JPH01112741A - 集積回路の接続方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、集積回路を回路基板に接続する集積回路の接
続方法に関するものである。

（従来の技術） 従来より集積回路の接続には種々の方法が開発されてい
るが、特に転写バンプ法として、特開昭５９−２０２６
４３号公報に示されているものがある。これは接続バン
プが設けられているＬＳＩ、封止樹脂フィルムを用いる
もので、このフィルムの作成に際して先ずポリエステル
フィルム上にアルミニウム膜をラミネートし、このアル
ミニウム膜上にポリイミド等の樹脂フィルムを被覆し、
この樹脂フィルムに適当な方法でバンプ形成用穴をあけ
る。この穴にメッキによってニッケル等のバンプを形成
する。その後ポリエステルフィルムを機械的に剥がし、
ついでアルミニウム膜をエツチング法により除去する。

このようにしてバンプを釘する封止樹脂フィルムを製造
する。そしてＬＳＩの電極と、封止樹脂フィルムのバン
プと、基数上の接続端子との位置合わせをして接続する
ものである。

（発明が解決しようとする問題点） 上記した従来技術では′、ＬＳＩ封止樹脂フィルムを製
造するのにポリエステルフィルム、アルミニウム膜、ポ
リイミドフィルム等３層のラミネート工程が必要で、当
然ながら接着剤塗布工程も必要で工程が複雑である。ポ
リイミドフィルムにはバンプ形成用穴が適当な方法であ
けられるのであるが、これは高精度な位置出しを必要と
するのでコストの上昇を招き、しかもこのポリイミドフ
ィルムはその都度消費されるので高コストである。

さらにアルミニウム膜は１回毎にエツチング法により除
去されるので、再度の使用ができず、しかもこのエツチ
ング工程がさらに必要である。このように全体として工
程数が多く複雑であり、高精度な作業が必要で、量産性
に劣るものであり、ポリイミドフィルムやアルミニウム
膜の再利用が不可能なため製造コストが極めて高くなる
などの問題がある。

そこで本発明の目的は、バンプ付きフィルムの製造工程
を簡単にして低コスト化を達成し、量産性および信頼性
を向上させる集積回路の接続方法を提供することにある
。

（問題点を解決するための手段） 本発明の特徴は、−旦高精度に形成されたマスターマス
クをバンプ付きフィルムの形成に繰返し使用するところ
にある。すなわち導電体の上面に集積回路のパッドに対
向する位置に孔部を有するメッキ用マスクを設けてなる
マスターマスクを形成し、このマスターマスクの孔部に
電気メッキによってバンプを形成し、マスターマスクの
上面に上記バンプを保持するバインダとして作用する樹
脂被膜を形成し、バンプおよび樹脂被膜をマスターマス
クから剥離させてバンプ付きフィルムを形成し、このバ
ンプ付きフィルムを集積回路と回路基板との間に位置合
せして挾持して接合するところにある。

（実施例） 本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

まずマスターマスク１を形成するには、第１図示のよう
に、セラミック、耐熱ガラスなど耐熱性が良くて熱膨張
係数の小さい材料で作られた絶縁性基板１１の上面に、
スパッタリングによって金属、金属酸化物などの導電体
１２が形成される。

この導電体にはバンプが剥がれやすい材料が用いられる
もので、バンプとして金がメッキされる際には、例えば
プラチナ、ニッケル、銅などで形成される。導電体１２
の上面には、メッキ用マスク１３がスパッタリングまた
はキャスティングによって形成される。メッキ用マスク
１３はポリイミド樹脂あるいは酸化ケイ素など、その上
に形成されるバンプ付きフィルム２の剥離性が良く、ピ
ンホールの少ない材料で形成される。メッキ用マスク１
３には集積回路のパッドに対向する位置に、エツチング
等によって孔部１４・・・が高精度に設けられる。また
マスターマスク１の上面には、フィルムの剥離を容易に
するための剥離用のテフロンコーティングを施してもよ
い。

バンプ付きフィルム２をこのマスターマスク１で形成す
るには、第２図示のようにマスターマスクの孔部１４・
・・に電気メッキ法によって金などのバンプ２１・・・
を盛り上げ状態に形成する。ついでマスターマスク１の
メッキ用マスク１３の上面に樹脂被膜２２を形成する。

この樹脂被膜２２はバンプ２１を保持するバインダとし
て作用するもので、その材料としては、バンプ２１を金
で形成する場合には、ポリイミド樹脂など耐熱性の優れ
たものが望ましく、その形成方法はキャスティング。

ロールコータ−、スピンナー等の種々の手段が適用可能
である。この他にもバンプをハンダで形成する場合には
、耐熱性は劣るが、エポキシ系、ポリエステル系などの
樹脂被膜などを用いて形成してもよい。樹脂被膜２２の
厚さはバンプ２１のバインダとして作用すればよいので
、バンプ２１の高さとほぼ同じ程度あるいはバンプ２１
の頂部が露出する程度すなわち２５〜５０ミクロン程度
でよい。また、−度樹脂を厚めに形成した後、表面を薄
く削り、各々のバンプを強制的に露出させてもよい。つ
いで樹脂被膜２２をバンプ２１と共にマスターマスク１
から剥離させ、バンプ付きフィルム２を形成する。マス
ターマスク１にテフロンコーティングを施しである場合
にはこの剥離は一層容易となる。

マスターマスク１から剥離したバンプ付きフィルム２は
、バンプ２１・・・の位置が第３図示のように集積回路
３の接続用パッド３ａ・・・に対向し、また回路基板４
の上面に形成されている配線パターン４ａ、４ｂに対向
するように位置合わせした後で、熱圧着、超音波接合あ
るいはサーモンニツク接合技術等によって接合し、集積
回路３を回路基板４に接続する。なお集積回路３の下面
にはパッド３ａ・・・を除く部分に保護膜３ｂが形成し
である。

さらにバンプ付きフィルム２をマスターマスク１から剥
離する際には、樹脂被膜２２が半硬化状態とすることが
望ましい。この半硬化状態のバンプ付きフィルム２を集
積回路３と回路基板４との間に挾持して接合することに
より、接合後は完全硬化状態となり、接続部の封止作用
とともに集積回路を回路基板に接続する作用を果す。

（発明の効果） 以上に説明したように本発明では、高精度に形成された
マスターマスクを繰り返し使用してバンプ付きフィルム
を形成することができるので、コストの低減を達成でき
、工程数が減少し作業が簡略化できる。しかも高精度の
マスターマスクを使用するので高精度なバンプ付きフィ
ルムが形成でき、接続の信頼性を増大できる。さらに樹
脂被膜が半硬化状態で接合されることにより、確実に接
着され、その接続部の封止状態が向上する。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の詳細な説明するもので、第１図はマスタ
ーマスクの形成工程、第２図はバンプ付きフィルムの形
成工程、第３図は集積回路と回路基板との接合工程を示
す断面図である。 １・・・マスターマスク、 １２・・・導電体、 １３昏・・メッキ用マスク、 １４・・・孔部、 ２−・Φバンプ付きフィルム、 ２１・・・バンプ、　２２・・・樹脂被膜、３・・・集
積回路、　３ａ・・・パッド、４・・・回路基板。 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電体の上面に集積回路のパッドに対向する位置に
   孔部を有するメッキ用マスクを設けてなるマスターマス
   クを形成し、 上記マスターマスクの孔部に電気メッキによってバンプ
   を形成し、 上記マスターマスクの上面に上記バンプを保持するバイ
   ンダとして作用する樹脂被膜を形成し、上記バンプおよ
   び上記樹脂被膜を上記マスターマスクから剥離させてバ
   ンプ付きフィルムを形成し、 上記バンプ付きフィルムを集積回路と回路基板との間に
   位置合せして挾持して接合する ことを特徴とする集積回路の接続方法。 ２、上記特許請求の範囲第１項において、バンプ付きフ
   ィルムの剥離は、樹脂被膜が半硬化状態で行われること
   を特徴とする集積回路の接続方法。