JP2012513079A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
   該方法は、
   Ａ） 活性領域（１２）と、該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）とを有する第１基板を用意するステップを有しており、ここで活性領域（１２）には、有機機能積層体（３）が構成されており、
   前記の方法はさらに、
   Ｂ） カバー領域（２２）と、該カバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）を用意するステップと、
   Ｃ） 第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層（４）を第２基板（２）上の第２接続領域（２１）に直接被着するステップと、
   Ｄ） 前記の第１接続層（４）の第１ガラスはんだ材料をガラス化（９１）するステップと、
   Ｅ） 前記のガラス化した第１接続層（４）上または第１基板（１）の第１接続領域（１１）上に第２接続層（５）を被着するステップと、
   Ｆ） 第１基板（１）と第２基板（２）とを接続して、第２接続層（５）により、第１接続領域（１１）と、第１接続層（４）とが接続されるようにするステップとが含まれていることを特徴とする、
   有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。
2. − 前記の方法ステップＣおよびＤにて前記の第１接続層（４）を第１の厚さで構成し、
   − 前記の方法ステップＦの後、第２接続層（５）が、前記の第１の厚さの５分の１以下の第２の厚さを有するようにする、
   請求項１に記載の方法。
3. − 前記の第２接続層（５）は、硬化可能有機接着剤を有しており、
   − 当該の接着剤を前記の方法ステップＦ後、硬化させる、
   請求項１または２に記載の方法。
4. − 前記の第２接続層（５）は、第２ガラスはんだ材料を有しており、
   − 当該の第２ガラスはんだ材料を前記の方法ステップＦ後、ガラス化する、
   請求項１または２に記載の方法。
5. − 前記の第２接続層（５）は、電磁ビームを吸収する材料を有しており、
   − 前記の第１接続層（４）には当該の吸収性の材料は含まれていない、
   請求項３または４に記載の方法。
6. − 前記の方法ステップＤの間または方法ステップＤの後、前記の第２基板（２）とは反対側を向いた、第１接続層（４）の表面を平坦化する、
   請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
7. − 前記の方法ステップＡにて前記の第１基板（１）の第１接続領域（１１）に、前記の活性領域（１２）を両側から取り囲む凹部（１０）を用意し、
   − 方法ステップＦの後、前記の第２接続層（５）の少なくとも一部分を前記の凹部（１０）に配置する、
   請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
8. − 前記の方法ステップＦの前に前記の第２基板（２）のカバー領域（２２）に接着剤および／またはゲッタ材料を配置する、
   請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
9. − 前記の方法ステップＡにて少なくとも１つのカバー状のバリア層（３３）を有する有機機能積層体（３）を形成する、
   請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
10. 有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法において、
    該方法は、
    Ａ） 活性領域（１２）と、当該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）とを有する第１基板（１）を準備するステップと、
    Ｂ） カバー領域（２２）と、該カバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）を用意するステップと、
    Ｃ） 第１ガラスはんだ材料からなる第１接続層（４）を第１基板（１）上の第１接続領域（１１）にて直接被着するステップと、
    Ｄ） 第１基板（１）上の第１接続層（４）の第１ガラスはんだ材料をガラス化するステップと、
    Ｄ’） 前記の第１基板（１）の活性領域（１２）に有機機能積層体（３）を形成するステップと、
    Ｅ） 前記のガラス化した第１接続層（４）上または第２基板（２）の第２接続領域（２１）上に第２接続層（５）を被着するステップと、
    Ｆ） 第１基板（１）と第２基板（２）とを接続して、第２接続層（５）により、第２接続領域（２１）と、第１接続層（４）とが接続されるようにするステップとが含まれていることを特徴とする、
    有機オプトエレクトロニクス素子を作製する方法。
11. 有機オプトエレクトロニクス素子において、
    該有機オプトエレクトロニクス素子には、
    − 活性領域（１２）と、該活性領域（１２）を両側から取り囲む第１接続領域（１１）と有する第１基板（１）が含まれており、活性領域（１２）に有機機能積層体（３）が形成されており、
    前記の有機オプトエレクトロニクス素子にはさらに
    − 前記の活性領域（１２）上にあるカバー領域（２２）と、第１接続領域（１１）上にありかつ当該のカバー領域（２２）を両側から取り囲む第２接続領域（２１）とを有する第２基板（２）、および
    − 前記の第１接続領域（１１）と第２接続領域（２１）との間の第１接続層（４）および第２接続層（５）が含まれており、
    ただし
    − 前記の第１接続層（４）は、第２接続領域（２１）に直に接しておりかつ第１ガラスはんだ材料からなり、
    − 前記の第２接続層（５）により、第１接続層（４）と第１接続領域（１１）とが接続され、
    − 前記の第２接続層（５）は、硬化可能有機接着剤を有することを特徴とする、
    有機オプトエレクトロニクス素子。
12. − 前記の第１接続層（４）は第１の厚さを有しており、
    − 前記の第２接続層（５）は、当該の第１の厚さの５分の１以下である第２の厚さを有する、
    請求項１１に記載の素子。
13. − 前記の第１基板（１）は第１接続領域（１１）に、前記の活性領域（１２）を両側から取り囲む凹部（１０）を有しており、
    − 前記の第２接続層（５）の少なくとも一部分が前記の凹部（１０）に配置されている、
    請求項１１または１２に記載の素子。