JPH09148378A - Ｉｃカード用ｉｃモジュールとその製造方法および当該ｉｃモジュールを使用したｉｃカード - Google Patents
Ｉｃカード用ｉｃモジュールとその製造方法および当該ｉｃモジュールを使用したｉｃカードInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異方導電性接着フィルムを使用したフェイス
ダウン方式のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいてＩＣ
チップとプリント基板の接着性および密着性の優れたＩ
Ｃモジュールとその製造方法および当該ＩＣモジュール
を使用したＩＣカードを提供する。 【解決手段】 ＩＣチップに形成するバンプ部の厚みを
α、プリント基板の配線パターン層の厚みをβ、使用す
る異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした場合に、
γ≧α＋β の関係となるように、α、β、γの値を決
定することにより、接着性、密着性に優れたＩＣモジュ
ールを得ることができ、当該ＩＣモジュールをＩＣカー
ドに装着することにより信頼性の高いＩＣカードを得る
ことができる。
ダウン方式のＩＣカード用ＩＣモジュールにおいてＩＣ
チップとプリント基板の接着性および密着性の優れたＩ
Ｃモジュールとその製造方法および当該ＩＣモジュール
を使用したＩＣカードを提供する。 【解決手段】 ＩＣチップに形成するバンプ部の厚みを
α、プリント基板の配線パターン層の厚みをβ、使用す
る異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした場合に、
γ≧α＋β の関係となるように、α、β、γの値を決
定することにより、接着性、密着性に優れたＩＣモジュ
ールを得ることができ、当該ＩＣモジュールをＩＣカー
ドに装着することにより信頼性の高いＩＣカードを得る
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣカードに異
方導電性接着フィルム（ＡＣＦ）を用いたＩＣモジュー
ルとその製造方法およびそれを用いたＩＣカードに関す
る発明である。とくに、ＩＣモジュール作製の際使用す
る、ＡＣＦの厚みを規定することによりＩＣチップとプ
リント基板との接着性および密着性の向上を図ることを
目的とする内容に係るものである。
方導電性接着フィルム（ＡＣＦ）を用いたＩＣモジュー
ルとその製造方法およびそれを用いたＩＣカードに関す
る発明である。とくに、ＩＣモジュール作製の際使用す
る、ＡＣＦの厚みを規定することによりＩＣチップとプ
リント基板との接着性および密着性の向上を図ることを
目的とする内容に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のＩＣカード等に装着され
ているＩＣモジュールの一例の構成を示す断面図であ
る。ＩＣモジュール１０は、プリント基板１１と、プリ
ント基板１１上に搭載されたＩＣチップ１２とを有す
る。プリント基板１１の一方の面上（図中上面）には、
外部接続端子部１３が設けられている。外部接続端子部
１３は、銅箔からなる素地１３ｃに、ニッケルめっき層
１３ｂ、金めっき層１３ａが施されて構成されている。
プリント基板１１の他方の面上には、外部接続端子部１
３と同様の層構成からなる配線パターン層１６が設けら
れている。外部接続端子部１３と配線パターン層１６と
は、スルーホール１７を介して電気的に接続されてい
る。プリント基板１１の配線パターン層１６側には、Ｉ
Ｃチップ１２が接着剤層１８により接着されている。Ｉ
Ｃチップ１２と配線パターン層１６とは、例えば直径約
２５μｍの金、アルミニウム等からなるボンディングワ
イヤ１９により電気的に接続されている。ＩＣチップ１
２の上部は、ボンディングワイヤ１９を含めて封止樹脂
２０により被覆されている。以上のように構成されたＩ
Ｃモジュール１０は、ＩＣチップ１２をプリント基板
（Ｂｏａｒｄ）１１上にマウントすることから、ＣＯＢ
（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）と呼ばれている。特
に、上記のようにＩＣチップのフェイスがプリント基板
の反対面に向いている場合をフェイスアップ方式による
ＩＣモジュールと呼んでいる。
ているＩＣモジュールの一例の構成を示す断面図であ
る。ＩＣモジュール１０は、プリント基板１１と、プリ
ント基板１１上に搭載されたＩＣチップ１２とを有す
る。プリント基板１１の一方の面上（図中上面）には、
外部接続端子部１３が設けられている。外部接続端子部
１３は、銅箔からなる素地１３ｃに、ニッケルめっき層
１３ｂ、金めっき層１３ａが施されて構成されている。
プリント基板１１の他方の面上には、外部接続端子部１
３と同様の層構成からなる配線パターン層１６が設けら
れている。外部接続端子部１３と配線パターン層１６と
は、スルーホール１７を介して電気的に接続されてい
る。プリント基板１１の配線パターン層１６側には、Ｉ
Ｃチップ１２が接着剤層１８により接着されている。Ｉ
Ｃチップ１２と配線パターン層１６とは、例えば直径約
２５μｍの金、アルミニウム等からなるボンディングワ
イヤ１９により電気的に接続されている。ＩＣチップ１
２の上部は、ボンディングワイヤ１９を含めて封止樹脂
２０により被覆されている。以上のように構成されたＩ
Ｃモジュール１０は、ＩＣチップ１２をプリント基板
（Ｂｏａｒｄ）１１上にマウントすることから、ＣＯＢ
（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）と呼ばれている。特
に、上記のようにＩＣチップのフェイスがプリント基板
の反対面に向いている場合をフェイスアップ方式による
ＩＣモジュールと呼んでいる。
【０００３】ここで、カード基材は、厚みが０．７６ｍ
ｍに形成された塩化ビニル（ＰＶＣ）などの絶縁性の合
成樹脂積層体が選択されることが多い。この表面にざぐ
り等により凹部が形成され、この凹部に上述のＩＣモジ
ュール１０を埋設し装着することによりＩＣカードが得
られる。
ｍに形成された塩化ビニル（ＰＶＣ）などの絶縁性の合
成樹脂積層体が選択されることが多い。この表面にざぐ
り等により凹部が形成され、この凹部に上述のＩＣモジ
ュール１０を埋設し装着することによりＩＣカードが得
られる。
【０００４】しかし、前述の従来のＩＣモジュールで
は、ＩＣチップ１２とプリント基板１１とが極めて直径
の小さいボンディングワイヤ１９で複数箇所接続されて
いる構造であるため、ＩＣモジュール１０又はＩＣカー
ドに過負荷がかかると、ボンディングワイヤ１９が断線
してしまうおそれがあるという問題がある。また、ボン
ディングワイヤ１９の全てを封止樹脂２０により被覆す
るため、ワイヤ１９がＩＣチップ１２の上面部から突出
している分だけ、封止樹脂２０の厚みを厚くしなければ
ならず、ＩＣモジュール１０の薄型化を図る上での妨げ
となるという問題がある。さらに、ＩＣチップ１２およ
びボンディングワイヤ１９の全体を封止樹脂２０により
被覆するため、封止樹脂２０の面積が大きくなり、クラ
ック等が生じやすくなるという問題がある。
は、ＩＣチップ１２とプリント基板１１とが極めて直径
の小さいボンディングワイヤ１９で複数箇所接続されて
いる構造であるため、ＩＣモジュール１０又はＩＣカー
ドに過負荷がかかると、ボンディングワイヤ１９が断線
してしまうおそれがあるという問題がある。また、ボン
ディングワイヤ１９の全てを封止樹脂２０により被覆す
るため、ワイヤ１９がＩＣチップ１２の上面部から突出
している分だけ、封止樹脂２０の厚みを厚くしなければ
ならず、ＩＣモジュール１０の薄型化を図る上での妨げ
となるという問題がある。さらに、ＩＣチップ１２およ
びボンディングワイヤ１９の全体を封止樹脂２０により
被覆するため、封止樹脂２０の面積が大きくなり、クラ
ック等が生じやすくなるという問題がある。
【０００５】上述の問題を解決するため、本願出願人に
よりなされた先の出願（特願平６−１７５０４５号）で
は、ＩＣチップと電子回路基板とを導電性接着部材によ
り電気的に接続する方法が提案されている。この方式
は、図３に図示されるように、ＩＣチップ１２のフェイ
ス側がプリント基板１１側を向いているフェイスダウン
方式を採用するものであって、外部接続端子側に硬質金
めっき等の外部接続端子用めっきを、ＩＣチップボンデ
ィング面に銅、金等のＩＣチップボンディング用めっき
を施した端子基板上に、ボンディングのためのバンプ１
４が形成されたＩＣチップ１２をボンディングするもの
である。バンプ１４は各端子と熱融着あるいは超音波融
着により配線パターン層に固着するための凸部が形成さ
れていて配線パターン層１６と接続されるのが従来の方
法である。しかし、先に掲げた本願出願人による出願で
は、この接続を異方導電性接着フィルムで行うことが提
案されている。この方式によるＩＣモジュールでは、ワ
イヤによるボンディングの必要がないため、ワイヤの断
線による事故が生じないという利点がある。図３はこの
ように、異方導電性接着フィルムを使用したＩＣモジュ
ールの例を示す図である。
よりなされた先の出願（特願平６−１７５０４５号）で
は、ＩＣチップと電子回路基板とを導電性接着部材によ
り電気的に接続する方法が提案されている。この方式
は、図３に図示されるように、ＩＣチップ１２のフェイ
ス側がプリント基板１１側を向いているフェイスダウン
方式を採用するものであって、外部接続端子側に硬質金
めっき等の外部接続端子用めっきを、ＩＣチップボンデ
ィング面に銅、金等のＩＣチップボンディング用めっき
を施した端子基板上に、ボンディングのためのバンプ１
４が形成されたＩＣチップ１２をボンディングするもの
である。バンプ１４は各端子と熱融着あるいは超音波融
着により配線パターン層に固着するための凸部が形成さ
れていて配線パターン層１６と接続されるのが従来の方
法である。しかし、先に掲げた本願出願人による出願で
は、この接続を異方導電性接着フィルムで行うことが提
案されている。この方式によるＩＣモジュールでは、ワ
イヤによるボンディングの必要がないため、ワイヤの断
線による事故が生じないという利点がある。図３はこの
ように、異方導電性接着フィルムを使用したＩＣモジュ
ールの例を示す図である。
【０００６】ここに、異方導電性接着フィルム１５と
は、厚みが数１０μｍ程度（望ましくは３０μｍ程度）
に形成された局部的に導通可能なフィルムであり、図４
のように、接着性の樹脂層１５ａと、この樹脂層中に散
在された導電粒子１５ｂとから構成されている。接着性
の樹脂層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又は両者の
混合樹脂等により形成された層である。また、導電粒子
１５ｂは、金属被覆プラスチック粒子等から構成された
ものである。この導電性部材をＩＣチップ１２とプリン
ト基板の配線パターン層１６の間に挟んで当接し、加圧
すると図４のように、ＩＣチップに形成された凸状のバ
ンプ部分では、導電性部材が加圧されるため、ＩＣチッ
プ１２のボンディング用バンプ１４と導電粒子１５ｂ、
および導電粒子１５ｂと配線パターン層１６とが接触
し、ＩＣチップ１２のボンディングパッドと配線パター
ン層１６とが導通することになる。なお、図４では、導
通する部分の導電粒子が、２層に描かれているが、実際
には、導電粒子が多層に接触して導通するものと考えら
れる。
は、厚みが数１０μｍ程度（望ましくは３０μｍ程度）
に形成された局部的に導通可能なフィルムであり、図４
のように、接着性の樹脂層１５ａと、この樹脂層中に散
在された導電粒子１５ｂとから構成されている。接着性
の樹脂層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又は両者の
混合樹脂等により形成された層である。また、導電粒子
１５ｂは、金属被覆プラスチック粒子等から構成された
ものである。この導電性部材をＩＣチップ１２とプリン
ト基板の配線パターン層１６の間に挟んで当接し、加圧
すると図４のように、ＩＣチップに形成された凸状のバ
ンプ部分では、導電性部材が加圧されるため、ＩＣチッ
プ１２のボンディング用バンプ１４と導電粒子１５ｂ、
および導電粒子１５ｂと配線パターン層１６とが接触
し、ＩＣチップ１２のボンディングパッドと配線パター
ン層１６とが導通することになる。なお、図４では、導
通する部分の導電粒子が、２層に描かれているが、実際
には、導電粒子が多層に接触して導通するものと考えら
れる。
【０００７】従って、導電性接着フィルムは、加圧を受
けている方向に対してのみ導電性を有する異方導電性で
あるので不必要な方向に導通を生じることなく、また、
ワイヤを用いることなく接続することができる。
けている方向に対してのみ導電性を有する異方導電性で
あるので不必要な方向に導通を生じることなく、また、
ワイヤを用いることなく接続することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この異方導電性接着フ
ィルムをプリント基板に圧着する際には、配線パターン
層と反対側にセパレーターの付いた状態のフィルムをプ
リント基板の配線パターン上に仮付けし、セパレーター
が付いた状態で仮接着装置で加圧して仮接着を行う。そ
の後にセパレーターを剥離して、ＩＣチップを導電性接
着フィルム上に位置合わせして当接させ、その後に、Ｉ
Ｃチップ上から熱圧プレスして本接着を行うものであ
る。しかし、このような導電性接着フィルムはその厚さ
が厚過ぎると熱圧プレスの際にＩＣチップ部分からのは
み出しが多くなるという問題が生じる。また、一方、厚
さが薄い場合には導通は得られるが、ＩＣチップと基板
との接着性ないし密着性が低下するという問題が生じ
る。
ィルムをプリント基板に圧着する際には、配線パターン
層と反対側にセパレーターの付いた状態のフィルムをプ
リント基板の配線パターン上に仮付けし、セパレーター
が付いた状態で仮接着装置で加圧して仮接着を行う。そ
の後にセパレーターを剥離して、ＩＣチップを導電性接
着フィルム上に位置合わせして当接させ、その後に、Ｉ
Ｃチップ上から熱圧プレスして本接着を行うものであ
る。しかし、このような導電性接着フィルムはその厚さ
が厚過ぎると熱圧プレスの際にＩＣチップ部分からのは
み出しが多くなるという問題が生じる。また、一方、厚
さが薄い場合には導通は得られるが、ＩＣチップと基板
との接着性ないし密着性が低下するという問題が生じ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような導
電性接着フィルムのＩＣチップへの接着作業を確実かつ
迅速に行うために研究しなされたものである。即ち、本
発明請求項１の発明は、異方導電性接着フィルムを用い
たフェイスダウン方式のＩＣモジュールにおいて、ＩＣ
チップのバンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の厚
みをβ、使用する異方導電性接着フィルムの厚みをγ、
とした時に、γ≧α＋βの関係にあることを特徴とする
ＩＣカード用ＩＣモジュール、であり、本発明請求項２
の発明は、異方導電性接着フィルムを用いたフェイスダ
ウン方式のＩＣモジュールの製造方法において、ＩＣチ
ップのバンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の厚み
をβ、異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした時
に、γ≧α＋βの関係にある異方導電性接着フィルムを
使用してＩＣチップのバンプと配線パターン間とをボン
ディングしたことを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュ
ールの製造方法、であり、本発明請求項３の発明は、カ
ード基材と、当該カード基材に請求項１記載のＩＣカー
ド用ＩＣモジュールを装着したことを特徴とするＩＣカ
ード、を要旨とするものである。
電性接着フィルムのＩＣチップへの接着作業を確実かつ
迅速に行うために研究しなされたものである。即ち、本
発明請求項１の発明は、異方導電性接着フィルムを用い
たフェイスダウン方式のＩＣモジュールにおいて、ＩＣ
チップのバンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の厚
みをβ、使用する異方導電性接着フィルムの厚みをγ、
とした時に、γ≧α＋βの関係にあることを特徴とする
ＩＣカード用ＩＣモジュール、であり、本発明請求項２
の発明は、異方導電性接着フィルムを用いたフェイスダ
ウン方式のＩＣモジュールの製造方法において、ＩＣチ
ップのバンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の厚み
をβ、異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした時
に、γ≧α＋βの関係にある異方導電性接着フィルムを
使用してＩＣチップのバンプと配線パターン間とをボン
ディングしたことを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュ
ールの製造方法、であり、本発明請求項３の発明は、カ
ード基材と、当該カード基材に請求項１記載のＩＣカー
ド用ＩＣモジュールを装着したことを特徴とするＩＣカ
ード、を要旨とするものである。
【００１０】即ち、本発明によれば、異方導電性接着フ
ィルムの厚みやバンプ、配線パターン層の厚みの関係が
規定されているため、フィルムが薄過ぎることによるチ
ップ基板との接着や密着の不良がなく、常に適切な接着
性、密着性を得ることができるものである。チップと基
板との接着性が向上することは、ＩＣカードの曲げに対
して、ＩＣチップの基板からの剥離等の問題が解消さ
れ、密着性が向上することは、ＩＣチップと基板との間
のエアだまり、熱変形、不純物の進入等の問題が解消さ
れる効果を生じるものである。
ィルムの厚みやバンプ、配線パターン層の厚みの関係が
規定されているため、フィルムが薄過ぎることによるチ
ップ基板との接着や密着の不良がなく、常に適切な接着
性、密着性を得ることができるものである。チップと基
板との接着性が向上することは、ＩＣカードの曲げに対
して、ＩＣチップの基板からの剥離等の問題が解消さ
れ、密着性が向上することは、ＩＣチップと基板との間
のエアだまり、熱変形、不純物の進入等の問題が解消さ
れる効果を生じるものである。
【００１１】
（実施例）以下、図１、図２を参照して、本発明の実施
例について説明する。図１は、本発明によるＩＣカード
用ＩＣモジュールの製造の過程を示す図であって、ＩＣ
チップ１２と異方導電性フィルム１５およびプリント基
板１１との関係を示している。図中、αはバンプ１４の
厚み、γは使用する異方導電性接着フィルムの厚み、β
は配線パターン層の厚みを示している。なお、本発明の
実施例において、従来例と同一部分には同一符号を付
し、重複する説明は適宜省略する。プリント基板素材の
銅箔層をフォトエッチングプロセスにより、エッチング
して外部接続端子部１３のパターンおよび裏面側配線パ
ターン層１６を設けた。次いで、外部接続端子部パター
ンおよび裏面配線パターンにニッケルめっき、金めっき
を施してプリント基板を完成した。得られたプリント基
板の配線パターン層１６の厚みβは、２０μｍであっ
た。一方、ＩＣチップには、パッド部にバンプが形成さ
れないもの、即ち、パンプの厚みαが０ものと、１０、
２０、４０μｍの厚みでバンプ１４の形成されたものを
それぞれ作製し使用した。異方導電性接着フィルム１５
としては、厚さγが、３０μｍのもの（日立化成工業
（株）アニソルム）を使用した。
例について説明する。図１は、本発明によるＩＣカード
用ＩＣモジュールの製造の過程を示す図であって、ＩＣ
チップ１２と異方導電性フィルム１５およびプリント基
板１１との関係を示している。図中、αはバンプ１４の
厚み、γは使用する異方導電性接着フィルムの厚み、β
は配線パターン層の厚みを示している。なお、本発明の
実施例において、従来例と同一部分には同一符号を付
し、重複する説明は適宜省略する。プリント基板素材の
銅箔層をフォトエッチングプロセスにより、エッチング
して外部接続端子部１３のパターンおよび裏面側配線パ
ターン層１６を設けた。次いで、外部接続端子部パター
ンおよび裏面配線パターンにニッケルめっき、金めっき
を施してプリント基板を完成した。得られたプリント基
板の配線パターン層１６の厚みβは、２０μｍであっ
た。一方、ＩＣチップには、パッド部にバンプが形成さ
れないもの、即ち、パンプの厚みαが０ものと、１０、
２０、４０μｍの厚みでバンプ１４の形成されたものを
それぞれ作製し使用した。異方導電性接着フィルム１５
としては、厚さγが、３０μｍのもの（日立化成工業
（株）アニソルム）を使用した。
【００１２】次に、ＡＣＦを、図２（Ｂ）のように配線
パターン層に設けた位置決めマーク２１を見当にして、
その内側に配置されるように仮付けした（図中点線枠
内）。ＡＣＦを仮接着装置により熱圧着して十分に固定
後、ＡＣＦのＩＣチップ側のセパレータを剥離してか
ら、ＩＣチップのバンプ部分と配線パターンの位置を合
わせて当接させ、加熱、加圧して本接着を行った。次
に、このように異方導電性フィルムで本接着されたＩＣ
チップ部および配線パターン部を封止樹脂２０を用いて
固定、被覆して、４種のＩＣモジュールが完成した。
パターン層に設けた位置決めマーク２１を見当にして、
その内側に配置されるように仮付けした（図中点線枠
内）。ＡＣＦを仮接着装置により熱圧着して十分に固定
後、ＡＣＦのＩＣチップ側のセパレータを剥離してか
ら、ＩＣチップのバンプ部分と配線パターンの位置を合
わせて当接させ、加熱、加圧して本接着を行った。次
に、このように異方導電性フィルムで本接着されたＩＣ
チップ部および配線パターン部を封止樹脂２０を用いて
固定、被覆して、４種のＩＣモジュールが完成した。
【００１３】このようにして得られたＩＣチップのそれ
ぞれを、０．７６ｍｍに積層して形成されたＩＣカード
基材をざぐることにより、ＩＣチップを埋設する場所を
つくり、当該箇所にＩＣチップを装着して、４種のＩＣ
カードを完成した。
ぞれを、０．７６ｍｍに積層して形成されたＩＣカード
基材をざぐることにより、ＩＣチップを埋設する場所を
つくり、当該箇所にＩＣチップを装着して、４種のＩＣ
カードを完成した。
【００１４】別途、ＩＣモジュールに製造される前のＩ
Ｃチップであって、プリント基板と接着後のものについ
て、接着率を確認したところ、図５のように、バンプの
厚みが１０μｍまでは、１００％の接着率が得られたの
に対し、２０μｍ厚では、５０％、４０μｍでは、２０
％の接着率であった。このことから、バンプの厚みαが
０〜１０μｍまでは、γ≧α＋βの関係を満たし良好な
接着が得られるが、バンプの厚みが１０μｍを超える場
合には、これとは逆に、γ＜α＋βの関係となるため、
良好な接着が得られないことが推定された。例えば、Ａ
ＣＦの厚みを３０μｍとし、ＩＣチップに形成するバン
プの厚みを３０μｍ、基板に形成する配線パターン層の
厚みを４０μｍとすると、導通は図れるが、ＩＣチップ
と基板の密着性、接着性は顕著に低下した。ただし、Ａ
ＣＦの厚みを厚くし過ぎると、熱圧プレスの際にはみだ
しが多くなるという問題を生じる。
Ｃチップであって、プリント基板と接着後のものについ
て、接着率を確認したところ、図５のように、バンプの
厚みが１０μｍまでは、１００％の接着率が得られたの
に対し、２０μｍ厚では、５０％、４０μｍでは、２０
％の接着率であった。このことから、バンプの厚みαが
０〜１０μｍまでは、γ≧α＋βの関係を満たし良好な
接着が得られるが、バンプの厚みが１０μｍを超える場
合には、これとは逆に、γ＜α＋βの関係となるため、
良好な接着が得られないことが推定された。例えば、Ａ
ＣＦの厚みを３０μｍとし、ＩＣチップに形成するバン
プの厚みを３０μｍ、基板に形成する配線パターン層の
厚みを４０μｍとすると、導通は図れるが、ＩＣチップ
と基板の密着性、接着性は顕著に低下した。ただし、Ａ
ＣＦの厚みを厚くし過ぎると、熱圧プレスの際にはみだ
しが多くなるという問題を生じる。
【００１５】ここで、接着率とは、図６のように接着力
測定器２２を用い、ＩＣチップ１２をプリント基板に異
方導電性接着フィルムで接着した状態で、基板を固定し
チップの側面から一定の力を加えるか、あるいはチップ
の側面を固定子で抑え、基板を一定の力で引く際に、Ｉ
Ｃチップがプリント基板から剥離を生じた数を比率で表
したものである。
測定器２２を用い、ＩＣチップ１２をプリント基板に異
方導電性接着フィルムで接着した状態で、基板を固定し
チップの側面から一定の力を加えるか、あるいはチップ
の側面を固定子で抑え、基板を一定の力で引く際に、Ｉ
Ｃチップがプリント基板から剥離を生じた数を比率で表
したものである。
【００１６】また、完成されたＩＣカードのそれぞれの
バンプ厚さのものについて耐久試験を行ったところ、バ
ンプ厚さが、２０μｍを超えるものでは、早期に作動不
良が発生することが確認された。
バンプ厚さのものについて耐久試験を行ったところ、バ
ンプ厚さが、２０μｍを超えるものでは、早期に作動不
良が発生することが確認された。
【００１７】
【発明の効果】上記のように、請求項１の発明によれ
ば、ＡＣＦの厚みを規定した構成材料を使用するので、
あるいはバンプの厚み、配線パターン層の厚みを形成す
るので、設計上十分な層構成となっており、配線パター
ン層に対するＩＣチップの接続において常に安定した接
着性を得ることができ、曲げ時の剥がれ等がなくなる。
また、ＩＣチップとプリント基板との密着性が向上する
ので、エアだまりや、強度劣化、熱変形の発生、不純物
の進入等の影響がなくなる。請求項２の発明によれば、
異方導電性フィルムの厚さを良好な接着率が得られる予
め定められた厚みのものを選択して使用することができ
るので、効率よく上記のように品質の優れたＩＣモジュ
ールを製造することができる。また、請求項３の発明に
よれば、請求項１のＩＣカード用ＩＣモジュールを使用
したＩＣカードであるので、信頼性の高いＩＣカードを
得ることができる。
ば、ＡＣＦの厚みを規定した構成材料を使用するので、
あるいはバンプの厚み、配線パターン層の厚みを形成す
るので、設計上十分な層構成となっており、配線パター
ン層に対するＩＣチップの接続において常に安定した接
着性を得ることができ、曲げ時の剥がれ等がなくなる。
また、ＩＣチップとプリント基板との密着性が向上する
ので、エアだまりや、強度劣化、熱変形の発生、不純物
の進入等の影響がなくなる。請求項２の発明によれば、
異方導電性フィルムの厚さを良好な接着率が得られる予
め定められた厚みのものを選択して使用することができ
るので、効率よく上記のように品質の優れたＩＣモジュ
ールを製造することができる。また、請求項３の発明に
よれば、請求項１のＩＣカード用ＩＣモジュールを使用
したＩＣカードであるので、信頼性の高いＩＣカードを
得ることができる。
【図１】 本発明によるＩＣカード用ＩＣモジュールの
製造過程を説明する図である。
製造過程を説明する図である。
【図２】 異方導電性接着フィルムを使用してＩＣチッ
プとプリント基板を接合する際の関係を説明する図であ
る。
プとプリント基板を接合する際の関係を説明する図であ
る。
【図３】 異方導電性フィルムを使用したフェイスダウ
ン方式のＩＣモジュールの例を示す図である。
ン方式のＩＣモジュールの例を示す図である。
【図４】 異方導電性接着フィルムの詳細を示す断面図
である。
である。
【図５】 本発明の実施例におけるチップに形成された
バンプの厚みと接着率の関係を示す図である。
バンプの厚みと接着率の関係を示す図である。
【図６】 接着率の測定方法を示す概略図である。
【図７】 従来のＩＣモジュールの例を示す図である。
１０ ＩＣモジュール １１ プリント基板 １２ ＩＣチップ １３ 外部接続端子部 １４ バンプ １５ 異方導電性フィルム １６ 配線パターン層 １７ スルーホール １８ 接着剤層 １９ ボンディングワイヤ ２０ 封止樹脂 ２１ 位置決めマーク
Claims (3)
- 【請求項１】 異方導電性接着フィルムを用いたフェイ
スダウン方式のＩＣモジュールにおいて、ＩＣチップの
バンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の厚みをβ、
使用する異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした時
に、γ≧α＋β の関係にあることを特徴とするＩＣカ
ード用ＩＣモジュール。 - 【請求項２】 異方導電性接着フィルムを用いたフェイ
スダウン方式のＩＣモジュールの製造方法において、Ｉ
Ｃチップのバンプ部の厚みをα、基板配線パターン層の
厚みをβ、異方導電性接着フィルムの厚みをγ、とした
時に、γ≧α＋βの関係にある異方導電性接着フィルム
を使用してＩＣチップのバンプと配線パターン間をボン
ディングすることを特徴とするＩＣカード用ＩＣモジュ
ールの製造方法。 - 【請求項３】 カード基材と、当該カード基材に請求項
１記載のＩＣカード用ＩＣモジュールを装着したことを
特徴とするＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7323584A JPH09148378A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Ｉｃカード用ｉｃモジュールとその製造方法および当該ｉｃモジュールを使用したｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7323584A JPH09148378A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Ｉｃカード用ｉｃモジュールとその製造方法および当該ｉｃモジュールを使用したｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148378A true JPH09148378A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18156347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7323584A Pending JPH09148378A (ja) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Ｉｃカード用ｉｃモジュールとその製造方法および当該ｉｃモジュールを使用したｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148378A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990002289A (ko) * | 1997-06-19 | 1999-01-15 | 윤종용 | COB(chip on board)패키지 |
| JPH1117045A (ja) * | 1997-06-26 | 1999-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体チップ搭載用基板 |
| WO1999004424A1 (en) * | 1997-07-15 | 1999-01-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, mounting structure thereof and method of fabrication thereof |
| US6781662B1 (en) | 1998-04-09 | 2004-08-24 | Seiko Epson Corporation | Compression-bond connection substrate, liquid crystal device, and electronic equipment |
| US6992898B2 (en) | 1999-12-02 | 2006-01-31 | Infineon Technologies Ag | Smart-card module with an anisotropically conductive substrate film |
| WO2006103981A1 (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Toray Industries, Inc. | 平面アンテナおよびその製造方法 |
| KR100716809B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-05-09 | 삼성전기주식회사 | 이방전도성필름을 이용한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP7323584A patent/JPH09148378A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990002289A (ko) * | 1997-06-19 | 1999-01-15 | 윤종용 | COB(chip on board)패키지 |
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| US6992898B2 (en) | 1999-12-02 | 2006-01-31 | Infineon Technologies Ag | Smart-card module with an anisotropically conductive substrate film |
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| WO2006103981A1 (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Toray Industries, Inc. | 平面アンテナおよびその製造方法 |
| JPWO2006103981A1 (ja) * | 2005-03-25 | 2008-09-04 | 東レ株式会社 | 平面アンテナおよびその製造方法 |
| US8026851B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-09-27 | Toray Industries, Inc. | Planar antenna and manufacturing method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040202 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040210 |
|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040319 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |