JP2012256877A5 - 半導体装置の作製方法、及び半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 同一平面上に、第１の導電膜と、前記第１の導電膜と離間した第２の導電膜と、を形成し、
   前記第１の導電膜の側面、及び前記第２の導電膜の側面と接する、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の導電膜と、前記第２の導電膜との間に、前記第１の絶縁膜を介して、第３の導電膜を形成し、
   前記第３の導電膜をエッチングして、前記第３の導電膜の上面の位置を、前記第１の導電膜の上面の位置、及び前記第２の導電膜の上面の位置より低くし、
   前記第３の導電膜上に、第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上に、酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、第３の絶縁膜を形成し、
   前記第３の絶縁膜上に、第４の導電膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第１の導電膜は、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能し、
   前記第２の導電膜は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極の他方として機能し、
   前記第２の絶縁膜は、第１のゲート絶縁膜として機能し、
   前記第３の導電膜は、第１のゲート電極として機能し、
   前記第３の絶縁膜は、第２のゲート絶縁膜として機能し、
   前記第４の導電膜は、第２のゲート電極として機能する、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. ソース電極と、
   ドレイン電極と、
   第１のゲート絶縁膜と、
   第１のゲート電極と、
   酸化物半導体膜と、
   第２のゲート絶縁膜と、
   第２のゲート電極と、を有し、
   前記第１のゲート電極の上面の位置は、前記ソース電極の上面の位置より低く、
   前記第１のゲート電極の上面の位置は、前記ドレイン電極の上面の位置より低く、
   前記第１のゲート電極の側面は、絶縁膜を介して、前記ソース電極の側面と重なる領域を有し、
   前記第１のゲート電極の側面は、前記絶縁膜を介して、前記ドレイン電極の側面と重なる領域を有し、
   前記酸化物半導体膜は、平坦な上面を有し、
   前記平坦な上面上に、前記第２のゲート絶縁膜を介して、前記第２のゲート電極が重なることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１のゲート電極は、トランジスタのしきい値電圧を制御する機能を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２又は請求項３において、
   前記第１のゲート電極と、同一層にある導電膜を有し、
   前記導電膜は、ガードリングの機能を有することを特徴とする半導体装置。