KR101489652B1 - 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
높은 전하 이동도를 가지며 문턱 전압을 높일 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판과, 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 형성된 하부 산화물층과, 하부 산화물층 상에 형성되어 하부 산화물층보다 산소 농도가 높은 상부 산화물층을 포함하는 산화물 반도체층과, 산화물 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
박막 트랜지스터 기판, 산화물 반도체, 산소 농도
Description
본 발명은 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화물 반도체층의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display)는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치(Flat Panel Display) 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 개재되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 전계 생성 전극이 제1 및 제2 기판에 각각 구비되어 있는 형태이다. 이 중에서도, 제1 기판(즉, 박막 트랜지스터 기판)에는 복수의 화소 전극이 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 있고 제2 기판에는 하나의 공통 전극이 기판 전면을 덮고 있다.
이러한 액정 표시 장치에서 화상의 표시는 각 화소 전극에 별도의 전압을 인 가함으로써 이루어진다. 이를 위해서 화소 전극에 인가되는 전압을 스위칭하기 위한 삼단자 소자인 박막 트랜지스터를 각 화소 전극에 연결하고 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 신호를 전달하는 게이트선과 화소 전극에 인가될 전압을 전달하는 데이터선을 포함하는 다수의 배선을 기판 상에 형성한다.
종래의 액정 표시 장치에 따르면, 스위칭 소자의 채널 영역을 구성하는 물질에 따라 비정질 실리콘 박막 트랜지스터와 다결정 실리콘 박막 트랜지스터로 구분된다. 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 경우, 전하의 이동도가 약 0.5 cm2/Vs 정도로 낮지만 대면적 표시 장치에 대해 균일한 전기적 특성을 구현할 수 있다. 반면 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 경우, 전하의 이동도가 수백 cm2/Vs 정도로 높지만 대면적 표시 장치에 대해 균일한 전기적 특성을 구현하기 어려운 문제가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 높은 전하 이동도를 가지며 대면적 표시 장치에 대하여 균일한 전기적 특성을 얻을 수 있는 박막 트랜지스터 기판을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 이러한 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 절연 기판과, 상기 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 하부 산화물층과, 상기 하부 산화물층 상에 형성되어 상기 하부 산화물층보다 산소 농도가 높은 상부 산화물층을 포함하는 산화물 반도체층과, 상기 산화물 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은, 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 상에 하부 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 하부 산화물층 상에 상기 하부 산화물층보다 산소 농도가 높은 상부 산화물층을 형성하는 단계와, 상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층을 패터닝하여 상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 산화물 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것 일 수 있다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도 1 내지 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판에 대하여 상세히 설명한다. 도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다. 도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 기판을 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 절연 기판(10) 위에 게이트 신호를 전달하는 게이트 배선(22, 26)이 형성되어 있다. 게이트 배선(22, 26)은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22)과, 게이트선(22)에 연결되어 돌기 형태로 형성된 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)을 포함한다.
그리고 절연 기판(10) 위에는 스토리지 전압을 전달하는 스토리지 배선(27, 28)이 형성되어 있다. 스토리지 배선(27, 28)은 화소 영역을 가로질러 게이트선(22)과 실질적으로 평행하게 형성된 스토리지 선(28)과, 스토리지선(28)에 비해 너비가 넓게 형성되어 스토리지선(28)에 연결된 스토리지 전극(27)을 포함한다. 스토리지 전극(27)은 후술할 화소 전극(82)과 연결된 드레인 전극 확장부(67)와 중첩되어 화소의 전하 보존 능력을 향상시키는 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 이룬다. 이와 같은 스토리지 전극(27) 및 스토리지선(28)의 모양 및 배치 등은 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 화소 전극(82)과 게이트선(22)의 중첩으로 발생하는 스토리지 커패시턴스(storage capacitance)가 충분할 경우 스토리지 전극(27) 및 스토리지선(28)은 형성되지 않을 수도 있다.
게이트 배선(22, 26) 및 스토리지 배선(27, 28)은 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 배선(22, 26) 및 스토리지 배선(27, 28)은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트 배선(22, 26) 및 스토리지 배선(27, 28)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 산화 아연(ZnO), ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 배선(22, 26) 및 스토리지 배선(27, 28)은 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.
절연 기판(10) 및 게이트 배선(22, 26)의 위에는 산화 규소(SiOx) 또는 질화 규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(30)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(30) 위에는 하부 산화물층(40a)과 상부 산화물층(40b)이 적층된 산화물 반도체층(40)이 형성되어 있다. 하부 산화물층(40a) 및 상부 산화물층(40b)은 각각 Zn, In, Ga, Sn, Hf 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함한다. 예를 들어 하부 산화물층(40a) 및 상부 산화물층(40b)으로는 ZnO, InZnO, InGaO, InSnO, ZnSnO, GaSnO, GaZnO, GaZnSnO 또는 GaInZnO 등의 혼합 산화 물이 사용될 수 있다. 하부 산화물층(40a)과 상부 산화물층(40b)은 실질적으로 동일한 산화물로 이루어질 수도 있고, 서로 다른 산화물로 이루어질 수도 있다. 이러한 산화물 반도체층(40)은 수소화 비정질 규소에 비하여 전하의 유효 이동도(effective mobility)가 2 내지 100배 정도 크고, 온/오프 전류비가 105 내지 108 의 값을 가짐으로써 뛰어난 반도체 특성을 가지고 있다. 또한 산화물 반도체층(40)의 경우, 밴드갭(band gap)이 약 3.0 내지 3.5eV 이므로 가시광에 대하여 누설 광전류가 발생하지 않는다. 따라서 산화물 박막 트랜지스터의 순간 잔상을 방지할 수 있고, 산화물 박막 트랜지스터 하부에 광차단막을 형성할 필요가 없으므로 액정 표시 장치의 개구율을 높일 수 있다. 산화물 반도체의 특성을 향상시키기 위해 주기율표상의 3족, 4족, 5족 또는 전이원소가 추가로 포함될 수 있다. 또한, 이러한 산화물 반도체층(40)을 구성하는 물질들은 후술하는 데이터 배선(62, 65, 66, 67)과의 오믹 콘택(Ohmic contact) 특성이 좋으므로 별도로 오믹 콘택층을 형성할 필요가 없으므로 공정 시간을 단축할 수 있다. 또한, 산화물 반도체층(40)은 대부분 비정질 상태이지만 높은 전하의 유효 이동도(effective mobility)를 가지고 있고, 기존 비정질 규소의 제조 공정을 그대로 적용할 수 있어서 대면적 표시 장치에 대하여 적용할 수 있다.
박막 트랜지스터를 구성하는 반도체층에 있어서 이동도(mobility)와 문턱 전압(threshold voltage)가 중요한 물성을 차지한다. 이동도가 높을수록 신호 처리 시간이 짧아지므로 대면적 표시 장치에 적합하고, 문턱 전압은 너무 낮아지는 경우 통상의 게이트 온 전압에 대하여 항상 박막 트랜지스터가 턴온 상태가 되므로 문턱 전압이 지나치게 떨어지는 것을 방지할 필요가 있다.
한편, 산화물 반도체 내에 산소 농도가 낮은 경우 이동도가 높아지는 반면 문턴 전압이 낮아지고, 반대로 산화물 반도체 내에 산소 농도가 높은 경우 이동도가 낮아지는 반면 문턱 전압이 높아지는 경향이 있다. 예를 들어, 산화물 반도체를 형성하기 위하여 산소 가스를 포함하는 플라즈마를 이용하는 경우, 산소 가스의 농도가 낮으면 기판 상에 형성된 산화물 반도체층 내에 산소의 농도가 낮아진다. 산소 농도가 낮은 산화물 반도체는 산소 농도가 높은 산화물 반도체에 비해 산소 베이컨시(oxygen vacancy)가 많아진다. 산소 베이컨시가 많다는 것은 산화물 반도체 내에 전하를 전송하는 캐리어(carrier)가 많다는 것을 의미한다. 따라서, 전하 이동도가 증가하고 낮은 게이트 온 전압에 대해서도 쉽게 박막 트랜지스터가 턴온될 수 있으므로, 문턱 전압이 낮아지게 된다. 반대로 산소 농도가 높은 산화물 반도체는 산소 농도가 낮은 산화물 반도체에 비해 산소 베이컨시, 즉 전하의 캐리어가 적다. 따라서, 전하 이동도가 낮아지고 높은 게이트 온 전압에 대해서 박막 트랜지스터가 턴온될 수 있으므로, 문턱 전압이 높아지게 된다.
본 실시예에서는 산화물 반도체층(40)의 이동도를 높게 유지하면서 문턱 전압이 지나치게 낮아지는 것을 방지하기 위하여, 산소 농도가 상대적으로 낮은 하부 산화물층(40a)과 산소 농도가 상대적으로 높은 상부 산화물층(40b)을 포함하는 산화물 반도체층(40)을 제공한다. 즉, 하부 산화물층(40a)의 산소 농도는 상부 산화물층(40b)의 산소 농도보다 낮은 것이 바람직하다. 산화물 반도체층(40) 중 하부 산화물층(40a)은 이동도를 높이는 역할을 하며, 산화물 반도체층(40) 중 상부 산화물층(40b)은 문턱 전압을 높이는, 다시 말해 지나치게 낮아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 특히, 박막 트랜지스터의 턴온/턴오프는 산화물 반도체층(40)과 소스 전극(65), 및 산화물 반도체층(40)과 드레인 전극(66) 사이의 계면에서 결정되므로, 산화물 반도체층(40)의 상부, 즉 상부 산화물층(40b)은 산소 농도가 상대적으로 높은 산화물 반도체로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 산화물 반도체층(40) 중 채널부는 게이트 전극(26)과 인접한 산화물 반도체층(40)의 하부에 형성되므로, 하부 산화물층(40a)은 산소 농도가 상대적으로 낮은 산화물 반도체로 이루어지는 것이 바람직하다.
산화물 반도체층(40)은 약 50 내지 200 nm의 두께로 형성될 수 있으며, 상부 산화물층(40b)은 산화물 반도체층(40)의 전체 두께의 약 60 내지 80 %의 두께로 형성될 수 있다.
본 실시예의 산화물 박막 트랜지스터의 경우에는 산화물 반도체층(40)과 데이터 배선(62, 65, 66, 67)의 패턴 모양이 서로 상이하다. 그러나, 4매 마스크 공정을 적용하는 경우 산화물 반도체층(40)은 산화물 박막 트랜지스터의 채널 영역을 제외하고는 데이터 배선(62, 65, 66, 67)과 실질적으로 동일한 형상으로 패터닝될 수 있다. 이는 산화물 반도체층(40)과 데이터 배선(62, 65, 66, 67)을 하나의 식각 마스크를 이용하여 패터닝하기 때문이다. 본 실시예에서는 5매 마스크 공정에 의해 제조된 구조를 예시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 5매 마스크 공정과 다른 공정, 예컨대 3매 또는 4매 마스크 공정을 적용한 경우에도 본 발 명의 핵심 사상을 적용하는 것은 당업자에게 자명한 사실이다.
산화물 반도체층(40) 및 게이트 절연막(30) 위에는 데이터 배선(62, 65, 66, 67)이 형성되어 있다. 데이터 배선(62, 65, 66, 67)은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 교차하여 화소를 정의하는 데이터선(62)과, 데이터선(62)으로부터 가지(branch) 형태로 분지되어 산화물 반도체층(40)의 상부까지 연장되어 있는 소스 전극(65)과, 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26) 또는 산화물 박막 트랜지스터의 채널부를 중심으로 소스 전극(65)과 대향하도록 산화물 반도체층(40) 상부에 형성되어 있는 드레인 전극(66)과, 드레인 전극(66)으로부터 연장되어 스토리지 전극(27)과 중첩하는 넓은 면적의 드레인 전극 확장부(67)를 포함한다.
이러한 데이터 배선(62, 65, 66, 67)은 산화물 반도체층(40)과 직접 접촉하여 오믹 콘택(Ohmic contact)을 형성하는 물질로 구성될 수 있다. 데이터 배선(62, 65, 66, 67)이 산화물 반도체층(40)을 구성하는 물질보다 일함수(work function)가 작은 물질로 이루어지면 두 층간에 오믹 콘택이 이루어질 수 있다. 따라서 산화물 반도체층(40)의 일함수가 약 5 eV 이상, 예를 들어 약 5.1 내지 5.3eV인 경우에는, 데이터 배선(62, 65, 66, 67)의 일함수가 약 5.3eV 이하가 되는 물질로 형성할 수 있다. 또한, 데이터 배선(62, 65, 66, 67)과 산화물 반도체층(40)의 일함수 값의 차이가 약 1.5eV이하인 것이 접촉 저항 특성 향상에 보다 적합할 수 있다. 따라서, 산화물 반도체층(40)과 오믹 콘택을 이루기 위하여 데이터 배선(62, 65, 66, 67)은 하기 표 1에 나타난 바와 같이 Ni, Co, Ti, Ag, Cu, Mo, Al, Be, Nb, Au, Fe, Se, 또는 Ta 등으로 이루어진 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다. 또한 상기 금 속에 Ti, Zr, W, Ta, Nb, Pt, Hf, O, N에서 선택된 하나이상의 원소가 포함된 합금도 적용 가능하다.
이하 표 1은 데이터 배선(62, 65, 66, 67)으로 사용되는 금속 물질의 일함수를 나타낸 표이다.
[표 1]
| 금속 | Ni | Co | Ti | Ag | Cu | Mo |
| 일함수(eV) | 5.01 | 5.0 | 4.7 | 4.73 | 4.7 | 4.5 |
| 금속 | Al | Be | Nb | Au | Fe | Se |
| 일함수(eV) | 4.08 | 5.0 | 4.3 | 5.1 | 4.5 | 5.11 |
한편 산화물 반도체층(40)은 Al, Cu, Ag 등의 금속과 직접 접촉할 경우 상호간의 반응 내지는 확산에 의해 이들 금속을 데이터 배선(62, 65, 66, 67)으로 채용한 산화물 박막 트랜지스터의 특성 및/또는 화소 전극(82)으로 일반적으로 사용되는 ITO 또는 IZO 등과의 오믹 콘택 특성이 나빠질 수 있다. 따라서, 데이터 배선(62, 65, 66, 67)을 이중막 또는 삼중막 구조로 형성할 수 있다.
데이터 배선(62, 65, 66, 67)으로 Al 또는 Al에 Nd, Sc, C, Ni, B, Zr, Lu, Cu, Ag 등이 함유된 합금을 적용할 경우, Al 또는 Al 합금의 상부 및/또는 하부에 이종막이 적층된 다층막이 적용될 수 있다. 예를 들면, Mo(Mo 합금)/Al(Al 합금), Ti(Ti 합금)/Al(Al 합금), Ta(Ta 합금)/Al(Al 합금), Ni(Ni 합금)/Al(Al 합금), Co(Co 합금)/Al(Al 합금) 등과 같은 이중막 또는 Ti(Ti 합금)/Al(Al 합금)/Ti(Ti 합금), Ta(Ta 합금)/ Al(Al 합금)/Ta(Ta 합금), Ti(Ti 합금)/Al(Al 합금)/TiN, Ta(Ta 합금)/Al(Al 합금)/TaN, Ni(Ni 합금)/Al(Al 합금)/Ni(Ni 합금), Co(Co 합금)/Al(Al 합금)/Co(Co 합금), Mo(Mo 합금)/Al(Al 합금)/Mo(Mo 합금) 등과 같은 삼 중막이 적용될 수 있다. 합금으로 표시된 물질들에는 Mo, W, Nb, Zr, V, O, N 등이 첨가되어 있을 수 있다.
한편 데이터 배선(62, 65, 66, 67)으로 Cu 또는 Cu 합금을 적용할 경우에는, 데이터 배선(62, 65, 66, 67)과 화소 전극(82)과의 오믹 콘택 특성은 큰 문제가 없기 때문에 데이터 배선(62, 65, 66, 67)으로 Cu 또는 Cu 합금막과 산화물 반도체층(40)의 사이에 Mo, Ti 또는 Ta를 포함하는 막이 적용된 이중막이 적용될 수 있다. 예를 들면, Mo(Mo 합금)/Cu, Ti(Ti 합금)/Cu, TiN(TiN 합금)/Cu, Ta(Ta 합금)/Cu, TiOx/Cu 등과 같은 이중막이 적용될 수 있다.
소스 전극(65)은 산화물 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩되고, 드레인 전극(66)은 산화물 박막 트랜지스터의 채널부를 중심으로 소스 전극(65)과 대향하며 산화물 반도체층(40)과 적어도 일부분이 중첩된다.
드레인 전극 확장부(67)는 스토리지 전극(27)과 중첩되도록 형성되어, 스토리지 전극(27)과 게이트 절연막(30)을 사이에 두고 스토리지 커패시터를 형성한다. 스토리지 전극(27)을 형성하지 않을 경우 드레인 전극 확장부(27)를 형성하지 않을 수 있다.
데이터 배선(62, 65, 66, 67) 및 이에 의해 노출된 산화물 반도체층(40) 상부에는 보호막(70)이 형성되어 있다. 예를 들어 보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소 등으로 이루어진 무기 물질, 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질, 또는 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등 의 저유전율 절연 물질 등으로 형성될 수 있다. 또한 보호막(70)은 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.
보호막(70)에는 드레인 전극 확장부(67)를 드러내는 컨택홀(77)이 형성되어 있다. 보호막(70) 위에는 컨택홀(77)을 통하여 드레인 전극(66)과 전기적으로 연결되는 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 화소 전극(82)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체 또는 알루미늄 등의 반사성 도전체로 이루어질 수 있다.
데이터 전압이 인가된 화소 전극(82)은 박막 트랜지스터 기판과 대향하는 상부 기판의 공통 전극과 함께 전기장을 생성함으로써 화소 전극(82)과 공통 전극 사이의 액정층의 액정 분자들의 배열을 결정한다.
이하, 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 산화물 반도체층의 특성에 대하여 설명한다.
도 3은 도 2의 박막 트랜지스터 기판의 P 부분을 확대한 단면도이다. 도 4는 도 3의 산화물 반도체층의 A 부분에 대한 투과 전자 현미경(Transmission Electron Microscope, 이하 TEM) 이미지이다. 도 5는 도 3의 산화물 반도체층의 B 부분에 대한 TEM 이미지이다. 도 4 및 도 5의 경우, Hf이 추가된 InZnO로 이루어진 산화물 반도체층에 대하여 TEM 이미지를 촬영하였다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 하부 산화물층(40a) 중 게이트 절연막(30)에 인접한 A 부분은 비정질 상태이고, 하부 산화물층(40a) 중 상부 산화물층(40b)과 인접한 B 부분은 결정질 상태를 가지고 있다. 도시하지는 않았으나 상부 산화물 층(40b)도 실질적으로 하부 산화물층(40a)과 마찬가지로 하부는 비정질 상태이고 상부는 결정질 상태를 가진다. 따라서, 하부 산화물층(40a)과 상부 산화물층(40b)을 TEM 이미지를 통하여 서로 구분이 가능하다.
다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 상부 산화물층(40b) 및 하부 산화물층(40a)은 모두 비정질 상태를 가질 수 있다. 즉, InZnO에 첨가되는 Hf의 농도에 따라 상부 산화물층(40b) 및 하부 산화물층(40a)이 모두 비정질 상태를 가질 수 있다. 이러한 경우, SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)를 이용하여 산화물 반도체층(40)의 두께 방향에 따른 산소의 농도를 측정함으로써 상부 산화물층(40b)과 하부 산화물층(40a)을 구분할 수 있다.
도 6은 산소 가스 및 아르곤 가스의 분압에 따른 산화물 반도체의 이동도를 측정한 그래프이다. 도 7은 산소 가스 및 아르곤 가스의 분압에 따른 산화물 반도체의 문턱 전압을 측정한 그래프이다.
도 6 및 도 7의 실험예에서는 아르곤(Ar) 가스와 산소 가스를 이용한 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)을 이용하여 Hf이 추가된 InZnO로 이루어진 산화물 반도체 샘플들을 제작하였다. 게이트 절연막으로는 질화 규소 상에 산화 규소가 적층된 이중막 구조를 사용하였으며, 보호막으로는 산화 규소를 사용하였다. 각 샘플들은 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비에 따라 4개의 그룹으로 나누어 실험하였다. 제1 내지 제4 샘플(#1, #2, #3, #4)은 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/1인 경우이고, 제5 내지 제8 샘플(#5, #6, #7, #8)은 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/4인 경우이고, 제9 내지 제12 샘플(#9, #10, #11, #12)은 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/7인 경우이고, 제13 내지 제16 샘플(#13, #14, #15, #16)은 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/9인 경우이다. 또한, 각 샘플에 대하여 박막 트랜지스터 기판을 완성한 후에 어닐링(annealing) 등의 열처리를 수행하였을 때, 열처리 조건에 따른 이동도를 함께 측정하였다. 열처리 조건으로는 박막 트랜지스터 기판을 200도에서 1시간 동안 가열한 경우와 250도에서 1시간 동안 가열한 경우가 있다.
도 6을 참조하면, 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 높을수록, 즉 산화물 반도체 내에 산소 농도가 낮을수록, 이동도가 증가하는 것을 알 수 있다. 상대적으로 높은 이동도를 얻기 위해서는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/1 이상인 것이 바람직하다. 다시 말해, 산소 가스의 분압이 0.2 이하인 경우 상대적으로 높은 이동도가 가진 산화물 반도체를 얻을 수 있다.
도 7을 참조하면, 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 낮을수록, 즉 산화물 반도체 내에 산소 농도가 높을수록, 문턱 전압이 증가하는 것을 알 수 있다. 상대적으로 높은 문턱 전압을 얻기 위해서는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/7 이하인 것이 바람직하다. 다시 말해, 산소 가스의 분압이 0.55 이상인 경우 상대적으로 높은 이동도가 가진 산화물 반도체를 얻을 수 있다.
도 2, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 하부 산화물층(40a)은 산화물 반도체 층(40)의 전체적인 이동도를 높이는 역할을 하므로, 하부 산화물층(40a)을 형성하기 위해 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/1 이상인 것이 바람직하다. 다시 말해, 산소 가스의 분압이 0.2 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상부 산화물층(40b)은 산화물 반도체층(40)의 전체적인 문턱 전압을 높이는 역할을 하므로, 상부 산화물층(40b)을 형성하기 위해 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/7 이하인 것이 바람직하다. 다시 말해, 산소 가스의 분압이 0.55 이상인 것이 바람직하다.
도 8은 게이트 전압(Vg)의 변화에 따른 산화물 반도체층을 흐르는 전류(I)를 측정한 그래프이다. 샘플 X는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/1인 조건에서 형성된 하부 산화물층과, 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/7인 조건에서 형성된 상부 산화물층으로 이루어진 이중막 구조의 산화물 반도체층이다. 샘플 Y는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/1인 조건에서 형성된 단일막 구조의 산화물 반도체층이다. 샘플 Z는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비(Ar/O2)가 5/7인 조건에서 형성된 단일막 구조의 산화물 반도체층이다.
이들 샘플 X, Y, Z에 대한 전기적 특성은 아래의 표 2와 같다. 여기서, Ion은 박막 트랜지스터가 턴온된 경우 산화물 반도체층을 흐르는 전류이고, Ioff는 박막 트랜지스터가 턴오프된 경우 산화물 반도체층을 흐르는 전류이다.
[표 2]
| Ion (A) | Ioff (A) | 이동도 (Cm2/Vs) | 문턱 전압 (V) | |
| 샘플 X | 6.28 × 10-5 | 1.69 × 10-12 | 4.72 | -3.99 |
| 샘플 Y | 9.14 × 10-5 | 2.29 × 10-12 | 4.49 | -6.73 |
| 샘플 Z | 1.81 × 10-5 | 3.65 × 10-12 | 1.07 | -3.72 |
도 8 및 표 2에 나타난 바와 같이, 산소 농도가 상대적으로 낮은 하부 산화물층과 산소 농도가 상대적으로 높은 상부 산화물층으로 이루어진 샘플 X는, 산소 농도가 상대적으로 낮은 산화물 반도체층으로만 이루어진 샘플 Y와 비슷한 정도의 전하 이동도를 가지고, 산소 농도가 상대적으로 높은 산화물 반도체층으로만 이루어진 샘플 Z와 비슷한 정도의 문턱 전압을 가진다. 따라서, 본 실시예와 같이 산소 농도가 다른 이중막 구조의 산화물 반도체층을 이용하는 경우, 전하 이동도가 높아지는 동시에 문턱 전압도 높아질 수 있다. 구체적으로 본 실시예의 산화물 반도체층은 약 4.5 Cm2/Vs 이상의 이동도를 가지고, 약 -4 V 이상의 문턱 전압을 가질 수 있다.
이하, 도 9 내지 도 13을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 상세히 설명한다. 도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
먼저, 도 1 및 도 9에 도시된 바와 같이, 절연 기판(10) 위에 게이트선(22), 게이트 전극(26), 스토리지 전극(27) 및 스토리지선(28)을 형성한다.
절연 기판(10)은, 예를 들어 소다석회유리(soda lime glass) 또는 보로 실리 케이트 유리 등의 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 게이트 배선(22, 26)을 형성하기 위해 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용할 수 있다. 게이트 배선(22, 26)을 패터닝할 때 습식 식각 또는 건식 식각을 이용할 수 있다. 습식 식각의 경우, 인산, 질산, 초산 등의 식각액을 사용할 수 있다. 또한 건식 식각의 경우, 염소 계열의 식각 가스, 예를 들어 Cl2, BCl3 등을 사용할 수 있다.
이어서, 도 1 및 도 10를 참조하면 절연 기판(10), 게이트 배선(22, 26) 위에 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 등을 이용하여 게이트 절연막(30)을 형성한다. 이어서, 게이트 절연막(30) 위에 산화물 반도체층(40)을 형성한다.
구체적으로 반응성 스퍼터링을 이용하여 산소 가스의 분압이 0.2이하인 조건에서 하부 산화물층(40a)을 형성하고, 플라즈마를 잠시 제거한다. 이어서, 반응성 스퍼터링을 이용하여 산소 가스의 분압이 0.55 이상인 조건에서 상부 산화물층(40b)을 형성한다. 이어서 상부 산화물층(40b) 위에 감광막을 형성하고, 사진 공정 및 식각 공정과 같은 패터닝 공정을 통하여 산화물 반도체층(40)을 형성한다.
도 1 및 도 11를 참조하면, 게이트 절연막(30) 및 산화물 반도체층(40) 위에 예를 들어 스퍼터링 등의 방법으로 데이터 배선(62, 65, 66, 67)을 형성한다. 소스 전극(65)과 드레인 전극(66)은 게이트 전극(26)을 중심으로 양쪽으로 분리되며, 드레인 전극(66)으로부터 연장된 드레인 전극 확장부(67)가 스토리지 전극(27)과 오버랩된다.
이어서 도 1 및 도 12에 도시된 바와 같이, PECVD 또는 반응성 스퍼터링 등을 이용하여 보호막(70)을 형성한다. 사진 공정 및 식각 공정으로 보호막(70)을 패터닝하여, 드레인 전극 확장부(67)을 드러내는 컨택홀(77)을 형성한다.
도 1 및 도 13을 참조하면, 보호막(70) 상에 드레인 전극 확장부(67)와 연결되는 화소 전극용 도전막(81)을 형성한다. 이러한 화소 전극용 도전막(81)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체, 또는 알루미늄 등의 반사성 도전체로 이루어질 수 있다.
이어서, 도 13 및 도 2를 참조하면, 이러한 화소 전극용 도전막(81)을 패터닝하여 드레인 전극(66)과 연결된 화소 전극(82)을 형성한다.
이와 같이 형성된 박막 트랜지스터 기판에 대하여 어닐링 등의 열처리를 수행한다. 예를 들어, 박막 트랜지스터 기판을 200도 내지 300도에서 1시간 동안 열처리할 수 있다. 열처리 온도 및 시간이 충분한 경우 도 14에 도시된 바와 같이, 산화물 반도체층(40)을 구성하던 하부 산화물층(40a)과 상부 산화물층(40b)의 경계가 실질적으로 없어질 수 있고, 전체적으로 산소의 농도가 두께 방향으로 연속적으로 변하는 단일막 구조의 산화물 반도체층(40')이 형성된다. 도 14는 도 3의 산화물 반도체층의 변형예이다. 도 14를 참조하면, 게이트 절연막(30)에 인접한 산화물 반도체층(40')의 하부(L)는 상대적으로 산소의 농도가 낮고, 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)과 인접한 반도체층(40')의 상부(M)는 상대적으로 산소의 높도가 높다. 다시 말해, 산화물 반도체층(40')의 상부(M)는 산화물 반도체층(40')의 하부(L)보다 평균 산소 농도가 높다. 이와 같이 하나의 산화물 반도체층(40') 내에 산소의 농도가 아래에서 위로 갈수록 높아지는 경우, 전하 이동도가 높아지는 동시에 문턱 전압도 높아질 수 있다.
이상의 실시예들에서는 게이트 전극이 산화물 반도체층 아래에 배치된 바텀 게이트 구조(bottom gate structure)에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 게이트 전극이 산화물 반도체층 위에 배치된 탑 게이트 구조(top gate structure)에서도 적용될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 배치도이다.
도 2는 도 1의 박막 트랜지스터 기판을 II-II'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2의 박막 트랜지스터 기판의 P 부분을 확대한 단면도이다.
도 4는 도 3의 산화물 반도체층의 A 부분에 대한 TEM 이미지이다.
도 5는 도 3의 산화물 반도체층의 B 부분에 대한 TEM 이미지이다.
도 6은 산소 가스 및 아르곤 가스의 분압에 따른 산화물 반도체의 이동도를 측정한 그래프이다.
도 7은 산소 가스 및 아르곤 가스의 분압에 따른 산화물 반도체의 문턱 전압을 측정한 그래프이다.
도 8은 게이트 전압(Vg)의 변화에 따른 산화물 반도체층을 흐르는 전류(I)를 측정한 그래프이다.
도 9 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도들이다.
도 14는 도 3의 산화물 반도체층의 변형예이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 절연 기판 22: 게이트선
26: 게이트 전극 27: 스토리지 전극
28: 스토리지선 30: 게이트 절연막
40: 산화물 반도체층 62: 데이터선
65: 소스 전극 66: 드레인 전극
67: 드레인 전극 확장부 70: 보호막
77: 컨택홀 82: 화소 전극
Claims (19)
- 절연 기판;상기 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 하부 산화물층과, 상기 하부 산화물층 상에 형성되어 상기 하부 산화물층보다 산소 농도가 높은 상부 산화물층을 포함하는 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 상부 산화물층 상에 바로 형성되는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 상부 산화물층은 상기 산화물 반도체층의 전체 두께의 60 내지 80%의 두께를 가지는 박막 트랜지스터 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 산화물 반도체층의 이동도는 4.5 Cm2/Vs 이상이고, 상기 산화물 반도체층의 문턱 전압는 -4 V이상인 박막 트랜지스터 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 하부 산화물층 및 상기 상부 산화물층은 각각 Zn, In, Ga, Sn, Hf 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제4 항에 있어서,상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층은 동일한 물질로 이루어진 박막 트랜지스터 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층의 경계부에서 산소 농도는 연속적으로 변하는 박막 트랜지스터 기판.
- 제6 항에 있어서,상기 상부 산화물층은 상기 하부 산화물층보다 평균 산소 농도가 높은 박막 트랜지스터 기판.
- 제1 항에 있어서,상기 하부 산화물층의 하부는 비정질 상태이고, 상기 하부 산화물층의 상부는 결정질 상태인 박막 트랜지스터 기판.
- 제8 항에 있어서,상기 상부 산화물층의 하부는 비정질 상태이고, 상기 상부 산화물층의 상부는 결정질 상태인 박막 트랜지스터 기판.
- 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 하부 산화물층을 형성하는 단계;상기 하부 산화물층 상에 상기 하부 산화물층보다 산소 농도가 높은 상부 산화물층을 형성하는 단계;상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층을 패터닝하여 상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체층 상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 상부 산화물층 상에 바로 형성되는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,상기 하부 산화물층 및 상기 상부 산화물층을 형성하는 단계는 반응성 스퍼터링을 이용하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 하부 산화물층을 형성하는 단계는 산소 가스의 분압이 0.2 이하인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제12 항에 있어서,상기 하부 산화물층을 형성하는 단계는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비가 5/1 이상인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제11 항에 있어서,상기 상부 산화물층을 형성하는 단계는 산소 가스의 분압이 0.55 이상인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제14 항에 있어서,상기 하부 산화물층을 형성하는 단계는 산소 가스에 대한 아르곤 가스의 분압비가 5/7 이하인 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성한 후, 상기 산화물 반도체층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제16 항에 있어서,상기 산화물 반도체층을 200도 내지 300도에서 열처리하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제10 항에 있어서,상기 하부 산화물층 및 상기 상부 산화물층은 각각 Zn, In, Ga, Sn, Hf 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
- 제18 항에 있어서,상기 하부 산화물층과 상기 상부 산화물층은 동일한 물질로 이루어진 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법.
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