JP2010015550A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
   前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記剥離層上及び前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上であって少なくとも前記素子形成層と重ならない領域に設け、
   前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に第１の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
   前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記剥離層上及び前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上であって少なくとも前記素子形成層と重ならない領域に設け、
   前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
   前記第１の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に第１の導電膜を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から、前記素子形成層、前記第１の有機樹脂層、前記第１の導電体及び前記第１の導電膜を剥離し、
   前記素子形成層、前記第１の有機樹脂層及び前記第１の導電体の剥離した側の面に、第２の有機樹脂層を形成し、
   前記第２の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、前記第２の有機樹脂層の上面である第１の面上であって前記第１の導電体と重なる領域に設け、
   前記第２のペーストを前記第２の有機樹脂層内に浸透させ、
   前記第２の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第２の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第２の有機樹脂層の第２の面に達し、且つ前記第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成し、
   前記第２の導電体と電気的に接続し且つ前記素子形成層と重なるように前記第２の有機樹脂層の前記第１の面上に第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 基板上に剥離層を形成し、
   前記剥離層上に第１の保護膜を形成し、
   前記第１の保護膜上に半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層を形成し、
   前記素子形成層の側面及び上面を覆うように、前記第１の保護膜上及び前記素子形成層上に第２の保護膜を形成し、
   前記第２の保護膜上面を覆うように第１の有機樹脂層を形成し、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第１のペーストを、前記第１の有機樹脂層の上面である第１の面上に設け、
   前記第１のペーストを前記第１の有機樹脂層内に浸透させ、
   前記第１の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第１の有機樹脂層の前記第１の面から、前記第１の面と反対側の前記第１の有機樹脂層の第２の面に達する第１の導電体を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から、前記第１の保護膜、前記素子形成層、前記第２の保護膜、前記第１の有機樹脂層及び前記第１の導電体を剥離し、
   前記第１の保護膜及び前記第２の保護膜を選択的に除去することにより、前記第１の有機樹脂層の前記第２の面において第１の導電体を露出させ、
   前記第１の保護膜の剥離した側の面及び前記露出した第１の導電体の面に、第２の有機樹脂層を形成し、
   前記第２の有機樹脂層を硬化させる前に、導電体を有する第２のペーストを、前記第２の有機樹脂層の上面である第１の面上に設け、
   前記第２のペーストを前記第２の有機樹脂層内に浸透させ、
   前記第２の有機樹脂層を硬化させることにより、前記第２の有機樹脂層の前記第１の面から、該第１の面と反対側の前記第２の有機樹脂層の第２の面に達し、且つ前記第１の導電体と電気的に接続する第２の導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項３において、
   前記第１の有機樹脂層の前記第１の面上に、前記第１のペーストを網目状に形成し、
   前記第２の有機樹脂層の前記第１の面上に、前記第２のペーストを網目状に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の有機樹脂層又は前記第２の有機樹脂層の少なくとも一方に代えて、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記有機樹脂としてエポキシ樹脂を用い、
   前記第１のペースト及び前記第２のペーストとして銀ペーストを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 半導体集積回路及びアンテナを有する素子形成層と、
   前記素子形成層を囲む有機樹脂層と、
   前記有機樹脂層の第１の面に設けられた第１の導電膜と、
   前記有機樹脂層の第１の面とは反対側の第２の面に設けられた第２の導電膜と、
   前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続し、前記有機樹脂層内に設けられた導電体とを有し、
   前記有機樹脂層は繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有し、
   前記導電体は、前記繊維体の隙間を介して前記有機樹脂層内に設けられていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項７において、
   前記導電体が銀であることを特徴とする半導体装置。