JP2009152423A5 - - Google Patents
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Claims (21)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が前記メタルポストに接して介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層と前記メタルポストとの間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記封止樹脂層から上面が露出するように前記半導体基板の上面上に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記突起電極と前記メタルポストとの境界表面と、前記封止樹脂層の表面とを覆うように設けられ、前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成された低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に形成された封止樹脂層と、
前記半導体基板に接続するように前記封止樹脂層の開口に設けられたメタルポストと、
前記メタルポストの上面上に設けられた突起電極と、
前記封止樹脂層よりも弾性率が低い樹脂材料から構成され、前記突起電極と前記封止樹脂層との間に少なくとも一部が介在するように、前記封止樹脂層の上面上に設けられた低弾性樹脂層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの周縁部に設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの周縁部の少なくとも一部に設けられることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記封止樹脂層と前記メタルポストとが接する境界表面に設けられることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 平面視において、前記低弾性樹脂層は、前記境界表面の少なくとも1部に設けられることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記低弾性樹脂層は、前記封止樹脂層の上面を全て被覆していることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記低弾性樹脂層は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記突起電極は、半田からなることを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂層は、エポキシ複合材料からなることを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記メタルポストは、Cuからなることを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体基板は、その上面に、前記メタルポストと電気的に接続される電気パッドを有し、
前記メタルポストは、前記電気パッドの上面に形成されることを特徴とする請求項1〜請求項15のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記電気パッドは、前記半導体基板の上面に形成された配線部の一部であることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
- 前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面よりも下方にあることを特徴とする請求項1〜請求項17のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面と同一面であることを特徴とする請求項1〜請求項18のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記メタルポストの上面は、前記封止樹脂層の上面よりも上方よりも上方に突出した位置にあることを特徴とする請求項1〜請求項19のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記低弾性樹脂層は、前記メタルポストの上面を被覆しないことを特徴とする請求項1〜請求項20のいずれかに記載の半導体装置。
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