JPH0794639A - 半導体装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたボン
ディングパッドを含む金属配線パターンと、該金属配線
パターンを被覆する絶縁保護膜と、前記ボンディングパ
ッドに接合するボンディングワイヤとを有する半導体装
置において、ボンディングパッドを水分等による腐食か
ら守ることを目的とする。 【構成】前記絶縁保護膜が有機樹脂膜から成り、ボンデ
ィングパッドの開口部にワイヤボンディングした後、前
記有機樹脂膜のガラス転移点以上の熱処理を施し、該絶
縁保護膜を流動させることにより、ボンディングワイヤ
と接合する部分を除くパッドの露出面を被覆し、ボンデ
ィングパッドと水分との接触を防止できる構造とする。
ディングパッドを含む金属配線パターンと、該金属配線
パターンを被覆する絶縁保護膜と、前記ボンディングパ
ッドに接合するボンディングワイヤとを有する半導体装
置において、ボンディングパッドを水分等による腐食か
ら守ることを目的とする。 【構成】前記絶縁保護膜が有機樹脂膜から成り、ボンデ
ィングパッドの開口部にワイヤボンディングした後、前
記有機樹脂膜のガラス転移点以上の熱処理を施し、該絶
縁保護膜を流動させることにより、ボンディングワイヤ
と接合する部分を除くパッドの露出面を被覆し、ボンデ
ィングパッドと水分との接触を防止できる構造とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置とその製造
方法に関するもので、特にボンディングパッドを腐食か
ら守るための該部での絶縁保護膜の形状に係るものであ
る。
方法に関するもので、特にボンディングパッドを腐食か
ら守るための該部での絶縁保護膜の形状に係るものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の金属配線材料としては、一
般に抵抗、加工性の面を考慮し、Ａl（アルミニウム）
が用いられている。このＡl 金属配線には、基板とのコ
ンタクト抵抗の安定化、信頼性改善等の理由で、純Ａl
にＣu 、Ｓi 等の元素を添加した、例えばＡl −Ｃu 、
Ａl −Ｓi 、Ａl −Ｓi −Ｃu 等のＡl 系合金が使用さ
れる。
般に抵抗、加工性の面を考慮し、Ａl（アルミニウム）
が用いられている。このＡl 金属配線には、基板とのコ
ンタクト抵抗の安定化、信頼性改善等の理由で、純Ａl
にＣu 、Ｓi 等の元素を添加した、例えばＡl −Ｃu 、
Ａl −Ｓi 、Ａl −Ｓi −Ｃu 等のＡl 系合金が使用さ
れる。
【０００３】Ａl 金属配線を用いた半導体装置の製造工
程の概略は次の通りである。絶縁膜が形成された半導体
基板上に、蒸着、スパッタ等により、前記Ａl 系合金膜
を形成する。その上に感光性の有機化合物等を塗布、露
光・現像によりホトレジストパターンを形成し（フォト
リソグラフィー）、これをマスクとして、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）等により下地膜をエッチングし、
金属配線パターンを形成する。
程の概略は次の通りである。絶縁膜が形成された半導体
基板上に、蒸着、スパッタ等により、前記Ａl 系合金膜
を形成する。その上に感光性の有機化合物等を塗布、露
光・現像によりホトレジストパターンを形成し（フォト
リソグラフィー）、これをマスクとして、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）等により下地膜をエッチングし、
金属配線パターンを形成する。
【０００４】次に金属配線パターン（ボンディングパッ
ドを含む）上にＰＳＧ（燐珪酸化ガラス）等の絶縁保護
膜を堆積し、フォトリソグラフィー後、ＲＩＥ、溶媒処
理等によりボンディングパッドの開口が行なわれる。
ドを含む）上にＰＳＧ（燐珪酸化ガラス）等の絶縁保護
膜を堆積し、フォトリソグラフィー後、ＲＩＥ、溶媒処
理等によりボンディングパッドの開口が行なわれる。
【０００５】周知のように半導体装置では、ペレットに
電源を供給したり、外部との信号のやりとりをするた
め、前記ペレットのボンディングパッドと、ペレットを
搭載するリードフレームやステム上の導体（リード）と
の間を、Ａu 、Ａl 等の細い線で接続するいわゆるワイ
ヤボンディングが行なわれている。
電源を供給したり、外部との信号のやりとりをするた
め、前記ペレットのボンディングパッドと、ペレットを
搭載するリードフレームやステム上の導体（リード）と
の間を、Ａu 、Ａl 等の細い線で接続するいわゆるワイ
ヤボンディングが行なわれている。
【０００６】図６は、このような従来のボンディングパ
ッド上にボンディングワイヤを接合した状態を示す断面
図である。半導体基板１上に熱酸化膜２及びＣＶＤ酸化
膜３を介して、金属配線パターンの一部分としてボンデ
ィングパッド（Ａl 系合金膜）４が形成されている。ボ
ンディングパッド４上の絶縁保護膜５は選択的に除去開
口され、開口面にボンディングワイヤ６が接合される。
接合は、例えばボンディングワイヤの先端に球状部７を
形成し、これをボンディングパッド４上に熱圧着して行
なわれる。十分な接合面積を確保するため、ボンディン
グパッド４は、球状部（接合部）７の径より、図のよう
に大きく開口しておく。そのためＡl 系合金から成るボ
ンディングパッド表面の一部４ａは、露出している。
ッド上にボンディングワイヤを接合した状態を示す断面
図である。半導体基板１上に熱酸化膜２及びＣＶＤ酸化
膜３を介して、金属配線パターンの一部分としてボンデ
ィングパッド（Ａl 系合金膜）４が形成されている。ボ
ンディングパッド４上の絶縁保護膜５は選択的に除去開
口され、開口面にボンディングワイヤ６が接合される。
接合は、例えばボンディングワイヤの先端に球状部７を
形成し、これをボンディングパッド４上に熱圧着して行
なわれる。十分な接合面積を確保するため、ボンディン
グパッド４は、球状部（接合部）７の径より、図のよう
に大きく開口しておく。そのためＡl 系合金から成るボ
ンディングパッド表面の一部４ａは、露出している。
【０００７】近年半導体装置のパッケージとして、樹脂
封止によるプラスチックパッケージが多く用いられるよ
うになった。この場合、プラスチックパッケージに水分
等の異物が含まれており、この水分と、上記のボンディ
ングパッドの露出部分のＡl系合金とが、酸化還元反応
を起こし、Ａl の腐食（corrosion コロージョン）が発
生する。Ａl 中に添加元素がある場合、添加元素の析出
物とＡl とで局部電池を形成し、腐食がさらに顕著とな
る。図７は、この状態を模式的に説明する断面図であ
る。すなわち図示してないがパッケージ樹脂から水分等
の異物８がボンディングパッドの露出面４ａに付着する
と、Ａl 系合金と化学反応を起こし、腐食が発生してＡ
l イオン等９が遊離し、腐食が進むと完全にボンディン
グパッド部１０で断線し導通不良が発生してしまう。
封止によるプラスチックパッケージが多く用いられるよ
うになった。この場合、プラスチックパッケージに水分
等の異物が含まれており、この水分と、上記のボンディ
ングパッドの露出部分のＡl系合金とが、酸化還元反応
を起こし、Ａl の腐食（corrosion コロージョン）が発
生する。Ａl 中に添加元素がある場合、添加元素の析出
物とＡl とで局部電池を形成し、腐食がさらに顕著とな
る。図７は、この状態を模式的に説明する断面図であ
る。すなわち図示してないがパッケージ樹脂から水分等
の異物８がボンディングパッドの露出面４ａに付着する
と、Ａl 系合金と化学反応を起こし、腐食が発生してＡ
l イオン等９が遊離し、腐食が進むと完全にボンディン
グパッド部１０で断線し導通不良が発生してしまう。
【０００８】この改善策として、ボンディングパッド
に、露出部を作らぬよう、あらかじめパッド面積を小さ
くしておく方法がある。しかしこの場合、接合面積が制
限され、接合強度の劣化が生じたり、絶縁保護膜にボン
ディングワイヤが掛り、接合時の外力により、絶縁保護
膜から下地にかけてクラックが生じ、素子にダメージを
与え、半導体装置の信頼性を著しく低下する。
に、露出部を作らぬよう、あらかじめパッド面積を小さ
くしておく方法がある。しかしこの場合、接合面積が制
限され、接合強度の劣化が生じたり、絶縁保護膜にボン
ディングワイヤが掛り、接合時の外力により、絶縁保護
膜から下地にかけてクラックが生じ、素子にダメージを
与え、半導体装置の信頼性を著しく低下する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これまで述べたよう
に、ボンディングワイヤとの接合面積を十分確保するた
め、ボンディングパッドの開口面積は大きく形成され
る。したがってボンディングパッドには、絶縁保護膜で
被覆されず、また接合部でもない露出面が存在する。こ
の露出面に水分等の異物が付着するとＡl 合金の腐食が
発生し、素子の信頼性を著しく低下するという問題があ
り、かねてからワイヤボンディングを行なった後、ボン
ディングパッド表面の露出部を保護する技術が望まれて
いた。
に、ボンディングワイヤとの接合面積を十分確保するた
め、ボンディングパッドの開口面積は大きく形成され
る。したがってボンディングパッドには、絶縁保護膜で
被覆されず、また接合部でもない露出面が存在する。こ
の露出面に水分等の異物が付着するとＡl 合金の腐食が
発生し、素子の信頼性を著しく低下するという問題があ
り、かねてからワイヤボンディングを行なった後、ボン
ディングパッド表面の露出部を保護する技術が望まれて
いた。
【００１０】本発明は、前記従来技術の問題点に鑑みな
されたもので、ボンディングパッドを有する半導体装置
において、ボンディングパッドを腐食から守ることので
きる構造の半導体装置とその製造方法とを提供すること
を目的とする。
されたもので、ボンディングパッドを有する半導体装置
において、ボンディングパッドを腐食から守ることので
きる構造の半導体装置とその製造方法とを提供すること
を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明の
半導体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられ
たボンディングパッドを含む金属配線パターンと、該金
属配線パターンを被覆する絶縁保護膜と、前記ボンディ
ングパッドに接合するボンディングワイヤとを有する半
導体装置において、前記絶縁保護膜が、有機樹脂膜から
成り、かつボンディングワイヤと接合する部分を除くボ
ンディングパッドの露出面を被覆していることを特徴と
する。
半導体装置は、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられ
たボンディングパッドを含む金属配線パターンと、該金
属配線パターンを被覆する絶縁保護膜と、前記ボンディ
ングパッドに接合するボンディングワイヤとを有する半
導体装置において、前記絶縁保護膜が、有機樹脂膜から
成り、かつボンディングワイヤと接合する部分を除くボ
ンディングパッドの露出面を被覆していることを特徴と
する。
【００１２】請求項２に係る本発明の製造方法は、有機
樹脂膜から成る絶縁保護膜で金属配線パターンを被覆す
る工程と、ボンディングパッド上の前記絶縁保護膜を選
択的に除去し開口する工程と、開口されたボンディング
パッドにボンディングワイヤを接合する工程と、前記絶
縁保護膜に該膜のガラス転移点以上の温度の熱処理を施
し、流動させることにより、該絶縁保護膜により、ボン
ディングワイヤと接合する部分を除くボンディングパッ
ドの露出面を被覆する工程とを、有することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法である。
樹脂膜から成る絶縁保護膜で金属配線パターンを被覆す
る工程と、ボンディングパッド上の前記絶縁保護膜を選
択的に除去し開口する工程と、開口されたボンディング
パッドにボンディングワイヤを接合する工程と、前記絶
縁保護膜に該膜のガラス転移点以上の温度の熱処理を施
し、流動させることにより、該絶縁保護膜により、ボン
ディングワイヤと接合する部分を除くボンディングパッ
ドの露出面を被覆する工程とを、有することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法である。
【００１３】
【作用】本発明は、絶縁保護膜として有機樹脂膜を使用
する。ガラス転移点が 300度以下の有機樹脂膜を用いる
ことが望ましいが、不可欠条件ではない。Ａu 、Ａl 等
のワイヤでワイヤボンディング後、前記有機樹脂膜のガ
ラス転移点以上の熱処理を加えて、有機樹脂膜が流動し
て、ボンディングパッド面を濡らすようにすることによ
り、ボンディングパッド（Ａl 系合金）の露出面（ボン
ディングワイヤとの接合部を除くボンディングパッドの
開口面）を絶縁保護膜で被覆する。これにより、樹脂パ
ッケージ等からの水分等を遮断して、ボンディングパッ
ドを腐食から守ることを可能にする。
する。ガラス転移点が 300度以下の有機樹脂膜を用いる
ことが望ましいが、不可欠条件ではない。Ａu 、Ａl 等
のワイヤでワイヤボンディング後、前記有機樹脂膜のガ
ラス転移点以上の熱処理を加えて、有機樹脂膜が流動し
て、ボンディングパッド面を濡らすようにすることによ
り、ボンディングパッド（Ａl 系合金）の露出面（ボン
ディングワイヤとの接合部を除くボンディングパッドの
開口面）を絶縁保護膜で被覆する。これにより、樹脂パ
ッケージ等からの水分等を遮断して、ボンディングパッ
ドを腐食から守ることを可能にする。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明の半導体装置の一実施例の要
部断面図である。
部断面図である。
【００１５】この半導体装置は、（ａ）半導体基板１上
に絶縁膜（熱酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）２とＣＶＤ酸化膜（Ｓ
i Ｏ2 ）３の積層膜）を介して設けられたボンディング
パッド１４を含む金属配線パターン（パッドのみ図示）
と、（ｂ）該金属配線パターンを被覆する絶縁保護膜１
５が本発明の特徴である有機樹脂膜から成り、かつボン
ディングワイヤ６と接合する部分を除くボンディングパ
ッド１４の露出面（図６参照）を被覆している該絶縁保
護膜１５と、（ｃ）ボンディングパッド１４に接合する
ボンディングワイヤ６とを有することを特徴とする半導
体装置である。
に絶縁膜（熱酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）２とＣＶＤ酸化膜（Ｓ
i Ｏ2 ）３の積層膜）を介して設けられたボンディング
パッド１４を含む金属配線パターン（パッドのみ図示）
と、（ｂ）該金属配線パターンを被覆する絶縁保護膜１
５が本発明の特徴である有機樹脂膜から成り、かつボン
ディングワイヤ６と接合する部分を除くボンディングパ
ッド１４の露出面（図６参照）を被覆している該絶縁保
護膜１５と、（ｃ）ボンディングパッド１４に接合する
ボンディングワイヤ６とを有することを特徴とする半導
体装置である。
【００１６】次に本発明の半導体装置の製造方法の実施
例について図面を参照して以下説明する。
例について図面を参照して以下説明する。
【００１７】図２において、熱酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）２及
びＣＶＤ酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）３を形成した半導体基板１
を用意し、その上に、Ａl 系合金（Ａl −Ｓi 、Ａl −
Ｃu、Ａl −Ｓi −Ｃu 等）膜を、蒸着またはスパッタ
等により形成した後、周知のフォトリソグラフィー技術
後、ＲＩＥ等により金属配線パターン（ボンディングパ
ッド１４を含む）を形成する。
びＣＶＤ酸化膜（Ｓi Ｏ2 ）３を形成した半導体基板１
を用意し、その上に、Ａl 系合金（Ａl −Ｓi 、Ａl −
Ｃu、Ａl −Ｓi −Ｃu 等）膜を、蒸着またはスパッタ
等により形成した後、周知のフォトリソグラフィー技術
後、ＲＩＥ等により金属配線パターン（ボンディングパ
ッド１４を含む）を形成する。
【００１８】次に図３において、金属配線パターン（ボ
ンディングパッド１４）を形成した基板１上に、絶縁保
護膜としてガラス転移点が 300℃以下の有機樹脂膜１５
を、例えばスピンコート法等により塗布する。本実施例
に用いた有機樹脂膜１５の構造式を化１に示す。
ンディングパッド１４）を形成した基板１上に、絶縁保
護膜としてガラス転移点が 300℃以下の有機樹脂膜１５
を、例えばスピンコート法等により塗布する。本実施例
に用いた有機樹脂膜１５の構造式を化１に示す。
【００１９】
【化１】 （但し、x ＝0 ，1 、y ＝0 ，1 、z ＝1 ，2 、n は1
以上の整数を表す）次に図４において、ボンディングパ
ッド１４上の絶縁保護膜１５を選択的に除去し開口す
る。そのため、絶縁保護膜１５上にマスク材を塗布し、
リソグラフィー技術によりエッチング用の開口マスク１
６を形成する。次にＲＩＥ或いは樹脂の溶媒処理等によ
り開口部の絶縁保護膜を除去する。パッド開口後マスク
材１６は除去される。
以上の整数を表す）次に図４において、ボンディングパ
ッド１４上の絶縁保護膜１５を選択的に除去し開口す
る。そのため、絶縁保護膜１５上にマスク材を塗布し、
リソグラフィー技術によりエッチング用の開口マスク１
６を形成する。次にＲＩＥ或いは樹脂の溶媒処理等によ
り開口部の絶縁保護膜を除去する。パッド開口後マスク
材１６は除去される。
【００２０】次に図５において、開口されたボンディン
グパッド１４に、公知の方法によりＡu 或いはＡl 等の
ワイヤ６を用いて、ボールボンディング法により、ワイ
ヤボンディングを行なう。
グパッド１４に、公知の方法によりＡu 或いはＡl 等の
ワイヤ６を用いて、ボールボンディング法により、ワイ
ヤボンディングを行なう。
【００２１】その後、オーブン等を用いて、熱処理を行
なう。そのときの温度は、有機樹脂膜１５のガラス転移
点以上とする。本実施例では、 300℃の熱処理を行なっ
た。このことにより、有機樹脂膜１５はリフローされ、
ボンディングパッド１４のＡl 系合金面と濡れ、該パッ
ドの露出部１４ａは、図１に示すように、有機樹脂膜１
５により被覆される。
なう。そのときの温度は、有機樹脂膜１５のガラス転移
点以上とする。本実施例では、 300℃の熱処理を行なっ
た。このことにより、有機樹脂膜１５はリフローされ、
ボンディングパッド１４のＡl 系合金面と濡れ、該パッ
ドの露出部１４ａは、図１に示すように、有機樹脂膜１
５により被覆される。
【００２２】その後、リードフレーム等にマウントさ
れ、樹脂封止して半導体装置が得られる。
れ、樹脂封止して半導体装置が得られる。
【００２３】上記実施例に見られるように、有機樹脂膜
１５のリフローにより、Ａl 系合金の露出面１４ａは、
容易にまた完全にこの膜により被覆されるので、ボンデ
ィングパッド１４は、プラスチックパッケージ中に存在
する水分等と直接接触するところがなくなり、したがっ
てＡl の腐食を抑え、ボンディングパッドの断線がなく
なる。
１５のリフローにより、Ａl 系合金の露出面１４ａは、
容易にまた完全にこの膜により被覆されるので、ボンデ
ィングパッド１４は、プラスチックパッケージ中に存在
する水分等と直接接触するところがなくなり、したがっ
てＡl の腐食を抑え、ボンディングパッドの断線がなく
なる。
【００２４】上記実施例では、樹脂封止形半導体装置を
例としたが、セラミックパッケージ等その他のパッケー
ジの半導体装置に対しても、所望により本発明を適用す
ることができる。
例としたが、セラミックパッケージ等その他のパッケー
ジの半導体装置に対しても、所望により本発明を適用す
ることができる。
【００２５】また本発明における絶縁保護膜は、上記実
施例以外のゴム、イミド、ワニス等でも可能である。
施例以外のゴム、イミド、ワニス等でも可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、ボンデ
ィングパッドを有する半導体装置において、絶縁保護膜
に有機樹脂膜を用い、リフローすることにより、ボンデ
ィングパッドの露出面を被覆することができ、パッケー
ジ中の水分とボンディングパッドとの接触が防止され
る。したがって本発明により、ボンディングパッドを腐
食から守ることができる構造の半導体装置とその製造方
法とを提供できた。
ィングパッドを有する半導体装置において、絶縁保護膜
に有機樹脂膜を用い、リフローすることにより、ボンデ
ィングパッドの露出面を被覆することができ、パッケー
ジ中の水分とボンディングパッドとの接触が防止され
る。したがって本発明により、ボンディングパッドを腐
食から守ることができる構造の半導体装置とその製造方
法とを提供できた。
【図１】本発明の半導体装置の一実施例の要部断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】図２に続く製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く製造工程を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の要部断面図である。
【図７】従来の半導体装置の問題点を説明するための断
面図である。
面図である。
１ 半導体基板 ２，３ 絶縁膜（酸化膜） ４，１４ ボンディングパッド（Ａl 系合金） ４ａ，１４ａ ボンディングパッドの露出面 ５ 絶縁保護膜 ６ ボンディングワイヤ １５ 有機樹脂膜から成る絶縁保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた
ボンディングパッドを含む金属配線パターンと、該金属
配線パターンを被覆する絶縁保護膜と、前記ボンディン
グパッドに接合するボンディングワイヤとを有する半導
体装置において、 前記絶縁保護膜が、有機樹脂膜から成り、かつボンディ
ングワイヤと接合する部分を除くボンディングパッドの
露出面を被覆していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】有機樹脂膜から成る絶縁保護膜で金属配線
パターンを被覆する工程と、ボンディングパッド上の前
記絶縁保護膜を選択的に除去し開口する工程と、開口さ
れたボンディングパッドにボンディングワイヤを接合す
る工程と、前記絶縁保護膜に該膜のガラス転移点以上の
温度の熱処理を施し、流動させることにより、該絶縁保
護膜により、ボンディングワイヤと接合する部分を除く
ボンディングパッドの露出面を被覆する工程とを、有す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196641A JPH0794639A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5196641A JPH0794639A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置及び製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794639A true JPH0794639A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16361157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5196641A Pending JPH0794639A (ja) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | 半導体装置及び製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794639A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002033749A1 (de) * | 2000-10-14 | 2002-04-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum schutz elektronischer oder mikromechanischer bauteile |
| JP2008284884A (ja) * | 2008-09-01 | 2008-11-27 | Canon Inc | インクタンク及びインクジェットカートリッジ |
| US10236248B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-03-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP4163966A1 (en) * | 2021-10-11 | 2023-04-12 | NXP USA, Inc. | Wire bonded semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-06-14 JP JP5196641A patent/JPH0794639A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002033749A1 (de) * | 2000-10-14 | 2002-04-25 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum schutz elektronischer oder mikromechanischer bauteile |
| JP2008284884A (ja) * | 2008-09-01 | 2008-11-27 | Canon Inc | インクタンク及びインクジェットカートリッジ |
| US10236248B2 (en) | 2016-06-16 | 2019-03-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| EP4163966A1 (en) * | 2021-10-11 | 2023-04-12 | NXP USA, Inc. | Wire bonded semiconductor device and method of manufacturing the same |
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