JPS6348427B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6348427B2
JPS6348427B2 JP58022310A JP2231083A JPS6348427B2 JP S6348427 B2 JPS6348427 B2 JP S6348427B2 JP 58022310 A JP58022310 A JP 58022310A JP 2231083 A JP2231083 A JP 2231083A JP S6348427 B2 JPS6348427 B2 JP S6348427B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
transparent heat
resistant substrate
electrode
base metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58022310A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59148352A (ja
Inventor
Hisao Ehata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SEIKO DENSHI KOGYO KK
Original Assignee
SEIKO DENSHI KOGYO KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SEIKO DENSHI KOGYO KK filed Critical SEIKO DENSHI KOGYO KK
Priority to JP58022310A priority Critical patent/JPS59148352A/ja
Publication of JPS59148352A publication Critical patent/JPS59148352A/ja
Publication of JPS6348427B2 publication Critical patent/JPS6348427B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置におけるバンプ状はんだ電
極の形成方法に関する。
ICを配線基板にボンデイングする方法に、電
極面を配線基板の配線面に対向させるいわゆる
「フエースダウンボンデイング」があり、それ用
の半導体チツプは、バンブ状はんだ電極が多く採
用されている。
このはんだ電極は半導体素子のウエーハ段階で
基板上に形成するが、従来から用いられている方
法に電気めつき法がある。
電気めつき法は基板表面に、第1下地金属をス
パツタリング及びホトエツチングにより形成し、
更に第2下地金属をスパツタリングにより形成
し、電極形成部を除いてホトレジストで覆い、
Cuバリア層及びはんだ電極を電気めつき法によ
り形成し、ホトレジストを除去し、第2下地金属
をエツチングにより除去し、リフロー処理を行な
うことによつてバンプ状電極を形成するものであ
り、工程が煩雑となり加工コストがかさむ欠点が
あつた。
本発明は上記に鑑み、下地金属及びバリア層の
形成にはメタルマスクを用いた蒸着法を採用する
ことによりホトエツチング工程を無くし、はんだ
電極の形成には、リフロー処理のみによりはんだ
球をバリア層表面に転写して形成することによ
り、ホトレジスト及びエツチング工程を無くし、
作業性を良くし、加工コストを節減し得るバンプ
電極形成法を提供するものである。
以下、第1図、第2図に基づいて本発明の実施
例を詳細に説明する。
第1図a〜dは、本発明の実施例の主要製造工
程を示す。第1図aに示すようにSi(シリコン)
半導体ウエハ1に公知の選択拡散工程により半導
体素子領域を形成し、その表面酸化膜(SiO2
2上にM配線3を形成し、この上を覆う最終のパ
シベーシヨン、例えばCVD・PSG膜4の一部を
窓開エツチングして配線端子部として露出させ
る。
第1図bに示すように配線端子部をスルーホー
ルにしたメタルマスク7を重ね合わせ、真空蒸着
法によりCu膜5を1500Å厚に下地金属として形
成し、次いでCu膜6を約5〜10μm厚にバリア層
として形成する。
第2図は、Cuバリア層表面に転写されるはん
だ球を透明耐熱基板上に粘着させたものである。
耐熱ガラスあるいは石英板10上にフラツクス9
を塗布し、次いで配線端子部に対応する位置にス
ルーホールを設けたメタルマスク11を重ね合わ
せ、スルーホールに直径約150μmのはんだ球8
を投入し、フラツクス9により透明耐熱基板10
に粘着させる。
第1図cに示すように第2図のはんだ球を粘着
搭載した透明耐熱基板10を配線端子部に対向さ
せ半導体ウエヘに重ね合わせ位置決めを行ない、
リフロー処理を行なう。
第1図dに示すようにリフロー処理によりはん
だ球8はフラツクス9の効果によりCuバリア層
6上にはんだ電極8′が転写される。
以上実施例で述べた方法によれば、下記の理由
でコスト軽減が可能となる。
下地金属及びバリア層の形成には、メタルマス
クを用いた蒸着法を採用することによりホトエツ
チング工程を無くし、更にはんだ電極の形成に
は、リフロー処理のみによりはんだ球を転写する
方法を採用することでホトレジスト、エツチン
グ、電気めつきの各工程を無くすことができる。
また、転写するハンダ球を粘着搭載する基板に透
明耐熱基板を採用することにより、はんだ球と電
極形成位置との位置合わせが容易になる。
この発明は前記実施例により拘束されるもので
なく、これ以外に下記変形例を有する。
例えば、Cr下地金属の形成をスパツタリング
を用いるあるいはCuバリア層の形成を電気めつ
きを用いる方法がある。
この発明は半導体素子のはんだバンプ電極の形
成に利用して有効である。
【図面の簡単な説明】
第1図a〜dは本発明の一実施例における主要
工程順の電極形成部断面図、第2図ははんだ球粘
着基板断面図である。 1……Si半導体ウエハ、2……酸化膜、3……
Al配線、4……最終パシベーシヨン膜、5……
Cr膜、6……Cuバリア層、7……メタルマスク、
8……はんだ球、8′……はんだ電極、9……フ
ラツクス、10……透明耐熱基板、11……メタ
ルマスク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体基板上に設けられた配線金属上の一部
    にメタルマスクを使用して下地金属及びバリア層
    を蒸着により形成する工程と、他の透明耐熱基板
    表面に粘着塗料を塗布する工程と該粘着塗料を塗
    布した前記透明耐熱基板上にメタルマスクを重ね
    合わせ該メタルマスクを通してはんだ球を粘着さ
    せる工程と該はんだ球を粘着搭載させた前記透明
    耐熱基板により前記下地金属表面の所望の位置に
    はんだ電極を形成するための位置決めを行なう工
    程と前記はんだ球をリフローにより前記下地金属
    上に転写してバンプ状電極を形成する工程とから
    なるはんだ電極形成法。 2 前記透明耐熱基板に塗布するはんだ球粘着塗
    料としてフラツクスを使用すると共に透明耐熱基
    板として耐熱ガラス及び石英を使用する特許請求
    の範囲第1項記載のはんだ電極形成法。
JP58022310A 1983-02-14 1983-02-14 半導体装置の電極形成方法 Granted JPS59148352A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58022310A JPS59148352A (ja) 1983-02-14 1983-02-14 半導体装置の電極形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58022310A JPS59148352A (ja) 1983-02-14 1983-02-14 半導体装置の電極形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59148352A JPS59148352A (ja) 1984-08-25
JPS6348427B2 true JPS6348427B2 (ja) 1988-09-29

Family

ID=12079160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58022310A Granted JPS59148352A (ja) 1983-02-14 1983-02-14 半導体装置の電極形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59148352A (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0254932A (ja) * 1988-08-20 1990-02-23 Fujitsu Ltd はんだバンプの形成方法
JP2650499B2 (ja) * 1991-02-19 1997-09-03 松下電器産業株式会社 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法
US5677566A (en) * 1995-05-08 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor chip package
WO1998009332A1 (en) * 1996-08-27 1998-03-05 Nippon Steel Corporation Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same
JP2008159948A (ja) 2006-12-25 2008-07-10 Rohm Co Ltd 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59148352A (ja) 1984-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE49286E1 (en) Method of making flip chip
US20030052415A1 (en) Solder bump structure and a method of forming the same
JPS6348427B2 (ja)
JP2000150518A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02253628A (ja) 半導体装置の製造方法
USRE48422E1 (en) Method of making flip chip
JP3506686B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03101234A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03101233A (ja) 電極構造及びその製造方法
JP2644079B2 (ja) 半導体集積回路
JPH0422131A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS61251152A (ja) バンプ形成方法
JPS61141158A (ja) バンプ電極形成方法
JPH09232321A (ja) バンプ電極及びその製造方法
JPH0715909B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63305533A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09172019A (ja) 下地電極の形成方法
JPH03190240A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62136857A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6055643A (ja) 半導体装置の電極形成方法
JP3036300B2 (ja) Tabテープの製造方法と半導体装置の製造方法
JPS639662B2 (ja)
JPH04250628A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2785474B2 (ja) 金属突起形成基板への開口部の形成方法
JPS62169350A (ja) 半導体装置とその製造方法