JP2011187699A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路基板1上に半導体チップ3がフェースダウン状態で搭載され、回路基板1上に形成されたパッド電極2と半導体チップ3上に形成された電極4とが接合されている。回路基板1と半導体チップ3との間の隙間にはアンダーフィルとしての樹脂5が充填されている。パッド電極2の頂上には高低差があるが、半導体チップ3がその高低差に追随して湾曲することにより、パッド電極2と電極4との接合は信頼性高く実現できる。
【選択図】図1
Description
(1)前記回路基板を実装装置に装着する第1の工程と、
(2)前記回路基板のパッド電極と前記半導体チップの電極とが対面するように前記半導体チップを載置する第2の工程と、
(3)前記半導体チップを電極形成面の反対側(以下、裏面側)から押圧して前記半導体チップの電極と前記回路基板のパッド電極との接合を行なう第3の工程と、
を有し、前記第3の工程においては、前記半導体チップの前記電極の形成された箇所およびその周辺部の裏面部分を弾性力により選択的に押圧することを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供される。
図1は、本発明の半導体装置の一実施の形態を示す断面図である。図1に示されるように、回路基板1上に半導体チップ(ベアチップ)3がフリップチップ実装されている。つまり、回路基板1上に半導体チップ3がフェースダウン状態で搭載され、回路基板1上に形成されたパッド電極2と半導体チップ3上に形成された電極4とが接合されている。回路基板1と半導体チップ3との間の隙間にはアンダーフィルとしての樹脂5が充填されている。
図1に示されるように、回路基板1にうねりが生じているなどの理由によりパッド電極2の頂上には高低差が生じているが、半導体チップ3はその高低差に柔軟に追随して湾曲している。これにより、パッド電極2と電極4とが接触しなくなることは回避され、両者間の信頼性の高い接続が実現できている。
次に、図1に示す本発明による半導体装置を製造するための実装装置について図面を参照して説明する。図2は、図1に示す半導体装置を製造するための実装装置の概略図、図3は、図2に示される実装装置により実装される半導体チップの平面図、図4は、図2に示される実装装置において用いられる加圧ツールの断面図と平面図である。
図3に示されるように、図2に示される実装装置において実装される半導体チップ3は、チップの回路形成面の各辺に沿って電極4が形成されている。つまり、半導体チップ3は、ペリフェラル配置された電極4を有する。図2には、図3のA−A線に沿った断面図が示されている。
加圧ツール7の加圧ツール本体7aは、金属やセラミックスなどの剛性体で形成された板状体であって、その下面(チップ加圧面)には、半導体チップ3の電極の形成領域およびその周辺部の裏面部分のみを加圧するための、弾性体で形成された弾性体突起7bが設けられている。弾性体突起7bは、半導体チップの辺に沿って形成された電極列の部分を押圧することができるように長方形の形状に形成されている。加圧ツール本体7aの弾性体突起7bが設けられていない領域には光源8からの光を透過させるための開口7cが開けられている。加圧ツール本体7a弾性体突起7bは、本実施の形態では、突起の全体が弾性体で形成されているが、その一部のみが弾性体であってもよい。弾性体突起7bの材料としては、耐熱性に優れ弾力性に富む樹脂材料が好適に用いられる。例えば、シリコーン樹脂、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂あるいはポリイミドなどが用いられる。弾性体突起7bには、半導体チップ3を吸着するための吸着穴7dが複数個設けられている。吸着穴7dは、図示が省略された真空発生装置に連結されており、これにより半導体チップを吸着・保持する際に真空引きされる。
加圧ツールの形状は、実装すべき半導体チップのサイズ、電極配置によって変更される。図5は、電極4がセンター配置された半導体チップ3の平面図である。この例では、電極4は、チップの回路面中央部に千鳥状に2列に配列されている。
図6(a)、(b)は、図5に示した半導体チップを実装する際に用いられる加圧ツール7の断面図と平面図である。図6に示されるように、半導体チップの中央部に形成された電極の裏面部分のみを押圧できるように、加圧ツールの中央部に長方形形状の弾性体突起7bが形成されている。弾性体突起7bには、適宜箇所に吸着穴7dが開けられている。弾性体突起7bを挟むように、加圧ツール本体7aには光を透過させるための開口7cが開けられている。半導体チップの実装に際しては、この加圧ツールにて半導体チップをピックアップし、その中央部に荷重を加えながら加熱することになるが、弾性体突起7bを中央部のみに設けた場合、図4に示した、チップ周辺近傍を吸着・支持し押圧する加圧ツールの場合と異なり、チップ保持の安定性はこの場合より劣る。これを補うために、図6に示した加圧ツール7では、半導体チップの四隅を吸引し押圧できるように、加圧ツール本体7aの四隅に、補助弾性体突起7eが設置されている。この補助弾性体突起7eは、中央を吸着する弾性体突起7bよりも低弾性の材料を用いて形成するとよい。
次に、図1に示した半導体装置の製造方法の一例について、製造プロセスの工程順断面図である図7と実装装置の説明図である図2を参照して説明する。
図示が省略されたハンドリング装置により、回路基板1がステージ6上に供給され、吸着保持される。回路基板1には銅配線が形成されており、そのパッド電極部にはNi/Auのめっき処理が施されている。続いて、回路基板1上の半導体チップ搭載領域上に未硬化の熱硬化性樹脂である樹脂5を供給する〔図7(a)〕。次に、電極面を下にしてキャリアトレイに配置された半導体チップへ、加圧ツールの加圧面に設けた弾性体突起を接し、加圧することで半導体チップを平坦化しながら半導体チップを真空吸着する。半導体チップの電極の表面にはAuのめっき処理が施されている。そして、ステージに吸着された回路基板の半導体チップ実装面と、半導体チップの電極面に形成された位置合せ用マークを目安に、ステージ6をX−Y方向(水平面方向)、加圧ツール7をθ方向(鉛直軸回転方向)に調整して回路基板と半導体チップとの位置合わせを行なう〔図7(b)〕。
樹脂硬化完了後、加圧ツールを上昇させると本実装工程により製造された、図1に示さされる半導体装置が得られる〔図7(d)〕。
2 パッド電極
3 半導体チップ
4 電極
4a 下地金属層
4b 錫めっき層
4c 錫フィレット
5 樹脂
6 ステージ
7 加圧ツール
7a 加圧ツール本体
7b 弾性体突起
7c 開口
7d 吸着穴
7e 補助弾性体突起
8 光源
9 ミラー
Claims (9)
- 半導体チップ上に予め形成された電極と回路基板上に予め形成されたパッド電極とが接合されて回路基板上に半導体チップが実装されている半導体装置において、前記パッド電極の各頂上は高低差を有し、その高低差に追従して半導体チップが湾曲していることを特徴とする半導体装置。
- 半導体チップ上に予め形成された電極と回路基板上に予め形成されたパッド電極とが接合されて回路基板上に半導体チップが実装されている半導体装置において、前記回路基板の表面にはうねり(湾曲)が生成されており、そのうねりに追従して半導体チップが湾曲していることを特徴とする半導体装置。
- 前記電極は、半導体チップの周辺部または中央部に集中的に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記パッド電極は、基板上に突起したバンプを有していることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体チップの厚さは、30μm以上100μm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体チップ上に形成された電極と回路基板上に形成されたパッド電極とを接合して回路基板上に半導体チップを実装する半導体装置の製造方法であって、
(1)前記回路基板を実装装置に装着する第1の工程と、
(2)前記回路基板のパッド電極と前記半導体チップの電極とが対面するように前記回路基板上に前記半導体チップを載置する第2の工程と、
(3)前記半導体チップを電極形成面の反対側(以下、裏面側)から押圧して前記半導体チップの電極と前記回路基板のパッド電極との接合を行なう第3の工程と、
を有し、前記第3の工程においては、前記半導体チップの前記電極の形成された箇所およびその周辺部の裏面部分を弾性力により選択的に押圧することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の工程と前記第2の工程との間に、前記回路基板上に樹脂を供給する工程が付加されており、前記第3の工程においては、前記電極と前記パッド電極との接合を行ないつつ前記樹脂を硬化させることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂硬化は、前記半導体チップの裏面側から光を照射することによって行なうことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップの電極はライン状に形成されており、前記第3の工程においては、前記半導体チップの裏面側から長方形の弾性体によりライン状に形成された電極の形成領域を共通に覆うようにして押圧することを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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