JP2009044154A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上のヒューズ構造物と、
   前記ヒューズ構造物を覆う層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜を貫通して前記ヒューズ構造物に連結される第１コンタクトプラグ、第２コンタクトプラグ及び第３コンタクトプラグと、
   前記層間絶縁膜上に配置され、前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグとそれぞれ電気的に連結される第１導電パターン及び第２導電パターンと、
   を含むことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグの間に第３コンタクトプラグが配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記ヒューズ構造物は、前記第３コンタクトプラグの底面と接触する部分で、減少した厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記第３コンタクトプラグは、前記ヒューズ構造物を貫通することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記第３コンタクトプラグの幅は、前記ヒューズ構造物の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記ヒューズ構造物は、下部の半導体層と上部の金属半導体化合物層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記第３コンタクトプラグの下部面が、前記上部金属半導体化合物層の下部面と上部面との間に配置されることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記第３コンタクトプラグは、前記上部金属半導体化合物層を貫通することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
9. 前記第３コンタクトプラグは、上部の第１部分と下部の第２部分とを含み、
   前記上部の第１部分の幅は、前記下部の第２部分の幅より大きいことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
10. 前記第２部分は、前記半導体層を貫通することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
11. 前記上部の第１部分と前記下部の第２部分との接合面は、前記上部金属半導体化合物層の下部面と上部面との間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。