JP2012033896A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 絶縁表面上に導電膜を形成し、
   前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
   前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
   前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
2. 絶縁表面上に導電膜を形成し、
   前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
   前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
   前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１の導電層を形成し、
   前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層をエッチングして前記第１の導電層の一部を露出し、
   前記絶縁層上に前記第１の導電層と接する第２の導電層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
3. 請求項２において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする配線基板の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
5. 導電膜を形成し、
   前記導電膜上に表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
   前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
   前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 導電膜を形成し、
   前記導電膜上にテーパーを有するレジストマスクを形成し、
   前記テーパーを有するレジストマスクを加熱処理して表面に曲面を有するレジストマスクを形成し、
   前記表面に曲面を有するレジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングガスによりエッチングして表面に曲面を有する第１のトランジスタのゲート電極層を形成し、
   前記ゲート電極層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層をエッチングして前記ゲート電極層の一部を露出し、
   前記絶縁層上に前記ゲート電極層と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項６において、前記レジストマスクのテーパーの角度は９０度未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項５乃至７のいずれか一項において、前記絶縁層のエッチングは、化学的機械研磨法を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 第１の導電層と、前記第１の導電層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記第１の導電層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２の導電層とを有し、
   前記第１の導電層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする配線基板。
10. 請求項９において、前記第１の導電層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
11. 第１のトランジスタのゲート電極層と、前記ゲート電極層の側面を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、かつ前記ゲート電極層の前記絶縁層から突出する部分と接する第２のトランジスタのソース電極層又はドレイン電極層とを有し、
    前記ゲート電極層において前記絶縁層から突出する部分の表面は曲面であることを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１１において、前記ゲート電極層の線幅は１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。