JPH07283275A - ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップをリ−ドフレ−ム上へのダイボ
ンディング及びリ−ドボンディングを同時に行うことが
可能なボンディングテ−プとそのボンディングテ−プを
用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 ボンディングテ−プ１０は、複数の開口部１
４が設けられた第１の熱可塑樹脂層１１と、銅等からな
る配線層１２と、第１の熱可塑樹脂層１１と配線層１２
を介して接着する第２の熱可塑樹脂層１３とからなり、
配線層１２は半導体チップとリ−ドとを電気的に接続
し、第２の熱可塑樹脂層１３はリ−ドフレ−ムのアイラ
ンド上に接着する。
ンディング及びリ−ドボンディングを同時に行うことが
可能なボンディングテ−プとそのボンディングテ−プを
用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 ボンディングテ−プ１０は、複数の開口部１
４が設けられた第１の熱可塑樹脂層１１と、銅等からな
る配線層１２と、第１の熱可塑樹脂層１１と配線層１２
を介して接着する第２の熱可塑樹脂層１３とからなり、
配線層１２は半導体チップとリ−ドとを電気的に接続
し、第２の熱可塑樹脂層１３はリ−ドフレ−ムのアイラ
ンド上に接着する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップのボンディ
ングに関し、特に半導体チップをリ−ドフレ−ムのアイ
ランド上にマウントさせると共に半導体チップとリ−ド
フレ−ムのインナ−リ−ドとを電気的に接続させるボン
ディングテ−プ及びそのボンディングテ−プを用いた半
導体装置に関する。
ングに関し、特に半導体チップをリ−ドフレ−ムのアイ
ランド上にマウントさせると共に半導体チップとリ−ド
フレ−ムのインナ−リ−ドとを電気的に接続させるボン
ディングテ−プ及びそのボンディングテ−プを用いた半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の多ピン化、ファイン
ピッチ化に伴い、半導体チップとリ−ドとを接続するワ
イヤボンディングが難しくなっている。ボンディングワ
イヤの長ル−プ化により、ワイヤ同士の接触不良などワ
イヤボンディングに起因する種々の問題が挙げられる。
ピッチ化に伴い、半導体チップとリ−ドとを接続するワ
イヤボンディングが難しくなっている。ボンディングワ
イヤの長ル−プ化により、ワイヤ同士の接触不良などワ
イヤボンディングに起因する種々の問題が挙げられる。
【０００３】以下、図５乃至図６を参照して、従来の半
導体装置のボンディング工程を簡単に説明する。まず、
半導体チップ１０１をリ−ドフレ−ムのアイランド１０
２上にマウントペ−スト１０４を介して接着し、半導体
チップ１０１上に設けられた図示しないパッド電極とリ
−ドフレ−ムのインナ−リ−ド１０３とをボンディング
ワイヤ１０５を介して接続する。その後、モ−ルド樹脂
１０６を用いて封止する（図５）。
導体装置のボンディング工程を簡単に説明する。まず、
半導体チップ１０１をリ−ドフレ−ムのアイランド１０
２上にマウントペ−スト１０４を介して接着し、半導体
チップ１０１上に設けられた図示しないパッド電極とリ
−ドフレ−ムのインナ−リ−ド１０３とをボンディング
ワイヤ１０５を介して接続する。その後、モ−ルド樹脂
１０６を用いて封止する（図５）。
【０００４】ここで、上記パッド電極はＡｌからなり、
ボンディングワイヤ１０５はＡｕからなるため、熱膨張
差による歪みにより段線が生じたり、また接触抵抗が増
大するといった問題がある。また、ボンディングワイヤ
同士の接触不良やモ−ルド工程においてワイヤ流れが生
じることがある。
ボンディングワイヤ１０５はＡｕからなるため、熱膨張
差による歪みにより段線が生じたり、また接触抵抗が増
大するといった問題がある。また、ボンディングワイヤ
同士の接触不良やモ−ルド工程においてワイヤ流れが生
じることがある。
【０００５】また半導体チップ１０１をアイランド１０
２上にダイボンディングするには、図６（ａ）に示すよ
うに、まずマウントペ−スト１０４をアイランド１０２
上にマウントデスペンサ１０７により塗布後、同図
（ｂ）に示す様に、アイランド１０２上に半導体チップ
１０１を接着する。その際、マウントペ−スト１０４の
濡れが均一にならず、ボイド１０８が生じることがあ
る。更に、半導体装置を基板等に表面実装する際に、２
００℃以上の雰囲気下においてなされるため、マウント
ペ−スト１０４の耐熱性及び熱応力の問題が生じる。
２上にダイボンディングするには、図６（ａ）に示すよ
うに、まずマウントペ−スト１０４をアイランド１０２
上にマウントデスペンサ１０７により塗布後、同図
（ｂ）に示す様に、アイランド１０２上に半導体チップ
１０１を接着する。その際、マウントペ−スト１０４の
濡れが均一にならず、ボイド１０８が生じることがあ
る。更に、半導体装置を基板等に表面実装する際に、２
００℃以上の雰囲気下においてなされるため、マウント
ペ−スト１０４の耐熱性及び熱応力の問題が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ワイヤ
ボンディングによる接続ではボンディングワイヤ同士の
接触不良や段線等が生じることがあり、安定した電気特
性を得ることが難しいことがある。また、ダイボンディ
ングではマウントペ−ストの良好な濡れ性を常に得るこ
とは難しい。更に、また、ダイボンディング及びワイヤ
ボンディングに起因したモ−ルド工程時の不良が生じる
ことがある。
ボンディングによる接続ではボンディングワイヤ同士の
接触不良や段線等が生じることがあり、安定した電気特
性を得ることが難しいことがある。また、ダイボンディ
ングではマウントペ−ストの良好な濡れ性を常に得るこ
とは難しい。更に、また、ダイボンディング及びワイヤ
ボンディングに起因したモ−ルド工程時の不良が生じる
ことがある。
【０００７】それ故に、本発明は、半導体チップをリ−
ドフレ−ム上へのダイボンディング及びリ−ドボンディ
ングを同時に行うことが可能なボンディングテ−プとそ
のボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
ドフレ−ム上へのダイボンディング及びリ−ドボンディ
ングを同時に行うことが可能なボンディングテ−プとそ
のボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造
方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体チッ
プとリ−ドフレ−ムとを接続させるためのボンディング
テ−プは、半導体チップに接着する第１の熱可塑樹脂層
と、上記第１の熱可塑樹脂層上に設けられ、上記半導体
チップ上に設けられたパッド電極と上記リ−ドフレ−ム
のリ−ドとを電気的に接続する配線層と、上記配線層の
うち少なくとも上記リ−ドと接続する部分を露出させる
と共に上記配線層の他の部分を介し上記第１の熱可塑樹
脂層上に設けられ、上記リ−ドフレ−ムのアイランド上
にマウントされる第２の熱可塑樹脂層と、上記第１の熱
可塑樹脂層に設けられ、上記配線層の上記パッド電極と
接続する部分を露出させる開口部とを有する。
プとリ−ドフレ−ムとを接続させるためのボンディング
テ−プは、半導体チップに接着する第１の熱可塑樹脂層
と、上記第１の熱可塑樹脂層上に設けられ、上記半導体
チップ上に設けられたパッド電極と上記リ−ドフレ−ム
のリ−ドとを電気的に接続する配線層と、上記配線層の
うち少なくとも上記リ−ドと接続する部分を露出させる
と共に上記配線層の他の部分を介し上記第１の熱可塑樹
脂層上に設けられ、上記リ−ドフレ−ムのアイランド上
にマウントされる第２の熱可塑樹脂層と、上記第１の熱
可塑樹脂層に設けられ、上記配線層の上記パッド電極と
接続する部分を露出させる開口部とを有する。
【０００９】また、本発明による上記ボンディングテ−
プを用いた半導体装置は、表面にパッド電極を有する半
導体チップと、アイランド及びリ−ドからなるリ−ドフ
レ−ムと、上記パッド電極上に設けられたバンプと、上
記ボンディングテ−プとからなり、上記第２の熱可塑樹
脂層は上記アイランド上に接着され、かつ上記配線層の
一端は上記バンプを介して上記パッド電極と接続し、か
つ上記配線層の他端は上記リ−ドと接続する。
プを用いた半導体装置は、表面にパッド電極を有する半
導体チップと、アイランド及びリ−ドからなるリ−ドフ
レ−ムと、上記パッド電極上に設けられたバンプと、上
記ボンディングテ−プとからなり、上記第２の熱可塑樹
脂層は上記アイランド上に接着され、かつ上記配線層の
一端は上記バンプを介して上記パッド電極と接続し、か
つ上記配線層の他端は上記リ−ドと接続する。
【００１０】上記半導体装置の製造方法は、上記アイラ
ンド上に上記第２の熱可塑樹脂層を載置し、かつ上記配
線層の他端を上記リ−ド上に載置し、かつ上記半導体チ
ップの表面を上記第１の熱可塑樹脂層上に載置した状態
で、上記リ−ドフレ−ムの裏面及び上記半導体チップの
裏面の両側から熱板にて圧着する工程を含む。
ンド上に上記第２の熱可塑樹脂層を載置し、かつ上記配
線層の他端を上記リ−ド上に載置し、かつ上記半導体チ
ップの表面を上記第１の熱可塑樹脂層上に載置した状態
で、上記リ−ドフレ−ムの裏面及び上記半導体チップの
裏面の両側から熱板にて圧着する工程を含む。
【００１１】
【作用】上記ボンディングテ−プの上記第２の熱可塑樹
脂層は上記アイランド上に接着され、上記配線層は上記
半導体チップと上記リ−ドフレ−ムのリ−ドとを電気的
に接続する。つまり、上記ボンディングテ−プは、ダイ
ボンディングとリ−ドボンディングとの両方の役割を果
たす。また、上記構造の半導体装置において、上気半導
体チップは上記ボンディングテ−プ、特に上記第２の熱
可塑樹脂層を用いて上記アイランド上にマウントされる
ため、良好な濡れ性を得ることができる。更に、上記配
線層を用いて上記半導体チップと上記リ−ドとを接続す
るため、それらの接続を容易にすることができる。
脂層は上記アイランド上に接着され、上記配線層は上記
半導体チップと上記リ−ドフレ−ムのリ−ドとを電気的
に接続する。つまり、上記ボンディングテ−プは、ダイ
ボンディングとリ−ドボンディングとの両方の役割を果
たす。また、上記構造の半導体装置において、上気半導
体チップは上記ボンディングテ−プ、特に上記第２の熱
可塑樹脂層を用いて上記アイランド上にマウントされる
ため、良好な濡れ性を得ることができる。更に、上記配
線層を用いて上記半導体チップと上記リ−ドとを接続す
るため、それらの接続を容易にすることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明による実施例を図面を参照して
説明する。先ず、本発明によるボンディングテ−プの構
造及び製造方法を図１乃至図２を参照して説明する。図
１（ａ）に示す様に、ボンディングテ−プ１０は、複数
の開口部１４が設けられた第１の熱可塑樹脂層１１と、
銅等からなる配線層１２と、第１の熱可塑樹脂層１１と
配線層１２を介して接着する第２の熱可塑樹脂層１３と
からなる。第１の熱可塑樹脂層１１及び第２の熱可塑樹
脂層１３は、シリコン変性ポリイミド等の絶縁性に優れ
たポリイミド等の熱可塑樹脂を用いて形成される。尚、
詳細は後述するが、第１の熱可塑樹脂層１１は半導体チ
ップの表面に対向し、第２の熱可塑樹脂層１３はリ−ド
フレ−ムのアイランドに対向する。
説明する。先ず、本発明によるボンディングテ−プの構
造及び製造方法を図１乃至図２を参照して説明する。図
１（ａ）に示す様に、ボンディングテ−プ１０は、複数
の開口部１４が設けられた第１の熱可塑樹脂層１１と、
銅等からなる配線層１２と、第１の熱可塑樹脂層１１と
配線層１２を介して接着する第２の熱可塑樹脂層１３と
からなる。第１の熱可塑樹脂層１１及び第２の熱可塑樹
脂層１３は、シリコン変性ポリイミド等の絶縁性に優れ
たポリイミド等の熱可塑樹脂を用いて形成される。尚、
詳細は後述するが、第１の熱可塑樹脂層１１は半導体チ
ップの表面に対向し、第２の熱可塑樹脂層１３はリ−ド
フレ−ムのアイランドに対向する。
【００１３】また、ボンディングテ−プ１０は以下のよ
うに形成される。まず、同図（ｂ）に示すように、第１
の熱可塑樹脂層１１を所定の形状に形成する。銅等の金
属を第１の熱可塑樹脂層１１の全面に蒸着後、所望の配
線パタ−ンとなるようにエッチングを行い配線層１２を
形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、第１の熱可
塑樹脂層１１上に配線層１２を介して第２の熱可塑樹脂
層１３を形成する。但し、第１の熱可塑樹脂層１１と第
２の熱可塑樹脂層１３との接着には、配線層１２を挟み
接着する部分と直接接着する部分とがある。また辺端部
分の配線層１２は、第２の熱可塑樹脂層１３に被覆され
る事なく露出している。
うに形成される。まず、同図（ｂ）に示すように、第１
の熱可塑樹脂層１１を所定の形状に形成する。銅等の金
属を第１の熱可塑樹脂層１１の全面に蒸着後、所望の配
線パタ−ンとなるようにエッチングを行い配線層１２を
形成する。次に、同図（ｃ）に示すように、第１の熱可
塑樹脂層１１上に配線層１２を介して第２の熱可塑樹脂
層１３を形成する。但し、第１の熱可塑樹脂層１１と第
２の熱可塑樹脂層１３との接着には、配線層１２を挟み
接着する部分と直接接着する部分とがある。また辺端部
分の配線層１２は、第２の熱可塑樹脂層１３に被覆され
る事なく露出している。
【００１４】次に、同図（ａ）に示すように、第１の熱
可塑樹脂層１１を選択的にエッチングして複数の開口部
１４を形成する。それにより、第１の熱可塑樹脂層１１
側では配線層１２の一端１２ａ部が露出され、第２の熱
可塑樹脂層１３側では配線層１２の他端１２ｂ部が露出
される。配線層１２の１２ａ部は半導体チップのパッド
電極と接続し、１２ｂ部はリ−ドフレ−ムのインナ−リ
−ドと接続する。
可塑樹脂層１１を選択的にエッチングして複数の開口部
１４を形成する。それにより、第１の熱可塑樹脂層１１
側では配線層１２の一端１２ａ部が露出され、第２の熱
可塑樹脂層１３側では配線層１２の他端１２ｂ部が露出
される。配線層１２の１２ａ部は半導体チップのパッド
電極と接続し、１２ｂ部はリ−ドフレ−ムのインナ−リ
−ドと接続する。
【００１５】例えば、半導体チップの対向する２辺にそ
ってパッド電極が設けられている場合に、その半導体チ
ップに用いられるボンディングテ−プ１０は、図２に示
すような形状である。第１の熱可塑樹脂層１１の表面つ
まり半導体チップと対向する側には、パッド電極に対す
る開口部１４が複数個設けられており、配線層１２ａ部
が露出される（同図（ａ））。反対に、第２の熱可塑樹
脂層１３の表面つまりアイランドと接着する側には、リ
−ドフレ−ムのインナ−リ−ドに接着する配線層１２ｂ
部が露出される（同図（ｂ））。但し、図中の斜線部分
は配線層１２を示している。
ってパッド電極が設けられている場合に、その半導体チ
ップに用いられるボンディングテ−プ１０は、図２に示
すような形状である。第１の熱可塑樹脂層１１の表面つ
まり半導体チップと対向する側には、パッド電極に対す
る開口部１４が複数個設けられており、配線層１２ａ部
が露出される（同図（ａ））。反対に、第２の熱可塑樹
脂層１３の表面つまりアイランドと接着する側には、リ
−ドフレ−ムのインナ−リ−ドに接着する配線層１２ｂ
部が露出される（同図（ｂ））。但し、図中の斜線部分
は配線層１２を示している。
【００１６】次に、上述したようなボンディングテ−プ
を用いた半導体装置及びその製造方法を図３乃至図４を
参照して説明する。図３によれば、半導体装置は半導体
チップ２１と、半導体チップ２１上のパッド電極（図示
せず）上に設けられたバンプ２２と、アイランド３１及
びインナ−リ−ド３２を有するリ−ドフレ−ム３０と、
半導体チップ２１をアイランド３１上にボンディングす
ると同時に上記パッド電極とインナ−リ−ド３２とを電
気的に接続する上記構造のボンディングテ−プ１０と、
半導体チップ２１を封止するモ−ルド樹脂２３とからな
る。
を用いた半導体装置及びその製造方法を図３乃至図４を
参照して説明する。図３によれば、半導体装置は半導体
チップ２１と、半導体チップ２１上のパッド電極（図示
せず）上に設けられたバンプ２２と、アイランド３１及
びインナ−リ−ド３２を有するリ−ドフレ−ム３０と、
半導体チップ２１をアイランド３１上にボンディングす
ると同時に上記パッド電極とインナ−リ−ド３２とを電
気的に接続する上記構造のボンディングテ−プ１０と、
半導体チップ２１を封止するモ−ルド樹脂２３とからな
る。
【００１７】また、図４に示すように、半導体装置のダ
イボンディング及びリ−ドボンディングとは同時に行わ
れる。半導体チップ２１とリ−ドフレ−ム３０の間にボ
ンディングテ−プ１０を挟み、半導体チップ２１及びリ
−ドフレ−ム３０の両側から熱板２４にて熱圧着する。
第２の熱可塑樹脂層１３はアイランド３１上にボンディ
ングされ、それにより半導体チップ２１はダイボンディ
ングされる。また、ボンディングテ−プ１０の配線層１
２は、その一端でバンプ２２と接合すると共に他端でイ
ンナ−リ−ド３２と接合し、上記パッド電極とインナ−
リ−ド３２とを電気的に接続する。更に、バンプ２２
を、例えば溶融温度が２３０℃のハンダで形成すること
により、バンプ２２と配線層１２との接合を良好にする
ことができる。
イボンディング及びリ−ドボンディングとは同時に行わ
れる。半導体チップ２１とリ−ドフレ−ム３０の間にボ
ンディングテ−プ１０を挟み、半導体チップ２１及びリ
−ドフレ−ム３０の両側から熱板２４にて熱圧着する。
第２の熱可塑樹脂層１３はアイランド３１上にボンディ
ングされ、それにより半導体チップ２１はダイボンディ
ングされる。また、ボンディングテ−プ１０の配線層１
２は、その一端でバンプ２２と接合すると共に他端でイ
ンナ−リ−ド３２と接合し、上記パッド電極とインナ−
リ−ド３２とを電気的に接続する。更に、バンプ２２
を、例えば溶融温度が２３０℃のハンダで形成すること
により、バンプ２２と配線層１２との接合を良好にする
ことができる。
【００１８】ボンディングテ−プ１０はシ−ト状である
ため、濡れ性を１００％とすることができ、アイランド
３１上に良好に接着する。また、配線層１２を用いて上
記パッド電極とインナ−リ−ド３２とを接続しているた
め、モ−ルド工程時にワイヤ流れ等もなく、容易に樹脂
封止することができる。更に、半導体素子を通常と逆に
接着するため半導体素子のアルミ配線の保護にもなり、
パッケ−ジにしたときのＰＣＴ及びＴＣＴの不良を大幅
に改善できる。
ため、濡れ性を１００％とすることができ、アイランド
３１上に良好に接着する。また、配線層１２を用いて上
記パッド電極とインナ−リ−ド３２とを接続しているた
め、モ−ルド工程時にワイヤ流れ等もなく、容易に樹脂
封止することができる。更に、半導体素子を通常と逆に
接着するため半導体素子のアルミ配線の保護にもなり、
パッケ−ジにしたときのＰＣＴ及びＴＣＴの不良を大幅
に改善できる。
【００１９】尚、ボンディングテ−プ１０において、第
１の熱可塑樹脂層１１の厚さをバンプ２２の厚さと等し
くすることが望ましい。例えば、第１の熱可塑樹脂層１
１を３０μｍ、配線層１２を１３μｍ、第２の可塑樹脂
層を３０μｍとすることができる。
１の熱可塑樹脂層１１の厚さをバンプ２２の厚さと等し
くすることが望ましい。例えば、第１の熱可塑樹脂層１
１を３０μｍ、配線層１２を１３μｍ、第２の可塑樹脂
層を３０μｍとすることができる。
【００２０】また、第１の熱可塑樹脂層１１及び第２の
熱可塑樹脂層１３の軟化温度は同一の温度であっても良
く、第２の熱可塑樹脂層１３の軟化温度を第１の熱可塑
樹脂層１１より高くしても良い。例えば、第２の熱可塑
樹脂層１３を約３２０℃、第１の熱可塑樹脂層１１を約
２６０℃とした場合、第１の熱可塑樹脂層１１の軟化温
度において、第２の熱可塑樹脂層１３は軟化せず固いた
め、熱圧着時にバンプ２２と配線層１２との接着を容易
にすることができる。
熱可塑樹脂層１３の軟化温度は同一の温度であっても良
く、第２の熱可塑樹脂層１３の軟化温度を第１の熱可塑
樹脂層１１より高くしても良い。例えば、第２の熱可塑
樹脂層１３を約３２０℃、第１の熱可塑樹脂層１１を約
２６０℃とした場合、第１の熱可塑樹脂層１１の軟化温
度において、第２の熱可塑樹脂層１３は軟化せず固いた
め、熱圧着時にバンプ２２と配線層１２との接着を容易
にすることができる。
【００２１】更に、配線層１２とインナ−リ−ド３２と
の接合部において、配線層１２とインナ−リ−ド３２の
いずれ一方若しくは両方に、半田メッキ若しくは銀メッ
キを施すことにより、接合を容易にすることができる。
またいうまでもなく、ボンディングテ−プ１０の配線層
１２を単層に限らず複数層とすることも可能である。
の接合部において、配線層１２とインナ−リ−ド３２の
いずれ一方若しくは両方に、半田メッキ若しくは銀メッ
キを施すことにより、接合を容易にすることができる。
またいうまでもなく、ボンディングテ−プ１０の配線層
１２を単層に限らず複数層とすることも可能である。
【００２２】
【発明の効果】本発明によるボンディングテ−プを用い
た半導体装置であると、従来のマウントペ−ストを用い
たダイボンディングとワイヤボンディングとに起因した
問題を防ぐことができる。ボンディングテ−プはシ−ト
状であるため濡れ性が向上し、接着性を良くすることが
できる。また、ボンディングテ−プを用いて、半導体チ
ップとインナ−リ−ドとを接続するため、ワイヤボンデ
ィングに起因するすべての問題を解決できるのは勿論で
あり、更に、ワイヤボンディングでは難しい複雑な配線
をすることも可能である。
た半導体装置であると、従来のマウントペ−ストを用い
たダイボンディングとワイヤボンディングとに起因した
問題を防ぐことができる。ボンディングテ−プはシ−ト
状であるため濡れ性が向上し、接着性を良くすることが
できる。また、ボンディングテ−プを用いて、半導体チ
ップとインナ−リ−ドとを接続するため、ワイヤボンデ
ィングに起因するすべての問題を解決できるのは勿論で
あり、更に、ワイヤボンディングでは難しい複雑な配線
をすることも可能である。
【図１】本発明によるボンディングテ−プとその製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図２】図１に示すボンディングテ−プの上面図（ａ）
及び裏面図（ｂ）である。
及び裏面図（ｂ）である。
【図３】本発明のボンディングテ−プを用いた半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図４】図３に示す半導体装置におけるボンディングテ
−プとリ−ドフレ−ムとの接続関係及び半導体チップと
バンプとの接続関係を示す断面図である。
−プとリ−ドフレ−ムとの接続関係及び半導体チップと
バンプとの接続関係を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図６】アイランド上にマウントペ−ストを塗布する工
程（ａ）と、半導体チップを接着する工程（ｂ）とを示
す断面図である。
程（ａ）と、半導体チップを接着する工程（ｂ）とを示
す断面図である。
１０…ボンディングテ−プ、１１…第１の熱可塑樹脂
層、１２…配線層 １３…第２の熱可塑樹脂層、１４…開口部 ２１…半導体チップ、２２…バンプ、２３…モ−ルド樹
脂、２４…熱板 ３０…リ−ドフレ−ム、３１…アイランド、３２…イン
ナ−リ−ド
層、１２…配線層 １３…第２の熱可塑樹脂層、１４…開口部 ２１…半導体チップ、２２…バンプ、２３…モ−ルド樹
脂、２４…熱板 ３０…リ−ドフレ−ム、３１…アイランド、３２…イン
ナ−リ−ド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 東 道也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 (72)発明者 野田 康昌 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (5)
- 【請求項１】 表面にパッド電極を有する半導体チップ
と、アイランド及びリ−ドからなるリ−ドフレ−ムとを
接続する際に用いられ、 上記パッド電極と上記リ−ドとを電気的に接続する配線
層と、上記配線層を挟む第１及び第２の熱可塑樹脂層と
を具備するボンディングテ−プ。 - 【請求項２】 表面にパッド電極を有する半導体チップ
と、アイランド及びリ−ドからなるリ−ドフレ−ムとを
接続する際に用いられ、 上記半導体チップに対向する第１の熱可塑樹脂層と、 上記第１の熱可塑樹脂層上に設けられ、上記パッド電極
と上記リ−ドとを電気的に接続する配線層と、 上記配線層のうち少なくとも上記リ−ドと接続する部分
を露出させると共に上記配線層の他の部分を介し上記第
１の熱可塑樹脂層上に設けられ、上記アイランド上にマ
ウントされる第２の熱可塑樹脂層と、 上記第１の熱可塑樹脂層に設けられ、上記配線層の上記
パッド電極と接続する部分を露出させる開口部とを具備
するボンディングテ−プ。 - 【請求項３】 配線層と、上記配線層を介し接着する第
１及び第２の熱可塑樹脂層であって、上記配線層の一端
と露出される開口部を有する上記第１の熱可塑樹脂層
と、上記配線層の他端を露出する上記第２の熱可塑樹脂
層とからなるボンディングテ−プを用いた半導体装置に
おいて、 表面にパッド電極を有する半導体チップと、アイランド
及びリ−ドからなるリ−ドフレ−ムと、上記パッド電極
上に設けられたバンプと、上記ボンディングテ−プとか
らなり、 上記第２の熱可塑樹脂層は上記アイランド上に接着さ
れ、かつ上記配線層の一端は上記バンプを介して上記パ
ッド電極と接続し、かつ上記配線層の他端は上記リ−ド
と接続することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 配線層と、上記配線層を介し接着する第
１及び第２の熱可塑樹脂層であって、上記配線層の一端
と露出される開口部を有する上記第１の熱可塑樹脂層
と、上記配線層の他端を露出する上記第２の熱可塑樹脂
層とからなるボンディングテ−プを用いた半導体装置の
製造方法において、 リ−ドフレ−ムのアイランド上に上記第２の熱可塑樹脂
層を接着する第１の工程と、 半導体チップのパッド電極に設けられたバンプと上記配
線層の一端とを接着すると共に、上記リ−ドフレ−ムの
リ−ドと上記配線層の他端とを接着される第２と工程と
を含み、 上記第１の工程と上記第２の工程とは同時に行われるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記アイランド上に上記第２の熱可塑樹
脂層を載置し、かつ上記配線層の他端を上記リ−ド上に
載置し、かつ上記半導体チップの表面を上記第１の熱可
塑樹脂層上に載置した状態で、上記リ−ドフレ−ムの裏
面及び上記半導体チップの裏面の両側から熱板にて圧着
することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070559A JPH07283275A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6070559A JPH07283275A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283275A true JPH07283275A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13435017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6070559A Pending JPH07283275A (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | ボンディングテ−プ、そのボンディングテ−プを用いた半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155170A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 友立材料株式会社 | 引线框 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP6070559A patent/JPH07283275A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155170A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 友立材料株式会社 | 引线框 |
| JP2018093091A (ja) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム |
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