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  1. 基板上にゲート電極として機能することができる第１の導電層を形成し、
    前記第１の導電層上にゲート絶縁膜として機能することができる第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体膜を形成し、
    前記第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体膜上に第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体膜を形成し、
    前記第１及び第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体膜を加熱して、水及び水素を低減し、
    前記第１及び第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体膜を選択的にエッチングして第１のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体層及び第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体層を形成し、
    前記第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体層上に導電膜を形成し、
    前記導電膜を選択的にエッチングして、ソース電極として機能することができる第２の導電層とドレイン電極として機能することができる第３の導電層を形成し、
    前記第１及び第２のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体層上に酸化物絶縁膜を形成して前記酸化物絶縁膜と接する酸化物半導体層に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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