JP5855917B2 - 光センサ装置 - Google Patents
光センサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5855917B2 JP5855917B2 JP2011251969A JP2011251969A JP5855917B2 JP 5855917 B2 JP5855917 B2 JP 5855917B2 JP 2011251969 A JP2011251969 A JP 2011251969A JP 2011251969 A JP2011251969 A JP 2011251969A JP 5855917 B2 JP5855917 B2 JP 5855917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- optical sensor
- glass
- cavity
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 77
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 123
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 7
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0204—Compact construction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
また、前記貫通電極は金属が埋め込まれた構造とした。
また、前記キャビティを有するガラス基板の表面と裏面はメタライズによって設けられた配線パターンを有するガラス基板を用いることとした。
また、前記フィルター機能を有するガラス基板とキャビティを有するガラス基板とは、導電粒子入り接着剤により固着してなる構造とした。
また、前記フィルター機能を有するガラス基板とキャビティを有するガラス基板の表面にメタライズにより設けられた配線パターンは導電粒子入り接着剤により電気的導通を得る構造とした。
ガラス蓋基板1はメタライズされた配線パターン4を有し、前記配線パターン4には光センサ素子3が実装され電気的に接続されている。
以下、図面に基づいて本実施例の光センサ装置の構成を説明する。
図1は、本実施例の光センサ装置12の模式図である。図1は光センサ装置12の縦断面図である。フィルター機能を有するガラス蓋基板1には光センサ素子3が実装され、キャビティを有するガラス基板2(キャビティ付きガラス基板)と接合され一体化された構造である。ガラス蓋基板1はメタライズによって配線パターン4が形成されている。光センサ素子3は、ガラス蓋基板1の中央部に実装され、配線パターン4と電気的に接続される。光センサ素子3はガラス蓋基板1にメタライズにより設けられた配線パターン4にフリップチップボンディングにより実装と電気的な接続がなされている。またガラス基板2にはキャビティと貫通電極5が設けられている。貫通電極5はガラス基板2の表面から裏面にかけてガラスの厚み方向に貫通した貫通孔内に金属が埋め込まれており、ガラス基板2の表面にはメタライズにより形成されている配線パターン6と、キャビティと反対側の基板裏面にメタライズにより形成されている配線パターン7とが、貫通電極5と一体化した構造によって電気的にも接続されている。ガラス蓋基板1とガラス基板2を接合し固定するにおいて、導電粒子入りの接着剤を用いている。配線パターン4と配線パターン6は導電粒子8を介して電気的にも接続されることとなり、光センサ素子3が実装され電気的に接続される配線パターン4は、配線パターン6から貫通電極5を通じ、配線パターン7へと、光センサ素子3で発生した起電力は外部へと伝わることができる。
図2は、本実施例の光センサ装置12の断面図である。ガラス蓋基板1と接合した構造は第一実施形態と同様の構成であるが、ガラス基板2の表面にメタライズにより設けられた配線パターンの構造が部分的に凹みを有している。ガラス蓋基板1とガラス基板2を接合し固着した場合、ガラス蓋基板1にメタライズにより設けられた配線パターン4とキャビティを有するガラス基板の表面にメタライズにより設けられた配線パターン6とは、導電粒子入りの接着剤20により固着されるが、接合箇所において、ガラス基板2に設けた配線パターンの一部に凹みを設けることにより接着剤の厚みを部分的に厚くすることができる。また、前記凹みには電気的接続を担う導電粒子を溜め、導電粒子は平面方向だけではなく厚み方向にも複数配置されるようになり、導電粒子の密度の高い箇所を設けることができることから、接着強度を高められることと電気的接続の安定を高めることを同時に得られる効果があるというものである。凹みの寸法、形状、個数、位置等は特に限定されるものではなく、適宜選択可能である。
図3は、本実施例の光センサ装置12の断面図である。第1実施形態においてガラス基板2に設けられた金属により埋め込まれた貫通電極を、例えば金属のピンを用い、ガラス基板2の表面と裏面には金属のピンの一部が露出され、露出した部分は薄く平坦に潰したような形状9a,9bを有したものからなり、露出したピンの一部は配線パターンの役割も兼ねた構造としている。またガラス基板2の表面と裏面に露出したピンの一部に対して、その表面にメタライズにより設けられた配線パターン10a、10bをさらに付加してもよい。メタライズによりピンの金属表面に配線パターンを形成することから、配線パターンを形成する金属はピン表層へ拡散した強固な結合を得ることが可能になる。これにより金属のピンと、メタライズにより設けられた配線パターンとは、いわば一体構造を成すとともに一部に別の材質を組み合わせたことが可能になる。例えばガラスと膨張係数の近い金属や密着力の高い金属をピンに用い、配線パターンに用いる金属はメタライズに適当な金属を用いることや、溶融ハンダペーストに対するバリヤ効果のある金属、またはピンと異なる硬度の金属を用いることなども可能になる。このことにより安定した導通性と信頼性を得られるというものである。
図4は、本実施例の光センサ装置12の断面図である。なお、実施例1と構成が同じ部分については説明を省く。図4に示すように、本実施例では、ガラス基板2においてメタライズにより設けられた配線パターンが基板2の表面と裏面に無い構造となっている。貫通電極はガラス基板2の厚み内に収まっており、ガラス基板2の表面と裏面に露出している貫通電極の一部11a、11bは、ガラス基板2の厚み方向における貫通電極5の中心部分に対して幅を広く形成した構造となっている。これによりガラス基板2に設けている配線パターンの役割を兼ねることができるというものである。ガラス基板2にメタライズにより設けられる配線パターンのプロセスを省略または簡略化できることからコストの低下に効果が得られるとともに、ガラス基板2の表面と裏面にメタライズにより形成された配線パターンの有する一定の厚みが無くすことができるためパッケージ全体の厚みを薄くできる効果が得られるものである。
2 キャビティを有するガラス基板
3 光センサ素子
4、6,7 メタライズされた配線パターン
5 貫通電極
8 導電性粒子
9a、9b 貫通電極の上部及び下部
10a、10b メタライズされた配線パターン
11a、11b 貫通電極の上部及び下部
12 光センサ装置
20 接着剤
Claims (10)
- ガラス蓋基板と、
前記ガラス蓋基板にメタライズにより設けられた配線パターンに電気的に接続された光センサ素子と、
前記ガラス蓋基板と接合されたキャビティ付きガラス基板と、からなり、
前記ガラス蓋基板は中央部に貫通孔を設け、前記貫通孔には特定の波長をカットするフィルター機能を有するガラスが埋め込まれ、
前記キャビティ付きガラス基板は金属が埋め込まれた貫通電極を有し、キャビティを有する面側と、その反対面側とにメタライズにより配線パターンが設けられ、前記配線パターンと貫通電極内に埋め込まれた金属は構造的に一体となったものからなり、前記ガラス蓋基板の前記配線パターンと前記キャビティ付きガラス基板のキャビティを有する面側の配線パターンとは、導電粒子を入れた接着剤によって電気的に接続され、前記ガラス蓋基板と前記キャビティ付きガラス基板とが固着し接合された構造であることを特徴とする光センサ装置。 - 前記ガラス蓋基板は、遮光性ガラス基板からなることを特徴とする請求項1に記載の光センサ装置。
- 前記フィルター機能を有するガラスは、透明ガラスに金属酸化膜の多層膜を成膜したことを特徴とする請求項1又は2に記載の光センサ装置。
- 前記キャビティ付きガラス基板は、遮光性を有するガラス基板又は透明ガラス基板からなることを特徴とする請求項1から3のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記遮光性を有するガラス基板は、ガラス自体が遮光性を有したガラスであることを特徴とする請求項4に記載の光センサ装置。
- 前記導電粒子入りの接着剤は、導電粒子の直径寸法が20μm以下の金属製のボール、または表面を金属によってコーティングされたボールを接着剤に混合したものからなることを特徴とする請求項1から5のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記金属が埋め込まれた貫通電極は、メタライズにより設けられ、貫通孔内を埋め込むと同時にキャビティ付きガラス基板の表面と裏面にメタライズにより設けられる配線パターンも連続して形成し、同一金属から設けられた構造的及び電気的に一体化したものからなることを特徴とする請求項1から6のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記キャビティ付きガラス基板の表面にメタライズにより設けられた配線パターンは、表面に部分的に凹みを有した構造からなることを特徴とする請求項1から7のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記金属が埋め込まれた貫通電極は、金属のピンが貫通孔内に埋設されたものからなり、前記キャビティ付きガラス基板の表面と裏面に露出するピン先端を薄く平坦に潰した形状とし、配線パターンの役割も兼ね、また、前記ピン先端へメタライズにより配線パターンを付加、形成し、メタライズした金属とピン先端表層とが拡散接合された、ピンと配線パターンとを一体化した金属の構造からなることを特徴とした請求項1から6のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
- 前記金属が埋め込まれた貫通電極は、キャビティ付きガラス基板の表面と裏面に露出する部分が、前記キャビティ付きガラス基板の厚み方向において貫通電極の中心部よりも幅の広いことを特徴とし、貫通電極は前記キャビティ付きガラス基板から突出せず、キャビティ付きガラス基板と同じ厚み内に収まっていることを特徴とする請求項1から6のうちいずれか1項に記載の光センサ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251969A JP5855917B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 光センサ装置 |
TW101141582A TWI550835B (zh) | 2011-11-17 | 2012-11-08 | Light sensor device |
US13/676,404 US9029968B2 (en) | 2011-11-17 | 2012-11-14 | Optical sensor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011251969A JP5855917B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 光センサ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013110164A JP2013110164A (ja) | 2013-06-06 |
JP5855917B2 true JP5855917B2 (ja) | 2016-02-09 |
Family
ID=48425886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011251969A Expired - Fee Related JP5855917B2 (ja) | 2011-11-17 | 2011-11-17 | 光センサ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9029968B2 (ja) |
JP (1) | JP5855917B2 (ja) |
TW (1) | TWI550835B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014013742A1 (ja) | 2012-07-20 | 2014-01-23 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット、撮像装置、および撮像ユニットの製造方法 |
KR101398016B1 (ko) * | 2012-08-08 | 2014-05-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 리드 프레임 패키지 및 그 제조 방법 |
JP6390117B2 (ja) * | 2014-02-26 | 2018-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光学モジュール、及び電子機器 |
JPWO2018037551A1 (ja) | 2016-08-26 | 2019-06-20 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用光モジュール、内視鏡、および内視鏡用光モジュールの製造方法 |
US10178764B2 (en) | 2017-06-05 | 2019-01-08 | Waymo Llc | PCB optical isolation by nonuniform catch pad stack |
TWI672786B (zh) * | 2017-12-28 | 2019-09-21 | 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司 | 電子封裝件及其製法 |
US10712197B2 (en) | 2018-01-11 | 2020-07-14 | Analog Devices Global Unlimited Company | Optical sensor package |
TWI699012B (zh) * | 2018-02-21 | 2020-07-11 | 華立捷科技股份有限公司 | 發光晶片封裝結構及封裝方法 |
CN110631658A (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-31 | 艾默生环境优化技术(苏州)有限公司 | 用于压力设备的检测装置和压缩机 |
US11355659B2 (en) | 2019-11-27 | 2022-06-07 | Xintec Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
CN113658936A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-16 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 一种金属化玻璃及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2826978B2 (ja) | 1995-05-22 | 1998-11-18 | 旭化成工業株式会社 | i線露光用組成物 |
DE69716822T2 (de) * | 1996-07-04 | 2003-09-11 | Tosoh Corp., Shinnanyo | Opakes Quarzglas und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3738824B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2006-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US6885107B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication |
JP4730135B2 (ja) | 2006-02-28 | 2011-07-20 | 株式会社デンソー | 画像センサパッケージ |
KR100809718B1 (ko) * | 2007-01-15 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 이종 칩들을 갖는 적층형 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 |
JP2010186945A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイスパッケージとその製造方法 |
US8659105B2 (en) * | 2009-11-26 | 2014-02-25 | Kyocera Corporation | Wiring substrate, imaging device and imaging device module |
JP5736253B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-06-17 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251969A patent/JP5855917B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-08 TW TW101141582A patent/TWI550835B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-11-14 US US13/676,404 patent/US9029968B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI550835B (zh) | 2016-09-21 |
US20130126702A1 (en) | 2013-05-23 |
TW201334165A (zh) | 2013-08-16 |
US9029968B2 (en) | 2015-05-12 |
JP2013110164A (ja) | 2013-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5855917B2 (ja) | 光センサ装置 | |
JP5736253B2 (ja) | 光センサ装置 | |
JP2011146752A (ja) | 側面型発光ダイオード及び側面型発光ダイオードの製造方法 | |
JP2013042135A5 (ja) | ||
JP2013105784A (ja) | 光センサ装置およびその製造方法 | |
JP2006339559A5 (ja) | ||
JP2015144147A (ja) | Ledモジュール | |
JP2012074724A (ja) | 薄膜基板、薄膜基板を備えた化合物半導体デバイスのパッケージ封入構造及びその作製方法 | |
TW200637017A (en) | Image sensor module package | |
JP2007096320A (ja) | 発光装置 | |
TWI753408B (zh) | 一種發光體及發光模組 | |
TWI521671B (zh) | The package structure of the optical module | |
JP2012124191A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN102237470A (zh) | 发光二极管封装结构及其制造方法以及其基座的制造方法 | |
US9366421B2 (en) | LED base module and LED lighting device | |
TWI648848B (zh) | 光學元件封裝結構 | |
CN105895590A (zh) | 晶片尺寸等级的感测晶片封装模组及其制造方法 | |
CN100561754C (zh) | 集成球栅阵列光学鼠标传感器封装 | |
CN210325795U (zh) | 光扫描模组 | |
TWI642198B (zh) | 光感測器裝置 | |
TWI462348B (zh) | 發光裝置及其製法 | |
JP5908627B2 (ja) | 光センサ装置 | |
TWI514051B (zh) | 背光結構及其製造方法 | |
TWI606562B (zh) | 電子封裝結構 | |
TWM475024U (zh) | 可發光式封裝件及其承載結構 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5855917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |