーリードに加熱及び加圧下で結合させるとき
に、小さい結合力を要する。例えば、リードフレームに
全ての金属バンプを結合させる際にしばしば見られるバ
ンプの基部におけるICチップの亀裂形成のような、加
工の困難さを回避することができる。
【0020】複合バンプのポリマー成分はポリイミド、
ポリエステル、エポキシ又は任意の他の適当なポリマー
材料のような、種々なポリマー材料から構成することが
できる。複合バンプの金属成分のためには、例えばアル
ミニウム、銅、ニッケル、銀、タングステン、白金、パ
ラジウム及び金のような、種々な金属材料を用いること
ができる。複合バンプの頂部には、酸化を防止するため
に、金又はスズの被覆層がしばしば用いられる。
【0021】最初に、図3〜図13では、好ましい実施
態様と代替え実施態様との両方における複合バンプの製
造工程を示す。図3では、集積回路チップ40を基板4
2上に形成する。不動態化(passivation)層44と、直
径約90ミクロンのアルミニウムインプット/アウトプ
ットパッド46とを基板42上に最初に形成する。導電
性金属48を不動態化層44の頂部に、アルミニウムイ
ンプット/アウトプットパッド46に接触させて付着さ
せる。約5ミクロン〜25ミクロンの厚さを有するポリ
マー層50を金属層48上に形成する。このために適当
なポリマーは例えばOCG Microelectro
ic Materials社(アリゾナ州,テンプ)に
よってProbimide 7010又は514のコー
ドで供給されるようなポリイミドである。これは図5に
示す。
【0022】次に、フォトレジストパターン52を形成
し、露光させ、ポリマー層50上に現像する。図6と図
7に示すように、MF−319を室温において約1分間
〜約3分間用いることによって、ポリマー層50を所定
のフォトレジストパターンに合わせてエッチングする。
ポリアミドフィルムのパターン化とエッチングとは、W
ilson,Stenzenberger及びHerg
enrother編集、Blackie and So
n Ltd.発行のPolyimide,第2章(19
90)に見いだすことができる。次に、フォトレジスト
層52を図8に示すようにストリップして、約500Å
のクロム厚さと約2,000Åの金厚さとを有するクロ
ム/金複合体のような導電性金属層56をICチップ4
0の頂部に付着させる。これは図9に示す。被覆層56
は例えばアルミニウム又はニッケルのような単独金属、
例えばニッケル/金、クロム/銀、又はチタン/白金の
ような複合体であることもできる。導電性金属被覆層5
6は例えばクロム/銅/金、クロム/ニッケル/金、ク
ロム/銀/金、チタン/白金/金、チタン/パラジウム
/金又はチタン/タングステン/銀のような接着層/バ
リヤー層/導体層を含む複合体であることもできる。
【0023】次に、図10に示すようなフォトレジスト
62のパターン層を導電性金属層56上に形成する。そ
の後に、導電性金属層56をフォトレジスト62のパタ
ーンに合わせて、図11に示すようにエッチングする。
次に、フォトレジスト層62をストリップすると(図1
2)、複合バンプ66がICチップ40上に形成され
る。クロム/金導電性金属層に対して、クロム層を約
8.5μm/分の速度でエッチングするためにCl(S
42・2(NH42SO4・2H2O(1g)+HNO
3(5ml)+H2O(25ml)を28℃において用い
ることによって、適当なエッチングを実施することがで
きることが判明している。金層は、室温において約0.
5〜1ミクロン/分の速度でのKI(4g)+I2(1
g)+H2O(40ml)によってエッチングすること
ができる。図10に示すアルミニウム層48はH3
4:CH3COOH:HNO3:H2O(4:4:1:1
の比)を室温においてかつ約35μm/分のエッチング
速度で用いることによってエッチングすることができ
る。
【0024】本発明の複合バンプの代替え実施態様は図
13に示すように構成することができ、ICチップ70
が基板72上に形成される。この実施態様では、図4に
示す第1金属層48が省略されることが認められる。ポ
リマースタンプ74はアルミニウムI/Oパッド76に
直接付着する。第2金属層78の加工工程は上記好まし
い実施態様に示す工程と同じである。
【0025】次に、図14では、2個の複合バンプ82
と84を有するICチップ80を示す。チップ80は基
板86上に形成される。図14では、2個の金属層88
と90を有する好ましい実施態様が示されることを注意
すべきである。バンプ84と82とのポリマースタンプ
92は、ポリマー(すなわち、ポリアミド)が金属層に
比べて小さい剛性(又は小さいヤング率)を有するの
で、クッション層(cushioning layer)を形成する。
【0026】図15に示す好ましい実施態様では、金属
層102とポリマー強化層104とから構成されるリー
ドフレーム100が形成される。図1に示すような熱結
合器(thermal bonder)中に、リードフレーム100と複
合バンプ82、84とに圧力と熱とを加えることができ
るように、リードフレーム100とICチップ80とを
配置する。この実施態様によって与えられる利益は、内
部リード結合(ILB)プロセスが500℃までの高い
結合温度を示すことができることである。しかし、この
プロセスはICチップの周縁のみにしかI/Oパッドを
結合させることができないと言う欠点を有する。
【0027】リードフレームとICチップとを一緒に結
合するための本発明のTAB方法の代替え実施態様を図
16に示す。リードフレーム110は金属層112とポ
リマー強化層114とから構成される。ポリマー層は金
属層の底部に積層される。この実施態様は、ポリマー層
114が金属層112の頂部にスペースを占めないの
で、加工中にあまりスペースを要しないと言う利点を有
する。
【0028】図17に示す、さらに他の代替え実施態様
では、リードフレーム120は金属層122と、この金
属層の頂部に積層された連続ポリマー強化層124とか
ら構成される。この実施態様は、I/Oパッドがチップ
80上の任意の位置に結合することができるような、広
範囲に多様な(more versatile)結合方法を提供する。こ
の実施態様は、連続ポリマー層124によって限定され
た放熱が可能であるために、低い結合温度を用いるべき
であると言う1つの限定を有する。200℃〜約500
℃の範囲内の結合温度が使用可能である。
【0029】本発明を好ましい実施態様とその代替え実
施態様とに関して説明したが、当業者がこれらの教示を
本発明の他の可能な変更に容易に適用することができる
ことを理解すべきである。
【0030】排他的性質と特権とが特許請求される、本
発明の実施態様は特許請求の範囲で定義される。
【図面の簡単な説明】
【図1】結合プロセス前にサーモード下に配置された、
金属リードフレームと集積回路チップとを示す概略図。
【図2】サーモード中で一緒に加圧される、金属リード
フレームと集積回路チップとを示す概略図。
【図3】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図4】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図5】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図6】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図7】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図8】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図9】ICチップ上に複合バンプを結合させるために
必要な加工工程の拡大断面図。
【図10】ICチップ上に複合バンプを結合させるため
に必要な加工工程の拡大断面図。
【図11】ICチップ上に複合バンプを結合させるため
に必要な加工工程の拡大断面図。
【図12】ICチップ上に複合バンプを結合させるため
に必要な加工工程の拡大断面図。
【図13】ICチップ上に複合バンプを結合させるため
に必要な加工工程の拡大断面図。
【図14】本発明の複合バンプの構造を示す拡大断面
図。
【図15】頂部に積層されたポリマー強化層を有するテ
ープキャリヤーをICチップ上の複合バンプに結合させ
る、本発明の好ましい実施態様を示す拡大断面図。
【図16】頂部に積層されたポリマー強化層を有するテ
ープキャリヤーをICチップ上の複合バンプに結合させ
る、本発明の代替え実施態様を示す拡大断面図。
【図17】ICチップ上の複合バンプに結合した、頂部
に積層された連続ポリマー強化層を有するテープキャリ
ヤーを示す、本発明の他の代替え実施態様の拡大断面
図。
【符号の説明】
10. 一定長さの銅テープ 12. サーモード 14. アンビル 16. 集積回路チップ 18. 平らな頂部 20. 接点バンプ 22. 電気抵抗加熱コイル 40. 集積回路チップ 42. 基板 44. 不動態化層 46. インプット/アウトプットパッド 48. 金属層 50. ポリマー層 52. フォトレジストパターン 56. 導電性金属層 66. 複合バンプ 70. ICチップ 72. 基板 76. I/Oパッド 78. 第2金属層 80. ICチップ 82. 複合バンプ 84. 複合バンプ 88. 金属層 90. 金属層 92. ポリマースタンプ 100. リードフレーム 102. 金属層 104. ポリマー強化層 110. リードフレーム 112. 金属層 114. ポリマー強化層 120. リードフレーム 122. 金属層 124. 連続ポリマー強化層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯 ▲宝▼ 雲 台湾新竹市明湖路1050巷20號4樓 (72)発明者 ▲はん▼ 素 玉 台湾新竹市建功一路104巷20之51號

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路チップ上の接点バンプにリード
    フレームテープ中のフィンガーリードを結合させるテー
    プ自動化結合方法であって、 テープにエッチングされた複数個のフィンガーリードを
    有する、一定長さのリードフレームテープを用意する工
    程と;チップの上面に作られた、ポリマー材料の少なく
    とも1層と金属材料の少なくとも1層とから成り、前記
    ポリマー材料の剛性が前記金属材料の剛性よりも低い複
    数個の接点バンプを有する集積回路チップを形成する工
    程と;前記リードフレームテープ中の複数個の前記フィ
    ンガーリードを前記ICチップ上の複数個の前記接点バ
    ンプに結合させる工程とを含む前記方法。
  2. 【請求項2】 前記接点バンプに面する複数個の前記フ
    ィンガーリードの先端が金属はんだ材料で被覆される、
    請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 少なくとも1種類の前記ポリマー材料が
    ポリイミド、ポリエステル、エポキシ及び任意の他の適
    当なポリマーから成る群から選択される、請求項1記載
    の方法。
  4. 【請求項4】 少なくとも1種類の前記金属材料がアル
    ミニウム、ニッケル、クロム、チタン及びタングステン
    から成る群から選択される、請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 金属材料の前記少なくとも1層がクロム
    /金、ニッケル/金、クロム/銀及びチタン/白金から
    成る群から選択される、請求項1記載の方法。
  6. 【請求項6】 金属材料の前記少なくとも1層がクロム
    /銅/金、クロム/ニッケル/金、クロム/銀/金、チ
    タン/白金/金及びチタン/パラジウム/金から成る群
    から選択される、請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記金層に隣接するはんだ層をさらに含
    む、請求項6記載の方法。
  8. 【請求項8】 金属材料の前記少なくとも1層が、それ
    らの間に挟まれたポリマー材料と電気的に連通する2層
    の金属を含む、請求項1記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記ポリマー材料の低い剛性が、複数個
    の前記フィンガーリードと複数個の接点バンプとの結合
    に低い結合力を用いることを可能にする、請求項1記載
    の方法。
  10. 【請求項10】 前記結合工程を少なくとも200℃の
    温度に加熱したサーモードにおいて実施する、請求項1
    記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記結合工程を熱と超音波のエネルギ
    ーによって実施する、請求項1記載の方法。
  12. 【請求項12】 前記リードフレームテープが、一緒に
    ラミネートされた銅層とポリマー強化層を含む、請求項
    1記載の方法。
  13. 【請求項13】 それにエッチングされた複数個のフィ
    ンガーリードを有する一定長さのリードフレームと;上
    面に複数個のインプット/アウトプットパッドを有する
    集積回路チップと;前記リードフレーム中の複数個の前
    記フィンガーリードを前記チップ上の複数個の前記イン
    プット/アウトプットパッドに電気的に接続する、ポリ
    マー材料の少なくとも1層と金属材料の少なくとも1層
    とから成る複数個の接点バンプとを含む結合集積回路チ
    ップ構造体。
  14. 【請求項14】 前記接点バンプが金属はんだ層をさら
    に含む、請求項13記載の構造体。
  15. 【請求項15】 少なくとも1種類の前記ポリマー材料
    が少なくとも1種類の前記金属材料よりも低い剛性を有
    する、請求項13記載の構造体。
  16. 【請求項16】 金属材料の前記少なくとも1層が、そ
    れらの間に挟まれたポリマー材料と電気的に連通する2
    層の金属を含む、請求項13記載の構造体。
  17. 【請求項17】 少なくとも1種類の前記ポリマー材料
    がポリイミド、ポリエステル、エポキシ及び任意の他の
    適当なポリマーから成る群から選択される、請求項13
    記載の構造体。
  18. 【請求項18】 金属材料の前記少なくとも1層がアル
    ミニウム、ニッケル、クロム、チタン及びタングステン
    から成る群から選択される、請求項13記載の構造体。
  19. 【請求項19】 金属材料の前記少なくとも1層がクロ
    ム/金、ニッケル/金、クロム/銀及びチタン/白金か
    ら成る群から選択される、請求項13記載の構造体。
  20. 【請求項20】 金属材料の前記少なくとも1層がクロ
    ム/銅/金、クロム/ニッケル/金、クロム/銀/金、
    チタン/白金/金及びチタン/パラジウム/金から成る
    群から選択される、請求項13記載の構造体。
JP8251605A 1996-04-03 1996-09-24 複合バンプへのテープ自動化結合方法 Pending JPH09306949A (ja)

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