JP3324326B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップと基材
とを金属で接合して封止する半導体装置に関するもので
ある。
とを金属で接合して封止する半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の半導体装置を示す断面図
であり、図において、１は例えばケイ素からなる半導体
チップ、２は例えばアルミナセラミックパッケージのよ
うな基材、３は半導体チップ１と基材２とを接合してい
る接合金属で例えば組成が９５％Ｐｂ−５％Ｓｎのはん
だ合金、４は半導体チップ１と外部とを電気的に接続す
るリード、５は半導体チップ１の端子とリード４を電気
的に接続するボンディングワイヤである。このような半
導体装置は、例えば三菱電機株式会社半導体事業本部刊
「三菱データブック アイシー パッケージズ（MITSUB
ISHI DATA BOOK IC PACKAGES）」（１９８９年１０月発
行）に記載されている。
であり、図において、１は例えばケイ素からなる半導体
チップ、２は例えばアルミナセラミックパッケージのよ
うな基材、３は半導体チップ１と基材２とを接合してい
る接合金属で例えば組成が９５％Ｐｂ−５％Ｓｎのはん
だ合金、４は半導体チップ１と外部とを電気的に接続す
るリード、５は半導体チップ１の端子とリード４を電気
的に接続するボンディングワイヤである。このような半
導体装置は、例えば三菱電機株式会社半導体事業本部刊
「三菱データブック アイシー パッケージズ（MITSUB
ISHI DATA BOOK IC PACKAGES）」（１９８９年１０月発
行）に記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、半導体チップ１のＳｉ
と接合金属３のはんだ合金、あるいはこのはんだ合金と
基材２のアルミナとの熱膨張係数が大きく相異するた
め、半導体装置を動作中にこれ自身から発生する熱や半
導体装置が設置される環境の温度変化などによって、半
導体チップ１と基材２との接合部に熱応力が生じ、これ
によって接合部の接合金属３であるはんだ合金に亀裂６
が発生・伝播し、最終的には半導体装置の破壊に至ると
いう問題点があった。
上のように構成されているので、半導体チップ１のＳｉ
と接合金属３のはんだ合金、あるいはこのはんだ合金と
基材２のアルミナとの熱膨張係数が大きく相異するた
め、半導体装置を動作中にこれ自身から発生する熱や半
導体装置が設置される環境の温度変化などによって、半
導体チップ１と基材２との接合部に熱応力が生じ、これ
によって接合部の接合金属３であるはんだ合金に亀裂６
が発生・伝播し、最終的には半導体装置の破壊に至ると
いう問題点があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体チップと基材との接合部
に亀裂が生じても、元通りに修復することができる接合
部を備える半導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、半導体チップと基材との接合部
に亀裂が生じても、元通りに修復することができる接合
部を備える半導体装置を得ることを目的とする。
【０００５】また、この発明は、上記亀裂修復のための
加熱中に半導体装置に振動などの外力が作用しても、半
導体チップがずれたり移動することがなく、またボンデ
ィングワイヤが切断することがない半導体装置を得るこ
とを目的とする。
加熱中に半導体装置に振動などの外力が作用しても、半
導体チップがずれたり移動することがなく、またボンデ
ィングワイヤが切断することがない半導体装置を得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体装置は、金属のうち中央部の貫通部分が融点が１８
３℃以上の高融点接合金属で、この部分以外が融点が１
８３℃未満の接合金属で構成され、半導体チップが、不
活性ガスおよび接合金属に接して配置される還元性物質
のうち少なくとも何れか一方とともに封止されたもので
ある。
導体装置は、金属のうち中央部の貫通部分が融点が１８
３℃以上の高融点接合金属で、この部分以外が融点が１
８３℃未満の接合金属で構成され、半導体チップが、不
活性ガスおよび接合金属に接して配置される還元性物質
のうち少なくとも何れか一方とともに封止されたもので
ある。
【０００７】請求項２の発明に係る半導体装置は、貫通
部分以外の部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、インジ
ウムもしくはアンチモンを主成分とするものまたはこれ
らの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分
とするものとし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、錫、
インジウム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウム、
ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とするものまたは
これらの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主
成分としたものである。
部分以外の部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、インジ
ウムもしくはアンチモンを主成分とするものまたはこれ
らの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分
とするものとし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、錫、
インジウム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウム、
ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とするものまたは
これらの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主
成分としたものである。
【０００８】請求項３の発明に係る半導体装置は、金属
の貫通部分における接合面に平行な面積を、接合面の全
面積の０．１％以上としたものである。
の貫通部分における接合面に平行な面積を、接合面の全
面積の０．１％以上としたものである。
【０００９】請求項４の発明に係る半導体装置は、不活
性ガスを、窒素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一
酸化炭素またはこれらのガスのうち少なくとも二種以上
を含む混合ガスとし、還元性物質を、有機酸系フラック
スもしくはポリマー系フラックスまたはこれらの物質の
混合物を主成分としたものである。
性ガスを、窒素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一
酸化炭素またはこれらのガスのうち少なくとも二種以上
を含む混合ガスとし、還元性物質を、有機酸系フラック
スもしくはポリマー系フラックスまたはこれらの物質の
混合物を主成分としたものである。
【００１０】請求項５の発明に係る半導体装置は、酸素
吸着剤もしくは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両
方が半導体チップとともに封止されたものである。
吸着剤もしくは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両
方が半導体チップとともに封止されたものである。
【００１１】請求項６の発明に係る半導体装置は、基材
の内壁がチタン被覆されたものである。
の内壁がチタン被覆されたものである。
【００１２】請求項７の発明に係る半導体装置は、基材
または半導体チップが加熱装置を備えたものである。
または半導体チップが加熱装置を備えたものである。
【００１３】
【作用】請求項１の発明における半導体装置は、接合金
属のうち中央部の貫通部分の融点を１８３℃以上、この
部分以外の融点を１８３℃未満とし、半導体チップが、
不活性ガスやこの接合金属に接して配置される還元性物
質とともに封止されていることにより、この貫通部分以
外の部分の接合金属に亀裂などの故障が生じても、１８
３℃未満の温度に加熱して、この貫通部分は溶融させず
に貫通部分以外の部分の接合金属を溶融させることによ
って、この亀裂を修復できる。
属のうち中央部の貫通部分の融点を１８３℃以上、この
部分以外の融点を１８３℃未満とし、半導体チップが、
不活性ガスやこの接合金属に接して配置される還元性物
質とともに封止されていることにより、この貫通部分以
外の部分の接合金属に亀裂などの故障が生じても、１８
３℃未満の温度に加熱して、この貫通部分は溶融させず
に貫通部分以外の部分の接合金属を溶融させることによ
って、この亀裂を修復できる。
【００１４】請求項２の発明における半導体装置は、貫
通部分以外の部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、イン
ジウムもしくはアンチモンを主成分とするものまたはこ
れらの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成
分とするものとし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、
錫、インジウム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウ
ム、ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とするものま
たはこれら金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を
主成分とするものとしたことにより、金属による接合を
容易かつ確実とすることができる。
通部分以外の部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、イン
ジウムもしくはアンチモンを主成分とするものまたはこ
れらの金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成
分とするものとし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、
錫、インジウム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウ
ム、ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とするものま
たはこれら金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を
主成分とするものとしたことにより、金属による接合を
容易かつ確実とすることができる。
【００１５】請求項３の発明における半導体装置は、金
属の貫通部分における接合面に平行な面積を接合面の全
面積の０．１％以上とすることにより、半導体装置に外
力が作用しても、半導体チップがずれたり移動しないよ
うにできる。
属の貫通部分における接合面に平行な面積を接合面の全
面積の０．１％以上とすることにより、半導体装置に外
力が作用しても、半導体チップがずれたり移動しないよ
うにできる。
【００１６】請求項４の発明に係る半導体装置は、不活
性ガスを、窒素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一
酸化炭素またはこれらのガスのうち少なくとも二種以上
を含む混合ガスとし、還元性物質を、有機酸系フラック
スもしくはポリマー系フラックスまたはこれらの物質の
混合物を主成分とするものとしたことにより、接合金属
に生じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないように
できる。
性ガスを、窒素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一
酸化炭素またはこれらのガスのうち少なくとも二種以上
を含む混合ガスとし、還元性物質を、有機酸系フラック
スもしくはポリマー系フラックスまたはこれらの物質の
混合物を主成分とするものとしたことにより、接合金属
に生じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないように
できる。
【００１７】請求項５の発明に係る半導体装置は、酸素
吸着剤もしくは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両
方が半導体チップとともに封止されていることにより、
封止された空間に酸素や水蒸気を含む外気が侵入して
も、これらの吸着剤によって吸着されるために接合金属
に生じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないように
できる。
吸着剤もしくは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両
方が半導体チップとともに封止されていることにより、
封止された空間に酸素や水蒸気を含む外気が侵入して
も、これらの吸着剤によって吸着されるために接合金属
に生じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないように
できる。
【００１８】請求項６の発明における半導体装置は、基
材の内壁がチタン被覆されていることにより、半導体チ
ップが封止された空間に酸素を含む外気が侵入しても、
チタンによって酸素が吸着されるために接合金属に生じ
た亀裂などの破面に酸化膜を存在させないようにでき
る。
材の内壁がチタン被覆されていることにより、半導体チ
ップが封止された空間に酸素を含む外気が侵入しても、
チタンによって酸素が吸着されるために接合金属に生じ
た亀裂などの破面に酸化膜を存在させないようにでき
る。
【００１９】請求項７の発明に係る半導体装置は、基材
または半導体チップに加熱装置を備えることにより、半
導体装置が実装されている基板全体を加熱しないで接合
金属の亀裂部分を溶融することができる。
または半導体チップに加熱装置を備えることにより、半
導体装置が実装されている基板全体を加熱しないで接合
金属の亀裂部分を溶融することができる。
【００２０】
【実施例】実施例１． 以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
はこの発明の実施例１による半導体装置を示す断面図で
ある。従来のものと同一符号は同一または相当部分を示
すので説明を省略する。図において、７は半導体チップ
１と基材２とを接合する融点が１８３℃未満の接合金属
であり、例えば、組成が４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０
％Ｂｉで融点が１６６℃のはんだ合金が用いられる。８
は半導体チップ１が封止された空間に満たされた不活性
ガスであり、例えばアルゴンガスなどの希ガスが用いら
れる。なお、この融点が１８３℃未満の接合金属７と半
導体チップ１との接合面、ならびにこの接合金属７とセ
ラミックの基材２との接合面にはそれぞれメタライズ処
理を施した。
はこの発明の実施例１による半導体装置を示す断面図で
ある。従来のものと同一符号は同一または相当部分を示
すので説明を省略する。図において、７は半導体チップ
１と基材２とを接合する融点が１８３℃未満の接合金属
であり、例えば、組成が４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０
％Ｂｉで融点が１６６℃のはんだ合金が用いられる。８
は半導体チップ１が封止された空間に満たされた不活性
ガスであり、例えばアルゴンガスなどの希ガスが用いら
れる。なお、この融点が１８３℃未満の接合金属７と半
導体チップ１との接合面、ならびにこの接合金属７とセ
ラミックの基材２との接合面にはそれぞれメタライズ処
理を施した。
【００２１】次に動作について説明する。融点が１６６
℃である接合金属７を有する半導体装置を繰り返し動作
させたところ、接合金属７に熱応力による亀裂６が発生
した。そこで、半導体装置全体を１７０℃の温度に設定
したリフロー炉装置中で加熱し、上記接合金属７を溶融
させた。この半導体装置は通常用いられているものと同
様に、融点が１８３℃のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだで基板に
実装されているため、この実施例１のように１８３℃未
満の温度で加熱した場合には実装接合部が破壊されるこ
とはない。このようにして、溶融した亀裂６周辺部の接
合金属７は流動性を有するために亀裂６を充填し、接合
金属７は亀裂６が発生する前の状態に修復された。ま
た、この接合金属７は不活性ガス８が満たされた空間に
封止されているので、亀裂６の破面は酸化されることが
なく清浄であるため、亀裂６は容易に接合される。
℃である接合金属７を有する半導体装置を繰り返し動作
させたところ、接合金属７に熱応力による亀裂６が発生
した。そこで、半導体装置全体を１７０℃の温度に設定
したリフロー炉装置中で加熱し、上記接合金属７を溶融
させた。この半導体装置は通常用いられているものと同
様に、融点が１８３℃のＳｎ−Ｐｂ共晶はんだで基板に
実装されているため、この実施例１のように１８３℃未
満の温度で加熱した場合には実装接合部が破壊されるこ
とはない。このようにして、溶融した亀裂６周辺部の接
合金属７は流動性を有するために亀裂６を充填し、接合
金属７は亀裂６が発生する前の状態に修復された。ま
た、この接合金属７は不活性ガス８が満たされた空間に
封止されているので、亀裂６の破面は酸化されることが
なく清浄であるため、亀裂６は容易に接合される。
【００２２】このように、この実施例１によれば、半導
体チップ１と基材２を接合する接合金属７の融点を１８
３℃未満とすることにより、半導体装置をこの温度未満
で接合金属の融点以上に加熱するだけで、実装接合部分
を損傷することなく接合金属７に発生した亀裂６を修復
することができる。なお、半導体チップ１としてはケイ
素に限られるものではなくガリウムヒ素などの化合物半
導体でもよく、また基材２がアルミナ以外のセラミック
ス、金属、樹脂またはケイ素などによって構成されてい
ても同様の効果が得られることは言うまでもない。
体チップ１と基材２を接合する接合金属７の融点を１８
３℃未満とすることにより、半導体装置をこの温度未満
で接合金属の融点以上に加熱するだけで、実装接合部分
を損傷することなく接合金属７に発生した亀裂６を修復
することができる。なお、半導体チップ１としてはケイ
素に限られるものではなくガリウムヒ素などの化合物半
導体でもよく、また基材２がアルミナ以外のセラミック
ス、金属、樹脂またはケイ素などによって構成されてい
ても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００２３】上記は不活性ガスが封止された場合を示し
たが、図２に示すように、不活性ガスを封止するととも
に還元性物質９を接合金属７に接して配置してもよく、
上記と同様の効果を奏することができる。なお、このよ
うな還元性物質としては、例えば有機酸系フラックスで
ある粘着性の活性ロジンが用いられる。半導体装置を繰
り返し動作させることによって、接合金属７に亀裂６が
発生した半導体装置を、上記と同様に加熱して接合金属
７を溶融させた。ここで、まずこの接合金属７が溶融す
る前に、加熱によって固体状の還元性物質９である活性
ロジンが溶融し流動性を得て亀裂６に侵入し、亀裂６の
破面を覆ってこれを積極的に還元した。次いで、溶融し
た接合金属７が亀裂６を充填し始め、亀裂６の破面を覆
っている還元性物質９を接合金属７から排斥するため、
亀裂６に侵入した還元性物質９は、溶融した接合金属７
中からこの外部へ押し出される。このようにして、亀裂
６が修復できた。
たが、図２に示すように、不活性ガスを封止するととも
に還元性物質９を接合金属７に接して配置してもよく、
上記と同様の効果を奏することができる。なお、このよ
うな還元性物質としては、例えば有機酸系フラックスで
ある粘着性の活性ロジンが用いられる。半導体装置を繰
り返し動作させることによって、接合金属７に亀裂６が
発生した半導体装置を、上記と同様に加熱して接合金属
７を溶融させた。ここで、まずこの接合金属７が溶融す
る前に、加熱によって固体状の還元性物質９である活性
ロジンが溶融し流動性を得て亀裂６に侵入し、亀裂６の
破面を覆ってこれを積極的に還元した。次いで、溶融し
た接合金属７が亀裂６を充填し始め、亀裂６の破面を覆
っている還元性物質９を接合金属７から排斥するため、
亀裂６に侵入した還元性物質９は、溶融した接合金属７
中からこの外部へ押し出される。このようにして、亀裂
６が修復できた。
【００２４】このように、還元性物質９が亀裂６の破面
を積極的に還元するため、不活性ガス８のみによって酸
化を防止するよりも更に容易かつ確実に亀裂６を修復で
きる。なお、不活性ガスとともに還元性物質９を用いた
が、不活性ガスを用いないで還元性物質９のみを接合金
属７に接して配置して用いても同様の効果が得られる。
を積極的に還元するため、不活性ガス８のみによって酸
化を防止するよりも更に容易かつ確実に亀裂６を修復で
きる。なお、不活性ガスとともに還元性物質９を用いた
が、不活性ガスを用いないで還元性物質９のみを接合金
属７に接して配置して用いても同様の効果が得られる。
【００２５】上記では融点が１８３℃未満の接合金属７
として、４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０％Ｂｉの組成の
ものを用いたが、融点が１８３℃未満の金属であればこ
れに限られるものでなく、鉛、錫、ビスマス、インジウ
ムもしくはアンチモンを主成分としたものまたはこれら
の金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分と
したものを用いてもよく、上記と同様の効果を奏するこ
とができる。なお、この「主成分としたもの」には、上
記金属単体および上記合金単体も含まれる。特に、多成
分の合金とすることによって所望の融点を得ることが可
能となる。
として、４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０％Ｂｉの組成の
ものを用いたが、融点が１８３℃未満の金属であればこ
れに限られるものでなく、鉛、錫、ビスマス、インジウ
ムもしくはアンチモンを主成分としたものまたはこれら
の金属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分と
したものを用いてもよく、上記と同様の効果を奏するこ
とができる。なお、この「主成分としたもの」には、上
記金属単体および上記合金単体も含まれる。特に、多成
分の合金とすることによって所望の融点を得ることが可
能となる。
【００２６】上記では、接合金属７として融点が１８３
℃未満の金属を用いたものについて示したが、図３に示
すように、金属のうち中央部の貫通部分が融点が１８３
℃以上の高融点接合金属で、この部分以外が融点が１８
３℃未満の接合金属で構成されたものを用いてもよく、
上記と同様の効果を奏することができる。
℃未満の金属を用いたものについて示したが、図３に示
すように、金属のうち中央部の貫通部分が融点が１８３
℃以上の高融点接合金属で、この部分以外が融点が１８
３℃未満の接合金属で構成されたものを用いてもよく、
上記と同様の効果を奏することができる。
【００２７】図３において、１５は半導体チップ１と基
材２とを接合する金属の中央部の貫通部分に配された融
点が１８３℃以上の高融点接合金属である。このような
高融点接合金属１５としては、例えば９５％Ｐｂ−５％
Ｓｎの組成で融点が３１０℃のはんだ合金が用いられ
る。半導体装置を繰り返し動作させることによって、接
合金属７に亀裂６が発生した半導体装置を、上記と同様
に加熱して接合金属７を溶融させた。この時の加熱温度
（１７０℃）は高融点接合金属１５の融点（３１０℃）
以下であるので、中央部の高融点接合金属１５は溶融し
ないため、上記と同様にして亀裂６が修復されるととも
に、高融点接合金属１５によって半導体チップ１は基材
２に強固に接合されることになる。
材２とを接合する金属の中央部の貫通部分に配された融
点が１８３℃以上の高融点接合金属である。このような
高融点接合金属１５としては、例えば９５％Ｐｂ−５％
Ｓｎの組成で融点が３１０℃のはんだ合金が用いられ
る。半導体装置を繰り返し動作させることによって、接
合金属７に亀裂６が発生した半導体装置を、上記と同様
に加熱して接合金属７を溶融させた。この時の加熱温度
（１７０℃）は高融点接合金属１５の融点（３１０℃）
以下であるので、中央部の高融点接合金属１５は溶融し
ないため、上記と同様にして亀裂６が修復されるととも
に、高融点接合金属１５によって半導体チップ１は基材
２に強固に接合されることになる。
【００２８】このように、接合金属７に亀裂６などの故
障が生じても、高融点接合金属１５の融点より低温であ
る１８３℃未満の温度に加熱して、高融点接合金属１５
以外の部分の接合金属７を溶融させることによって、こ
の亀裂６を修復できるのは勿論のこと、この高融点接合
金属１５が上記に比べて半導体チップ１と基材２をより
強固に接合しているため、亀裂６の修復のための加熱中
に、例えば半導体装置に振動などの外力が作用しても半
導体チップ１がずれたり移動することがなく、したがっ
て、ボンディングワイヤ５が切断するなどの不都合を防
止できる。
障が生じても、高融点接合金属１５の融点より低温であ
る１８３℃未満の温度に加熱して、高融点接合金属１５
以外の部分の接合金属７を溶融させることによって、こ
の亀裂６を修復できるのは勿論のこと、この高融点接合
金属１５が上記に比べて半導体チップ１と基材２をより
強固に接合しているため、亀裂６の修復のための加熱中
に、例えば半導体装置に振動などの外力が作用しても半
導体チップ１がずれたり移動することがなく、したがっ
て、ボンディングワイヤ５が切断するなどの不都合を防
止できる。
【００２９】なお、半導体チップ１と基材２との接合部
に作用する熱応力は外周部において最大になるため、亀
裂６は必ず接合金属７の外周部から発生し、内部方向へ
と伝播する。したがって、亀裂６が接合部の中央部の高
融点接合金属１５に到達しておらず、周囲の接合金属７
の中にのみ存在する間に上記の亀裂修復を行えば、上記
と同様に亀裂６を完全に接合・修復することができる。
に作用する熱応力は外周部において最大になるため、亀
裂６は必ず接合金属７の外周部から発生し、内部方向へ
と伝播する。したがって、亀裂６が接合部の中央部の高
融点接合金属１５に到達しておらず、周囲の接合金属７
の中にのみ存在する間に上記の亀裂修復を行えば、上記
と同様に亀裂６を完全に接合・修復することができる。
【００３０】実施例２． 上記実施例１では、融点が１８３℃未満の接合金属７と
して４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０％Ｂｉの組成のもの
を用いたが、融点が１８３℃未満の金属であればこれに
限られるものでなく、鉛、錫、ビスマス、インジウムも
しくはアンチモンを主成分としたものまたはこれらの金
属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とした
ものを用いてもよい。なお、この「主成分としたもの」
には、上記金属単体および上記合金単体も含まれる。ま
た、高融点接合金属１５として９５％Ｐｂ−５％Ｓｎの
組成で融点が３１０℃のはんだ合金を用いたが、融点が
１８３℃以上の金属であればこれに限られるものでな
く、鉛、錫、インジウム、アンチモン、銀、金、白金、
パラジウム、ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とし
たものまたはこれらの金属のうち少なくとも二種以上を
含む合金を主成分としたものを用いてもよい。なお、こ
の「主成分としたもの」には、融点が１８３℃以上の上
記金属単体およびこれらの上記合金単体も含まれる。以
上のような金属類を用いることにより、上記実施例１と
同様の効果を奏することができる。特に、多成分の合金
とすることによって所望の融点を得ることが可能とな
る。
して４９％Ｓｎ−４１％Ｐｂ−１０％Ｂｉの組成のもの
を用いたが、融点が１８３℃未満の金属であればこれに
限られるものでなく、鉛、錫、ビスマス、インジウムも
しくはアンチモンを主成分としたものまたはこれらの金
属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とした
ものを用いてもよい。なお、この「主成分としたもの」
には、上記金属単体および上記合金単体も含まれる。ま
た、高融点接合金属１５として９５％Ｐｂ−５％Ｓｎの
組成で融点が３１０℃のはんだ合金を用いたが、融点が
１８３℃以上の金属であればこれに限られるものでな
く、鉛、錫、インジウム、アンチモン、銀、金、白金、
パラジウム、ケイ素もしくはアルミニウムを主成分とし
たものまたはこれらの金属のうち少なくとも二種以上を
含む合金を主成分としたものを用いてもよい。なお、こ
の「主成分としたもの」には、融点が１８３℃以上の上
記金属単体およびこれらの上記合金単体も含まれる。以
上のような金属類を用いることにより、上記実施例１と
同様の効果を奏することができる。特に、多成分の合金
とすることによって所望の融点を得ることが可能とな
る。
【００３１】ここで、半導体チップ１と基材２との接合
部の中央部に配された高融点接合金属１５の接合面に平
行な面積の接合面の全面積に対する比率は、外部から１
０００Ｇの衝撃が加えられた場合を想定すると以下の式
より、０．１％以上であることが望まれる。 半導体チップの密度 Ｄ＝２．３４×１０-3（ｇ／ｍｍ3 ） 半導体チップの厚さ Ｔ＝１（ｍｍ） 半導体チップの面積 Ａ＝１００（ｍｍ2 ） 高融点接合金属１５の抗張力 Ｓ＝２０００（ｇ／ｍｍ2 ） とすると、高融点接合金属１５に加わる応力Ｆは、 Ｆ＝Ｄ×Ｔ×Ａ×１０００＝２３４（ｇ） となり、この応力に耐え得る高融点接合金属１５の面積
Ｂは、 Ｂ＝Ｆ／Ｓ＝０．１（ｍｍ2 ） となる。したがって、半導体チップ１の全面積に対する
高融点接合金属１５の接合部の面積の比率Ｒは、 Ｒ＝Ｂ／Ａ＝０．１（％） となる。
部の中央部に配された高融点接合金属１５の接合面に平
行な面積の接合面の全面積に対する比率は、外部から１
０００Ｇの衝撃が加えられた場合を想定すると以下の式
より、０．１％以上であることが望まれる。 半導体チップの密度 Ｄ＝２．３４×１０-3（ｇ／ｍｍ3 ） 半導体チップの厚さ Ｔ＝１（ｍｍ） 半導体チップの面積 Ａ＝１００（ｍｍ2 ） 高融点接合金属１５の抗張力 Ｓ＝２０００（ｇ／ｍｍ2 ） とすると、高融点接合金属１５に加わる応力Ｆは、 Ｆ＝Ｄ×Ｔ×Ａ×１０００＝２３４（ｇ） となり、この応力に耐え得る高融点接合金属１５の面積
Ｂは、 Ｂ＝Ｆ／Ｓ＝０．１（ｍｍ2 ） となる。したがって、半導体チップ１の全面積に対する
高融点接合金属１５の接合部の面積の比率Ｒは、 Ｒ＝Ｂ／Ａ＝０．１（％） となる。
【００３２】実施例３． 上記実施例１では、半導体チップ１の封止された空間に
アルゴンを満たした場合を示したが、不活性ガスであれ
ばこれに限られるものではなく、窒素、二酸化炭素、希
ガス、水素もしくは一酸化炭素またはこれらのガスのう
ち少なくとも二種以上を含む混合ガスを満たしてもよ
く、上記実施例１と同様の効果を奏することができる。
アルゴンを満たした場合を示したが、不活性ガスであれ
ばこれに限られるものではなく、窒素、二酸化炭素、希
ガス、水素もしくは一酸化炭素またはこれらのガスのう
ち少なくとも二種以上を含む混合ガスを満たしてもよ
く、上記実施例１と同様の効果を奏することができる。
【００３３】実施例４． 上記実施例１では還元性物質９として有機酸系フラック
スである活性ロジンを用いた場合を示したが、半導体チ
ップ１、基材２、ボンディングワイヤ５やリード４など
に対して腐食などの損傷を与えない物質であればよく、
有機酸系フラックス以外には、例えばポリマー系フラッ
クスを用いることができ、実施例１と同様の効果を奏す
ることができる。
スである活性ロジンを用いた場合を示したが、半導体チ
ップ１、基材２、ボンディングワイヤ５やリード４など
に対して腐食などの損傷を与えない物質であればよく、
有機酸系フラックス以外には、例えばポリマー系フラッ
クスを用いることができ、実施例１と同様の効果を奏す
ることができる。
【００３４】実施例５． 上記実施例１では、接合金属７に発生した亀裂６の破面
の酸化を防止するのに、半導体チップ１が封止された空
間にアルゴンを満たした場合を示したが、図４に示すよ
うに酸素吸着剤を併用して用いてもよく、上記実施例１
と同様の効果を奏することができる。
の酸化を防止するのに、半導体チップ１が封止された空
間にアルゴンを満たした場合を示したが、図４に示すよ
うに酸素吸着剤を併用して用いてもよく、上記実施例１
と同様の効果を奏することができる。
【００３５】図において、１０は酸素吸着剤である。半
導体装置を繰り返し動作中に接合金属７に発生した亀裂
６を修復する方法は上記実施例１と同様であるが、基材
２の封止が不完全で、例えばアルゴンガス８が満たされ
た半導体チップ１が封止された空間に外気が侵入した場
合でも、酸素吸着剤１０が酸素を優先的に消費し亀裂６
の破面の酸化を防止できる。したがって、この破面には
酸化膜が形成されず清浄に保持されるため、亀裂６は容
易に接合・修復することができる。
導体装置を繰り返し動作中に接合金属７に発生した亀裂
６を修復する方法は上記実施例１と同様であるが、基材
２の封止が不完全で、例えばアルゴンガス８が満たされ
た半導体チップ１が封止された空間に外気が侵入した場
合でも、酸素吸着剤１０が酸素を優先的に消費し亀裂６
の破面の酸化を防止できる。したがって、この破面には
酸化膜が形成されず清浄に保持されるため、亀裂６は容
易に接合・修復することができる。
【００３６】このように、この実施例５によれば、酸素
吸着剤１０を用いることにより、実施例１よりも、亀裂
６の破面が清浄に保持されるため亀裂６の修復を容易に
行うことができる。なお、この実施例５では酸素吸着剤
を封止した場合について示したが、水蒸気吸着剤を用い
た場合や、酸素吸着剤と水蒸気吸着剤の両方を封止して
も同様の効果が得られることは言うまでもない。
吸着剤１０を用いることにより、実施例１よりも、亀裂
６の破面が清浄に保持されるため亀裂６の修復を容易に
行うことができる。なお、この実施例５では酸素吸着剤
を封止した場合について示したが、水蒸気吸着剤を用い
た場合や、酸素吸着剤と水蒸気吸着剤の両方を封止して
も同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３７】実施例６． 上記実施例１では、接合金属７に発生した亀裂６の破面
の酸化を防止するのに、半導体チップ１が封止された空
間にアルゴンを満たした場合を示したが、これに加え
て、図５に示すように内壁をチタン被覆１１した基材２
を用いてもよく、上記実施例１と同様の効果を奏するこ
とができる。
の酸化を防止するのに、半導体チップ１が封止された空
間にアルゴンを満たした場合を示したが、これに加え
て、図５に示すように内壁をチタン被覆１１した基材２
を用いてもよく、上記実施例１と同様の効果を奏するこ
とができる。
【００３８】図において、１１は基材２の内面に施され
たチタン被覆１１であり、例えば真空蒸着によって形成
されたチタン膜が用いられる。半導体装置を繰り返し動
作中に、接合金属７に発生した亀裂６を修復する方法は
上記実施例１と同様である。基材２の封止が不完全で、
例えばアルゴンガス８が満たされた半導体チップ１が封
止された空間に外気が侵入した場合でも、チタン被覆１
１がゲッタリング効果によって酸素を吸着するため亀裂
６の破面の酸化を防止できる。したがって、この破面に
は酸化膜が形成されず清浄に保持されるため、亀裂６は
容易に接合・修復することができる。
たチタン被覆１１であり、例えば真空蒸着によって形成
されたチタン膜が用いられる。半導体装置を繰り返し動
作中に、接合金属７に発生した亀裂６を修復する方法は
上記実施例１と同様である。基材２の封止が不完全で、
例えばアルゴンガス８が満たされた半導体チップ１が封
止された空間に外気が侵入した場合でも、チタン被覆１
１がゲッタリング効果によって酸素を吸着するため亀裂
６の破面の酸化を防止できる。したがって、この破面に
は酸化膜が形成されず清浄に保持されるため、亀裂６は
容易に接合・修復することができる。
【００３９】このように、この実施例６によれば、チタ
ン膜１１で被覆された基材２を用いていることにより、
上記実施例１よりも、亀裂６の破面が清浄に保持される
ため亀裂６の修復を容易に行うことができる。
ン膜１１で被覆された基材２を用いていることにより、
上記実施例１よりも、亀裂６の破面が清浄に保持される
ため亀裂６の修復を容易に行うことができる。
【００４０】なお、上記実施例１では、半導体装置を加
熱中に振動などの外力による半導体チップ１のずれや移
動、ならびにボンディングワイヤ５の切断などを防止す
るのに、接合金属７の中央部の貫通部分に融点が１８３
℃以上の高融点接合金属を用いた場合を示したが、図６
から図８に示すように、半導体チップ１を拘束する幾何
学的形状を内壁に備える基材を用いてもよく、実施例１
と同様の効果を奏することができる。
熱中に振動などの外力による半導体チップ１のずれや移
動、ならびにボンディングワイヤ５の切断などを防止す
るのに、接合金属７の中央部の貫通部分に融点が１８３
℃以上の高融点接合金属を用いた場合を示したが、図６
から図８に示すように、半導体チップ１を拘束する幾何
学的形状を内壁に備える基材を用いてもよく、実施例１
と同様の効果を奏することができる。
【００４１】図において、１２、１３および１４は半導
体チップ１を拘束する幾何学的形状を内壁に備える基材
である。この幾何学的形状は特に限定されるものではな
く、半導体チップ１を左右方向および上下方向から拘束
するものであればよい。半導体チップ１と基材２との隙
間は左右方向、上下方向ともに、例えば１ｍｍ以下に設
定されている。半導体装置を繰り返し動作中に接合金属
７に発生した亀裂６を修復する方法は上記実施例１と同
様であるが、接合金属７に発生した亀裂６を修復するた
めの加熱中に半導体装置に例えば振動などの外力が加え
られても、半導体チップ１は基材１２、１３または１４
によってその動きを拘束される。
体チップ１を拘束する幾何学的形状を内壁に備える基材
である。この幾何学的形状は特に限定されるものではな
く、半導体チップ１を左右方向および上下方向から拘束
するものであればよい。半導体チップ１と基材２との隙
間は左右方向、上下方向ともに、例えば１ｍｍ以下に設
定されている。半導体装置を繰り返し動作中に接合金属
７に発生した亀裂６を修復する方法は上記実施例１と同
様であるが、接合金属７に発生した亀裂６を修復するた
めの加熱中に半導体装置に例えば振動などの外力が加え
られても、半導体チップ１は基材１２、１３または１４
によってその動きを拘束される。
【００４２】このように、基材の内壁の幾何学的形状を
半導体チップ１を拘束するようにしているため、上記実
施例１のように高融点接合金属を用いることなく、半導
体チップ１のずれや移動を防止するとともに、ボンディ
ングワイヤ５が切断するなどの不都合を防止できる。
半導体チップ１を拘束するようにしているため、上記実
施例１のように高融点接合金属を用いることなく、半導
体チップ１のずれや移動を防止するとともに、ボンディ
ングワイヤ５が切断するなどの不都合を防止できる。
【００４３】実施例７． 上記実施例１では、半導体装置を加熱するのにリフロー
炉装置を用いたが、図９に示すように加熱装置を備えた
基材２を用いてもよく、実施例１と同様の効果を奏する
ことができる。
炉装置を用いたが、図９に示すように加熱装置を備えた
基材２を用いてもよく、実施例１と同様の効果を奏する
ことができる。
【００４４】図において、１６は加熱装置であり、例え
ば薄膜ヒータ等を用いることができる。半導体装置を繰
り返し動作中に接合金属７に発生した亀裂６は、基材２
の内部に配された加熱装置１６である薄膜ヒータによっ
て接合部を加熱することにより、接合金属７を溶融させ
て修復する。
ば薄膜ヒータ等を用いることができる。半導体装置を繰
り返し動作中に接合金属７に発生した亀裂６は、基材２
の内部に配された加熱装置１６である薄膜ヒータによっ
て接合部を加熱することにより、接合金属７を溶融させ
て修復する。
【００４５】このように、この実施例７によれば、例え
ば半導体装置が実装されている基板全体を加熱する必要
がなく、半導体装置のみを選択的に加熱することが可能
になるため、上記実施例１に比べて加熱に要するエネル
ギーが少なくてすむとともに装置をコンパクトにでき
る。なお、この実施例７では加熱装置１６を基材２中に
設置した場合について示したが、半導体チップ１中に設
置しても同様の効果が得られる。
ば半導体装置が実装されている基板全体を加熱する必要
がなく、半導体装置のみを選択的に加熱することが可能
になるため、上記実施例１に比べて加熱に要するエネル
ギーが少なくてすむとともに装置をコンパクトにでき
る。なお、この実施例７では加熱装置１６を基材２中に
設置した場合について示したが、半導体チップ１中に設
置しても同様の効果が得られる。
【００４６】なお、上記実施例１から実施例７までの例
では、半導体チップ１の裏面全体を基材２に接合するい
わゆるダイボンディングの場合について示したが、図１
０に示すいわゆるフリップチップ接合の場合にも同様の
効果が得られる。
では、半導体チップ１の裏面全体を基材２に接合するい
わゆるダイボンディングの場合について示したが、図１
０に示すいわゆるフリップチップ接合の場合にも同様の
効果が得られる。
【００４７】
【発明の効果】以上のように請求項１の発明によれば、
金属のうち半導体チップおよび基材との両接合面を含む
中央部の貫通部分が融点が１８３℃以上の高融点接合金
属で、この貫通部分以外の部分が融点が１８３℃未満の
接合金属で構成され、そして、半導体チップを不活性ガ
スまたは上記接合金属に接して配置される還元性物質の
うち少なくとも何れか一方とともに封止するように構成
したので、この貫通部分以外の部分の接合金属に亀裂な
どの故障が生じても、１８３℃未満の温度に加熱して、
この貫通部分は溶融させずに貫通部分以外の部分の接合
金属を溶融させることによって、この亀裂を修復でき
る。したがって、亀裂の修復のための加熱中に、例えば
半導体装置に振動などの外力が作用しても半導体チップ
がずれたり移動することがなく、ボンディングワイヤが
切断するなどの不都合を防止できる効果がある。
金属のうち半導体チップおよび基材との両接合面を含む
中央部の貫通部分が融点が１８３℃以上の高融点接合金
属で、この貫通部分以外の部分が融点が１８３℃未満の
接合金属で構成され、そして、半導体チップを不活性ガ
スまたは上記接合金属に接して配置される還元性物質の
うち少なくとも何れか一方とともに封止するように構成
したので、この貫通部分以外の部分の接合金属に亀裂な
どの故障が生じても、１８３℃未満の温度に加熱して、
この貫通部分は溶融させずに貫通部分以外の部分の接合
金属を溶融させることによって、この亀裂を修復でき
る。したがって、亀裂の修復のための加熱中に、例えば
半導体装置に振動などの外力が作用しても半導体チップ
がずれたり移動することがなく、ボンディングワイヤが
切断するなどの不都合を防止できる効果がある。
【００４８】請求項２の発明によれば、貫通部分以外の
部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、インジウムもしく
はアンチモンを主成分とするものまたはこれらの金属の
うち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とするもの
とし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、錫、インジウ
ム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウム、ケイ素も
しくはアルミニウムを主成分とするものまたはこれら金
属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とする
ものであるように構成したので、金属による接合を容易
かつ確実にできる効果がある。
部分の接合金属を鉛、錫、ビスマス、インジウムもしく
はアンチモンを主成分とするものまたはこれらの金属の
うち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とするもの
とし、貫通部分の高融点接合金属を鉛、錫、インジウ
ム、アンチモン、銀、金、白金、パラジウム、ケイ素も
しくはアルミニウムを主成分とするものまたはこれら金
属のうち少なくとも二種以上を含む合金を主成分とする
ものであるように構成したので、金属による接合を容易
かつ確実にできる効果がある。
【００４９】請求項３の発明によれば、金属の貫通部分
における接合面に平行な面積を、接合面の全面積の０．
１％以上であるように構成したので、半導体装置に外力
が作用しても半導体チップがずれたり移動しないように
できるとともに、ボンディングワイヤ５が切断するなど
の不都合を防止できる効果がある。
における接合面に平行な面積を、接合面の全面積の０．
１％以上であるように構成したので、半導体装置に外力
が作用しても半導体チップがずれたり移動しないように
できるとともに、ボンディングワイヤ５が切断するなど
の不都合を防止できる効果がある。
【００５０】請求項４の発明によれば、不活性ガスを窒
素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一酸化炭素また
はこれらのガスのうち少なくとも二種以上を含む混合ガ
スとし、還元性物質を、有機酸系フラックスもしくはポ
リマー系フラックスまたはこれらの物質の混合物を主成
分とするものであるように構成したので、接合金属に生
じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないようにでき
るため、接合金属による接合を容易かつ確実にできる効
果がある。
素、二酸化炭素、希ガス、水素もしくは一酸化炭素また
はこれらのガスのうち少なくとも二種以上を含む混合ガ
スとし、還元性物質を、有機酸系フラックスもしくはポ
リマー系フラックスまたはこれらの物質の混合物を主成
分とするものであるように構成したので、接合金属に生
じた亀裂などの破面に酸化膜を存在させないようにでき
るため、接合金属による接合を容易かつ確実にできる効
果がある。
【００５１】請求項５の発明によれば、酸素吸着剤もし
くは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両方を半導体
チップとともに封止するように構成したので、封止され
た空間に酸素や水蒸気を含む外気が侵入しても、これら
の吸着剤によって吸着されるために接合金属に生じた亀
裂などの破面に酸化膜を存在させないようにできるた
め、接合金属による接合を容易かつ確実にできる効果が
ある。
くは水蒸気吸着剤またはこれらの吸着剤の両方を半導体
チップとともに封止するように構成したので、封止され
た空間に酸素や水蒸気を含む外気が侵入しても、これら
の吸着剤によって吸着されるために接合金属に生じた亀
裂などの破面に酸化膜を存在させないようにできるた
め、接合金属による接合を容易かつ確実にできる効果が
ある。
【００５２】請求項６の発明によれば、基材の内壁がチ
タン被覆されているように構成したので、半導体チップ
が封止された空間に酸素を含む外気が侵入しても、チタ
ンによって酸素が吸着されるために接合金属に生じた亀
裂などの破面の酸化を防止できるため、接合金属による
接合を容易かつ確実にできる効果がある。
タン被覆されているように構成したので、半導体チップ
が封止された空間に酸素を含む外気が侵入しても、チタ
ンによって酸素が吸着されるために接合金属に生じた亀
裂などの破面の酸化を防止できるため、接合金属による
接合を容易かつ確実にできる効果がある。
【００５３】請求項７の発明よれば、基材または半導体
チップが加熱装置を備えるように構成したので、半導体
装置が実装されている基板全体を加熱しないで接合金属
の亀裂部分を溶融して接合金属に発生した亀裂を修復で
きる効果がある。
チップが加熱装置を備えるように構成したので、半導体
装置が実装されている基板全体を加熱しないで接合金属
の亀裂部分を溶融して接合金属に発生した亀裂を修復で
きる効果がある。
【図１】 この発明の実施例１による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施例１による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】 この発明の実施例１による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】 この発明の実施例５による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】 この発明の実施例６による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】 半導体装置の構成を示す断面図である。
【図７】 半導体装置の構成を示す断面図である。
【図８】 半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】 この発明の実施例７による半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図１０】 この発明のフリップチップ接合による半導
体装置の構成を示す断面図である。
体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】 従来の半導体装置の構成を示す断面図であ
る。
る。
１ 半導体チップ、２ 基材、７ 接合金属、８ 不活
性ガス、９ 還元性物質、１０ 酸素吸着剤、１１ チ
タン被覆、１５ 高融点接合金属、１６ 加熱装置。
性ガス、９ 還元性物質、１０ 酸素吸着剤、１１ チ
タン被覆、１５ 高融点接合金属、１６ 加熱装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−283548（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−125052（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−240256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−58051（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−206881（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/20
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体チップが金属によって基材に接合
されている半導体装置において、上記金属のうち半導体
チップおよび基材との両接合面を含む中央部の貫通部分
が融点が１８３℃以上の高融点接合金属で、この貫通部
分以外の部分が融点が１８３℃未満の接合金属で構成さ
れ、上記半導体チップは、不活性ガスおよび上記接合金
属に接して配置される還元性物質のうち少なくとも何れ
か一方とともに封止されていることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】 上記貫通部分以外の部分の接合金属は、
鉛、錫、ビスマス、インジウムもしくはアンチモンを主
成分とするものまたはこれらの金属のうち少なくとも二
種以上を含む合金を主成分とするものであり、上記貫通
部分の高融点接合金属は、鉛、錫、インジウム、アンチ
モン、銀、金、白金、パラジウム、ケイ素もしくはアル
ミニウムを主成分とするものまたはこれらの金属のうち
少なくとも二種以上を含む合金を主成分とするものであ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記金属の貫通部分における接合面に平
行な面積は、接合面の全面積の０．１％以上であること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 上記不活性ガスは、窒素、二酸化炭素、
希ガス、水素もしくは一酸化炭素またはこれらのガスの
うち少なくとも二種以上を含む混合ガスであり、上記還
元性物質は、有機酸系フラックスもしくはポリマー系フ
ラックスまたはこれらの物質の混合物を主成分とするも
のであることを特徴とする請求項１から請求項３の何れ
か１項記載の半導体装置。 - 【請求項５】 酸素吸着剤もしくは水蒸気吸着剤または
これらの吸着剤の両方が半導体チップとともに封止され
ていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか
１項記載の半導体装置。 - 【請求項６】 上記基材の内壁がチタン被覆されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項記
載の半導体装置。 - 【請求項７】 上記基材または上記半導体チップは、加
熱装置を備えることを特徴とする請求項１から請求項６
の何れか１項記載の半導体装置。
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| JP06599395A JP3324326B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 半導体装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP06599395A JP3324326B2 (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 半導体装置 |
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| JPH08264681A JPH08264681A (ja) | 1996-10-11 |
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|---|---|---|---|---|
| US7607560B2 (en) * | 2004-05-14 | 2009-10-27 | Intevac, Inc. | Semiconductor die attachment for high vacuum tubes |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP06599395A patent/JP3324326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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