JP3036300B2 - Ｔａｂテープの製造方法と半導体装置の製造方法 - Google Patents
Ｔａｂテープの製造方法と半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢテープの製造方
法、特に各リードの先端部にバンプを簡単に且つ位置ず
れなく形成することのできるＴＡＢテープの製造方法
と、該製造方法により製造されたＴＡＢテープを用いた
半導体装置の製造方法に関する。
法、特に各リードの先端部にバンプを簡単に且つ位置ず
れなく形成することのできるＴＡＢテープの製造方法
と、該製造方法により製造されたＴＡＢテープを用いた
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の集積密度
が高くなり、端子数が多くなるに従って半導体素子の電
極の外部への電気的導出手段として金属板の打抜きやエ
ッチングにより形成されるリードフレームに代えてＴＡ
Ｂテープが用いられる傾向が生じつつある。
が高くなり、端子数が多くなるに従って半導体素子の電
極の外部への電気的導出手段として金属板の打抜きやエ
ッチングにより形成されるリードフレームに代えてＴＡ
Ｂテープが用いられる傾向が生じつつある。
【０００３】そして、従来におけるＴＡＢテープのリー
ドと半導体チップとの接続は、半導体チップの電極に金
からなるバンプをメッキにより形成し、その金バンプに
表面が錫メッキされた銅からなるリードの先端を例えば
熱圧着することにより行われることが多かった。しか
し、このような方法には歩留り向上が大きく制約される
という問題があった。というのは、半導体チップの電極
にバンプを形成するには複雑な工程を必要とし、既に非
常に数多くの処理、工程を経てきたため非常に高価にな
っているウェハにそのバンプの形成の過程で不良が発生
すると、不良発生による損失が非常に大きいからであ
る。
ドと半導体チップとの接続は、半導体チップの電極に金
からなるバンプをメッキにより形成し、その金バンプに
表面が錫メッキされた銅からなるリードの先端を例えば
熱圧着することにより行われることが多かった。しか
し、このような方法には歩留り向上が大きく制約される
という問題があった。というのは、半導体チップの電極
にバンプを形成するには複雑な工程を必要とし、既に非
常に数多くの処理、工程を経てきたため非常に高価にな
っているウェハにそのバンプの形成の過程で不良が発生
すると、不良発生による損失が非常に大きいからであ
る。
【０００４】図５（Ａ）乃至（Ｆ）はバンプ形成方法の
典型例を工程順に示すものである。アルミニウム電極ａ
を保護する絶縁膜ｂに開口を形成した後、図５（Ａ）に
示すようにバリアメタルｃを形成し、次に、図５（Ｂ）
に示すように、バリアメタルｃ上にレジスト膜ｄを、バ
ンプを形成すべき位置に開口を有するように形成し、次
に該レジスト膜ｄをマスクとして金をメッキすることに
より図５（Ｃ）に示すようにバンプｅを形成し、次に、
図５（Ｄ）に示すように上記レジスト膜ｄを除去し、そ
の後、図５（Ｅ）に示すように、バリアメタルｃの不要
部分を除去するのに用いる選択エッチング用レジスト膜
ｆを形成し、その後、該レジスト膜ｆをマスクとしてバ
リアメタルｃをエッチングし、しかる後、該レジスト膜
ｆを除去すると図５（Ｆ）に示すようにバンプｅが形成
される。
典型例を工程順に示すものである。アルミニウム電極ａ
を保護する絶縁膜ｂに開口を形成した後、図５（Ａ）に
示すようにバリアメタルｃを形成し、次に、図５（Ｂ）
に示すように、バリアメタルｃ上にレジスト膜ｄを、バ
ンプを形成すべき位置に開口を有するように形成し、次
に該レジスト膜ｄをマスクとして金をメッキすることに
より図５（Ｃ）に示すようにバンプｅを形成し、次に、
図５（Ｄ）に示すように上記レジスト膜ｄを除去し、そ
の後、図５（Ｅ）に示すように、バリアメタルｃの不要
部分を除去するのに用いる選択エッチング用レジスト膜
ｆを形成し、その後、該レジスト膜ｆをマスクとしてバ
リアメタルｃをエッチングし、しかる後、該レジスト膜
ｆを除去すると図５（Ｆ）に示すようにバンプｅが形成
される。
【０００５】このように、バンプの形成には種々のプロ
セスを経ることが必要であり、半導体製造技術が進んだ
とはいえ各工程の歩留りを１００％にすることは不可能
であり、各工程毎に不良が発生するため従来においては
高価なウェハの歩留りが低下して大きな損失が発生する
ことは避け得なかったのである。また、金バンプｅの高
さのバラツキが生じ易く、それが一括接合によるボンデ
ィングのときに局部的不良が発生し易かった。
セスを経ることが必要であり、半導体製造技術が進んだ
とはいえ各工程の歩留りを１００％にすることは不可能
であり、各工程毎に不良が発生するため従来においては
高価なウェハの歩留りが低下して大きな損失が発生する
ことは避け得なかったのである。また、金バンプｅの高
さのバラツキが生じ易く、それが一括接合によるボンデ
ィングのときに局部的不良が発生し易かった。
【０００６】そこで、最近、図６に示すようにＴＡＢテ
ープｇの銅箔からなるリードｈの先端部に例えば金から
なるバンプｉを金メッキ法によりあるいは転写法により
形成し、このバンプｉを半導体チップｊのアルミニウム
パッドｋにボンディングする技術が開発された。このよ
うな技術によれば、バンプの形成の過程で不良が生じて
もそれが多くの工程を経て高価な状態になっている半導
体素子には何等歩留り低下という問題を波及させず、そ
のバンプ形成による不良によって生じる損失をきわめて
小さくすることができる。
ープｇの銅箔からなるリードｈの先端部に例えば金から
なるバンプｉを金メッキ法によりあるいは転写法により
形成し、このバンプｉを半導体チップｊのアルミニウム
パッドｋにボンディングする技術が開発された。このよ
うな技術によれば、バンプの形成の過程で不良が生じて
もそれが多くの工程を経て高価な状態になっている半導
体素子には何等歩留り低下という問題を波及させず、そ
のバンプ形成による不良によって生じる損失をきわめて
小さくすることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＴＡＢテー
プのリードへのバンプの形成は、従来、転写法あるいは
メッキにより行われた（転写法によるバンプの形成に関
しては既に本願出願人により特願平４−２７１９５によ
り技術的提案をしている。）ので、位置ずれが生じ易
く、バンプの形成が非常に難しかった。というのは、転
写法による場合には転写元側と転写先側との間の位置ず
れやＴＡＢテープ自身の変形により位置ずれが発生する
し、金メッキ法による場合にはメッキを選択的に行うた
めのマスクのパターンの位置ずれがそのままバンプの位
置ずれにつながるからである。
プのリードへのバンプの形成は、従来、転写法あるいは
メッキにより行われた（転写法によるバンプの形成に関
しては既に本願出願人により特願平４−２７１９５によ
り技術的提案をしている。）ので、位置ずれが生じ易
く、バンプの形成が非常に難しかった。というのは、転
写法による場合には転写元側と転写先側との間の位置ず
れやＴＡＢテープ自身の変形により位置ずれが発生する
し、金メッキ法による場合にはメッキを選択的に行うた
めのマスクのパターンの位置ずれがそのままバンプの位
置ずれにつながるからである。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、バンプをリードの先端部に簡単に且
つ位置ずれなく形成することのできる新規なＴＡＢテー
プの製造方法及びそのＴＡＢテープを用いた半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
されたものであり、バンプをリードの先端部に簡単に且
つ位置ずれなく形成することのできる新規なＴＡＢテー
プの製造方法及びそのＴＡＢテープを用いた半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】請求項１のＴＡＢテープの製造方法は、樹
脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リードの
先端部以外の部分を含めカバーする形状を有する、該樹
脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体側から視
て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出すように
上記樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体越しに
金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リードの
先端部にバンプを形成することを特徴とする。
脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リードの
先端部以外の部分を含めカバーする形状を有する、該樹
脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体側から視
て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出すように
上記樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体越しに
金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リードの
先端部にバンプを形成することを特徴とする。
【００１０】請求項２のＴＡＢテープの製造方法は、請
求項１においてバンプがアルミニウムあるいはアルミニ
ウム系材料からなることを特徴とする。請求項３のＴＡ
Ｂテープの製造方法は、請求項１又は２記載のＴＡＢテ
ープの製造方法において、バンプの形成をスパッタリン
グにより行うことを特徴とする。請求項４のＴＡＢテー
プの製造方法は、請求項１又は２記載のＴＡＢテープの
製造方法において、バンプの形成を真空蒸着により行う
ことを特徴とする。請求項５のＴＡＢテープの製造方法
は、請求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法にお
いて、バンプの形成をイオンプレーティングにより行う
ことを特徴とする。請求項６の半導体装置の製造方法
は、請求項１の製造方法により製造したＴＡＢテープの
各バンプを半導体チップのその各バンプと対応する電極
とボンディングすることを特徴とする。
求項１においてバンプがアルミニウムあるいはアルミニ
ウム系材料からなることを特徴とする。請求項３のＴＡ
Ｂテープの製造方法は、請求項１又は２記載のＴＡＢテ
ープの製造方法において、バンプの形成をスパッタリン
グにより行うことを特徴とする。請求項４のＴＡＢテー
プの製造方法は、請求項１又は２記載のＴＡＢテープの
製造方法において、バンプの形成を真空蒸着により行う
ことを特徴とする。請求項５のＴＡＢテープの製造方法
は、請求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法にお
いて、バンプの形成をイオンプレーティングにより行う
ことを特徴とする。請求項６の半導体装置の製造方法
は、請求項１の製造方法により製造したＴＡＢテープの
各バンプを半導体チップのその各バンプと対応する電極
とボンディングすることを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１のＴＡＢテープの製造方法によれば、
ＴＡＢテープをマスク体でマスクして該マスク体を通し
てＴＡＢテープの樹脂フィルムから露出するリードの先
端部に金属を物理的蒸着することによりバンプを形成す
るので、その金属の物理的蒸着に際してマスク体を各リ
ードの先端部が突出するようにＴＡＢテープに対して位
置合せするというだけで各リードの先端部に正確にバン
プを形成することができる。しかも、ベースに対するマ
スク体の側縁方向における位置ずれが多少あってもバン
プの形成には何等支障を来さず位置ずれも生じない。
ＴＡＢテープをマスク体でマスクして該マスク体を通し
てＴＡＢテープの樹脂フィルムから露出するリードの先
端部に金属を物理的蒸着することによりバンプを形成す
るので、その金属の物理的蒸着に際してマスク体を各リ
ードの先端部が突出するようにＴＡＢテープに対して位
置合せするというだけで各リードの先端部に正確にバン
プを形成することができる。しかも、ベースに対するマ
スク体の側縁方向における位置ずれが多少あってもバン
プの形成には何等支障を来さず位置ずれも生じない。
【００１２】請求項２のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、バンプがアルミニウムからなるので材料費を安くす
ることができる。そして、半導体チップのパッドは一般
にアルミニウムからなり、そのパッドに対してＡｌ／Ａ
ｌマイクロ接合技術を駆使することによりアルミニウム
からなるバンプを超音波ボンディングにより接合するこ
とができる。請求項３のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、スパッタリング法がきわめて均一性が高く、密着性
が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、柔らかい膜を
形成することのできる物理的蒸着法なので、均一な高さ
で良質の、特に軟らかさのあるバンプを形成することが
できる。
ば、バンプがアルミニウムからなるので材料費を安くす
ることができる。そして、半導体チップのパッドは一般
にアルミニウムからなり、そのパッドに対してＡｌ／Ａ
ｌマイクロ接合技術を駆使することによりアルミニウム
からなるバンプを超音波ボンディングにより接合するこ
とができる。請求項３のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、スパッタリング法がきわめて均一性が高く、密着性
が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、柔らかい膜を
形成することのできる物理的蒸着法なので、均一な高さ
で良質の、特に軟らかさのあるバンプを形成することが
できる。
【００１３】請求項４のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、真空蒸着法が緻密度、均一性も比較的良好で、柔ら
かい膜を形成することのできる蒸着法なので良質の、特
に、軟らかさのあるバンプを形成することができる。請
求項５のＴＡＢテープの製造方法によれば、イオンプレ
ーティング法が成膜速度が速く、密着性、緻密度も非常
に高く、均一性も良好な物理的蒸着法なので、良質のバ
ンプをきわめて迅速に形成することができる。請求項６
の半導体装置の製造方法によれば、請求項１の製造方法
により製造されたＴＡＢテープを用いるので、請求項１
の製造方法が奏する効果を半導体装置の製造において享
受することができる。
ば、真空蒸着法が緻密度、均一性も比較的良好で、柔ら
かい膜を形成することのできる蒸着法なので良質の、特
に、軟らかさのあるバンプを形成することができる。請
求項５のＴＡＢテープの製造方法によれば、イオンプレ
ーティング法が成膜速度が速く、密着性、緻密度も非常
に高く、均一性も良好な物理的蒸着法なので、良質のバ
ンプをきわめて迅速に形成することができる。請求項６
の半導体装置の製造方法によれば、請求項１の製造方法
により製造されたＴＡＢテープを用いるので、請求項１
の製造方法が奏する効果を半導体装置の製造において享
受することができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明ＴＡＢテープの製造方法を図示
実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）
は本発明ＴＡＢテープの製造方法の一つの実施例を工程
順に示す断面図である。 （Ａ）ポリイミドフィルムからなるベース１にデバイス
ホール２、スリット３及びスプロケットホール４を例え
ば打抜きによりあるいはエッチングにより形成し、その
後、リードとする銅箔を接着すべきところ、具体的には
ベース１表面のデバイスホール４周縁部近傍に接着剤、
例えばエポキシ系接着剤５を塗布する。図１（Ａ）は該
エポキシ系接着剤５塗布後の状態を示す。
実施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｆ）
は本発明ＴＡＢテープの製造方法の一つの実施例を工程
順に示す断面図である。 （Ａ）ポリイミドフィルムからなるベース１にデバイス
ホール２、スリット３及びスプロケットホール４を例え
ば打抜きによりあるいはエッチングにより形成し、その
後、リードとする銅箔を接着すべきところ、具体的には
ベース１表面のデバイスホール４周縁部近傍に接着剤、
例えばエポキシ系接着剤５を塗布する。図１（Ａ）は該
エポキシ系接着剤５塗布後の状態を示す。
【００１５】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、リ
ードとなる銅箔（厚さ例えば３５μｍあるいは１６μ
ｍ）６をラミネートする。 （Ｃ）次に、銅箔の表面にリードパターニング用のフォ
トレジスト膜７をローラコーティング、写真処理により
選択的に形成し、銅箔６の裏面にはディスペンサを用い
たコーティングによりエッチング防止用の保護膜８を形
成する。図１（Ｃ）はフォトレジスト膜７及び保護膜８
の形成後の状態を示す。
ードとなる銅箔（厚さ例えば３５μｍあるいは１６μ
ｍ）６をラミネートする。 （Ｃ）次に、銅箔の表面にリードパターニング用のフォ
トレジスト膜７をローラコーティング、写真処理により
選択的に形成し、銅箔６の裏面にはディスペンサを用い
たコーティングによりエッチング防止用の保護膜８を形
成する。図１（Ｃ）はフォトレジスト膜７及び保護膜８
の形成後の状態を示す。
【００１６】（Ｄ）次に、図１（Ｄ）に示すように、上
記フォトレジスト膜７及び保護膜８をマスクとして銅箔
をエッチングすることによりリード６を形成する。 （Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記フォトレジ
スト膜７及び保護膜８を除去する。これによりバンプの
ないＴＡＢテープ９が出来上る。
記フォトレジスト膜７及び保護膜８をマスクとして銅箔
をエッチングすることによりリード６を形成する。 （Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記フォトレジ
スト膜７及び保護膜８を除去する。これによりバンプの
ないＴＡＢテープ９が出来上る。
【００１７】（Ｆ）次に、図１（Ｆ）に示すようにＴＡ
Ｂテープ９の裏面側からマスク体（例えば治具）１０を
マスクとしてアルミニウムあるいはアルミニウム系金属
材料を物理的蒸着法によりＴＡＢテープ９のデバイスホ
ール２に突出する部分の先端部に形成してバンプ１２と
する。
Ｂテープ９の裏面側からマスク体（例えば治具）１０を
マスクとしてアルミニウムあるいはアルミニウム系金属
材料を物理的蒸着法によりＴＡＢテープ９のデバイスホ
ール２に突出する部分の先端部に形成してバンプ１２と
する。
【００１８】具体的にはデバイスホール２よりも適宜小
さくされた開口１１を有するマスク体１０を用い、その
開口１１がデバイスホール２よりも内側に位置し、マス
ク体１１側から視てその開口１１内に各リード６のバン
プ１２を形成すべき先端部のみが突出するようにマスク
体１０のＴＡＢテープ９に対する位置合せをし、その状
態でアルミニウムの物理的蒸着を行う。バンプ１２の厚
さは例えば０．１〜５μｍであり、アルミニウム材料と
して、例えば純度９９．９９％のものあるいは９９．３
％のものあるいはその他アルミニウム系金属材料を用い
る。
さくされた開口１１を有するマスク体１０を用い、その
開口１１がデバイスホール２よりも内側に位置し、マス
ク体１１側から視てその開口１１内に各リード６のバン
プ１２を形成すべき先端部のみが突出するようにマスク
体１０のＴＡＢテープ９に対する位置合せをし、その状
態でアルミニウムの物理的蒸着を行う。バンプ１２の厚
さは例えば０．１〜５μｍであり、アルミニウム材料と
して、例えば純度９９．９９％のものあるいは９９．３
％のものあるいはその他アルミニウム系金属材料を用い
る。
【００１９】このような製造方法によれば、ＴＡＢテー
プ９をマスク体１０でマスクして該マスク体１０の開口
１１を通してＴＡＢテープ９のリード６の先端部に金属
を物理的蒸着することによりバンプ１２を形成するの
で、その金属の物理的蒸着に際してマスク体１０を、そ
の開口１１内に各リード６の先端部が突出するようにＴ
ＡＢテープ９に対して位置合せするというだけで各リー
ド６の先端部に正確にバンプ１２を形成することができ
る。しかも、ＴＡＢテープ９に対するマスク体１０の位
置関係に開口１１の内側縁方向における位置ずれが多少
あってもバンプ１２の形成には何等支障を来さず位置ず
れも生じない。
プ９をマスク体１０でマスクして該マスク体１０の開口
１１を通してＴＡＢテープ９のリード６の先端部に金属
を物理的蒸着することによりバンプ１２を形成するの
で、その金属の物理的蒸着に際してマスク体１０を、そ
の開口１１内に各リード６の先端部が突出するようにＴ
ＡＢテープ９に対して位置合せするというだけで各リー
ド６の先端部に正確にバンプ１２を形成することができ
る。しかも、ＴＡＢテープ９に対するマスク体１０の位
置関係に開口１１の内側縁方向における位置ずれが多少
あってもバンプ１２の形成には何等支障を来さず位置ず
れも生じない。
【００２０】尚、物理的蒸着法としては現在スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法が実用性
が高い。そして、スパッタリング法は、きわめて均一性
が高く密着性が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、
柔らかい膜を形成することのできる物理的蒸着法なの
で、この方法によれば、均一な高さで良質の、特に軟ら
かさのあるバンプを形成することができる。また、真空
蒸着法は、緻密度、均一性も比較的良好で、柔らかい膜
を形成することのできる物理的蒸着法なので、この方法
によれば、良質の、特に、軟らかさのあるバンプを形成
することができる。そして、イオンプレーティング法は
成膜速度が速く、密着性、緻密度も非常に高く、均一性
も良好な物理的蒸着法なので、この方法によれば、良質
のバンプをきわめて迅速に形成することができる。
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法が実用性
が高い。そして、スパッタリング法は、きわめて均一性
が高く密着性が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、
柔らかい膜を形成することのできる物理的蒸着法なの
で、この方法によれば、均一な高さで良質の、特に軟ら
かさのあるバンプを形成することができる。また、真空
蒸着法は、緻密度、均一性も比較的良好で、柔らかい膜
を形成することのできる物理的蒸着法なので、この方法
によれば、良質の、特に、軟らかさのあるバンプを形成
することができる。そして、イオンプレーティング法は
成膜速度が速く、密着性、緻密度も非常に高く、均一性
も良好な物理的蒸着法なので、この方法によれば、良質
のバンプをきわめて迅速に形成することができる。
【００２１】図２は図１に示した製造方法によって製造
されたバンプ１２付きＴＡＢテープの平面図である。図
３はＴＡＢテープ９のアルミニウムバンプ１２と半導体
チップ１３のアルミニウム電極パッド１４のボンディン
グを説明する断面図である。この図から明らかなよう
に、このボンディングはシングルポイント方式で行い、
１５はそのボンディングに用いる超音波シングルポイン
トボンダである。従来、アルミニウムどうしの超音波ボ
ンディングは難しかったが、最近は低温（室温）で７０
ｇ程度の荷重をかけることにより１秒当り１０ポイント
というきわめて高速にアルミニウムどうしを接合するＡ
ｌ／Ａｌマイクロ接合技術が開発され、それを駆使すれ
ば半導体チップ１３の電極パッド１４とＴＡＢテープ９
のバンプとを迅速、確実にボンディングすることができ
る。
されたバンプ１２付きＴＡＢテープの平面図である。図
３はＴＡＢテープ９のアルミニウムバンプ１２と半導体
チップ１３のアルミニウム電極パッド１４のボンディン
グを説明する断面図である。この図から明らかなよう
に、このボンディングはシングルポイント方式で行い、
１５はそのボンディングに用いる超音波シングルポイン
トボンダである。従来、アルミニウムどうしの超音波ボ
ンディングは難しかったが、最近は低温（室温）で７０
ｇ程度の荷重をかけることにより１秒当り１０ポイント
というきわめて高速にアルミニウムどうしを接合するＡ
ｌ／Ａｌマイクロ接合技術が開発され、それを駆使すれ
ば半導体チップ１３の電極パッド１４とＴＡＢテープ９
のバンプとを迅速、確実にボンディングすることができ
る。
【００２２】図４（Ａ）、（Ｂ）はボンディング後のＴ
ＡＢテープと半導体チップを示すもので、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は平面図であり、このボンディング後、２点
鎖線で示す樹脂１６により半導体チップ１３の封止が為
される。
ＡＢテープと半導体チップを示すもので、（Ａ）は断面
図、（Ｂ）は平面図であり、このボンディング後、２点
鎖線で示す樹脂１６により半導体チップ１３の封止が為
される。
【００２３】
【発明の効果】請求項１のＴＡＢテープの製造方法は、
樹脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リード
の先端部以外の部分を含めカバーする形状を有する、該
樹脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体側から
視て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出すよう
に上記樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体越し
に金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リード
の先端部にバンプを形成することを特徴とするものであ
る。従って、請求項１のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、ＴＡＢテープをマスク体でマスクして該マスク体を
通してＴＡＢテープの樹脂フィルムから露出するリード
の先端部に金属を吹き付けることによりバンプを形成す
るので、その金属の吹きつけに際してマスク体を各リー
ドの先端部が突出するようにＴＡＢテープに対して位置
合わせするというだけで各リードの先端部に正確にバン
プを形成することができる。しかも、ベースに対するマ
スク体の側縁方向における位置ずれが多少あってもバン
プの形成には何等支障を来さず位置ずれも生じない。
樹脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リード
の先端部以外の部分を含めカバーする形状を有する、該
樹脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体側から
視て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出すよう
に上記樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体越し
に金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リード
の先端部にバンプを形成することを特徴とするものであ
る。従って、請求項１のＴＡＢテープの製造方法によれ
ば、ＴＡＢテープをマスク体でマスクして該マスク体を
通してＴＡＢテープの樹脂フィルムから露出するリード
の先端部に金属を吹き付けることによりバンプを形成す
るので、その金属の吹きつけに際してマスク体を各リー
ドの先端部が突出するようにＴＡＢテープに対して位置
合わせするというだけで各リードの先端部に正確にバン
プを形成することができる。しかも、ベースに対するマ
スク体の側縁方向における位置ずれが多少あってもバン
プの形成には何等支障を来さず位置ずれも生じない。
【００２４】請求項２のＴＡＢテープの製造方法は、請
求項１においてバンプがアルミニウムあるいはアルミニ
ウム系材料からなることを特徴とするものである。従っ
て、請求項２のＴＡＢテープの製造方法によれば、バン
プがアルミニウムあるいはアルミニウム系材料からなる
ので材料費を安くすることができる。そして、半導体チ
ップのパッドは一般にアルミニウムからなり、そのパッ
ドに対してＡｌ／Ａｌマイクロ接合技術を駆使すること
によりアルミニウムからなるバンプを超音波ボンディン
グにより接合することができる。
求項１においてバンプがアルミニウムあるいはアルミニ
ウム系材料からなることを特徴とするものである。従っ
て、請求項２のＴＡＢテープの製造方法によれば、バン
プがアルミニウムあるいはアルミニウム系材料からなる
ので材料費を安くすることができる。そして、半導体チ
ップのパッドは一般にアルミニウムからなり、そのパッ
ドに対してＡｌ／Ａｌマイクロ接合技術を駆使すること
によりアルミニウムからなるバンプを超音波ボンディン
グにより接合することができる。
【００２５】請求項３のＴＡＢテープの製造方法は、請
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成をスパッタリングにより行うことを特徴と
するものである。従って、請求項３のＴＡＢテープの製
造方法によれば、スパッタリング法がきわめて均一性が
高く密着性が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、柔
らかい膜を形成することのできる物理的蒸着法なので、
均一な高さで良質の、特に軟らかさのあるバンプを形成
することができる。
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成をスパッタリングにより行うことを特徴と
するものである。従って、請求項３のＴＡＢテープの製
造方法によれば、スパッタリング法がきわめて均一性が
高く密着性が非常に良好で、緻密度が比較的良好で、柔
らかい膜を形成することのできる物理的蒸着法なので、
均一な高さで良質の、特に軟らかさのあるバンプを形成
することができる。
【００２６】請求項４のＴＡＢテープの製造方法は、請
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成を真空蒸着により行うことを特徴とするも
のである。従って、請求項４のＴＡＢテープの製造方法
によれば、緻密度、均一性も比較的良好で、柔らかい膜
を形成することのできる蒸着法なので良質の、特に、軟
らかさのあるバンプを形成することができる。
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成を真空蒸着により行うことを特徴とするも
のである。従って、請求項４のＴＡＢテープの製造方法
によれば、緻密度、均一性も比較的良好で、柔らかい膜
を形成することのできる蒸着法なので良質の、特に、軟
らかさのあるバンプを形成することができる。
【００２７】請求項５のＴＡＢテープの製造方法は、請
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成をイオンプレーティングにより行うことを
特徴とする。従って、請求項５のＴＡＢテープの製造方
法によれば、イオンプレーティング法が成膜速度が速
く、密着性、緻密度も非常に高く、均一性も良好な物理
的蒸着法なので、良質のバンプをきわめて迅速に形成す
ることができる。請求項６の半導体装置の製造方法は、
請求項１の製造方法により製造したＴＡＢテープの各バ
ンプを半導体チップのその各バンプと対応する電極とボ
ンディングすることを特徴とする。 従って、請求項６の
半導体装置の製造方法によれば、請求項１の製造方法に
より製造されたＴＡＢテープを用いるので、請求項１の
製造方法が奏する効果を半導体装置の製造において享受
することができる。
求項１又は２記載のＴＡＢテープの製造方法において、
バンプの形成をイオンプレーティングにより行うことを
特徴とする。従って、請求項５のＴＡＢテープの製造方
法によれば、イオンプレーティング法が成膜速度が速
く、密着性、緻密度も非常に高く、均一性も良好な物理
的蒸着法なので、良質のバンプをきわめて迅速に形成す
ることができる。請求項６の半導体装置の製造方法は、
請求項１の製造方法により製造したＴＡＢテープの各バ
ンプを半導体チップのその各バンプと対応する電極とボ
ンディングすることを特徴とする。 従って、請求項６の
半導体装置の製造方法によれば、請求項１の製造方法に
より製造されたＴＡＢテープを用いるので、請求項１の
製造方法が奏する効果を半導体装置の製造において享受
することができる。
【図１】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明ＴＡＢテープの製造
方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
方法の一つの実施例を工程順に示す断面図である。
【図２】上記実施例により製造されたＴＡＢテープの平
面図である。
面図である。
【図３】ＴＡＢテープと半導体チップのボンディングを
説明する断面図である。
説明する断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はボンディング後のＴＡＢテー
プと半導体チップを示すもので、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
プと半導体チップを示すもので、（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図である。
【図５】（Ａ）乃至（Ｆ）はＴＡＢテープの製造方法の
従来例を工程順に示す断面図である。
従来例を工程順に示す断面図である。
【図６】ＴＡＢテープのリードにバンプを形成した技術
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ ベース（樹脂フィルム） ２ デバイスホール ６ リード ９ ＴＡＢテープ １０ マスク体 １１ 開口 １２ バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 21/92 604
Claims (6)
- 【請求項１】 先端側を樹脂フィルムから突出させるよ
うに複数の金属リードを形成し、上記樹脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リ
ードの先端部以外の部分を含めカバーする形状を有す
る、該樹脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体
側から視て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出
すように該樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体
越しに金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リ
ードの先端部にバンプを形成する ことを特徴とするＴＡ
Ｂテープの製造方法 - 【請求項２】 バンプを形成する金属がアルミニウム又
はアルミニウム系材料からなることを特徴とする請求項
１記載のＴＡＢテープの製造方法 - 【請求項３】 バンプを形成するための金属の物理的蒸
着がスパッタリングであることを特徴とする請求項１又
は請求項２記載のＴＡＢテープの製造方法 - 【請求項４】 バンプを形成するための金属の物理的蒸
着が真空蒸着であることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載のＴＡＢテープの製造方法 - 【請求項５】 バンプを形成するための金属の物理的蒸
着がイオンプレーティングであることを特徴とする請求
項１又は請求項２記載のＴＡＢテープの製造方法 - 【請求項６】 先端側を樹脂フィルムから突出させるよ
うに複数の金属リードを形成し、上記樹脂フィルムをこれから突出する上記複数の金属リ
ードの先端部以外の部分を含めカバーする形状を有す
る、該樹脂フィルムとは別体のマスク体を、該マスク体
側から視て上記複数の金属リードの先端部のみが食み出
すように該樹脂フィルムに重ね、その状態で該マスク体
越しに金属の物理的蒸着をすることにより上記各金属リ
ードの先端部にバンプを形成する ことによりＴＡＢテー
プを製造し、 その後、上記ＴＡＢテープの上記各バンプと半導体チッ
プの該各バンプと対応する電極とをボンディングするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145624A JP3036300B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｔａｂテープの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145624A JP3036300B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｔａｂテープの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333999A JPH06333999A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3036300B2 true JP3036300B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=15389321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145624A Expired - Fee Related JP3036300B2 (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｔａｂテープの製造方法と半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036300B2 (ja) |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5145624A patent/JP3036300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06333999A (ja) | 1994-12-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |