JPH11102938A - Tab用テープキャリア及びその製造方法 - Google Patents
Tab用テープキャリア及びその製造方法Info
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- JPH11102938A JPH11102938A JP9263163A JP26316397A JPH11102938A JP H11102938 A JPH11102938 A JP H11102938A JP 9263163 A JP9263163 A JP 9263163A JP 26316397 A JP26316397 A JP 26316397A JP H11102938 A JPH11102938 A JP H11102938A
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- insulating film
- slit
- tape carrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留りが良く、生産性の高いTAB用テープ
キャリア及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 折り曲げ用のスリット25が形成された
絶縁フィルム24の上面に、前記スリット上を通過する
ように所定の形状で形成された導体パターンを有するT
AB用テープキャリア20に、前記スリットの内部から
前記絶縁フィルムの下面にかけて、及び前記スリットか
ら前記絶縁フィルムの上面の前記導体パターンを通って
ポッティング樹脂層28にかけて搭載される半導体チッ
プ1を封止するポッティング樹脂層と所定の密着性を有
したポリイミド系ソルダレジスト29を施す。
キャリア及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 折り曲げ用のスリット25が形成された
絶縁フィルム24の上面に、前記スリット上を通過する
ように所定の形状で形成された導体パターンを有するT
AB用テープキャリア20に、前記スリットの内部から
前記絶縁フィルムの下面にかけて、及び前記スリットか
ら前記絶縁フィルムの上面の前記導体パターンを通って
ポッティング樹脂層28にかけて搭載される半導体チッ
プ1を封止するポッティング樹脂層と所定の密着性を有
したポリイミド系ソルダレジスト29を施す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、LCDパ
ネルへの実装等、折り曲げ実装に用いられるTAB(テ
ープオートメーテッドボンディング)用テープキャリア
及びその製造方法に関するものである。
ネルへの実装等、折り曲げ実装に用いられるTAB(テ
ープオートメーテッドボンディング)用テープキャリア
及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】TAB用テープキャリアは、大量生産に
優れ、可撓性があり、薄く、軽量であるため、液晶画面
の駆動用ICや小型計算機の論理LSIは元より、最近
ではCPU、ASIC等の大型論理回路半導体チップや
メモリチップの搭載用にまで適用が拡大している。
優れ、可撓性があり、薄く、軽量であるため、液晶画面
の駆動用ICや小型計算機の論理LSIは元より、最近
ではCPU、ASIC等の大型論理回路半導体チップや
メモリチップの搭載用にまで適用が拡大している。
【0003】図5は、従来のTAB用テープキャリアの
一例を示す断面側面図である。このTAB用テープキャ
リア10は、Cu箔11とポリイミド等の耐熱性テープ
12が接着剤13を介して貼り合わされた絶縁フィルム
14で構成されている。この絶縁フィルム14には、折
り曲げ用のスリット15及びデバイスホール16が形成
されており、絶縁フィルム14の上面には、所定の形状
の導体パターン及びエポキシ系ソルダレジストのダム1
7が形成されている。
一例を示す断面側面図である。このTAB用テープキャ
リア10は、Cu箔11とポリイミド等の耐熱性テープ
12が接着剤13を介して貼り合わされた絶縁フィルム
14で構成されている。この絶縁フィルム14には、折
り曲げ用のスリット15及びデバイスホール16が形成
されており、絶縁フィルム14の上面には、所定の形状
の導体パターン及びエポキシ系ソルダレジストのダム1
7が形成されている。
【0004】そして、デバイスホール16には、半導体
素子1が接合され、デバイスホール16の内部から絶縁
フィルム14の上面にかけて半導体素子1及び導体パタ
ーンの表裏面を被覆するポッティング樹脂層18が形成
されている。さらに、スリット15の内部から絶縁フィ
ルム14の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット15の内部から絶縁フィルム14の上面のダム17
にかけて導体パターンの表裏面を被覆するポリイミド系
ソルダレジストの保護膜19が形成されている(特開平
4−162542号公報、特開平2−132418号公
報参照)。
素子1が接合され、デバイスホール16の内部から絶縁
フィルム14の上面にかけて半導体素子1及び導体パタ
ーンの表裏面を被覆するポッティング樹脂層18が形成
されている。さらに、スリット15の内部から絶縁フィ
ルム14の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット15の内部から絶縁フィルム14の上面のダム17
にかけて導体パターンの表裏面を被覆するポリイミド系
ソルダレジストの保護膜19が形成されている(特開平
4−162542号公報、特開平2−132418号公
報参照)。
【0005】このような構成のTAB用テープキャリア
10を製造する場合には、先ず、接着剤13が付いたポ
リイミド製の耐熱性テープ12に、デバイスホール16
及びパーフォレーションを打抜き形成し、Cu箔11を
ロールラミネートで貼り合わせて絶縁フィルム14を作
製する。そして、この絶縁フィルム14の折り曲げ用の
スリット15の裏面に、ポリイミド系ソルダレジストで
保護膜19を印刷してべ一キングする。
10を製造する場合には、先ず、接着剤13が付いたポ
リイミド製の耐熱性テープ12に、デバイスホール16
及びパーフォレーションを打抜き形成し、Cu箔11を
ロールラミネートで貼り合わせて絶縁フィルム14を作
製する。そして、この絶縁フィルム14の折り曲げ用の
スリット15の裏面に、ポリイミド系ソルダレジストで
保護膜19を印刷してべ一キングする。
【0006】次に、Cu箔11の表面に、フォトレジス
トを塗布し、スリット15上を通過する所定の形状の配
線パターンを露光する。そして、Cu箔11をエッチン
グして導体パターンを形成し、スリット15の周囲に、
エポキシ系ソルダレジストでダム17を印刷した後、ポ
リイミド系ソルダレジストで保護膜19を印刷してべ一
キングする。その後、Snめっき等を行ってTAB用テ
ープキャリア10とする。
トを塗布し、スリット15上を通過する所定の形状の配
線パターンを露光する。そして、Cu箔11をエッチン
グして導体パターンを形成し、スリット15の周囲に、
エポキシ系ソルダレジストでダム17を印刷した後、ポ
リイミド系ソルダレジストで保護膜19を印刷してべ一
キングする。その後、Snめっき等を行ってTAB用テ
ープキャリア10とする。
【0007】そして、半導体素子1の電極であるアルミ
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード11aとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂18を塗布してべ一キングす
る。
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード11aとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂18を塗布してべ一キングす
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のTAB
用テープキャリア10によると、エポキシ系ソルダレジ
ストでダム17を印刷した後、ポリイミド系ソルダレジ
ストで保護膜19を印刷している。エポキシ系ソルダレ
ジストのダム17を形成する理由は、ポリイミド系ソル
ダレジストの保護膜19とポッティング樹脂層18との
密着性が悪いためである。そのため2種類のソルダレジ
ストの印刷工程を経なければならず、TAB用テープキ
ャリア10の歩留りが悪く、生産性が低いという欠点が
あった。
用テープキャリア10によると、エポキシ系ソルダレジ
ストでダム17を印刷した後、ポリイミド系ソルダレジ
ストで保護膜19を印刷している。エポキシ系ソルダレ
ジストのダム17を形成する理由は、ポリイミド系ソル
ダレジストの保護膜19とポッティング樹脂層18との
密着性が悪いためである。そのため2種類のソルダレジ
ストの印刷工程を経なければならず、TAB用テープキ
ャリア10の歩留りが悪く、生産性が低いという欠点が
あった。
【0009】従って、本発明の目的は、歩留りが良く、
生産性の高いTAB用テープキャリア及びその製造方法
を提供することにある。
生産性の高いTAB用テープキャリア及びその製造方法
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を実
現するため、折り曲げ用のスリットが形成された絶縁フ
ィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所定
の形状で形成された導体パターンを有するTAB用テー
プキャリアにおいて、前記スリットの内部から前記絶縁
フィルムの下面にかけて、及び前記スリットから前記絶
縁フィルムの上面の前記導体パターンを通ってポッティ
ング樹脂層にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストが施されていることを特徴とするTA
B用テープキャリアを提供する。
現するため、折り曲げ用のスリットが形成された絶縁フ
ィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所定
の形状で形成された導体パターンを有するTAB用テー
プキャリアにおいて、前記スリットの内部から前記絶縁
フィルムの下面にかけて、及び前記スリットから前記絶
縁フィルムの上面の前記導体パターンを通ってポッティ
ング樹脂層にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストが施されていることを特徴とするTA
B用テープキャリアを提供する。
【0011】また、本発明は、上記目的を実現するた
め、絶縁フィルム上に折り曲げ用のスリットを形成し、
前記スリットが形成された絶縁フィルム上にCu箔等の
金属層を貼付し、前記スリットの内部から前記絶縁フィ
ルムの下面にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストを塗布し、前記金属層をエッチング等
して、前記絶縁フィルムの上面に導体パターンを形成
し、前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前記導
体パターンを通って前記ポッティング樹脂層にかけて搭
載される半導体チップを封止するポッティング樹脂層と
所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストを塗
布することを特徴とするTAB用テープキャリアの製造
方法を提供する。
め、絶縁フィルム上に折り曲げ用のスリットを形成し、
前記スリットが形成された絶縁フィルム上にCu箔等の
金属層を貼付し、前記スリットの内部から前記絶縁フィ
ルムの下面にかけて搭載される半導体チップを封止する
ポッティング樹脂層と所定の密着性を有したポリイミド
系ソルダレジストを塗布し、前記金属層をエッチング等
して、前記絶縁フィルムの上面に導体パターンを形成
し、前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前記導
体パターンを通って前記ポッティング樹脂層にかけて搭
載される半導体チップを封止するポッティング樹脂層と
所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストを塗
布することを特徴とするTAB用テープキャリアの製造
方法を提供する。
【0012】上記構成によれば、1種類のポリイミド系
ソルダレジストで保護膜を形成しているので、従来必要
であったエポキシ系ソルダレジストのダムの形成を省略
することができ、歩留りや生産性を向上させることがで
きる。
ソルダレジストで保護膜を形成しているので、従来必要
であったエポキシ系ソルダレジストのダムの形成を省略
することができ、歩留りや生産性を向上させることがで
きる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、本発明のTAB用テープ
キャリアの実施形態を示す断面側面図である。このTA
B用テープキャリア20は、Cu箔21とポリイミド等
の耐熱性テープ22が接着剤23を介して貼り合わされ
た絶縁フィルム24で構成されている。
キャリアの実施形態を示す断面側面図である。このTA
B用テープキャリア20は、Cu箔21とポリイミド等
の耐熱性テープ22が接着剤23を介して貼り合わされ
た絶縁フィルム24で構成されている。
【0014】この絶縁フィルム24には、折り曲げ用の
スリット25及びデバイスホール26が形成されてお
り、絶縁フィルム24の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール26
には、半導体素子1が接合され、デバイスホール26の
内部から絶縁フィルム24の上面にかけて半導体素子1
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層28が形成されている。
スリット25及びデバイスホール26が形成されてお
り、絶縁フィルム24の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール26
には、半導体素子1が接合され、デバイスホール26の
内部から絶縁フィルム24の上面にかけて半導体素子1
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層28が形成されている。
【0015】さらに、スリット25の内部から絶縁フィ
ルム24の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット25の内部から絶縁フィルム24の上面の非スリッ
ト形成面を通ってポッティング樹脂層28にかけて導体
パターンの表裏面を被覆するポリイミド系ソルダレジス
トの保護膜29が形成されている。
ルム24の下面の非スリット形成面にかけて、及びスリ
ット25の内部から絶縁フィルム24の上面の非スリッ
ト形成面を通ってポッティング樹脂層28にかけて導体
パターンの表裏面を被覆するポリイミド系ソルダレジス
トの保護膜29が形成されている。
【0016】このTAB用テープキャリア20の保護膜
29に用いられるポリイミド系ソルダレジストとして
は、以下の特性を有するものが用いられる。1.べ一ク
後の初期弾性係数が、耐熱性テープ22の初期弾性係数
の1/10以下であること。この理由は、曲げひずみが
同一であれば、初期弾性係数が低いと発生する応力が小
さくなるため、保護膜29形成後の耐熱性テープ22の
反りの発生を抑制できるからである。
29に用いられるポリイミド系ソルダレジストとして
は、以下の特性を有するものが用いられる。1.べ一ク
後の初期弾性係数が、耐熱性テープ22の初期弾性係数
の1/10以下であること。この理由は、曲げひずみが
同一であれば、初期弾性係数が低いと発生する応力が小
さくなるため、保護膜29形成後の耐熱性テープ22の
反りの発生を抑制できるからである。
【0017】2.べ一ク後の引張り強さが2.0×10
7 Pa以下であって、引張り伸びが200%以上である
こと。この理由は、TAB用テープキャリア20の90
度曲げの屈曲性を向上させるためである。3.接着剤2
3及びポッティング樹脂層28との密着性が良好である
こと。この理由は、保護膜29が従来のエポキシ系ソル
ダレジストのダム17の効果を兼ね備えることができ、
ダム17の形成を省略することができるので、1種類の
ソルダレジストの印刷工程で済み、TAB用テープキャ
リア20の歩留りと生産性を向上させることができるか
らである。
7 Pa以下であって、引張り伸びが200%以上である
こと。この理由は、TAB用テープキャリア20の90
度曲げの屈曲性を向上させるためである。3.接着剤2
3及びポッティング樹脂層28との密着性が良好である
こと。この理由は、保護膜29が従来のエポキシ系ソル
ダレジストのダム17の効果を兼ね備えることができ、
ダム17の形成を省略することができるので、1種類の
ソルダレジストの印刷工程で済み、TAB用テープキャ
リア20の歩留りと生産性を向上させることができるか
らである。
【0018】図2(A)〜(E)は、本発明のTAB用
テープキャリアの製造方法の実施形態を示す断面側面図
である。上述した構成のTAB用テープキャリア20を
製造する場合には、先ず、接着剤23が付いたポリイミ
ド製の耐熱性テープ(初期弾性係数:745×107 P
a、厚さ:75μm)22に、デバイスホール26及び
パーフォレーションを打抜き形成し(同図(A))、C
u箔(厚さ:18μm)21をロールラミネートで貼り
合わせて絶縁フィルム24を作製する。
テープキャリアの製造方法の実施形態を示す断面側面図
である。上述した構成のTAB用テープキャリア20を
製造する場合には、先ず、接着剤23が付いたポリイミ
ド製の耐熱性テープ(初期弾性係数:745×107 P
a、厚さ:75μm)22に、デバイスホール26及び
パーフォレーションを打抜き形成し(同図(A))、C
u箔(厚さ:18μm)21をロールラミネートで貼り
合わせて絶縁フィルム24を作製する。
【0019】そして、この絶縁フィルム24の折り曲げ
用のスリット25の裏面に、ポリイミド系ソルダレジス
ト(初期弾性係数:11.8×107 Pa、引張り強
さ:0.76×107 Pa、引張り伸ぴ:330%)で
保護膜29を印刷してべ一キングする(同図(B))。
用のスリット25の裏面に、ポリイミド系ソルダレジス
ト(初期弾性係数:11.8×107 Pa、引張り強
さ:0.76×107 Pa、引張り伸ぴ:330%)で
保護膜29を印刷してべ一キングする(同図(B))。
【0020】次に、Cu箔21の表面に、フォトレジス
トを塗布し、スリット25上を通過する所定の形状の配
線パターン(60μmピッチ)を露光する。そして、C
u箔21をエッチングして導体パターンを形成し(同図
(C))、スリット25とインナリード21aの周囲
に、ポリイミド系ソルダレジストで保護膜29を厚さが
15μmとなるように印刷して160°Cでべ一キング
(硬化後の厚さ:13μm)する。その後、Ni、Au
あるいはSnめっき等を行ってTAB用テープキャリア
20とする(同図(D))。
トを塗布し、スリット25上を通過する所定の形状の配
線パターン(60μmピッチ)を露光する。そして、C
u箔21をエッチングして導体パターンを形成し(同図
(C))、スリット25とインナリード21aの周囲
に、ポリイミド系ソルダレジストで保護膜29を厚さが
15μmとなるように印刷して160°Cでべ一キング
(硬化後の厚さ:13μm)する。その後、Ni、Au
あるいはSnめっき等を行ってTAB用テープキャリア
20とする(同図(D))。
【0021】そして、半導体素子1の電極であるアルミ
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード21aとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂28を塗布してべ一キングする
(同図(E))。
ニウムで成るパッド上に金で成るバンプと称する突起を
形成し、インナーリード21aとバンプとを正確にアラ
イメントして、ダイヤモンド等の硬質ツールで一括熱圧
着し、ポッティング樹脂28を塗布してべ一キングする
(同図(E))。
【0022】以上のようにして製造されたTAB用テー
プキャリア20における硬化したポリイミド系ソルダレ
ジストの保護膜29の厚さは、1回の印刷で必要とする
13μmになっており、生産性を向上させることができ
る。また、Snめっきを実施してもポリイミド系ソルダ
レジストの保護膜29に剥がれやめくれは発生せず、良
好な密着性を得ることができる。さらに、ポリイミド系
ソルダレジストの印刷の流れ出しやかすれて薄くなるこ
とも少なく、良好な被覆を安定してできるようになる。
プキャリア20における硬化したポリイミド系ソルダレ
ジストの保護膜29の厚さは、1回の印刷で必要とする
13μmになっており、生産性を向上させることができ
る。また、Snめっきを実施してもポリイミド系ソルダ
レジストの保護膜29に剥がれやめくれは発生せず、良
好な密着性を得ることができる。さらに、ポリイミド系
ソルダレジストの印刷の流れ出しやかすれて薄くなるこ
とも少なく、良好な被覆を安定してできるようになる。
【0023】図3は、本実施形態のTAB用テープキャ
リア20と従来のTAB用テープキャリア10における
90度屈曲回数(回)とライン/スペース(μm/μ
m)との関係の対比特性を示す図である。同図からも明
らかなように、本実施形態のTAB用テープキャリア2
0におけるポリイミド系ソルダレジストの保護膜29の
クラック発生が屈曲数150回以上となり、従来のTA
B用テープキャリア10に比べ90度曲げの屈曲性を大
幅に向上させることができる。
リア20と従来のTAB用テープキャリア10における
90度屈曲回数(回)とライン/スペース(μm/μ
m)との関係の対比特性を示す図である。同図からも明
らかなように、本実施形態のTAB用テープキャリア2
0におけるポリイミド系ソルダレジストの保護膜29の
クラック発生が屈曲数150回以上となり、従来のTA
B用テープキャリア10に比べ90度曲げの屈曲性を大
幅に向上させることができる。
【0024】図4は、本発明のTAB用テープキャリア
の別の実施形態を示す断面側面図であり、図1のTAB
用テープキャリアの実施形態と同一部材は同符号を付
す。このTAB用テープキャリア30は、Cu箔21と
ポリイミド等の耐熱性テープ22が接着剤23を介して
貼り合わされた絶縁フィルム24で構成されている。
の別の実施形態を示す断面側面図であり、図1のTAB
用テープキャリアの実施形態と同一部材は同符号を付
す。このTAB用テープキャリア30は、Cu箔21と
ポリイミド等の耐熱性テープ22が接着剤23を介して
貼り合わされた絶縁フィルム24で構成されている。
【0025】この絶縁フィルム24には、折り曲げ用の
スリット25及びデバイスホール26が形成されてお
り、絶縁フィルム24の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール26
には、半導体素子1が接合され、デバイスホール26の
内部から絶縁フィルム24の上面にかけて半導体素子1
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層28が形成されている。
スリット25及びデバイスホール26が形成されてお
り、絶縁フィルム24の上面には、所定の形状の導体パ
ターンが形成されている。そして、デバイスホール26
には、半導体素子1が接合され、デバイスホール26の
内部から絶縁フィルム24の上面にかけて半導体素子1
及び導体パターンの表裏面を被覆するポッティング樹脂
層28が形成されている。
【0026】以上の構成は図1のTAB用テープキャリ
ア20と同一であるが、以下の点で図1のTAB用テー
プキャリア20と異なる構成となっている。即ち、スリ
ット25の部分(表面及び裏面共)を除く絶縁フィルム
24の上面の非スリット形成面からポッティング樹脂層
28にかけて導体パターンの表面を被覆するポリイミド
系ソルダレジストの保護膜29が形成されている。
ア20と同一であるが、以下の点で図1のTAB用テー
プキャリア20と異なる構成となっている。即ち、スリ
ット25の部分(表面及び裏面共)を除く絶縁フィルム
24の上面の非スリット形成面からポッティング樹脂層
28にかけて導体パターンの表面を被覆するポリイミド
系ソルダレジストの保護膜29が形成されている。
【0027】尚、このTAB用テープキャリア30の保
護膜29にも、上述したポリイミド系ソルダレジストと
同一のものが用いられる。尚、上述した実施形態では、
両面スリットのTAB用テープキャリアの場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、例えば片
面スリットのTAB用テープキャリアやスリットのない
TAB用テープキャリアにも適用可能である。
護膜29にも、上述したポリイミド系ソルダレジストと
同一のものが用いられる。尚、上述した実施形態では、
両面スリットのTAB用テープキャリアの場合について
説明したが、これに限定されるものではなく、例えば片
面スリットのTAB用テープキャリアやスリットのない
TAB用テープキャリアにも適用可能である。
【0028】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、歩
留りを良好にし、生産性を高めることができる。
留りを良好にし、生産性を高めることができる。
【図1】本発明のTAB用テープキャリアの実施形態を
示す断面側面図である。
示す断面側面図である。
【図2】本発明のTAB用テープキャリアの製造方法の
実施形態を示す断面側面図である。
実施形態を示す断面側面図である。
【図3】本発明と従来のTAB用テープキャリア折り曲
げ特性を示す図である。
げ特性を示す図である。
【図4】本発明のTAB用テープキャリアの別の実施形
態を示す断面側面図である。
態を示す断面側面図である。
【図5】従来のTAB用テープキャリアの一例を示す断
面側面図である。
面側面図である。
10、20・・・TAB用テープキャリア 11、21・・・Cu箔 11a、21a・・・インナーリード 12、22・・・耐熱性テープ 13、23・・・接着剤 14、24・・・絶縁フィルム 15、25・・・折り曲げ用のスリット 16、26・・・デバイスホール 17・・・ダム 18、28・・・ポッティング樹脂層 19、29・・・ポリイミド系ソルダレジストの保護膜
Claims (5)
- 【請求項1】 折り曲げ用のスリットが形成された絶縁
フィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所
定の形状で形成された導体パターンを有するTAB用テ
ープキャリアにおいて、 前記スリットの内部から前記絶縁フィルムの下面にかけ
て、及び前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前
記導体パターンを通ってポッティング樹脂層にかけて搭
載される半導体チップを封止するポッティング樹脂層と
所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストが施
されていることを特徴とするTAB用テープキャリア。 - 【請求項2】 前記ポリイミド系ソルダレジストが、引
張強さが2.0×107 Pa以下、引張り伸びが200
%以上、初期弾性係数が前記絶縁フィルムの初期弾性係
数の1/10以下のもので構成されている請求項1に記
載のTAB用テープキャリア。 - 【請求項3】 折り曲げ用のスリットが形成された絶縁
フィルムの上面に、前記スリット上を通過するように所
定の形状で形成された導体パターンを有するTAB用テ
ープキャリアにおいて、 前記スリットを除く前記絶縁フィルムの上面の前記導体
パターンからポッティング樹脂層にかけて搭載される半
導体チップを封止するポッティング樹脂層と所定の密着
性を有したポリイミド系ソルダレジストが施されている
ことを特徴とするTAB用テープキャリア。 - 【請求項4】 絶縁フィルム上に折り曲げ用のスリット
を形成し、 前記スリットが形成された絶縁フィルム上にCu箔等の
金属層を貼付し、 前記スリットの内部から前記絶縁フィルムの下面にかけ
て搭載される半導体チップを封止するポッティング樹脂
層と所定の密着性を有したポリイミド系ソルダレジスト
を塗布し、 前記金属層をエッチング等して、前記絶縁フィルムの上
面に導体パターンを形成し、 前記スリットから前記絶縁フィルムの上面の前記導体パ
ターンを通って前記ポッティング樹脂層にかけて搭載さ
れる半導体チップを封止するポッティング樹脂層と所定
の密着性を有したポリイミド系ソルダレジストを塗布す
ることを特徴とするTAB用テープキャリアの製造方
法。 - 【請求項5】 前記ポリイミド系ソルダレジストが、引
張強さが2.0×107 Pa以下、引張り伸びが200
%以上、初期弾性係数が前記絶縁フィルムの初期弾性係
数の1/10以下のもので構成されている請求項4に記
載のTAB用テープキャリアの製造方法。
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- 1997-09-29 JP JP26316397A patent/JP3424523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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