JP2010003296A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
   前記第１の絶縁及び前記第２の絶縁体によって挟まれ、その内側の領域に設けられた半導体集積回路と、該半導体集積回路上に設けられたアンテナと、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の表面全体を覆うように設けられた遮蔽体とを有することを特徴とする半導体装置。
2. 互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体によって挟まれ、その内側の領域に設けられた半導体集積回路と、該半導体集積回路上に設けられた第１のアンテナと、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の表面全体を覆うように設けられた遮蔽体と、
   前記第１のアンテナと電磁結合し、前記第１の絶縁体又は第２の絶縁体の外側一方に設けられた第２のアンテナとを有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記半導体集積回路は前記第２のアンテナを介して外部と無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記遮蔽体は積層構造であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記遮蔽体は、金属膜を含むこと特徴とする半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記金属膜は、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下のチタン膜であることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記遮蔽体は、金属酸化物膜を含むこと特徴とする半導体装置。
8. 請求項７において、
   前記金属酸化物膜は、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の酸化珪素を含むインジウム錫酸化物膜であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記遮蔽体は、半導体膜又は金属窒化物膜を含むこと特徴とする半導体装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一において、
    前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一において、
    前記第１の絶縁体又は前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
12. 基板上に剥離層を介して複数の半導体集積回路を形成し、
    前記複数の半導体集積回路それぞれの上にアンテナを形成し、
    前記複数の半導体集積回路を間に挟んで前記基板と向かい合うように、第１の絶縁体を貼り合わせ、
    前記剥離層において、前記複数の半導体集積回路と前記基板とに分離させることで、前記基板を取り除き、
    前記複数の半導体集積回路に第２の絶縁体を貼り合わせ、
    前記複数の半導体集積回路をそれぞれ分断するように前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を切断し、
    前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体を介して半導体集積回路を包むように導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 請求項１２において、
    前記導電性遮蔽体は、前記第１の絶縁体の表面及び分断面に第１の導電性遮蔽体を形成し、前記第２の絶縁体の表面及び分断面に第２の導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 請求項１３において、
    前記第１の導電性遮蔽体及び第２の導電性遮蔽体は、スパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。