JP4051290B2 - 半導体装置の実装体及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置の実装体及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4051290B2 JP4051290B2 JP2002576010A JP2002576010A JP4051290B2 JP 4051290 B2 JP4051290 B2 JP 4051290B2 JP 2002576010 A JP2002576010 A JP 2002576010A JP 2002576010 A JP2002576010 A JP 2002576010A JP 4051290 B2 JP4051290 B2 JP 4051290B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- protruding
- counter
- semiconductor chip
- core portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/0502—Disposition
- H01L2224/05026—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
- H01L2224/05572—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
- H01L2224/11472—Profile of the lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13075—Plural core members
- H01L2224/1308—Plural core members being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13075—Plural core members
- H01L2224/1308—Plural core members being stacked
- H01L2224/13083—Three-layer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13116—Lead [Pb] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13155—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Description
技術分野
本発明は、突起電極を有する半導体チップを対向する配線基板上へ搭載してなる半導体装置の実装体及びかかる実装体の製造方法に関する。
【0002】
背景技術
突起電極を有する半導体素子を対向する配線基板上に実装するにおいて、半導体素子と配線基板との間に熱硬化性の接着用絶縁樹脂を介在させて、半導体素子の突起電極を配線基板に押し付けてその配線基板及び該配線基板上の電極を凹形状に塑性変形または弾性変形させることで半導体素子を配線基板上の電極に電気的に接続させることが、特開平4−82241号公報及び特開平11−284022号公報に開示されている。この半導体素子の突起電極は、半導体素子上のパッド電極の上に電気メッキ法などによりAuなどの金属材料でもって形成したものである。
【0003】
このような突起電極の形成では突起電極の先端の形状を調整することができないため、突起電極を配線基板に押し付けたとき、突起電極の先端の形状と該突起電極に押し付けられて変形した配線基板上の電極の形状とが十分に合致せず、安定的な電気的接続が得られないときもある。
【0004】
発明の開示
本発明の目的は、突起電極を有する半導体チップを、表面に対向電極を設けた対向基板に実装するときに、その対向電極を損なうことなく、突起電極と対向電極との電気的接続を十分に行うことができる、信頼性の高い半導体装置の実装体及びその製造方法を提供することである。
【0005】
上記目的を達成するため、本発明による半導体装置の実装体は、突起電極を有する半導体チップと、上記突起電極の端面と接触する対向電極を一面に形成した樹脂製の対向基板と、上記半導体チップと上記対向基板との間に介在する絶縁性の熱可塑性、熱硬化性または光硬化性の接着剤とを備える。そして、前記突起電極は、コア部分と、該コア部分の上方にそのコア部分とは別体の凸形状をした電極端部との2層構造とする。
【0006】
突起電極を構成する電極端部は、それを構成する材料を加熱することによって、その材料の量に応じた丸みを形成することができるので、対向基板及び対向電極の材質に適したものに容易に調整できる。したがって、突起電極と対向電極との確実な電気的接続が可能となる。
【0007】
発明を実施するための最良の形態
半導体装置の実装体の参考の実施形態を図1及び図3A−図3Dを参照して説明する。
図1において、厚さ0.3乃至1.0mm程度のシリコン単結晶基板1上に能動素子や論理回路や回路配線等の半導体集積回路が形成されている。この基板1と、該基板1上に設けられたパッド電極2及び保護膜3とで半導体チップ20を構成している。パッド電極2は基板1上に形成された半導体集積回路の電源や信号系配線を外部と接続する。また、保護膜3は、パッド電極2と対向する部位に開口部を有し、基板1上に形成された半導体集積回路を保護している。
さらに、パッド電極2とその外側周囲の保護膜3上に突起電極5が形成されている。この突起電極5の上端面は、その中央部が円みを持って盛り上がった凸形状(球面の一部)をしている。
【0008】
この半導体チップ20上の突起電極5は、半導体チップ20と樹脂からなる対向基板9との間に充填された絶縁性接着剤7によって、対向基板9の対向電極8と電気的に接続している。この状態で、対向基板9は、図1に示すように、突起電極5の上端面の凸形状に対応して凹形状に変形している。
【0009】
図1の実装体を作るには、まず、半導体チップ20か対向基板9の何れかに絶縁性接着剤7を塗布する。次に、半導体チップ20上の突起電極5と、対向基板9上の対向電極8とを、対向基板9の材料のガラス転移温度(Tg)以下で、且つ絶縁性接着剤7が硬化する温度で、低い圧着応力を一定時間保持させる加熱圧着条件下で密着させる。この突起電極5の対向電極8への密着によって、対向基板9と対向電極8には突起電極5の端面の凸形状に対応して凹部が形成される。その結果、突起電極5の凸形状の端面と対向電極8に形成された凹部との係合によって、半導体チップ20は対向電極8と電気的に接続する。
【0010】
突起電極5を形成するには、まず、バリアメタル層4の上層にコア層5bを形成し、その後に電極端部5aを形成する。コア層5bには電極端部5aよりも高い融点の金属材料を用いる。電極端部5aを選択的に溶融することで、その溶融金属の表面張力により突起電極5の端面の形状をほぼ球面の一部とすることができる。電極端部5aの球面の曲率半径を大きくしたために突起電極5の高さが不足した場合は、コア層5bの厚みを大きくすることで突起電極5の高さを必要な高さに調整することができる。
さらに、突起電極5の最上層に突起電極被覆膜5cを形成してもよい。この突起電極被覆膜5cによって、突起電極5表面の酸化を防止できるとともに、対向電極8との良好な接続を図ることができる。
【0011】
突起電極5の電極端部5aは、対向基板9の材料よりも弾性率が大きくかつ対向基板9の材料のTgよりも高い融点をもつ材料、たとえば、導電性に優れるAu、Ag、Sn、Ni、Pbなどの金属類やこれら金属類を含有する塑性物、を用いることが好ましい。このような材料の電極端部5aをもった突起電極5を対向基板9に対して前記の加熱圧着条件下で加熱圧着すると、対向電極8にかかる圧着応力は対向基板9に吸収されて適度に分散して、対向基板9は塑性変形し凹部が形成される。その結果、突起電極5は、その形状を保った状態で、対向電極8との間の良好な電気的接続を得ることができる。対向基板9に形成される凹部の深さを5μm程度になるようにすると、突起電極5に1〜2μmの高さのバラツキがあってもそれを補完できる。
【0012】
対向基板9は、絶縁性や平滑性等に優れた熱可塑性の樹脂材料や、熱硬化性の樹脂材料からなることが好ましい。更に、対向基板9は、突起電極5に使用する材料の融点よりも低いTgを有する樹脂組成物からなることがさらに好ましい。例えば、ポリカーボネートやポリエーテルスルフォンや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂や、エポキシやポリイミド等の熱硬化性樹脂で構成されている薄板やフィルムを用いることができる。これら樹脂材料には、必要に応じて充填剤を添加したり、表面にガスバリアー層を設けてもよい。
【0013】
また、対向基板9と対向電極8に突起電極5の端面の形状(凸形状)に対応した凹部を形成させ易くするために、対向電極8の材料には、例えば導電性や延伸性に優れた10μm以下の膜厚のAl、Cu、Ni、Au等の金属膜やこれらの金属を含有する組成物からなる単層または多層の膜を用いることが好ましい。さらに好ましいのは、厚み10μm以下のCu膜の上層に膜厚1μm以下のAu膜を設けた多層膜を用いることである。
【0014】
また、液晶表示装置に用いる透明電極の中では1μm以下の膜厚のインジウム錫酸化物(以下、ITOという)の膜を対向電極として用いることが好ましい。さらに前記ITO膜を用いる場合は接続抵抗を低くするために、上層に膜厚1μm以下のAl、Cu、Au等の金属膜やこれらの金属を含有する組成物からなる単層または多層の膜を設けても良い。
【0015】
絶縁性接着剤7は、半導体チップ20を対向基板9に固着する上で、突起電極5の融点以下で且つ対向基板9材料のTg以下の加熱圧着温度で十分硬化する材料が望ましい。したがって、絶縁性接着剤7の材料には、熱可塑性、熱硬化性、光硬化性等の樹脂組成物を用いることができるが、望ましくは対向基板9のTg以下の温度域で硬化可能な熱硬化性樹脂組成物、具体的にはアクリル、ウレタン、エポキシ等の樹脂組成物、を用いることが好ましい。
【0016】
半導体チップ20を対向基板9上に固着するにおいて、まず半導体チップ20か対向基板9の何れかに絶縁性接着剤7を塗布し、その後に半導体チップ20の突起電極5を対向基板9に対して加熱圧着することを前に説明したが、これに代えて、突起電極5を対向電極8に圧着した後に絶縁性接着剤7を充填し硬化させるようにしてもよい。
また、半導体チップ20を構成するパッド電極2と突起電極5との間に、相互の金属材料の拡散を防止するためのバリアメタル層4を設けてもよい。
【0017】
以下に、図1の半導体装置の実装体の製造方法の一例を図3A乃至図3Dを参照して説明する。
1.基板上のパッド電極上に突起電極のコア層及び電極端部を形成すること(図3A):
シリコン単結晶板基板1上には半導体チップを構成するパッド電極2と保護膜3とが形成されている。保護膜3はパッド電極2の表面のみ露出させるように形成されている。
【0018】
まず、保護膜3とパッド電極2を含む表面の全領域に、膜厚が0.5μmのTi/W組成膜であるバリアメタル層4をスパッタリング法により形成する。続いて、このバリアメタル層4の上層で、パッド電極2の上方部分を除いた領域に、フォトリソグラフィー法によりメッキレジスト膜10を形成する。
【0019】
それから、メッキレジスト膜10で覆われていない、パッド電極2の上方のバリアメタル層4の上には、このバリアメタル層4を共通電極膜として用いる電気メッキ法により、厚さ20μmのCuを成長させることで、コア層5bを形成する。
さらに、コア層5bよりも低い融点をもつ金属であるSn/Pb=6/4のハンダをバリアメタル層4を共通電極膜として用いる電気メッキにより成長させて、電極端部5aを形成する。
以上の過程により図3Aに示す構造体を得る。
【0020】
2.突起電極の端面(対向電極との接続面)を凸形状(ほぼ球面の一部となる形状)に変形すること(図3B):
まず、シリコン単結晶基板1を200°Cに加熱したホットプレート上に20秒間放置する。すると、シリコン単結晶基板1から伝わった熱により突起電極5の電極端部5aのみが溶解し、その表面張力によって電極端部5aの形状はほぼ球面の一部となるように変形する。その電極端部5aの球面の曲率半径は、成長させるべき金属メッキの量により容易に調整できる。つまり、金属メッキ量を少なくすると、曲率半径が大きくなり、なだらかな端面を有する電極端部5aとすることができる。一方、金属メッキの量を多くすることで、その電極端部5aの高さを稼ぐことができるが、突起電極5の端面の曲率半径は小さくなる。
さらに、電極端部5aの表面に、電気メッキ法により、0.1μmの厚みのAuの突起電極被覆膜5cを成長させることで形成する。
以上の過程により図3Bに示す構造体を得る。
【0021】
3.突起電極を備えた半導体チップを形成すること(図3C):
まず、市販のレジスト剥離液を用いて図3Bに示す構造体のメッキレジスト膜10を除去してバリアメタル層4を露出させる。
次いで、その露出したバリアメタル層4を過酸化水素水でエッチングする。
以上の過程により図3Cに示す構造体を得る。
【0022】
4.突起電極5を対向電極8に電気的接続させること(図3D):
まず、厚さ0.2mmのポリカーボネート樹脂からなる対向基板9に、厚さ0.8μmのITOをスパッタリング法にて成膜し、フォトリソグラフィー法にて所望のパターンの対向電極8を得る。
さらに、対向基板9の表面(被実装面)に未硬化状態のエポキシ樹脂組成物の絶縁性接着剤7を供給する。
【0023】
次に、半導体チップ(パッド電極2及び保護膜3とで構成される)の突起電極5を、対向基板9上の対向電極8に対して、130℃で40Kg/cm2でゆっくり加熱圧着し、その状態を2分間保持する。その結果、対向基板9と対向電極8には、突起電極5の先端形状に対応して、凹部が形成される。そして、凸形状(球面の一部となる形状)をした突起電極5が対向電極8の凹部と係合することによって、両電極5、8の確実な電気的接続が行われる。
それと同時に、絶縁性接着剤7を十分に硬化させて半導体チップ(パッド電極2及び保護膜3)と対向基板9とを強固に接着させる。
以上の過程により図1に示す実装体が完成する。
【0024】
上記の実装体の突起電極5は、その端面がほぼ球面の一部となる形状を呈するので、半導体チップ上の突起電極5を対向基板9上の対向電極8に対して加熱圧着する過程の初期の段階で、未硬化の絶縁性接着剤7を両電極5、8の接続面から容易に排出するので、その結果、両電極5、8の接続面は直接(接着剤7が介在することなく)接続することができる。
【0025】
なお、上の例では、未硬化状態のエポキシ樹脂組成物の絶縁性接着剤7を対向基板9の表面(被実装面)に供給するのは、半導体チップ上の突起電極5を対向基板9上の対向電極8に密着させる前である。これに代えて、半導体チップ上の突起電極5と対向基板9上の対向電極8とを密着させてから未硬化の液状絶縁性接着剤7をディスペンス法により半導体チップと対向基板9との間に供給し、それから半導体チップの対向基板9に対する加熱圧着工程を行って両電極5、8を接続させてもよい。
【0026】
上記の方法により半導体装置の実装体を製造するにおいて、温度、圧着応力を低く設定しても良好な電気的接続が達成できる。よって、樹脂からなる対向基板9上に本発明による半導体装置の実装体を実装させるとき、対向基板9上の対向電極が破損するのを極力抑えることができる。したがって、高密度の実装に対応できる半導体装置の実装体を提供することができる。
【0027】
本発明による半導体装置の実装体の実施形態を図2及び図4A−図4C及び図5A−図5Cを参照して説明する。
図2に示す半導体の実装体は、突起電極5のコア層5bが階段状になっている点で図1に示す参考実施形態の実装体と異なる。以下、その製造方法を説明する。
【0028】
1.基板のパッド電極上に突起電極のコア層を形成すること(図4A):
パッド電極2、保護膜3、バイアメタル層4及びコア層5bを図1の実装体を作るときに用いたのと同じ手法で形成する。
すなわち、保護膜3とパッド電極2を含む表面の全領域にバリアメタル層4をスパッタリング法により形成する。そして、このバリアメタル層4の上層で、パッド電極2の上方部分を除いた領域に、フォトリソグラフィー法によりメッキレジスト膜(図4Aでは図示せず)を形成する。それから、メッキレジスト膜で覆われていない、パッド電極2の上方のバリアメタル層4の上には、このバリアメタル層4を共通電極膜として用いる電気メッキ法により、厚さ20μmのCuを成長させることで、コア層5bを形成する。さらに、その後に、レジスト剥離液を用いてメッキレジスト膜を除去し、また、露出した(すなわち、コア層5bで覆われていない)部分のバリアメタル4を過酸化水素水でエッチングして、図4Aの構造体を得る。
【0029】
2.メッキレジスト膜の形成(図4B):
図4Aに示す構造体に、新たにポジ型レジストをスピンコート法で塗布することで保護膜3及びコア層5b上にメッキレジスト膜10を形成して図4Bに示す構造体を得る。
3.階段状のレジストパターンの形成(図4C):
図4Bの構造体におけるメッキレジスト膜10をCr材料のフォトリソマスク(図示せず)を用いてエッチングする。このフォトリソマスクに露光光源から紫外線を照射することで、紫外線光量の程度によりレジストの分解を制御して、メッキレジスト膜10の、
第一の領域10aはエッチングで除去しコア層5bを完全に露出させ、
第二の領域10bは途中までエッチングして、コア層5bを薄い膜厚のメッキレジスト膜10で覆った状態におき、また、
第三の領域10cはエッチングしない領域とする。
なお、上記第一の領域10a及び第二の領域10bはコア層5bの上方の領域であり、第三の領域10cはコア層5bの上方から外れた領域である。
【0030】
4.コア層のエッチング(図5A):
図4Cの構造体にドライエッチングを行う。このドライエッチングによって、コア層5bを露出させた第一の領域10aではドライエッチングの初期段階からコア層5bのエッチングが始まり、また、薄い膜厚のメッキレジスト膜10で覆われた第二の領域10bではその薄い膜厚のメッキレジスト膜10をドライエッチングで消失させてからコア層5bのエッチングが始まる。
以上のドライエッチングによって階段状のコア層5bを有する図5Aの構造体を得る。
なお、図5Aの構造体のコア層5bは段数が2であるが、コア層5bに3以上の段数を与えるには、三段階以上に紫外線の遮光量を変えるパターンを持ったフォトリソマスクを用いればよい。
【0031】
5.階段状のコア層に電極端部の形成(図5B):
図5Bに示すように、電極端部5aを電解メッキ法により等方成長させる。
6.突起電極被覆膜の形成(図5C):
第一の実施形態と同じ熱処理により階段状コア層の電極端部5aを丸めた後、突起電極被覆膜5cを電気メッキ法により形成し、図5Cに示す構造体を得る。
【0032】
以上説明したように、本発明によれば、半導体チップ上の突起電極をコア層と電極端部との2層に形成しているので、半導体チップ上の電極端部の先端の丸み形状を任意の形状とすることができ、対向基板及び対向電極の材質に適したものに容易に調整できる。したがって、突起電極と対向電極との確実な電気的接続が可能となる。
【0033】
なお、対向電極8の入力側に電極端部5aのなだらかな面を配置すれば、実装体形成時の対向電極8の入力側が破損するのを最小限に留めることができる。その逆側に位置する対向電極8がたとえ破損したとしても半導体装置の駆動上問題がない。よって、本構成は、更なる高密度の実装に対応でき、さらに対向基板9の材料、および対向電極の材料等に起因する突起電極8の破損の虞がある場合に特に有効な形態である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 参考実施形態の半導体装置の実装体の断面図である。
【図2】 本発明の実施形態に係る半導体装置の実装体の断面図である。
【図3】 図3A乃至図3Dは、図1に示す半導体の実装体の製造方法を説明する図である。
【図4】 図4A乃至図4Cは、図2に示す半導体の実装体の製造方法を説明する図であり、途中の、突起電極を階段状にする前までの過程を説明している。
【図5】 図5A乃至図5Cは、図2に示す半導体の実装体の製造方法を説明する図であり、突起電極を階段状に形成してからその突起電極に電極端部及び突起電極被覆膜を形成するまでの過程を説明している。
Claims (3)
- 突起電極を有する半導体チップと、
上記突起電極の端面と接触する対向電極を一面に形成した樹脂製の対向基板と、
上記半導体チップと上記対向基板との間に介在する絶縁性の熱可塑性、熱硬化性または光硬化性の接着剤とを備え、
上記突起電極は、コア部分と、該コア部分の上方にそのコア部分とは別体の凸形状をした電極端部とから構成され、しかも、
前記電極端部は、前記対向基板の材料よりも弾性率が大きくかつ前記対向基板のガラス転移温度(Tg)よりも高い融点の材料を用いたものであり、また、
前記突起電極の凸形状の端面と対向電極に形成された凹部との係合によって半導体チップは対向電極と電気的に接続され、
上記突起電極のコア部分は、段数2のまたは3以上の階段状をしている、
半導体装置の実装体。 - 上記突起電極の電極端部の表面には、突起電極の表面の酸化を防止しかつ上記対向電極との良好な接続を図るための突起電極被覆膜を形成した、請求項1に記載の半導体装置の実装体。
- 半導体チップを構成するパッド電極の上部に突起電極のコア部分を形成すること、
上記コア部分を含む半導体チップ上にメッキレジスト膜を形成すること、
上記メッキレジスト膜にフォトリソマスクを適用してエッチングするにあたって照射光量を多段階に変えることにより、上記コア部分の上方のメッキレジスト膜の厚さを多段階とすること、
上記多段階の厚さのメッキレジスト膜をドライエッチングすることにより、上記コア部分を階段状の形体とすること、
上記階段状にされたコア部分に電極端部をメッキ法で成長させること、
上記電極端部をリフロー工程により丸めること、
上記電極端部に突起電極被覆膜をメッキ法により形成すること、
を含む、半導体装置の実装体の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001086717 | 2001-03-26 | ||
JP2001086717 | 2001-03-26 | ||
PCT/JP2002/002836 WO2002078079A1 (en) | 2001-03-26 | 2002-03-25 | Package of semiconductor device and its manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2002078079A1 JPWO2002078079A1 (ja) | 2004-07-15 |
JP4051290B2 true JP4051290B2 (ja) | 2008-02-20 |
Family
ID=18942053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002576010A Expired - Fee Related JP4051290B2 (ja) | 2001-03-26 | 2002-03-25 | 半導体装置の実装体及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7053479B2 (ja) |
JP (1) | JP4051290B2 (ja) |
CN (1) | CN1246891C (ja) |
TW (1) | TW533523B (ja) |
WO (1) | WO2002078079A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1287435C (zh) * | 2002-06-27 | 2006-11-29 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
KR102600926B1 (ko) * | 2016-08-24 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 칩, 표시패널 및 전자장치 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2502794B2 (ja) | 1990-07-24 | 1996-05-29 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JP3383329B2 (ja) * | 1992-08-27 | 2003-03-04 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06333931A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-12-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置における微細電極の製造方法 |
JPH07122591A (ja) | 1993-10-21 | 1995-05-12 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の実装方法 |
JPH08222573A (ja) | 1994-12-16 | 1996-08-30 | Casio Comput Co Ltd | 突起電極を有する電子部品及び突起電極の形成方法並びに突 起電極を有する電子部品のボンディング方法 |
JPH0997791A (ja) | 1995-09-27 | 1997-04-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バンプ構造、バンプの形成方法、実装接続体 |
JP3070514B2 (ja) * | 1997-04-28 | 2000-07-31 | 日本電気株式会社 | 突起電極を有する半導体装置、半導体装置の実装方法およびその実装構造 |
JPH11186325A (ja) | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Pfu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH11284022A (ja) | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3827442B2 (ja) | 1998-04-14 | 2006-09-27 | 新日本無線株式会社 | 半導体パッケージの製造方法 |
JP3629365B2 (ja) | 1998-05-29 | 2005-03-16 | 新日本無線株式会社 | 金属バンプの形成方法 |
JP4416874B2 (ja) | 1998-09-30 | 2010-02-17 | イビデン株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP2000260912A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法 |
-
2002
- 2002-03-25 CN CNB028071484A patent/CN1246891C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-25 JP JP2002576010A patent/JP4051290B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-25 WO PCT/JP2002/002836 patent/WO2002078079A1/ja active Application Filing
- 2002-03-25 US US10/472,904 patent/US7053479B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-25 TW TW091105691A patent/TW533523B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002078079A1 (en) | 2002-10-03 |
CN1502125A (zh) | 2004-06-02 |
US20040097094A1 (en) | 2004-05-20 |
JPWO2002078079A1 (ja) | 2004-07-15 |
TW533523B (en) | 2003-05-21 |
US7053479B2 (en) | 2006-05-30 |
CN1246891C (zh) | 2006-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6744122B1 (en) | Semiconductor device, method of manufacture thereof, circuit board, and electronic device | |
JP2891184B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US5578527A (en) | Connection construction and method of manufacturing the same | |
US8704106B2 (en) | Ferroelectric component and manufacturing the same | |
JP4729963B2 (ja) | 電子部品接続用突起電極とそれを用いた電子部品実装体およびそれらの製造方法 | |
TWI450315B (zh) | 半導體裝置之安裝方法 | |
TW200524101A (en) | Electronic device and process for manufacturing same | |
US6713880B2 (en) | Semiconductor device and method for producing the same, and method for mounting semiconductor device | |
JPH03503342A (ja) | 半導体装置パッケージ及びその製造方法 | |
US6847121B2 (en) | Semiconductor device and package product of the semiconductor device | |
JP4051290B2 (ja) | 半導体装置の実装体及びその製造方法 | |
KR20090122514A (ko) | 플립 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20030069321A (ko) | 플립칩 범핑을 이용한 반도체 촬상소자 패키지 및 그제조방법 | |
JP2002231765A (ja) | 半導体装置 | |
JP2002151801A (ja) | 回路基板構造およびその製造方法 | |
JP2001118968A (ja) | 半導体装置 | |
JP3565750B2 (ja) | フレキシブル配線板、電気装置、及びフレキシブル配線板の製造方法。 | |
JP3562485B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH04242939A (ja) | 半導体装置の実装構造およびその製造方法 | |
JPH10289923A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JPH08102464A (ja) | 突起電極構造とその形成方法及び突起電極を用いた接続構造とその接続方法 | |
JP4754763B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH11274334A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0513120A (ja) | 異方性導電テープコネクタと光硬化性樹脂を用いた電子部品実装構造 | |
JPH1022413A (ja) | 配線基板及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びにその実装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |