JP2016072493A5 - - Google Patents

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本半導体装置は、パッドを備えた配線基板と、前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、前記下側磁気シールド材は、前記パッドを露出する開口部を備え、前記半導体チップと前記パッドとが電気的に接続され、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接していることを要件とする。

Claims (10)

  1. パッドを備えた配線基板と、
    前記配線基板上に設けられた下側磁気シールド材と、
    前記下側磁気シールド材上に搭載された、磁気記憶素子を有する半導体チップと、
    前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に設けられた、上側磁気シールド材と、を有し、
    前記下側磁気シールド材は、前記パッドを露出する開口部を備え、
    前記半導体チップと前記パッドとが電気的に接続され、
    前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接している半導体装置。
  2. 前記上側磁気シールド材は、前記半導体チップを挟んで前記下側磁気シールド材と対向する天板と、前記天板から前記下側磁気シールド材側に延伸する脚部と、を備え、
    前記下側磁気シールド材と前記脚部とが直接接している請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記脚部は、前記天板の対向する2辺から前記下側磁気シールド材側に板状に延伸し、前記脚部の下端部が更に水平方向に延伸して板状の折り曲げ部が設けられ、前記折り曲げ部の下面が前記下側磁気シールド材の上面に直接接している請求項2記載の半導体装置。
  4. 前記脚部は、前記天板の外縁部の複数個所から前記下側磁気シールド材側に延伸し、
    前記下側磁気シールド材には複数の孔が設けられ、夫々の前記孔には前記脚部の下端部が圧入されている請求項2記載の半導体装置。
  5. 前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材との間に、前記半導体チップを覆う樹脂が設けられている請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体装置。
  6. 前記樹脂は、前記下側磁気シールド材及び前記上側磁気シールド材を覆うように設けられている請求項5記載の半導体装置。
  7. 前記上側磁気シールド材には開口部が設けられ、
    前記上側磁気シールド材の開口部内には前記樹脂が充填されている請求項6記載の半導体装置。
  8. 前記半導体チップ前記パッドとは、金属線又はバンプを介して電気的に接続されている請求項1乃至7の何れか一項記載の半導体装置。
  9. 前記上側磁気シールド材及び前記下側磁気シールド材は軟磁性材料からなる請求項1乃至8の何れか一項記載の半導体装置。
  10. パッドを備えた配線基板上に、前記パッドを露出する開口部を備えた金属からなる下側磁気シールド材を設ける工程と、
    前記下側磁気シールド材上に、磁気記憶素子を有する半導体チップを搭載し、前記半導体チップと前記パッドとを電気的に接続する工程と、
    前記下側磁気シールド材との間に前記半導体チップを挟むように、前記半導体チップ上に、金属からなる上側磁気シールド材を設ける工程と、を有し、
    前記上側磁気シールド材を設ける工程では、前記下側磁気シールド材と前記上側磁気シールド材とが直接接するように前記上側磁気シールド材を設ける半導体装置の製造方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6430201B2 (ja) * 2014-09-30 2018-11-28 株式会社東芝 センサ
US10510946B2 (en) 2015-07-23 2019-12-17 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. MRAM chip magnetic shielding
US10475985B2 (en) * 2015-03-26 2019-11-12 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. MRAM magnetic shielding with fan-out wafer level packaging
KR102354370B1 (ko) 2015-04-29 2022-01-21 삼성전자주식회사 쉴딩 구조물을 포함하는 자기 저항 칩 패키지
JP2017183629A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 東芝メモリ株式会社 半導体置及びその製造方法
KR101858952B1 (ko) * 2016-05-13 2018-05-18 주식회사 네패스 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP6683289B2 (ja) * 2017-02-28 2020-04-15 株式会社村田製作所 薄膜シールド層付き電子部品
CN107195600A (zh) * 2017-06-20 2017-09-22 广东美的制冷设备有限公司 芯片封装结构
JP6921691B2 (ja) * 2017-09-13 2021-08-18 株式会社東芝 半導体装置
US10775197B2 (en) * 2018-03-14 2020-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Sensor
US10559536B2 (en) * 2018-06-26 2020-02-11 Abb Schweiz Ag Multi-layer conductors for noise reduction in power electronics
US10818609B2 (en) * 2018-07-13 2020-10-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Package structure and method for fabricating the same
JP6905493B2 (ja) * 2018-08-24 2021-07-21 株式会社東芝 電子装置
KR20210101238A (ko) 2018-12-06 2021-08-18 아나로그 디바이시즈 인코포레이티드 패시브 디바이스 조립체가 포함된 통합 디바이스 패키지
US11664340B2 (en) 2020-07-13 2023-05-30 Analog Devices, Inc. Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2506449B2 (ja) * 1989-06-30 1996-06-12 富士通株式会社 パッケ―ジ
JP4873776B2 (ja) * 2000-11-30 2012-02-08 ソニー株式会社 非接触icカード
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
JP3879576B2 (ja) * 2002-04-16 2007-02-14 ソニー株式会社 磁気不揮発性メモリ素子の磁気シールドパッケージ
JP2003347444A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 高周波電力増幅器
DE10229542B4 (de) * 2002-07-01 2004-05-19 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit mehrschichtiger Umverdrahtungsplatte und Verfahren zur Herstellung desselben
JP2004193246A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Sony Corp 磁気メモリ装置
JP2004349476A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Toshiba Corp 半導体装置
JP4105654B2 (ja) * 2004-04-14 2008-06-25 富士通株式会社 垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、および垂直磁気記録媒体の製造方法
JP2006216911A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Renesas Technology Corp 半導体装置およびカプセル型半導体パッケージ
US7183617B2 (en) * 2005-02-17 2007-02-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Magnetic shielding for magnetically sensitive semiconductor devices
JP2006319014A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Sharp Corp 高周波信号受信用電子部品
JP4871280B2 (ja) * 2005-08-30 2012-02-08 スパンション エルエルシー 半導体装置およびその製造方法
US7829980B2 (en) * 2007-04-24 2010-11-09 Everspin Technologies, Inc. Magnetoresistive device and method of packaging same
JP2009038053A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体センサ装置
JP4941264B2 (ja) * 2007-12-07 2012-05-30 大日本印刷株式会社 半導体装置用のメタルシールド板、メタルシールド用シート、半導体装置、メタルシールド用シートの製造方法、およびメタルシールド板の製造方法
JP5425461B2 (ja) * 2008-12-26 2014-02-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN102308349B (zh) * 2009-02-07 2016-06-29 株式会社村田制作所 带平板状线圈的模块的制造方法及带平板状线圈的模块
KR101171512B1 (ko) * 2010-06-08 2012-08-06 삼성전기주식회사 반도체 패키지의 제조 방법
CN102339763B (zh) * 2010-07-21 2016-01-27 飞思卡尔半导体公司 装配集成电路器件的方法
JP2012109307A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Renesas Electronics Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8466539B2 (en) * 2011-02-23 2013-06-18 Freescale Semiconductor Inc. MRAM device and method of assembling same
JP5829562B2 (ja) * 2012-03-28 2015-12-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR102187809B1 (ko) * 2014-02-21 2020-12-07 삼성전자주식회사 자기 차폐부를 가지는 반도체 패키지 제조방법

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