JPH01225140A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01225140A JPH01225140A JP63051039A JP5103988A JPH01225140A JP H01225140 A JPH01225140 A JP H01225140A JP 63051039 A JP63051039 A JP 63051039A JP 5103988 A JP5103988 A JP 5103988A JP H01225140 A JPH01225140 A JP H01225140A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にガラス封
止型半導体装置の製造方法に関する。
止型半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置に用いられるパッケージとしては、一般にセ
ラミックパッケージとプラスチックパッケージがあり、
セラミックパッケージは高信頼度が得られるが、高価で
あり、逆にプラスチックパッケージは廉価であるが水分
、汚染等の侵入に対し、完全に防ぐ事はできず耐湿性等
の信頼性に劣る。
ラミックパッケージとプラスチックパッケージがあり、
セラミックパッケージは高信頼度が得られるが、高価で
あり、逆にプラスチックパッケージは廉価であるが水分
、汚染等の侵入に対し、完全に防ぐ事はできず耐湿性等
の信頼性に劣る。
セラミックパッケージの封止方法としては、シームウェ
ルド方式と溶融ガラスな封止に用いるガラス封止方式が
ある。シームウェルド方式はケースとキャップの接触部
分（いずれも金属）に電流を長し、その熱で金属を溶接
する方式であり、局部的発熱であり、封止時にチップの
温度は上昇しない。一方ガラス封止方式は、上記のシー
ムウェルド方式よりも廉価であり、封止時にあらかじめ
ケースとキャップの接触部分に封止用ガラスを付着させ
てあり、全体を４４０〜５００℃程度の温度に上げ、１
０〜２０分程度の程度で封止用ガラスを解かし、封止す
る方式である。
ルド方式と溶融ガラスな封止に用いるガラス封止方式が
ある。シームウェルド方式はケースとキャップの接触部
分（いずれも金属）に電流を長し、その熱で金属を溶接
する方式であり、局部的発熱であり、封止時にチップの
温度は上昇しない。一方ガラス封止方式は、上記のシー
ムウェルド方式よりも廉価であり、封止時にあらかじめ
ケースとキャップの接触部分に封止用ガラスを付着させ
てあり、全体を４４０〜５００℃程度の温度に上げ、１
０〜２０分程度の程度で封止用ガラスを解かし、封止す
る方式である。
上述した従来のガラス封止方式では、半導体装置全体が
４４０〜５００℃程度の温度に１０〜２０分程度放置さ
れるため、ケース内の半導体チップにも熱が加わり、ウ
ェハー製造工程以後に上記のような熱処理を加える事は
以下の点で好ましくない。一つは、アルミ、；ラム配線
とシリコン基板の反応がコンタクト孔を介して進み、ア
ロイピットが進行し、リーク性不良を発生させる原因に
なる。
４４０〜５００℃程度の温度に１０〜２０分程度放置さ
れるため、ケース内の半導体チップにも熱が加わり、ウ
ェハー製造工程以後に上記のような熱処理を加える事は
以下の点で好ましくない。一つは、アルミ、；ラム配線
とシリコン基板の反応がコンタクト孔を介して進み、ア
ロイピットが進行し、リーク性不良を発生させる原因に
なる。
また、半導体チップの特性の変動、さらには微細加工技
術の進歩によりアルミニウム配線も２μ程度になると、
高温時のストレスマイグレーションによるアルミニウム
配線断線を引き起こす。以上のように、ガラス封止方式
では、チップが封止時に高温に放置される事により、チ
ップの電気的特性、信頼性の劣化が起こるという欠点が
ある。
術の進歩によりアルミニウム配線も２μ程度になると、
高温時のストレスマイグレーションによるアルミニウム
配線断線を引き起こす。以上のように、ガラス封止方式
では、チップが封止時に高温に放置される事により、チ
ップの電気的特性、信頼性の劣化が起こるという欠点が
ある。
上記問題点に対し本発明のガラス封止型半導体装置の製
造方法では、ケースに半導体チップを搭゛載し、チップ
のポンディングパッドとケースの外部リードをポンディ
ングしたのち、ケースとキャップを重ね合せ、加重しな
がらケースとキャップとの間に介在させた封止用ガラス
にレーザ光を照射し、封止用ガラスを溶融してケースと
キャップとの間を接着封止している。
造方法では、ケースに半導体チップを搭゛載し、チップ
のポンディングパッドとケースの外部リードをポンディ
ングしたのち、ケースとキャップを重ね合せ、加重しな
がらケースとキャップとの間に介在させた封止用ガラス
にレーザ光を照射し、封止用ガラスを溶融してケースと
キャップとの間を接着封止している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図と第２図は本発明の一実施例に係るガラス封止を
説明するための断面図である。まず第１図において、キ
ャップ７に封止用ガラス８がケースとの封止部分にコー
ティングされている。また、ケース１には、外部リード
２がリード固定用ガラス３であらかじめ固定されている
。それから、Ａｕ−８ｉまたは銀ペースト等のロウ材４
を用い、チップ５をケース１上に搭載した後、チップ５
と外部リード２をポンディングワイヤ６で結線しである
。つぎに第２図に示すように、ケース１とキャップ７が
所定の位置に重ね合わされた後、加圧治具９で、ケース
、キャップに加重を加える。さらに、レーザ発生器１１
から発生するビーム状のレーザ光１０をキャップ７の上
部からキャップ７を通して封止用ガラス８に照射し、照
射部分を瞬時に加熱し、封止用ガラス８を溶融させ封止
する。封止部分はキャップ７の外周すべてにわたるので
、レーザ光１０を移動させるか、ケース側を移動させる
かどちらかを移動させなからレーザ光照射を行う。
説明するための断面図である。まず第１図において、キ
ャップ７に封止用ガラス８がケースとの封止部分にコー
ティングされている。また、ケース１には、外部リード
２がリード固定用ガラス３であらかじめ固定されている
。それから、Ａｕ−８ｉまたは銀ペースト等のロウ材４
を用い、チップ５をケース１上に搭載した後、チップ５
と外部リード２をポンディングワイヤ６で結線しである
。つぎに第２図に示すように、ケース１とキャップ７が
所定の位置に重ね合わされた後、加圧治具９で、ケース
、キャップに加重を加える。さらに、レーザ発生器１１
から発生するビーム状のレーザ光１０をキャップ７の上
部からキャップ７を通して封止用ガラス８に照射し、照
射部分を瞬時に加熱し、封止用ガラス８を溶融させ封止
する。封止部分はキャップ７の外周すべてにわたるので
、レーザ光１０を移動させるか、ケース側を移動させる
かどちらかを移動させなからレーザ光照射を行う。
実施例１はＤ Ｉ Ｐ（Ｄｕａｌ Ｉｎｆ＃：ｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）について説明したがＬＣＣ（Ｌｅａｄ
ｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）。
Ｐａｃｋａｇｅ）について説明したがＬＣＣ（Ｌｅａｄ
ｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）。
ＰＧＡ（Ｐｉｎ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）等のガラス封
止型半導体装置についても適用可能である。また、実施
例１では、レーザ光をキャップ側から照射したが、パッ
ケージの形状によって封止用ガラスが最短時間で溶融し
、かつ半導体チップへ影響を与えないよう照射角度を設
定する必要がある。
止型半導体装置についても適用可能である。また、実施
例１では、レーザ光をキャップ側から照射したが、パッ
ケージの形状によって封止用ガラスが最短時間で溶融し
、かつ半導体チップへ影響を与えないよう照射角度を設
定する必要がある。
以上説明したように本発明は、レーザ光で封止用ガラス
を溶融させ、封止する事により、封止時に半導体チップ
を高温放置されることを防ぎ、半導体チップの電気的特
性の変動を防ぎ、また高温時のストレスマイグレーショ
ンによるアルミニウム配線の断線を防ぎ、歩留よく、か
つ高信頼度のガラス封止型半導体装置を得ることができ
る。
を溶融させ、封止する事により、封止時に半導体チップ
を高温放置されることを防ぎ、半導体チップの電気的特
性の変動を防ぎ、また高温時のストレスマイグレーショ
ンによるアルミニウム配線の断線を防ぎ、歩留よく、か
つ高信頼度のガラス封止型半導体装置を得ることができ
る。
また、従来のガラス封止方式は高温放置されるため、ろ
う材としてＡｇペーストを使用するとガスが発生し、封
止が困難であった。本発明では、ケース全体の温度は、
上昇しないことから銀ペースト等の有機系樹脂によるチ
ップ搭載も可能であり、コストダウンの面においても効
果がある。
う材としてＡｇペーストを使用するとガスが発生し、封
止が困難であった。本発明では、ケース全体の温度は、
上昇しないことから銀ペースト等の有機系樹脂によるチ
ップ搭載も可能であり、コストダウンの面においても効
果がある。
第１図と第２図は本発明の一実施例に係るキャップとケ
ースとの間のガラス封止を説明するための断面図である
。 ｌ・・・・・・ケース、２・・・・・・外部リード、３
・・・・・・リード固定ガラス、４・・・・・・ろう材
、訃・・・・・半導体チップ、６・・・・・・ポンディ
ングワイヤ、７・・・・・・キャップ、８・・・・・・
封止用ガラス、９・・・・・・加圧治具、１０・・・・
・・レーザ光、１１・・・・・・レーザ発生器。 代理人 弁理士 内 原 音
ースとの間のガラス封止を説明するための断面図である
。 ｌ・・・・・・ケース、２・・・・・・外部リード、３
・・・・・・リード固定ガラス、４・・・・・・ろう材
、訃・・・・・半導体チップ、６・・・・・・ポンディ
ングワイヤ、７・・・・・・キャップ、８・・・・・・
封止用ガラス、９・・・・・・加圧治具、１０・・・・
・・レーザ光、１１・・・・・・レーザ発生器。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体チップをマウントしたケースに封止用ガラスを
介してキャップを重ね、前記封止ガラスを溶融させて前
記ケースとキャップを接着し封止することを含む半導体
装置の製造方法において、レーザ光照射により前記封止
用ガラスを溶融させることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051039A JPH01225140A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63051039A JPH01225140A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225140A true JPH01225140A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12875660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63051039A Pending JPH01225140A (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225140A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004094331A3 (en) * | 2003-04-16 | 2005-08-25 | Kamjula P Reddy | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
| US7344901B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-03-18 | Corning Incorporated | Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package |
| US7407423B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-08-05 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| US8148179B2 (en) | 2003-04-16 | 2012-04-03 | Corning Incorporated | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
| WO2012117978A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 旭硝子株式会社 | 気密部材とその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP63051039A patent/JPH01225140A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004094331A3 (en) * | 2003-04-16 | 2005-08-25 | Kamjula P Reddy | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
| US7344901B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-03-18 | Corning Incorporated | Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package |
| US7407423B2 (en) | 2003-04-16 | 2008-08-05 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| US7602121B2 (en) | 2003-04-16 | 2009-10-13 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
| US8148179B2 (en) | 2003-04-16 | 2012-04-03 | Corning Incorporated | Hermetically sealed glass package and method of fabrication |
| WO2012117978A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 旭硝子株式会社 | 気密部材とその製造方法 |
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