JP2013105784A - 光センサ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス蓋基板2と、分割されて露出したスルーホール電極5を外周に有するキャビティ付きガラス基板9と、ガラス蓋基板2に実装された光センサ素子3とを備え、ガラス蓋基板2とキャビティ13を有するガラス基板9とが接合された構造の光センサ装置であり、ガラス基板9で密閉し、分割したスルーホール電極を用いる。
【選択図】図2
Description
また、前記分割されて露出したスルーホール電極を対向する外周の2辺に設けた。
また、前記キャビティ付きガラス基板に遮光性のあるガラスを用いた。
また、前記ガラス蓋基板にフィルター機能を有するガラスを用いた。
前記接合されたガラス基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を備えることにした。
また、前記ガラス基板を切断する工程に、超音波切断法を用いた。
以下、図に基づいて本実施例の光センサ装置の構成を説明する。
図1は本実施例を示す模式図であり、図1(a)はその平面図、(b)は図1(a)の一点鎖線XYで切断したときの断面図、(c)は裏面図である。
ガラス蓋基板2とキャビティ基板9は、図1(b)のように接着剤21を介して接合されている。接着剤は熱硬化型、UV硬化型、UV+熱硬化型のいずれでも使用できる。
また、分割したスルーホール電極を用いているため、パッケージサイズを小さくすることができ、パッケージコスト低減が図れる。
図2は本実施例を示す模式図であり、図2(a)はその平面図、(b)は図2(a)の一点鎖線XYで切断したときの断面図、(c)は裏面図である。
図2(b)のガラス基板2(以下ガラス蓋基板2)は、光フィルター10と実装用電極14が設けられている。センサ素子3はたとえばAuバンプ15を介して実装用電極14にフリップチップボンディングされている。実装用電極14の形状は図2(a)に図示しているが、センサ素子のフリップチップボンディング部とガラス基板9の配線電極6をつなぐ形状になっていれば、このとおりである必要はない。
図3は本実施例を示す模式図であり、図3(a)はその平面図、(b)図3(a)の一点鎖線XYで切断したときの断面図、(c)は裏面図である。
図3(b)のガラス基板2(以下ガラス蓋基板2)は、光フィルター10と実装用電極14が設けられている。センサ素子3はたとえばAuバンプを介して実装用電極14にフリップチップボンディングされている。
図4は本実施例の光センサ装置の製造工程を模式的に示す断面図および平面図である。
<成型工程>
図4(a)および(b)は、成形工程を示す断面図であり、図4(b’)は平面図である。
図4(c)は、キャビティ基板9に導電膜16を成膜した状態を示している。成膜にはメッキ法や、スパッタリング法が挙げられるが、コストや貫通穴17への成膜性からメッキ法が好ましい。メッキ法では、ガラス表面の粗面化、触媒活性化等の処理後、無電解Niメッキで下地メッキを行い、その上に電解メッキでAu膜等を形成するのが一般的である。
図4(d)は、導電膜16をスルーホール電極5、配線電極6、外部電極7および実装用電極14にパターニングした状態を示している。パターニングは、電極を残したい領域にフォトリソ法でレジスト膜を残し、ついで電極をエッチングすることにより行う。キャビティ底面へのパターニングが難しい場合は、インクジェット法でナノ金属インクを所定の形状に塗布し、焼成することによって導電膜を形成することも可能である。
図4(e)は、光センサ素子3をキャビティ底面にダイボンディングし、ついで光センサ素子の電極と実装用電極14をワイヤー4でワイヤボンディングした状態を示している。ワイヤボンディングはAu、AlやCuワイヤー等が利用できる。
図4(f)は、光フィルター10を有するガラス蓋基板2に接着剤11を塗布した状態を示している。塗布方法としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷やディスペンサーによる塗布等があり、パッケージ仕様によって使い分けすることができる。また接着剤11には、エポキシ系、アクリル系等の接着剤が使用できる。
図4(h)は、キャビティ基板9側から見た接合後の平面図であり、破線m−l、m’−l’、m”−l”、h−i、h’−i”、h”−i”に沿って切断することにより、図4(i)の光センサ装置1を得ることができる。ガラスの切断方法としては、超硬刃によるスクライブ法、レーザーカット法、ダイシング法、超音波切断法等が挙げられるが、本発明では貫通穴部を切断する必要があるため、ダイシング法か超音波切断法が望ましい。特に超音波切断法はガラスの切断に適しており、ダイシング法より短時間での加工が可能であり、切断面の品質でも優れている。
図5は本実施例の光センサ装置の製造工程を模式的に示す断面図および平面図である。
<導電膜形成工程1>
図5(a)は、光フィルター10上に導電膜16を成膜したガラス蓋基板2の断面図を示している。平坦な基板上への成膜であるため、導電膜はメッキ法、蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法のいずれでも可能であるが、この導電膜はフリップチップボンディング用の電極としても使用するため、密着性が高く平坦性の優れている真空製膜法によってCr+Au、Ni+Au等の多層膜が適している。
図5(b)は、導電膜16をパターニングし、実装用電極14を形成したガラス蓋基板2の断面図を示している。パターニングはフォトリソ法を用いることにより容易に電極14を形成することができる。他の方法としては、インクジェット法でナノ金属インクを所定の形状に塗布し、焼成することによって導電膜を形成してもよい。この場合は導電膜形成工程とパターニング工程を同時に行うことができる。
図5(c)は、光センサ素子3を実装用電極14にフリップチップボンディングした状態を示している。フリップチップボンディングは、あらかじめ光センサ素子にバンプを形成しておき、熱や超音波で実装用電極14と接合させることができる。バンプ材料としてはAuやハンダ等が挙げられるが、バンプを使わずに導電粒子を含む樹脂で接合させることもできる。
図5(d)は、実施例4と同様の工程で形成されたキャビティ13、貫通穴17および導電膜16を有するキャビティ基板9の断面図である。
図5(e)は、導電膜16をスルーホール電極5、配線電極6および外部電極7にパターニングした状態を示している。パターニングは、実施例4と同様に行うことができる。
図5(f)は、キャビティ基板9に接着剤11を塗布した状態を示している。塗布方法としては、実施例4と同様に行うことができるが、本実施例ではガラス蓋基板2の電極14とキャビティ基板9の配線電極6を電気的に接続する必要があるため、接着剤にあらかじめ導電粒子を添加しておく。導電粒子としては、Auボール、Wボール等の金属ボールや、プラスチックボールにNiやAuをメッキした導電粒子を用いることができる。
図4(h)は、ガラス蓋基板2側から見た接合後の平面図であり、破線m−l、m’−l’、m”−l”、h−i、h’−i”、h”−i”に沿って切断することにより、図4(i)の光センサ装置1を得ることができる。ガラスの切断方法としては、実施例4と同様に行うことができる。
2 ガラス蓋基板
3 光センサ素子
4 ワイヤー
5 スルーホール電極
6 配線電極
7 外部電極
8、14 実装用電極
9 キャビティ基板
10 光フィルター
11,21 接着剤
12 ダイボンディング剤
13 キャビティ
17 貫通孔
Claims (9)
- ガラス蓋基板と、キャビティ付きガラス基板と、いずれかの基板に実装された光センサ素子とを備え、ガラス蓋基板とキャビティ付きガラス基板とが接合された構造であることを特徴とする光センサ装置。
- 前記キャビティ付きガラス基板のコーナーに、分割されて露出したスルーホール電極が設けられた構造であることを特徴とする請求項1記載の光センサ装置。
- 前記スルーホール電極が、対向する2辺に設けられた構造であることを特徴とする請求項2記載の光センサ装置。
- 前記キャビティ付きガラス基板が遮光ガラスからなることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記ガラス蓋基板が、フィルター機能を有していることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を所定のパターンに形成する工程と、
前記導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、
ガラス蓋基板と前記ガラス基板とを接着剤で接合する工程と、
接合された前記ガラス基板及び前記ガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。 - ガラス蓋基板の片面に導電膜を形成する工程と、
前記ガラス蓋基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記パターニングされた導電膜に光センサ素子を実装する工程と、
複数のキャビティとキャビティ外周部に複数の貫通穴を有するガラス基板に導電膜を形成する工程と、
前記ガラス基板に形成された導電膜を所定の形状にパターニングする工程と、
前記ガラス蓋基板と前記ガラス基板を、導電粒子を添加した接着剤で接合する工程と、
接合された前記ガラス基板及びガラス蓋基板を、貫通穴が分断される位置で切断する工程と、を含む光センサ装置の製造方法。 - 前記ガラス基板を切断する工程が、ダイシング法であることを特徴とする請求項6又は7に記載の光センサ装置の製造方法。
- 前記ガラス基板を切断する工程が、超音波切断法であることを特徴とする請求項6又は7に記載の光センサ装置の製造方法。
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