JP2014042013A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 絶縁表面上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、
   前記酸化物半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層を挟んで前記酸化物半導体層と重なるゲート電極と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体膜と、前記第１の酸化物半導体膜上に位置し、前記ゲート絶縁層と接する領域を有する第２の酸化物半導体膜とを有し、
   前記第１の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜と重なる第１の領域と、前記第２の酸化物半導体膜と重ならず、且つ前記ソース電極と重なる第２の領域と、前記第２の酸化物半導体膜と重ならず、且つ前記ドレイン電極と重なる第３の領域とを有し、
   前記第２の領域は、段差部を有し、
   前記第３の領域は、段差部を有し、
   前記第２の酸化物半導体膜の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体膜の電子親和力より０．１ｅＶ以上小さく、
   前記第１の酸化物半導体膜と前記第２の酸化物半導体膜は、同一の金属元素を主成分として含むことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物半導体層は、前記絶縁表面と前記第１の酸化物半導体膜との間に位置する第３の酸化物半導体膜を有し、
   前記第３の酸化物半導体膜の電子親和力は、前記第１の酸化物半導体膜の電子親和力より０．１ｅＶ以上小さいことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも大きく、
   前記第２の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極のチャネル長方向の長さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。