JP2009004462A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板3に熱硬化性の樹脂7を塗布した後、半導体装置2のバンプ電極4と基板3の電極パッド5とを間に半田6を介在させて接触させる。そして、熱圧着ツール29で半導体装置2を基板3に押し付けつつ加熱して半導体装置2の中央部の樹脂7の温度がバンプ電極4近傍部の樹脂7の温度よりも高くなるような温度分布を樹脂7内に形成し、バンプ電極4と電極パッド5とを半田接合させるとともに、半導体装置2の中央部直下に位置する樹脂7を半導体装置2と基板3との仮接合に十分な接着強度を得る程度まで熱硬化を進行させて半導体装置2と基板3とを仮接合させる。仮接合の後、半導体装置2及び基板3から成る仮接合体1aを冷却し、更に加圧雰囲気下で加熱して樹脂7全体を完全に熱硬化させる。
【選択図】図5
Description
合させる第1の加熱工程と、第1の加熱工程により仮接合された半導体装置及び基板から成る仮接合体の冷却を行う冷却工程と、冷却後の仮接合体を加圧雰囲気下で加熱し、樹脂全体を完全に熱硬化させる第2の加熱工程とを含む。
で制御バルブ33を作動させることにより、半導体装置2を熱圧着ツール29の下面29aに真空吸着させることができる。ヒータ30は熱圧着ツール29の外部に設けられたヒータ電源34からの電力供給を受けて発熱し、これにより熱圧着ツール29が昇温する。
脂7内の温度分布の一例を示すグラフを示している。
2 半導体装置
3 基板
4 バンプ電極
5 電極パッド
6 半田
7 樹脂
29 熱圧着ツール
Claims (1)
- ペリフェラル配置された複数のバンプ電極を備えた半導体装置とこの半導体装置の複数のバンプ電極に対応して配置された複数の電極パッドを備えた基板とをフリップチップ接合させる半導体装置の実装方法であって、基板に熱硬化性の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、半導体装置のバンプ電極と樹脂が塗布された基板の電極パッドとを間に半田を介在させて接触させ、半導体装置の上面に接触させた熱圧着ツールで半導体装置を基板に押し付けつつ加熱して半導体装置の中央部の樹脂の温度がバンプ電極近傍部の樹脂の温度よりも高くなるような温度分布を樹脂内に形成し、バンプ電極と電極パッドの間に介在させた半田を溶融させてバンプ電極と電極パッドとを半田接合させるとともに、半導体装置の中央部直下に位置する樹脂を半導体装置と基板との仮接合に十分な接着強度を得る程度まで熱硬化を進行させて半導体装置と基板とを仮接合させる第1の加熱工程と、第1の加熱工程により仮接合された半導体装置及び基板から成る仮接合体の冷却を行う冷却工程と、冷却後の仮接合体を加圧雰囲気下で加熱し、樹脂全体を完全に熱硬化させる第2の加熱工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。
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