JPH01305541A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置製造方法に関し、詳しくは、ＴＡＢ
　（テープ・オートメイテッド・ボンディング）リード
型半導体装置のバンプ電極の形成方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

ＴＡＢリード型半導体装置は、ＩＣの高密度実装の手法
として賞月されており、その形状を第３図及び第４図を
参照して説明する。

図において、（１）は枠状フィルムで、枠状フィルム（
１）の内側から外側に向って、金属箔リード（２）を放
射状に配置する。（３）は、枠状フィルム（１）の角穴
（１ａ）内に収納配置する半導体ベレットで、周辺部に
バンプ電極（４）を突出形成する。このバンプ電極（４
）と上記金属箔リード（２）の内端部（２ａ）とを−括
して熱圧着することにより、半導体ベレット（３）は、
金属箔リード（２）によって保持される。

半導体ベレット（３）は、第５図に示すような半導体ウ
ェーハ（５）に格子上に多数個形成した半導体素子（６
）をダイシングして、分割することにより得られる。こ
の各半導体素子（６）の外周には、Ａｕ蒸着膜（７）を
露呈した電極形成予定部（８）を形成しておき、この電
極形成予定部（８）にバンプ電極（４）を形成する。

このハンプ電極（４）を形成する噴流式のメツキ法を第
６図を参照して説明する。

同図において、（９）は垂設されたメツキ筒で、このメ
ツキ筒（９）内にＡｇ成分を含むメツキ液（１０）を噴
流させる。メツキ液（１０）は、メツキ筒（９）の上下
端に管路（１１）を接続し、この管路（１１）にフィル
タ（１２）とポンプ（１３）とを介在させることにより
循環させる。

メツキ筒（９）の上端開口部には絶縁性の支持ピン（９
ａ）を突設し、この支持ビン（９ａ）上に半導体ウェー
ハ（５）を載置する。半導体ウェーハ（５）は電極形成
予定部（８）を形成した側を下側にし、半導体ウェーハ
（５）の上側には上部電極（１４）を当接させる。メツ
キ筒（９）の内部には下部電極（１５）を配置し、上下
両電極（１４）　　（１５）により、メツキ電圧を印加
する。すると、メツキ筒（９）内を噴流しているメツキ
液（１０）から半導体ウェーハ（５）に順方向のメツキ
電流が流れて、メツキ液（１０）のＡｇイオンが半導体
ウェーハ（５）の電極形成予定部（８）に露呈したＡｕ
蒸着膜（７）上に付着しく３） てメツキされ、バンプ電極（４）が形成される。

ところが、このメツキ法においては、半導体ウェーハ（
５）の周辺に電界が集中するため、第７図に示すように
、半導体ウェーハ（５）の周辺部分にある半導体素子（
６）に形成するハンプ電極（４）の高さが相対的に高く
なる。すると、バンプ電極（４）に金属箔リード（２）
を熱圧着するときに高さがばらつくことになるから、均
一に圧着することができなくなる。また、メツキ液（１
０）が半導体ウェーハ（５）の外周部において、上側に
廻り込む。すると、第８図に示すように、半導体ウェー
ハ（５）の全外周にバンプ電極が形成され、半導体ウェ
ーハを分割するダイシングが困難となる。そこで、第９
図乃至第１１図に示すようなキャピラリ方式によるバン
プ電極の形成方法がある。

キャピラリ方式は、キャピラリ（１６）の先端部から所
定長さだけ金線（１７）を突出させ、この金線（１７）
の下端部に、ガストーチ（図示せず）等により、金球（
１７ａ）を形成し、この金球（１７ａ）を半導体素子（
６）内の電極形成予定部（８）に露呈させたＭ蒸着膜（
７）上に圧着するものである。この圧着は、キャピラリ
（１６）をＭ蒸着膜（７）上に押圧し、超音波振動を加
えた後、キャピラリ（１６）を水平方向に往復移動し、
さらに上方に移動させ、金線（１７）を引張り切断する
ことにより行う。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記キャピラリ方式によるバンプ電極の形成においては
、金線（１７）が軟かく、延性並びに展性に富むため、
金線（１７）の切断が難しく、長時間を要する。このこ
とは、バンプ電極（４）の形成における生産効率が低い
ことを意味する。

また、金線（１７）が切断された後のバンプ（４）は形
状が不均一で、バンプ電極（４）に金属箔リード（２）
を−括して熱圧着する際に、不良が生じる。

そこで、本発明は、生産効率がよく、しかも、形状が均
一なバンプ電極を生産する方法を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するため、半導体ウェーハに
形成した半導体素子の表面の電極形成予定部にバンプ電
極を形成するに当り、ディスペンサにより、導電性のペ
ーストを上記電極形成予定部に滴下し、前記導電性のペ
ーストをベークしてバンプ電極を形成するものである。

〔作用〕

上記手段によると、電極形成予定部に、ディスペンサか
ら導電性のペーストを短時間に所定量だけ滴下すること
ができる。滴下した導電性のペーストをベークすること
により、導電性のペーストは固化し、バンプ電極が完成
する。

〔実施例〕 第１の実施例を第１図を参照して説明する。

但し、従来の技術において説明した部品と同一部品は、
同一符号を付してその説明は省略する。

同図において、（１８）は先細筒状のディスペンサで、
前後左右に移動可能なものである。

（１９）は、ディスペンサ（１８）内に充填される導電
性のペーストで、樹脂、ガラス材の中に金、銀、パラジ
ウムもしくは導電性のあるプラスチックを混在させて粘
性をもたせたものである。

このような導電性のペースト（１９）を充填したディス
ペンサ（１８）を半導体ウェーハ（５）に形成した半導
体素子（６）の表面の電極形成予定部（８）上に配置す
る。電極形成予定部（８）には、Ｍ蒸着膜（７）が露呈
しており、このＭ蒸着膜（７）上に導電性のペース＋−
（１９）を所定量だけ滴下する。導電性のペース）　（
１９）をディスペンサ（１８）から所定量だけ排出する
には、ディスペンサ（１８）に制御手段（図示せず）を
備える等常套手段によるため、説明は省略する。Ｍ蒸着
膜（７）上に所定量の導電性のペースト（１９）を滴下
した後、ディスペンサ（１８）を次の電極形成予定部（
８）上に移動させ、同様に導電性のペースト（１９）を
所定量だけ滴下する。このようにして半導体ウェーハ（
５）上の全ての電極形成予定部（８）に導電性のペース
ト（１９）を滴下すると、半導体ウニ−ハ（５）を加熱
炉（図示せず）内に搬入し、導電性のペースト（１９）
をベークするごとにより、導電性のペース）（１，９）
は表面張力で円滑な球面状になり、そのまま固化される
。導電性のペーストが固化すると、バンプ電極（４）が
完成し、半導体ウェーハ（５）をダイシングして分割す
ることにより、半導体ペレット（３）を得る。半導体ペ
レット（３）は枠状フィルム（１）内で、半導体ペレッ
ト（３）周辺のバンプ電極（４）と枠状フィルム（１）
に内硬する金属箔リード（２）とが熱圧着されて、ＴＡ
Ｂリード型半導体装置が完成する。

尚、電極形成予定部（８）上に導電性のペースト（１９
）を滴下するに際しては、第２図に示すように、複数本
のディスペンサ（１８）により、−括して導電性のペー
スト（１９）を滴下することもできる。

［発明の効果］ 本発明によれば、短時間に同一形状のバンプ電極を形成
することができるため、生産性を向上させることができ
、また、後工程におけるバンプ電極と金属箔リードとの
熱圧着を良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る第１の実施例を示す縦断面図、第
２図は同じ（第２の実施例を示す縦断面図である。 第３図はＴＡＢリード型半導体装置の平面図、第４図は
同じく縦断面図である。第５図は半導体ウェーハの平面
図、第６図は従来のバンプ電極を形成するメツキ装置の
縦断面図、第７図及び第８図はその装置によりバンプ電
極を形成したウェーハの正面図、第９図乃至第１１図は
従来の別の方法によりバンプ電極を形成する工程図であ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェーハに形成した半導体素子の表面の電
   極形成予定部にバンプ電極を形成するに当り、 ディスペンサにより、導電性のペーストを上記電極形成
   予定部に滴下し、前記導電性のペーストをベークしてバ
   ンプ電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造
   方法。