JPH05102251A - Tabテープ及びその製造方法並びに該tabテープを用いたicチツプの実装方法 - Google Patents
Tabテープ及びその製造方法並びに該tabテープを用いたicチツプの実装方法Info
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- JPH05102251A JPH05102251A JP3263632A JP26363291A JPH05102251A JP H05102251 A JPH05102251 A JP H05102251A JP 3263632 A JP3263632 A JP 3263632A JP 26363291 A JP26363291 A JP 26363291A JP H05102251 A JPH05102251 A JP H05102251A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明はTABテープ及びその製造方法並びに
該TABテープを用いたICチップの実装方法に関し、
ボンディング用のバンプのリード上への形成を容易にす
ることを目的とする。 【構成】リード10に突起26を押圧してくぼみ14,
20を形成し、このくぼみに金属ボール28等を着座さ
せ、これを加熱して溶融させて、バンプ16,22を形
成する。
該TABテープを用いたICチップの実装方法に関し、
ボンディング用のバンプのリード上への形成を容易にす
ることを目的とする。 【構成】リード10に突起26を押圧してくぼみ14,
20を形成し、このくぼみに金属ボール28等を着座さ
せ、これを加熱して溶融させて、バンプ16,22を形
成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はTABテープ及びその製
造方法並びに該TABテープを用いたICチップの実装
方法に関する。
造方法並びに該TABテープを用いたICチップの実装
方法に関する。
【0002】電子装置における高密度実装の要求や信号
処理速度の増大の要求に伴って、ICチップを直接基板
等に実装するようにしたベアチップ実装技術が進展して
いる。ベアチップ実装技術の一つとして、TAB(Tape
Automated Bonding)方式がある。
処理速度の増大の要求に伴って、ICチップを直接基板
等に実装するようにしたベアチップ実装技術が進展して
いる。ベアチップ実装技術の一つとして、TAB(Tape
Automated Bonding)方式がある。
【0003】TAB方式は、映画用のフィルムと同様な
スプロケットを有する絶縁性のテープ部材とこのテープ
部材上に形成されたリードとからなるTABテープを用
い、このTABテープにICチップをインナーリードボ
ンディングした後に、TABテープのリードの外周部を
基板上の導体パターンにアウターリードボンディングす
るようにしたものである。
スプロケットを有する絶縁性のテープ部材とこのテープ
部材上に形成されたリードとからなるTABテープを用
い、このTABテープにICチップをインナーリードボ
ンディングした後に、TABテープのリードの外周部を
基板上の導体パターンにアウターリードボンディングす
るようにしたものである。
【0004】この種のTABテープにおいては、ボンデ
ィングを容易にしてボンディング時のICチップの損傷
等を防止するために、通常、リードには半田等のボンデ
ィングに適した金属からなるバンプが形成されており、
このバンプを容易に形成し得るようにすることが要望さ
れている。
ィングを容易にしてボンディング時のICチップの損傷
等を防止するために、通常、リードには半田等のボンデ
ィングに適した金属からなるバンプが形成されており、
このバンプを容易に形成し得るようにすることが要望さ
れている。
【0005】
【従来の技術】従来、TABテープのリードへのバンプ
の形成方法としては、リードの表面の所定位置にメッキ
によりボンディング用の金属を析出させるようにしたも
のがある。
の形成方法としては、リードの表面の所定位置にメッキ
によりボンディング用の金属を析出させるようにしたも
のがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メッキ
によりバンプを形成するためには、高額なメッキ設備が
必要とされしかもプロセスが複雑なものとなり、甚だ不
便であった。
によりバンプを形成するためには、高額なメッキ設備が
必要とされしかもプロセスが複雑なものとなり、甚だ不
便であった。
【0007】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、TABテープのリードへのバンプの形成の容
易化を目的とする。また、このTABテープを用いたI
Cチップの実装方法の提供又はその容易化もこの発明の
目的である。
たもので、TABテープのリードへのバンプの形成の容
易化を目的とする。また、このTABテープを用いたI
Cチップの実装方法の提供又はその容易化もこの発明の
目的である。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のTABテープ
は、幅方向の両縁部には送り用のスプロケットが形成さ
れ、幅方向の概略中央部にはインナーリードボンディン
グ用の第1の開口が形成され、該第1の開口の周囲には
アウターリードボンディング用の第2の開口が形成され
た帯状のテープ部材と、一端がインナーリード部として
上記第1の開口に臨み他端がアウターリード部として上
記第2の開口に臨むように上記テープ部材に固着され、
上記インナーリード部及びアウターリード部にはそれぞ
れくぼみが形成された薄板状のリードと、該リードの表
面から突出するように上記くぼみに埋められたボンディ
ング用金属からなるバンプとを備えて構成される。
は、幅方向の両縁部には送り用のスプロケットが形成さ
れ、幅方向の概略中央部にはインナーリードボンディン
グ用の第1の開口が形成され、該第1の開口の周囲には
アウターリードボンディング用の第2の開口が形成され
た帯状のテープ部材と、一端がインナーリード部として
上記第1の開口に臨み他端がアウターリード部として上
記第2の開口に臨むように上記テープ部材に固着され、
上記インナーリード部及びアウターリード部にはそれぞ
れくぼみが形成された薄板状のリードと、該リードの表
面から突出するように上記くぼみに埋められたボンディ
ング用金属からなるバンプとを備えて構成される。
【0009】本発明のTABテープの製造方法は、幅方
向の両縁部には送り用のスプロケットが形成され、幅方
向の概略中央部にはインナーリードボンディング用の第
1の開口が形成され、該第1の開口の周囲にはアウター
リードボンディング用の第2の開口が形成された帯状の
テープ部材に、一端がインナーリード部として上記第1
の開口に臨み他端がアウターリード部として上記第2の
開口に臨むように薄板状のリードを固着するステップ
と、該リードの表面に錐形の突起を押圧して上記インナ
ーリード部及びアウターリード部にくぼみを形成するス
テップと、該くぼみにボンディング用金属からなる金属
片を着座させ、又は該くぼみにボンディング用金属から
なる粉体とペーストの混合物を充填するステップと、上
記金属片又は混合物を溶融させて、その概略半球状部分
が上記くぼみから突出するバンプを形成するステップと
を含む。
向の両縁部には送り用のスプロケットが形成され、幅方
向の概略中央部にはインナーリードボンディング用の第
1の開口が形成され、該第1の開口の周囲にはアウター
リードボンディング用の第2の開口が形成された帯状の
テープ部材に、一端がインナーリード部として上記第1
の開口に臨み他端がアウターリード部として上記第2の
開口に臨むように薄板状のリードを固着するステップ
と、該リードの表面に錐形の突起を押圧して上記インナ
ーリード部及びアウターリード部にくぼみを形成するス
テップと、該くぼみにボンディング用金属からなる金属
片を着座させ、又は該くぼみにボンディング用金属から
なる粉体とペーストの混合物を充填するステップと、上
記金属片又は混合物を溶融させて、その概略半球状部分
が上記くぼみから突出するバンプを形成するステップと
を含む。
【0010】本発明のICチップの実装方法は、本発明
のTABテープ又は本発明方法により製造されたTAB
テープを用いたICチップの実装方法であり、この方法
は、上記インナーリード部のバンプをICチップのパッ
ドにボンディングするステップと、上記テープ部材にお
ける上記リードが固着されている部分を他の部分から切
り離すと共に上記リードを所要形状に成形するステップ
と、上記アウターリードのバンプを基板の導体パターン
にボンディングするステップとをこの順に経るようにし
たものである。
のTABテープ又は本発明方法により製造されたTAB
テープを用いたICチップの実装方法であり、この方法
は、上記インナーリード部のバンプをICチップのパッ
ドにボンディングするステップと、上記テープ部材にお
ける上記リードが固着されている部分を他の部分から切
り離すと共に上記リードを所要形状に成形するステップ
と、上記アウターリードのバンプを基板の導体パターン
にボンディングするステップとをこの順に経るようにし
たものである。
【0011】
【作用】本発明のTABテープにあっては、リードのイ
ンナーリード部及びアウターリード部に形成されたくぼ
みにボンディング用金属からなるバンプを埋め込んだ構
成を有しているので、このTABテープは製造が容易で
ある。
ンナーリード部及びアウターリード部に形成されたくぼ
みにボンディング用金属からなるバンプを埋め込んだ構
成を有しているので、このTABテープは製造が容易で
ある。
【0012】本発明のTABテープの製造方法において
は、リードのインナーリード部及びアウターリード部に
くぼみを形成し、このくぼみにボンディング用金属から
なる金属片等を置き、この金属片等を溶融させるように
しているので、溶融した金属の表面張力によりその半球
状部分がくぼみから突出するようになり、バンプを容易
に形成することができるようになる。
は、リードのインナーリード部及びアウターリード部に
くぼみを形成し、このくぼみにボンディング用金属から
なる金属片等を置き、この金属片等を溶融させるように
しているので、溶融した金属の表面張力によりその半球
状部分がくぼみから突出するようになり、バンプを容易
に形成することができるようになる。
【0013】本発明の製造方法において、リードにくぼ
みを形成するのに錐形の突起を用いているのは、比較的
小さな押圧力をもってこの突起をリードの表面に押圧す
るだけで、容易にくぼみを形成し得るようにするためで
ある。比較的小さな押圧力が作用する場合には、くぼみ
の形成に伴うリードの外形の変形は少ない。
みを形成するのに錐形の突起を用いているのは、比較的
小さな押圧力をもってこの突起をリードの表面に押圧す
るだけで、容易にくぼみを形成し得るようにするためで
ある。比較的小さな押圧力が作用する場合には、くぼみ
の形成に伴うリードの外形の変形は少ない。
【0014】本発明のICチップの実装方法によると、
バンプが形成されたリードを用いてインナーリードボン
ディングを行うようにしているので、リードにバンプを
形成せずにインナーリードボンディングを行う場合或い
はICチップのパッドにバンプを形成してインナーリー
ドボンディングを行う場合と比較して、ICチップを損
傷する恐れがなく、従って、この問題を考慮することな
く容易にICチップの実装を行い得るようになる。
バンプが形成されたリードを用いてインナーリードボン
ディングを行うようにしているので、リードにバンプを
形成せずにインナーリードボンディングを行う場合或い
はICチップのパッドにバンプを形成してインナーリー
ドボンディングを行う場合と比較して、ICチップを損
傷する恐れがなく、従って、この問題を考慮することな
く容易にICチップの実装を行い得るようになる。
【0015】尚、本願明細書中、「ICチップ」とは、
能動・受動両素子による単一又は複数の回路が単一の半
導体基板に一体として作り込まれ、上記回路を外部回路
と接続するための導体からなるパッドが上記半導体基板
上に形成されている電子部品をいう。
能動・受動両素子による単一又は複数の回路が単一の半
導体基板に一体として作り込まれ、上記回路を外部回路
と接続するための導体からなるパッドが上記半導体基板
上に形成されている電子部品をいう。
【0016】
【実施例】以下本発明の望ましい実施例を図面に基づい
て説明する。図1は本発明の望ましい実施例を示すTA
Bテープの平面図、図2は図1におけるリード及びバン
プの断面図である。2は可撓性を有する薄膜樹脂等から
なるテープ部材であり、このテープ部材2の幅方向の両
縁部には送り用のスプロケット4がそれぞれ等間隔で形
成されている。
て説明する。図1は本発明の望ましい実施例を示すTA
Bテープの平面図、図2は図1におけるリード及びバン
プの断面図である。2は可撓性を有する薄膜樹脂等から
なるテープ部材であり、このテープ部材2の幅方向の両
縁部には送り用のスプロケット4がそれぞれ等間隔で形
成されている。
【0017】テープ部材2の幅方向概略中央部には、イ
ンナーリードボンディング用の四角形の第1の開口6が
形成されており、この第1の開口6の周囲には、第1の
開口の4辺と平行に4つの第2の開口8が形成されてい
る。第1の開口6は、インナーリードボンディングすべ
きICチップの外周よりも大きい。
ンナーリードボンディング用の四角形の第1の開口6が
形成されており、この第1の開口6の周囲には、第1の
開口の4辺と平行に4つの第2の開口8が形成されてい
る。第1の開口6は、インナーリードボンディングすべ
きICチップの外周よりも大きい。
【0018】10はその一端が第1の開口6に臨み他端
が第2の開口8に臨むようにテープ部材2に固着された
導体からなるリードであり、このリード10は、ボンデ
ィングすべきICチップのパッドの数及び位置に応じて
複数(例えば数百本)設けられている。
が第2の開口8に臨むようにテープ部材2に固着された
導体からなるリードであり、このリード10は、ボンデ
ィングすべきICチップのパッドの数及び位置に応じて
複数(例えば数百本)設けられている。
【0019】リード10は、その縦断面を図2に示すよ
うに薄板状にものであり、第1の開口6に臨むインナー
リード部12の表面にはくぼみ14が、また、第2の開
口8に臨むアウターリード部18の表面には3つのくぼ
み20が形成されている。そして、これらのくぼみ1
4,20には、それぞれボンディング用金属からなるバ
ンプ16,22がリード表面から突出するように設けら
れている。
うに薄板状にものであり、第1の開口6に臨むインナー
リード部12の表面にはくぼみ14が、また、第2の開
口8に臨むアウターリード部18の表面には3つのくぼ
み20が形成されている。そして、これらのくぼみ1
4,20には、それぞれボンディング用金属からなるバ
ンプ16,22がリード表面から突出するように設けら
れている。
【0020】このようなTABテープの製造方法は以下
の通りである。まず、図3及び図4によりリードへのく
ぼみの形成方法を説明する。リード10にくぼみを形成
するに際しては、支持体24の先端に設けられたダイヤ
モンド等からなる錐形の突起26の先端を、リード10
のくぼみを形成すべき部分に接触させ、支持体24をリ
ード10に対して垂直方向に押し付ける。こうすると、
突起26とリード10間の押圧力により、突起26より
も軟らかいリード10が塑性変形し、突起26の形状に
応じたくぼみがリード10に形成される。
の通りである。まず、図3及び図4によりリードへのく
ぼみの形成方法を説明する。リード10にくぼみを形成
するに際しては、支持体24の先端に設けられたダイヤ
モンド等からなる錐形の突起26の先端を、リード10
のくぼみを形成すべき部分に接触させ、支持体24をリ
ード10に対して垂直方向に押し付ける。こうすると、
突起26とリード10間の押圧力により、突起26より
も軟らかいリード10が塑性変形し、突起26の形状に
応じたくぼみがリード10に形成される。
【0021】くぼみが形成されたリードの平面図を図4
に示す。リード10のインナーリード部12には1つの
くぼみ14が形成されており、アウターリード部18に
は3つのくぼみ20が形成されている。
に示す。リード10のインナーリード部12には1つの
くぼみ14が形成されており、アウターリード部18に
は3つのくぼみ20が形成されている。
【0022】図示された例では、底辺がリード10の側
面に平行な正四角錐形状の突起を用いてリード10にく
ぼみ14,20を形成している。このような突起を用い
ると、得られるくぼみの1辺がリード10の側面に平行
になるので、リード10にくぼみを形成することによる
リード10の外形形状の歪みを小さく抑えることができ
る。また、比較的小さな押圧力により十分な大きさのく
ぼみを形成することができる。
面に平行な正四角錐形状の突起を用いてリード10にく
ぼみ14,20を形成している。このような突起を用い
ると、得られるくぼみの1辺がリード10の側面に平行
になるので、リード10にくぼみを形成することによる
リード10の外形形状の歪みを小さく抑えることができ
る。また、比較的小さな押圧力により十分な大きさのく
ぼみを形成することができる。
【0023】次に、リードのくぼみへのバンプの形成方
法の一例を図5により説明する。まず、図5(A)に示
すように、リードのくぼみ14,20に金属ボール28
を着座させる。くぼみ14,20は錐形であるから、金
属ボールをくぼみに容易に着座させることができる。金
属ボール28の材質としては、形成されるバンプによる
ボンディングの品質を考慮すると、Au(金)若しくは
Cu(銅)又はこれらを主成分とする合金が適してい
る。
法の一例を図5により説明する。まず、図5(A)に示
すように、リードのくぼみ14,20に金属ボール28
を着座させる。くぼみ14,20は錐形であるから、金
属ボールをくぼみに容易に着座させることができる。金
属ボール28の材質としては、形成されるバンプによる
ボンディングの品質を考慮すると、Au(金)若しくは
Cu(銅)又はこれらを主成分とする合金が適してい
る。
【0024】そして、図5(B)に示すように、水素ト
ーチ30等を用いて金属ボールを加熱してこれを溶融さ
せる。金属ボールを溶融させると、くぼみを充填した残
りの部分はその表面張力によって概略半球状にくぼみか
ら突出する。従って、この溶融金属を冷却して凝固させ
ることによって、上述の半球状部分がバンプ16,22
としてリード10上に形成される。
ーチ30等を用いて金属ボールを加熱してこれを溶融さ
せる。金属ボールを溶融させると、くぼみを充填した残
りの部分はその表面張力によって概略半球状にくぼみか
ら突出する。従って、この溶融金属を冷却して凝固させ
ることによって、上述の半球状部分がバンプ16,22
としてリード10上に形成される。
【0025】本実施例においては、厚みが40乃至50
μmで幅が約100μmのリード10を用い、その表面
に深さが約25μmの正四角錐形状のくぼみ14,20
を形成し、バンプ16,22の高さが約40μmとなる
ように金属ボール28の体積を設定した。これにより、
十分実用に耐え得るバンプの形成が可能になった。
μmで幅が約100μmのリード10を用い、その表面
に深さが約25μmの正四角錐形状のくぼみ14,20
を形成し、バンプ16,22の高さが約40μmとなる
ように金属ボール28の体積を設定した。これにより、
十分実用に耐え得るバンプの形成が可能になった。
【0026】図6によりリードのくぼみへのバンプの他
の形成方法を説明する。この実施例では、図6(A)に
示すように、Pb(鉛)/Sn(錫)半田の粉体とペー
ストを混合してなる半田クリーム32をリード10のく
ぼみ14,20に充填しておき、これを加熱炉内等にお
いてリフローすることによって、ペーストを蒸発させ、
図6(B)に示すように、バンプ16,22を形成して
いる。この実施例においては、半田クリーム32の量及
び半田クリームにおける金属粉とペーストの混合比は、
形成されるバンプ16,22の高さが所要の値になるよ
うに設定される。リードのくぼみへの半田クリームの充
填は、ディスペンサを用いて行うことができる。また、
通常の表面実装技術において用いられる印刷法により半
田クリームをくぼみに充填することもできる。
の形成方法を説明する。この実施例では、図6(A)に
示すように、Pb(鉛)/Sn(錫)半田の粉体とペー
ストを混合してなる半田クリーム32をリード10のく
ぼみ14,20に充填しておき、これを加熱炉内等にお
いてリフローすることによって、ペーストを蒸発させ、
図6(B)に示すように、バンプ16,22を形成して
いる。この実施例においては、半田クリーム32の量及
び半田クリームにおける金属粉とペーストの混合比は、
形成されるバンプ16,22の高さが所要の値になるよ
うに設定される。リードのくぼみへの半田クリームの充
填は、ディスペンサを用いて行うことができる。また、
通常の表面実装技術において用いられる印刷法により半
田クリームをくぼみに充填することもできる。
【0027】この方法により形成されるPb/Snから
なるバンプは、前実施例におけるAu,Cuからなるバ
ンプと比較して低融点であるので、この実施例における
バンプは低温度でのボンディングに適している。
なるバンプは、前実施例におけるAu,Cuからなるバ
ンプと比較して低融点であるので、この実施例における
バンプは低温度でのボンディングに適している。
【0028】このようにして製造されたTABテープを
用いたICチップの実装プロセスを図7により説明す
る。同図はこのプロセスの流れ図であり、図中の三角形
の表示は投入される部品を表し、円の表示は投入された
部品に対して行うべき事柄を表している。また、図8は
このプロセスにより基板に実装されたICチップの側面
図である。
用いたICチップの実装プロセスを図7により説明す
る。同図はこのプロセスの流れ図であり、図中の三角形
の表示は投入される部品を表し、円の表示は投入された
部品に対して行うべき事柄を表している。また、図8は
このプロセスにより基板に実装されたICチップの側面
図である。
【0029】まず、リード10のインナーリード部のバ
ンプ16をICチップ34のパッド(電極)36にボン
ディングする(インナーリードボンディング)。このボ
ンディングに際しては、バンプ16とパッド36を加熱
するとともにこれらの間に圧力を加えることによって、
バンプ16の構成元素とパッド36の構成元素が相互拡
散し、リード10とICチップ34は機械的及び電気的
に接続される。
ンプ16をICチップ34のパッド(電極)36にボン
ディングする(インナーリードボンディング)。このボ
ンディングに際しては、バンプ16とパッド36を加熱
するとともにこれらの間に圧力を加えることによって、
バンプ16の構成元素とパッド36の構成元素が相互拡
散し、リード10とICチップ34は機械的及び電気的
に接続される。
【0030】インナーリードボンディングに際しては、
リード10にバンプ16が形成されているので、リード
を直接パッドにボンディングする場合と比較してボンデ
ィングに必要なエネルギーは少なくて済み、その結果、
ICチップ34の破損等が防止される。
リード10にバンプ16が形成されているので、リード
を直接パッドにボンディングする場合と比較してボンデ
ィングに必要なエネルギーは少なくて済み、その結果、
ICチップ34の破損等が防止される。
【0031】次いで、テープ部材2におけるリード10
が固着されている部分を打ち抜き等により他の部分から
切り離すと共に、リード10を所要形状に成形する。例
えば、リード10を2箇所で折り曲げてクランク状に成
形する。
が固着されている部分を打ち抜き等により他の部分から
切り離すと共に、リード10を所要形状に成形する。例
えば、リード10を2箇所で折り曲げてクランク状に成
形する。
【0032】そして、リード10のアウターリード部の
バンプ22を基板38の導体パターン30にボンディン
グする(アウターリードボンディング)。この場合、ア
ウターリードボンディング部にはバンプ22が形成され
ているので、基板の導体パターン30への半田のプリコ
ートは不要である。
バンプ22を基板38の導体パターン30にボンディン
グする(アウターリードボンディング)。この場合、ア
ウターリードボンディング部にはバンプ22が形成され
ているので、基板の導体パターン30への半田のプリコ
ートは不要である。
【0033】以上の実施例では、リードへのくぼみの形
成に使用する突起の形状が正四角錐であるとしたが、三
角錐或いは円錐形状の突起を用いてリードにくぼみを形
成することもできる。
成に使用する突起の形状が正四角錐であるとしたが、三
角錐或いは円錐形状の突起を用いてリードにくぼみを形
成することもできる。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
TABテープのリードへのバンプの形成を容易に行い得
るようになるという効果を奏する。また、このTABテ
ープを用いてICチップを基板に容易に実装し得るよう
になるという効果もある。
TABテープのリードへのバンプの形成を容易に行い得
るようになるという効果を奏する。また、このTABテ
ープを用いてICチップを基板に容易に実装し得るよう
になるという効果もある。
【図1】本発明の実施例を示すTABテープの平面図で
ある。
ある。
【図2】本発明の実施例におけるリード及びバンプの断
面図である。
面図である。
【図3】本発明の実施例におけるリードへのくぼみの形
成方法の説明図である。
成方法の説明図である。
【図4】本発明の実施例においてくぼみが形成されたリ
ードの平面図である。
ードの平面図である。
【図5】本発明の実施例におけるバンプの形成方法の説
明図である。
明図である。
【図6】本発明の実施例におけるバンプの他の形成方法
の説明図である。
の説明図である。
【図7】本発明の実施例におけるICチップの実装プロ
セスの説明図である。
セスの説明図である。
【図8】本発明の実施例において基板に実装されたIC
チップの側面図である。
チップの側面図である。
【符号の説明】 2 テープ部材 10 リード 12 インナーリード部 14,20 くぼみ 16,22 バンプ 18 アウターリード部 26 突起 34 ICチップ 36 バンプ 38 基板 40 導体パターン
Claims (6)
- 【請求項1】 幅方向の両縁部には送り用のスプロケッ
ト(4) が形成され、幅方向の概略中央部にはインナーリ
ードボンディング用の第1の開口(6) が形成され、該第
1の開口の周囲にはアウターリードボンディング用の第
2の開口(8)が形成された帯状のテープ部材(2) と、 一端がインナーリード部(12)として上記第1の開口(6)
に臨み他端がアウターリード部(18)として上記第2の開
口(8) に臨むように上記テープ部材(2) に固着され、上
記インナーリード部(12)及びアウターリード部(18)には
それぞれくぼみ(14,20) が形成された薄板状のリード(1
0)と、 該リードの表面から突出するように上記くぼみ(14,20)
に埋められたボンディング用金属からなるバンプ(16,2
2) とを備えたことを特徴とするTABテープ。 - 【請求項2】 幅方向の両縁部には送り用のスプロケッ
ト(4) が形成され、幅方向の概略中央部にはインナーリ
ードボンディング用の第1の開口(6) が形成され、該第
1の開口の周囲にはアウターリードボンディング用の第
2の開口(8)が形成された帯状のテープ部材(2) に、一
端がインナーリード部(12)として上記第1の開口(6) に
臨み他端がアウターリード部(18)として上記第2の開口
(8) に臨むように薄板状のリード(10)を固着するステッ
プと、 該リードの表面に錐形の突起(26)を押圧して上記インナ
ーリード部(12)及びアウターリード部(18)にくぼみ(14,
20) を形成するステップと、 該くぼみにボンディング用金属からなる金属片を着座さ
せ、又は該くぼみにボンディング用金属からなる粉体と
ペーストの混合物を充填するステップと、 上記金属片又は混合物を溶融させて、その概略半球状部
分が上記くぼみ(14,20) から突出するバンプ(16,22) を
形成するステップとを含むことを特徴とするTABテー
プの製造方法。 - 【請求項3】 上記突起の形状は底辺が上記リード(10)
の側面に平行な正四角錐であることを特徴とする請求項
2に記載のTABテープの製造方法。 - 【請求項4】 上記金属片はAu又はCuからなる金属
ボール(28)であることを特徴とする請求項2又は3に記
載のTABテープの製造方法。 - 【請求項5】 上記混合物はPb/Sn半田の粉体とペ
ーストを混合してなる半田クリーム(32)であることを特
徴とする請求項2又は3に記載のTABテープの製造方
法。 - 【請求項6】 請求項1に記載のTABテープ又は請求
項2乃至5のいずれかに記載の方法により製造されたT
ABテープを用いたICチップの実装方法であって、 上記インナーリード部(12)のバンプ(16)をICチップ(3
4)のパッド(36)にボンディングするステップと、 上記テープ部材(2) における上記リード(10)が固着され
ている部分を他の部分から切り離すと共に上記リード(1
0)を所要形状に成形するステップと、 上記アウターリード(18)のバンプ(22)を基板(38)の導体
パターン(40)にボンディングするステップとをこの順に
経ることを特徴とするICチップの実装方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3263632A JPH05102251A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Tabテープ及びその製造方法並びに該tabテープを用いたicチツプの実装方法 |
US08/319,486 US5532186A (en) | 1991-10-11 | 1994-10-07 | Process for manufacturing bumped tab tape |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3263632A JPH05102251A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Tabテープ及びその製造方法並びに該tabテープを用いたicチツプの実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05102251A true JPH05102251A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17392202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3263632A Withdrawn JPH05102251A (ja) | 1991-10-11 | 1991-10-11 | Tabテープ及びその製造方法並びに該tabテープを用いたicチツプの実装方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5532186A (ja) |
JP (1) | JPH05102251A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078506A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Tape-ball grid array type semiconductor device having reinforcement plate with slits |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6024274A (en) * | 1996-04-03 | 2000-02-15 | Industrial Technology Research Institute | Method for tape automated bonding to composite bumps |
TW530403B (en) * | 2002-03-01 | 2003-05-01 | Advanced Semiconductor Eng | Solder paste for manufacturing bump |
US20080185737A1 (en) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Pandi Chelvam Marimuthu | Integrated circuit system with pre-configured bond wire ball |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3134935A (en) * | 1961-09-06 | 1964-05-26 | Schauer Mfg Corp | Semi-conductor device comprising two elongated spaced apart bus electrodes |
US4396457A (en) * | 1982-03-17 | 1983-08-02 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of making bumped-beam tape |
JPS604963A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像形成方法 |
GB8728878D0 (en) * | 1987-12-10 | 1988-01-27 | Westinghouse Brake & Signal | Semiconductor contact arrangement |
JPH01241196A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Nec Corp | 集積回路およびその搭載基板 |
JPH01305541A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5123163A (en) * | 1989-04-27 | 1992-06-23 | Nec Corporation | Process and apparatus for forming bumps on film carrier |
US5132772A (en) * | 1991-05-31 | 1992-07-21 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having tape automated bonding (TAB) leads which facilitate lead bonding |
-
1991
- 1991-10-11 JP JP3263632A patent/JPH05102251A/ja not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-10-07 US US08/319,486 patent/US5532186A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6078506A (en) * | 1997-02-13 | 2000-06-20 | Nec Corporation | Tape-ball grid array type semiconductor device having reinforcement plate with slits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5532186A (en) | 1996-07-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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