JP2013239560A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013239560A JP2013239560A JP2012111339A JP2012111339A JP2013239560A JP 2013239560 A JP2013239560 A JP 2013239560A JP 2012111339 A JP2012111339 A JP 2012111339A JP 2012111339 A JP2012111339 A JP 2012111339A JP 2013239560 A JP2013239560 A JP 2013239560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- silicon chip
- laser
- laser light
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】基材10上に、接着剤20を介してシリコンチップ30を搭載した後、シリコンチップ30を透過する赤外波長を有するレーザ光Lを、シリコンチップ30上から照射してシリコンチップ30を透過させることにより、接着剤20をレーザ光Lで直接加熱して硬化する。
【選択図】図2
Description
本発明の第1実施形態に係る半導体装置について、図1を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、大きくは、基材10と、基板10上に接着剤20を介して搭載されて固定されたシリコン半導体よりなるシリコンチップ30と、を備えて構成されている。
本発明の第2実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図4を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、レーザ加熱工程におけるレーザ光Lの照射方法を一部変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第3実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図5、図6A、図6Bを参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態のレーザ加熱工程におけるレーザ光Lの照射位置について、より詳細な例を提供するものである。
本発明の第4実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図7、図8A、図8Bを参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、レーザ加熱工程を一部変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第5実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図9、図10を参照して述べる。本実施形態は、上記第4実施形態のレーザ加熱工程を一部変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第6実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図11、図12A、図12Bを参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、レーザ加熱工程を一部変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
本発明の第7実施形態にかかる半導体装置の製造方法について、図13、図14を参照して述べる。本実施形態は、上記第1実施形態に比べて、上記接着剤20によるシリコンチップ30の支持形態を片持ち支持としたところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
なお、上記各実施形態では、シリコンチップ30を保持するコレット40として、レーザ光Lが透過するものを用い、レーザ加熱工程では、コレット40およびシリコンチップ30上から、レーザ光Lを照射して、コレット40およびシリコンチップ30を透過させることにより、接着剤20をレーザ光Lで直接加熱して硬化するようにしていた。
20 接着剤
30 シリコンチップ
40 コレット
L レーザ光
Claims (5)
- 基材(10)と、前記基板上に接着剤(20)を介して搭載されて固定されたシリコン半導体よりなるシリコンチップ(30)と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基材、前記シリコンチップ、および前記接着剤を用意する用意工程と、
前記基材上に、前記接着剤を介して前記シリコンチップを搭載するチップ搭載工程と、
前記シリコンチップを透過する赤外波長を有するレーザ光(L)を、前記シリコンチップ上から照射して前記シリコンチップを透過させることにより、前記接着剤を前記レーザ光で直接加熱して硬化するレーザ加熱工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レーザ加熱工程では、前記硬化した前記接着剤に、さらに前記レーザ光を照射して当該接着剤の一部を焼失させることにより、前記接着剤の形状を整形することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記チップ搭載工程では、前記シリコンチップを保持するコレット(40)として、前記レーザ光が透過するものを用い、前記コレットにより前記シリコンチップを前記基材上に搭載し、
前記レーザ加熱工程では、前記コレットおよび前記シリコンチップ上から、前記レーザ光を照射して、前記コレットおよび前記シリコンチップを透過させることにより、前記接着剤を前記レーザ光で直接加熱して硬化することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記コレットは前記レーザ光が透過する材質よりなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記コレットは前記レーザ光が透過する貫通孔(41)を有するものよりなることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012111339A JP5803803B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012111339A JP5803803B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013239560A true JP2013239560A (ja) | 2013-11-28 |
JP5803803B2 JP5803803B2 (ja) | 2015-11-04 |
Family
ID=49764351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012111339A Expired - Fee Related JP5803803B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5803803B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022050073A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Tdk株式会社 | 接合構造 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148403A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの実装方法および装置 |
JP2011187699A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-05-15 JP JP2012111339A patent/JP5803803B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001148403A (ja) * | 1999-11-18 | 2001-05-29 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの実装方法および装置 |
JP2011187699A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022050073A1 (ja) * | 2020-09-04 | 2022-03-10 | Tdk株式会社 | 接合構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5803803B2 (ja) | 2015-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9252341B2 (en) | Optoelectronic chip-on-board module | |
JP2004512670A (ja) | オプトエレクトニック素子及びその製造方法 | |
US8213481B2 (en) | Semiconductor laser module and manufacturing method therefor | |
CN105470246B (zh) | 固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构及封装方法 | |
JP2012513079A5 (ja) | ||
CN101901770B (zh) | 集成电路封装结构的制造方法 | |
CN102983289A (zh) | 用于无掩模封装的方法 | |
JP5803803B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2008536328A (ja) | 発光デバイス | |
JP2008252091A (ja) | 半導体チップの取り付け | |
KR20100098661A (ko) | 광전 소자의 제조 방법 및 광전 소자 | |
WO2021057109A1 (zh) | 一种基于3d打印的mems封装件及封装方法 | |
JP2007243106A (ja) | 半導体パッケージ構造 | |
JP2006278520A5 (ja) | ||
JP2008192725A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の製造装置 | |
CN109546011B (zh) | 膜层的制作方法、显示基板及其制作方法与设备 | |
KR102244094B1 (ko) | 임베디드 경화 영역 내의 열경화성 재료의 경화 | |
JP2021111744A (ja) | 導電層の製造方法、配線基板の製造方法及びヒータ装置の製造方法 | |
JP5772515B2 (ja) | 表面実装部品の補修方法およびこれに用いるマスク部材 | |
JP4389696B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS59202642A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPH09266227A (ja) | 電子部品の接合方法 | |
JP2004009528A (ja) | 光書き込みヘッドの接合組立方法及び光書き込みヘッド | |
KR20200076251A (ko) | 레이저를 이용한 전자소자 접합장치 | |
CN114388423A (zh) | 一种静电吸盘的组装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140723 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150519 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150817 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5803803 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |