JP2010147281A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第１主面と第２主面とを有する半導体基板と、
   前記半導体基板の第１主面に形成された複数の素子と、
   前記半導体基板の第１主面において前記複数の素子を覆うようにして形成された層間絶縁膜と、
   前記複数の素子と電気的に接続するようにして、前記層間絶縁膜の表面に形成されたパッドと、
   前記パッドに電気的に接続するようにして形成されたバンプ形状の第１電極と、
   前記第１電極と電気的に接続するようにして、前記半導体基板の第２主面に形成された第２電極とを有し、
   前記第１電極は、前記パッドを貫通し、前記半導体基板側に向かって突出するような突出部を有し、
   前記第２電極は、前記半導体基板の第２主面側から第１主面側に向かって、前記第１電極の突出部に達し、かつ、前記パッドには達しないような第２電極用孔部の内側を覆うようにして形成されていることで、前記第１電極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記第１電極の突出部は、前記半導体基板内に達する深さまで突出していることを特徴とする半導体装置。