JP2011086941A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. セル領域及び周辺回路領域を有する基板を設ける段階と、
   前記基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、
   前記第１絶縁膜を貫通して延長する第１導電物質を含む第１コンタクトプラグを前記セル領域に形成する段階と、
   前記第１コンタクトプラグをカバーして前記第１コンタクトプラグと一体で形成して、第１導電物質を含む第１導電ラインを前記第１コンタクトプラグと同時に形成する段階と、
   前記第１絶縁膜を貫通して延長して、第１導電物質を含む第２コンタクトプラグを前記第１コンタクトプラグと同時に前記周辺回路領域に形成する段階と、
   前記第２コンタクトプラグをカバーして前記第２コンタクトプラグと一体で形成して、第１導電物質を含む第２導電ラインを前記第２コンタクトプラグと同時に形成する段階と、を含む半導体装置の配線構造物の製造方法。
2. 前記第１導電ライン及び前記第２導電ラインは互いに平行したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
3. 前記第１絶縁膜、前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグは、それぞれ同じ平面に配置される上部表面を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
4. 少なくとも前記第１導電ライン及び前記第２導電ラインの側部を同時にシリサイド化する（Ｓｉｌｉｃｉｄａｔｉｎｇ）段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
5. 前記第１コンタクトプラグ、前記第１導電ライン、前記第２コンタクトプラグ、及び前記第２導電ラインを同時にシリサイド化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
6. 前記基板内に少なくとも一つのトレンチを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
7. 前記少なくとも一つのトレンチは前記第１導電ラインと平行するように配列されることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
8. 前記第１コンタクトプラグに隣接する前記少なくとも一つのトレンチにゲート電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
9. 前記第１コンタクトプラグに対して前記ゲート電極の対向する側壁上に配置される少なくとも一つの第３コンタクトプラグを前記第１絶縁膜を貫通して形成する段階をさらに含み、前記少なくとも一つの第３コンタクトプラグは前記第１導電ラインより高く延長することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
10. 前記少なくとも一つの第３コンタクトプラグ上に直接キャパシタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
11. 基板上に第１絶縁膜を形成する段階と、
    前記基板のアクティブ領域の前記第１絶縁膜に第１コンタクトホールを形成する段階と
    第１導電物質を使って前記第１コンタクトホールに第１コンタクトプラグを形成すると同時に前記第１コンタクトプラグと一体で形成されて前記第１コンタクトプラグを覆う導電膜を形成する段階と、
    前記第１コンタクトプラグを覆う前記導電膜上に第１方向に延長するキャッピング（ｃａｐｐｉｎｇ）パターンを形成する段階と、
    前記キャッピングパターンの外部で延長する部分の前記導電膜を除去して前記第１コンタクトプラグと一体で形成されて前記第１コンタクトプラグを覆う第１導電ラインを形成する段階と、
    前記第１方向に対して傾斜した第２方向に沿って延長するフォトレジストパターンを形成する段階と、を含む半導体装置の配線構造物の製造方法。
12. 前記第１方向及び前記第２方向は、互いに直交することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
13. 前記第１導電ラインの少なくとも側部をシリサイド化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。
14. 前記第１コンタクトプラグ及び前記第１導電ラインを同時にシリサイド化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の配線構造物の製造方法。